JP2008311574A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体装置1は、p+型のシリコン基板2と、シリコン基板2上に配置され、複数のトレンチ3aを有するとともに、隣接するトレンチ3a間の各領域がチャネル10となるn型の半導体層3と、半導体層3の複数のトレンチ3aの内面上に絶縁膜4を介して配置された複数の埋め込み電極5とを備え、シリコン基板2および半導体層3により、PNダイオードが形成されており、埋め込み電極5が負電位である場合に、トレンチ3aから隣接するトレンチ3aにわたって空乏層11が形成されることにより、チャネル10がオフ状態となり、埋め込み電極5が正電位である場合に、隣接するトレンチ3a間の全ての領域において、空乏層11が形成されないことにより、チャネル10がオン状態となる。
【選択図】図2
Description
2 シリコン基板(第1半導体層)
3 半導体層(第2半導体層)
3a トレンチ
3d n+層(高濃度不純物領域)
4 絶縁膜
5 埋め込み電極(第1埋め込み電極)
5a 埋め込み電極(第2埋め込み電極)
6、66 電極層(配線層)
10 チャネル
11 空乏層
45 p+型拡散層(拡散層)
66a 埋め込み部(第2埋め込み電極)
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配置され、複数のトレンチを有する第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の複数のトレンチの各々に埋め込まれた複数の埋め込み電極とを備え、
前記第1半導体層および前記第2半導体層により、PNダイオードが形成されており、
隣接する前記トレンチ間の各領域がチャネルとなり、かつ、前記トレンチの周囲に形成される空乏層で前記隣接するトレンチ間の各領域が塞がれることにより前記チャネルが遮断される一方、前記トレンチの周囲に形成された空乏層の少なくとも一部が消滅することにより前記チャネルが開くように構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記埋め込み電極が第1の電位である場合に、前記トレンチから隣接する前記トレンチにわたって空乏層が形成されることにより、前記チャネルを流れる電流が遮断され、
前記埋め込み電極が第2の電位である場合に、前記隣接するトレンチ間の少なくとも一部の領域において、前記空乏層が形成されないことにより、前記チャネルを介して電流が流れることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2半導体層がn型の半導体層である場合、前記第2の電位は前記第1の電位よりも高く、
前記第2半導体層がp型の半導体層である場合、前記第2の電位は前記第1の電位よりも低いことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記埋め込み電極が第1の電位である場合に、前記空乏層は、前記複数のトレンチの周囲にそれぞれ形成されるとともに、前記隣接するトレンチ間の各領域を塞ぐように互いに連結された状態になることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記トレンチは、前記第1半導体層に達することなく、前記第2半導体層に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層上に配置された配線層をさらに備え、
前記第2半導体層の前記配線層側には、前記第2半導体層の前記第1半導体層側の部分よりも高い不純物濃度を有する高濃度不純物領域が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記複数のトレンチの各々の周囲に形成される全ての空乏層で前記隣接するトレンチ間の各領域が塞がれることにより前記チャネルが遮断される一方、前記複数のトレンチの各々の周囲に形成された全ての空乏層が消滅することにより前記チャネルが開くように構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記複数の埋め込み電極は、互いに別個に電圧が印加される第1埋め込み電極および第2埋め込み電極の2種類に分けられており、
前記複数のトレンチのうちの全てのトレンチの周囲に形成される空乏層で前記隣接するトレンチ間の各領域が塞がれることにより前記チャネルが遮断される一方、前記複数のトレンチのうちの前記第1埋め込み電極が埋め込まれたトレンチの周囲に形成された空乏層が消滅することにより前記チャネルが開くように構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2埋め込み電極は、前記トレンチの内部において、前記第2半導体層に対してショットキー接触していることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層の前記隣接するトレンチ間の各領域に形成され、前記トレンチに対して所定の間隔を隔てて配置された前記第1導電型の拡散層をさらに備え、
前記トレンチおよび前記拡散層の各々の周囲に形成される空乏層で前記隣接するトレンチ間の各領域が塞がれることにより前記チャネルが遮断される一方、前記トレンチの周囲に形成された空乏層が消滅することにより前記チャネルが開くように構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
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