JP2008294399A - 錫半田による発光ダイオードの固定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】まず、銅基板1を用意し、銅基板1上に絶縁層2を形成し、その絶縁層2上に導電層3をさらに形成し、網版印刷により、導電層3の発光ダイオードチップ5を配置する所定の位置に錫ペースト4を塗布する。次に、導電層3上に発光ダイオードチップ5を配置し、銅基板1の下方で加熱を行ない、導電層3と発光ダイオードチップ5との間に塗布された錫ペースト4を融解させ、最後に、銅基板1を冷却させ、錫ペースト4を薄膜状の錫層にして発光ダイオードチップ5を導電層3上に固定させる。
【選択図】図3
Description
高輝度発光ダイオードは、四元化合物及びGaN系化合物により作製される発光ダイオードで、一般の輝度の発光ダイオードは、GaN系以外の二元化合物及び三元化合物により作製される発光ダイオードである。高輝度発光ダイオードは、使用の際、極めて高い熱を発生させるため、高輝度発光ダイオードの回路基板上に放熱器を増設したり、リードフレーム上に放熱片を増設したりする措置が取られる。この放熱メカニズムは、高輝度発光ダイオードの寿命を延長させるために、高輝度発光ダイオードの発生する熱を放熱器又は放熱片に導熱して放熱を行なう。
図1は、本発明の実施形態による錫半田による発光ダイオードチップの固定方法を示すフローチャート図である。図2は、銅基板上に形成された絶縁層を示す斜視図である。図3は、絶縁層上に形成された導電層を示す斜視図である。図4は、導電層上にプリントされた錫ペーストを示す斜視図である。図5は、錫ペースト上に配置された発光ダイオードチップを示す斜視図である。図6は、基板を示す側面図である。
図1〜6に示すように、本発明の実施形態による錫半田による発光ダイオードチップの固定方法は、図1のステップ100〜112に示す工程順に行うが、先ず、ステップ100において、銅基板1を用意する。
ステップ102において、銅基板1上に絶縁層2を形成する。本発明の実施形態においては、絶縁層2は、導熱絶縁材である。
ステップ104において、絶縁層2上に導電層3を形成する。
ステップ106において、網版印刷により、導電層3の発光ダイオードチップ5を配置する所定の位置に錫ペースト4を塗布する。
ステップ108において、導電層3上に発光ダイオードチップ5を配置する。
ステップ110において、銅基板1の下方で加熱を行ない、導電層3と発光ダイオードチップ5との間に塗布された錫ペースト4を融解させる。
最後に、ステップ112において、銅基板1を冷却させ、錫ペースト4を薄膜状の錫層にして発光ダイオードチップ5を導電層3上に固定させる。
なお、本発明では好適な実施形態を前述の通りに開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者は誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。
2 絶縁層
3 導電層
4 錫ペースト
5 発光ダイオードチップ
100 ステップ100
102 ステップ102
104 ステップ104
106 ステップ106
108 ステップ108
110 ステップ110
112 ステップ112
Claims (3)
- 錫半田による発光ダイオードの固定方法であって、
前記固定方法は、銅基板を用意するステップと、
前記銅基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に導電層を形成するステップと、
網版印刷により、前記導電層の発光ダイオードチップを配置する所定の位置に錫ペーストを塗布するステップと、
塗布された前記錫ペースト上に前記発光ダイオードチップを配置するステップと、
前記錫ペーストを融解させて薄膜状の錫層を形成するステップと、
前記銅基板を冷却させるステップ、
を含むことを特徴とする錫半田による発光ダイオードの固定方法。 - 前記絶縁層は導熱絶縁材であることを特徴とする請求項1に記載の錫半田による発光ダイオードの固定方法。
- 前記錫層の厚さは4〜5μmであることを特徴とする請求項1に記載の錫半田による発光ダイオードの固定方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW96118315A TW200841493A (en) | 2007-04-10 | 2007-05-23 | Soldering type LED chip fixing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294399A true JP2008294399A (ja) | 2008-12-04 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008294399A (ja) |
KR (1) | KR20080103399A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102339943A (zh) * | 2010-07-22 | 2012-02-01 | 上海卓凯电子科技有限公司 | 多晶金属基座式发光二极管散热结构及其制造方法 |
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-
2008
- 2008-01-15 KR KR20080004262A patent/KR20080103399A/ko active IP Right Grant
- 2008-01-17 JP JP2008007577A patent/JP2008294399A/ja active Pending
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