JP2008298761A - 電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】 従来のプリント基板のような絶縁体に、Ｕ字型の一次導体を直接設置した構成の電流センサでは、ブリッジ回路の左右の各ハーフブリッジ回路に逆方向磁界が印加され一様な外部磁界を除去する利点があるが、一次導体設置面が必要であり、また絶縁確保のためにも、センサ基板の小型化に限界があるという問題点があった。また、一次導体の位置や形状を変更せず、同一の磁気抵抗効果素子（同一のブリッジ回路）用いた場合、測定レンジを容易に可変できないという問題点があった。
【解決手段】 一次導体とケースとを一体化した構造としたため、磁気抵抗効果素子や回路部と一次導体の絶縁耐圧が容易に確保され、センサ基板が小型化でき、かつ低コストで、測定レンジの可変が容易となる。
【選択図】図１

Description

この発明は、被測定電流が印加されるＵ字型一次導体の、Ｕ字型形状部の近傍において、被測定電流を測定する電流センサに関するものである。

従来の電流センサあるいは磁気センサとして、複数の磁気抵抗効果素子からなるブリッジ回路を、絶縁体を介して所定の間隔を離してＵ字型の一次導体近傍に配置したものがある（例えば、特許文献１参照）。

特開平８−２１１１３８公報

上記特許文献１に開示されている電流センサまたは磁気センサの一次導体は、左右対称的なＵ字型構造で、磁気抵抗効果素子で構成するブリッジ回路の左右の各ハーフブリッジに逆方向磁界が印加され、一様な外部磁界を除去する利点がある。しかしながら、プリント基板のような絶縁体に一次導体を直接設置した構成では、絶縁を確保するためスペース、及び一次導体を設置するためのスペースがプリント基板上に必要となり小型化に限界があるという問題点があった。また、一次導体の位置や形状を変更せず、同一の磁気抵抗効果素子（同一のブリッジ回路）を用いた場合は、測定レンジを容易に可変できないという問題点があった。

この発明は上記のような課題を鑑み、解決するためになされたもので、一様な外部磁界を除去するとともに、磁気抵抗効果素子や回路部と一次導体の絶縁耐圧が容易に確保されるとともにセンサ基板が小型化でき、かつ測定レンジが容易に可変できる電流センサを得ることを目的とする。

この発明に係る電流センサは、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイスと、少なくとも１つのＵ字型形状部を有する一次導体と、上記電流検知デバイスと上記一次導体を固定するケースを有し、上記一次導体と上記ケースが一体化した構造をとるものである。

設置基板上に四つの磁気抵抗効果素子で、設置基板上の中心線に対して分けられた一方の領域に第一のハーフブリッジ回路が配置されるとともに、他方の領域に第二のブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去する効果がある。
また、電流検知デバイスを含むセンサ基板と、ケースと一体化した一次導体が離間され空間部を有すること、あるいは上記空間部に絶縁物を設置することで、上記一次導体と上記電流検知デバイスのセンサ基板面外方向の絶縁耐圧が向上するとともに、センサ基板が縮小でき、且つ低コスト化が図れる効果がある。
さらにまた、上記ケースに少なくとも一つ設けた、上記センサ基板を固定するためのミゾの位置を変えること、またはケースあるいは一次導体あるいは双方の形状を変化させることで、上記設置基板及び電流検知デバイスは同一なまま、電流検知範囲を可変できる効果がある。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電流センサの斜視図を示すもので、図２は図１のＢＢ’断面（ＸＹ面）の下面から見た平面図、図３は図１または図２におけるＡＡ’断面（ＸＺ面）を示す断面図である。図において、電流センサ１は、電流検知デバイス部６、センサ回路部７を有するセンサ基板２と、一次導体３及びケース４により構成される。
本実施の形態１では、一次導体３とケース４とは一体化した構造となっており、センサ基板２は、ケース４に設けられたミゾ５を介して設置される。センサ基板２には１つの電流検知デバイス部６を配置する。
まず、電流検知デバイス部６の構成について説明する。
図４は電流検知デバイス部６の平面図を示すもので、設置基板１４上において、設置基板１４の中心線９によって２つの領域に分けられ、それぞれの領域に磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂ、磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄが線対称に等しく配置される。ここで、磁気抵抗効果素子１１の感磁方向はＸ方向とする。４つの磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄは、設置基板１４の中心線９に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有するように、図には省略したが、磁気抵抗効果素子上にはバーバーポール電極構造が形成されている。なお、４つの磁気抵抗効果素子１１はそれぞれ１本で構成したが、クランク形状に複数の磁気抵抗効果素子を接続し、線路長を長く構成してもよい。また、中心線９上の中心点に対して点対称に構成してもよい。接続電流線１２は、４つの磁気抵抗効果素子１１間を接続することにより、ブリッジ回路１５を構成するものであり、接続エリア１３は、外部とブリッジ回路１５の入出力用の端子部として用いる。

図５はこの発明の実施の形態１による電流センサ１の電流検知デバイス６を示す構成概略図であり、図５において、４つの磁気抵抗効果素子１１間を接続電流線１２で接続することにより、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂの直列接続からなるハーフブリッジ回路（第１のハーフブリッジ回路）１６ａ、磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄの直列接続からなるハーフブリッジ回路（第２のハーフブリッジ回路）１６ｂの並列接続からなるブリッジ回路１５を構成するものである。
接続エリア（第１の接続エリア）１３ａは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｃ間の接続電流線１２に接続され、もう一方の接続エリア（第２の接続エリア）１３ｂは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｄ間の接続電流線１２に接続されており、接続エリア１３ａ、１３ｂからブリッジ回路１５に電圧が供給されるものである。接続エリア（第３の接続エリア）１３ｃは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂ間の接続電流線１２に接続され、もう一方の接続エリア（第４の接続エリア）１３ｄは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄ間の接続電流線１２に接続されており、接続エリア１３ｃ、１３ｄからブリッジ回路１５の出力電圧が検出されるものである。

なお、図４および図５には示していないが、設置基板１４上の４つの磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄの上方、または下方、またはその両方に絶縁層を介して補償導電線１７を配置し、ブリッジ回路１５の出力電圧に基づいて、それらの補償導電線１７に４つの磁気抵抗効果素子１１の近傍に発生する磁界を打ち消すような電流を供給する磁気補償型の構成としてもよい。

次に、電流センサ１の全体構成について説明する。
図１に示すように、被測定電流を印加する一次導体３はケース４と一体となっており、一次導体３はＺ方向から見てＵ字の形状となっている。一体化の方法は特に図示しないが、接着剤や樹脂モールド化等による。なお本実施の形態１に示した図では、Ｕ字形状の底部の両脇部分が直角形状に構成されているが、電流検知デバイス部６にＵ字部の両側から安定して逆方向の磁界が印加される構造であれば丸みを帯びた形状などでもよく、これに限るものではないが、安定して逆方向の磁界を印加するためにはＵ字形状が少なくとも電流検知デバイス部６の近傍において左右対称であることが望ましい。
図２に示すように、Ｕ字形状の一次導体３の対称軸、および電流検知デバイス部６の中心線９が略一致するように、センサ基板２はケース４の内部に設けたミゾ５を介して設置される。本実施の形態においては、電流検知デバイス６をセンサ基板２の下面側に設置した例を示したが、設置位置は下面に限るものではない。電流検知デバイス部６を含むセンサ基板２の設置位置（特にＺ方向）は、磁気抵抗効果素子１１に付与したい磁界、つまりは被測定電流の大きさに応じて決定し、決定された位置に応じてケースにミゾ５を設けて、センサ基板２を設置し、その固定方法は特に図示しないが、ねじ止めや接着剤等を利用する。また、一次導体３の断面積は、印加する被測定電流値に応じて決定される。このような一次導体３は、例えば銅などの金属による直線状のバー形状からの曲げ加工、または板材からの打ち抜き加工等により作製される。
センサ基板２上には、電流検知デバイス部６とともにセンサ回路部７を配置する。センサ回路部７は、電流検知デバイス部６の接続エリア１３ａ、１３ｂにブリッジ回路１５の電圧を供給すると共に、ブリッジ回路１５の出力電圧を適度な増幅を施して出力するが、電流センサ１の外部への入出力には、外部端子８を利用する。
また、図１及び図３には示していないが、ケース４内部及びセンサ基板２、あるいはいずれかに電界シールドを設置しても良い。
さらにまた、ケース４下面にセンサ回路部７に調整を施すための調整用窓を設けても良いし、ケース４下面はケースで覆わず、センサ基板２の下面のセンサ回路部７を調整の後に樹脂等により封止しても良い。

次に、電流センサ１の動作について、図３により説明する。
一次導体３に被測定電流を印加すると、図３の破線に示すように中心線に対象に左回転及び右回転の磁界が、印加される被測定電流の大きさに応じて発生する。その結果、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂと磁気抵抗素子１１ｃ、１１ｄとは逆方向の磁界が加わる。磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄでは、共に磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃでは、逆に磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成されている。よって、１次導体３に流れる電流の増加に応じて磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄの抵抗値が増加すると共に、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃの抵抗値が減少し、１次導体３に流れる電流の減少に応じて磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄの抵抗値が減少すると共に、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃの抵抗値が増加する。このように、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１５の平衡が崩れ、これが電流検知デバイス部６のブリッジ回路１５の出力となる。

さらに、電流センサ１の動作について、補償導電線１７を有する場合について説明する。補償導電線１７を配置した電流検知デバイス部６とセンサ回路部７の概略構成を図６に示す。
一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１５の平衡が崩れる。このとき、センサ回路部７に設置された増幅回路部（例えばオペアンプ１８）では、電流検知デバイス部６の接続エリア１３ｃ、１３ｄから検出される出力電圧に基づいて、磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄ近傍に発生する磁界を打ち消すような電流（制御電流）を補償導電線１７に供給する。具体的には接続エリア１３ｃ、１３ｄの出力電圧が０になるように、制御電流の大きさを調整する。補償導電線１７は、その制御電流の大きさに応じて４つの磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄ近傍に発生する磁界、すなわち一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じた磁界を相殺するような磁界を発生する。
したがって、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じたブリッジ回路１５の平衡の崩れを、センサ回路部７から供給される制御電流により修復することができる。ゆえに、センサ回路部７から供給した制御電流の大きさが、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに相関のある値として検出することができる。
なお、一次導体３以外において発生した外部磁界（外乱磁界）は、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂと磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄ（ブリッジ回路１５の左右の各ハーフブリッジ回路１６）に同相の影響となるため相殺され、測定精度に影響を与えない。

以上のように、この実施の形態１によれば、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去することができる。

また、電流検知デバイス６を含むセンサ基板２と、ケース４と一体化した一次導体３とが離間され空間部１０を有することで、一次導体３と電流検知デバイス６のセンサ基板面外方向の絶縁耐圧が向上するとともに、センサ基板が縮小でき、且つ低コスト化が図れる効果がある。さらにセンサ基板２の設置位置はケース４に設けたミゾ５の位置で決定される構造のため、電流検出範囲が容易に可変できる効果がある。

実施の形態２．
図７は、この発明の実施の形態２による電流センサのＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図である。本実施の形態２は、図１に示した電流センサ１に、第１の電流検知デバイス部６ａに加えてさらに第２の電流検知デバイス部６ｂを設置したものである。図には省略したが、第２の電流検知デバイス部６ｂは、第１の電流検知デバイス部６ａと同様にセンサ回路部７とともにセンサ基板２ｂに設置されるものとする。
実施の形態２は、実施の形態１に新たに第２の電流検知デバイス部６ｂを付加した構成であり、その他の構成で重複する部分は省略する。実施の形態２は、一次導体３に印加した被測定電流に応じて発生する磁界を、２箇所に設置した電流検知デバイス部６で計測するようにしたものである。

実施の形態２における電流センサ１の全体構成について説明する。
一次導体３のＵ字の対称軸、および第１の電流検知デバイス部６ａの中心線９が略一致するように、第１の電流検知デバイス部６ａを含むセンサ基板２ａは、空間部１０を介して一次導体３の近傍に設置される。また、一次導体３のＵ字の対称軸、および第２の電流検知デバイス部６ｂの中心線９が略一致するように、第２の電流検知デバイス部６ｂを含むセンサ基板２ｂは、空間部１０を介して第１の電流検知デバイス部６ａに比較して一次導体３からＺ方向の遠方に設置される。２つの電流検知デバイス部６ａ、６ｂの設置位置（特にＺ方向）は、磁気抵抗効果素子１１に付与したい磁界に応じて決定する。
各電流検知デバイス部における磁気抵抗効果素子等の構成は、実施の形態１に示した電流検知デバイス部６と同一構成とし、重複を避けるため記述しない。
それぞれのセンサ回路部は、それぞれの電流検知デバイス部の接続エリア１３ａ、１３ｂにブリッジ回路１５の電圧を供給すると共に、ブリッジ回路１５の出力電圧を適度な増幅を施して出力するが、異なる部分の磁界を計測するため、増幅率等の各センサ回路部の構成は異なる場合がある。
なお、本実施の形態においては、各電流検知デバイス部を各センサ基板の下側に設置した例を示したが、各センサ基板の上側に設置してもよく、あるいは２つに限ったものではなく、さらに複数個設置してもよい。

次に、実施の形態２における電流センサ１の動作について、図７により説明する。
一次導体３に被測定電流を印加すると、図７の破線に示すように中心線に対象に左回転及び右回転の磁界が、印加される被測定電流の大きさに応じて発生する。その結果、第１の電流検知デバイス部６ａと第２電流検知デバイス部６ｂの位置で比較すると、第２電流検知デバイス部６ｂの位置で、より低められた磁界が印加されることになる。
つまり、第２の電流検知デバイス部６ｂの位置では、被測定電流が大容量の電流であっても磁気抵抗効果素子１１に印加される磁界が抑制され、出力の飽和などを気にすることなく、かつ電流センサとしての外形寸法を大型化することなく、大容量の電流の計測が容易に行え、第１の電流検知デバイス部６ａの位置では、被測定電流が小容量の電流になっても磁気抵抗効果素子１１に印加される磁界の抑制度は小さく、出力の低下によるＳ／Ｎの悪化などを気にすることなく、小容量の電流の計測が容易に行える。
例えば、各電流検知デバイス部６ａ、６ｂのハーフブリッジ部分（例えば１６ｂ）に被測定電流値に対して付与される磁界は、図８のように示され、小容量の電流の計測時は電流検知デバイス部６ａ、大容量の電流の測定時は電流検知デバイス部６ｂを利用するように構成すれば、同じ特性の電流検知デバイス部を用いても、各センサ回路部の増幅率等の若干の調整で、図９に示すように測定レンジの拡大した精度の良い電流センサを構築することが可能となる。

なお、実施の形態１と同様に、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄでは、共に磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃでは、逆に磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成されているため、一次導体３に流れる電流の増加に応じて磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄの抵抗値が増加すると共に、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃの抵抗値が減少し、一次導体３に流れる電流の減少に応じて磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄの抵抗値が減少すると共に、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃの抵抗値が増加する。このように、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１５の平衡が崩れ、これが各電流検知デバイス部６ａ、６ｂのブリッジ回路１５の出力となる。

以上のように、この実施の形態２によれば、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去することができる。

また、一次導体３に印加した大きな被測定電流に応じて発生する磁界に対しても、同じ特性の電流検知デバイス部を複数個設置して、小型で、かつ測定レンジを精度良く拡大できる効果がある。さらにまた、同じ特性の電流検知デバイス部が利用できるため、複数の異なる特性の電流検知デバイス部を用意する必要がなく、低コスト化となる効果がある。

実施の形態３．
図１０は、この発明の実施の形態３による電流センサ１のＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図である。本実施の形態３では、Ｕ字型の一次導体３は、ケース４の外表面に設けたザグリ状のミゾ５ｂを介してケース４と一体化し、かつ空間部１０を介して電流検知デバイス６を含むセンサ基板２を設置して一次導体３に印加した被測定電流に応じて発生する磁界を計測するようにしたものである。
実施の形態３は、実施の形態１においてケース４の外表面に一次導体３の位置決め用にミゾ５ｂを設けた構成であり、その他の構成や動作で重複する部分は省略する。

実施の形態１に示したように、電流センサ１の構成において、一次導体３と電流検知デバイス部６は、Ｕ字形状の一次導体３の対称軸と電流検知デバイス部６の中心線９が略一致するように設置するのが望ましい。しかしながら電流検知デバイス部６がセンサ基板２の下面側に設置され、かつセンサ基板２がケース４に覆われる構成の場合、Ｕ字形状の一次導体３の対称軸と電流検知デバイス部６の中心線９を略一致するのは容易ではない。一次導体３の位置決め用にミゾ５ｂは、Ｕ字形状の一次導体３の対称軸と電流検知デバイス部６の中心線９を容易に略一致するために設けたもので、一次導体３とケース４を一体化する際のガイドの役割を担うものである。本実施の形態では、Ｕ字形状に沿った形態でケース４の外表面にミゾ５ｂを設置したが、この形状に限定されるものではなく、例えば図１１のようにＵ字の外周に沿った形態や、図１２のようにＵ字の内周に沿った形態でガイドの役割を担うガイド部１９を設置する構成としても構わない。また、外表面でなく、図１３のようにケース４の肉厚部分にくりぬいた形態でガイドの役割を担うガイド部１９を設置し、一次導体３を収める構成としても構わない。なお図１１〜図１３は、簡単のためにケース４の一部と一次導体３、およびガイド部１９のみを示した。

以上のように、この実施の形態３によれば、Ｕ字型の一次導体３は、ケース４の外表面に設けたザグリ状のミゾ５ｂやガイド部１９等を介してケース４と一体化したため、Ｕ字形状の一次導体３の対称軸と電流検知デバイス部６の中心線９を容易に略一致でき、測定精度が向上する効果がある。

実施の形態４．
図１４は、この発明の実施の形態４による電流センサのＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図である。本実施の形態４に示す電流センサ１は、電流検知デバイス６を含むセンサ基板２はミゾ５を介してケース４内に設置し、空気層であった空間部１０内に絶縁物２０を挿入し、一次導体３に印加した被測定電流に応じて発生する磁界を計測するようにしたものである。
実施の形態４は、実施の形態１において、絶縁物２０を空気層であった空間部１０に挿入した構成であり、その他の構成や動作で重複する部分は省略する。

実施の形態１に示したように、電流センサ１は、一次導体３と電流検知デバイス部６のセンサ基板面外方向の絶縁耐圧を向上するために、電流検知デバイス６を含むセンサ基板２と、ケース４と一体化した一次導体３とが離間され空気層である空間部１０を有する構成とした。本実施の形態４では、さらに絶縁耐圧を向上するために空気層であった空間部１０に絶縁物２０を設置するもので、例えば、エポキシ樹脂やシリコン、セラミックなどがあるが、これらに限るものではない。なお本実施の形態においては、空間部１０を完全に満たすように絶縁物２０を挿入した例を示したが、これに限るものではなく、一部空気層を残したまま空間部１０に絶縁物２０を挿入してもよい。

以上のようにこの実施の形態４によれば、空気層であった空間部１０に絶縁物２０を挿入する構成のため、一次導体３と電流検知デバイス６のセンサ基板面外方向の絶縁耐圧がさらに向上し、小型化できる効果がある。

この発明の実施形態１による電流センサの斜視図である。 この発明の実施形態１による電流センサの平面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの断面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの電流検知デバイス部を示す平面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの電流検知デバイス部を示す構成概略図である。 この発明の実施形態１による電流センサの補償導電線を配置した構成図である。 この発明の実施形態２による電流センサの断面図である。 この発明の実施形態２による電流センサの電流検知デバイス部の１部における被測定電流値−磁界関係図である。 この発明の実施形態２による電流センサの被測定電流値−センサ出力関係図である。 この発明の実施形態３による電流センサの断面図である。 この発明の実施形態３による別の電流センサの１部の断面図である。 この発明の実施形態３による別の電流センサの１部の断面図である。 この発明の実施形態３による別の電流センサの１部の断面図である。 この発明の実施形態４による電流センサの断面図である。

符号の説明

１ 電流センサ、２ センサ基板、３ 一次導体、４ ケース、５ ミゾ、６ 電流検知デバイス部、７ センサ回路部、８ 外部端子、９ 中心線、１０ 空間部、１１ 磁気抵抗効果素子、１２ 接続電流線、１３ 接続エリア、１４ 設置基板、１５ ブリッジ回路、１６ ハーフブリッジ回路、１７ 補償導電線、１８ オペアンプ、１９ ガイド部、２０ 絶縁物

Claims (6)

1. 設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第１および第４の磁気抵抗効果素子と、
   上記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第２および第３の磁気抵抗効果素子と、
   上記設置基板上に配置され、上記第１から第４の磁気抵抗効果素子を接続することにより、上記第１および第２の磁気抵抗効果素子による第１のハーフブリッジ回路、および上記第３および第４の磁気抵抗効果素子による第２のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線とを備え、上記設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に上記第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に上記第２のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイスと、少なくとも１つのＵ字型形状を有する一次導体と、上記電流検知デバイスと上記一次導体を固定するケースを備え、上記設置基板の中心線とＵ字型形状の対称軸が略一致するように上記電流検知デバイスが配置されるとともに、一体化した上記一次導体と上記ケースに少なくとも一つの上記電流検知デバイスを固定したことを特徴とする電流センサ。
2. 少なくとも一つの上記電流検知デバイスは、センサ回路部とともにセンサ基板に設置され、上記センサ基板は、一体化した上記一次導体と上記ケースの少なくとも一箇所に、上記センサ基板に設置された上記電流検知デバイスの中心線とＵ字型形状の対称軸が略一致するように固定されたことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
3. 上記センサ基板は、一体化した上記一次導体と上記ケースに、空間部を介して離間して設置したことを特徴とする請求項１または２に記載の電流センサ。
4. 上記空間部に絶縁物を設置したことを特徴とする請求項１〜３に記載の電流センサ。
5. 一体化した上記一次導体と上記ケースに設けた少なくとも一つのミゾを介して上記センサ基板を設置したことを特徴とする請求項１〜４に記載の電流センサ。
6. 上記一次導体は、上記ケースに設けたミゾを介して固定され、一体化したことを特徴とする請求項１〜５に記載の電流センサ。

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