JP2008294399A - 錫半田による発光ダイオードの固定方法 - Google Patents

錫半田による発光ダイオードの固定方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008294399A
JP2008294399A JP2008007577A JP2008007577A JP2008294399A JP 2008294399 A JP2008294399 A JP 2008294399A JP 2008007577 A JP2008007577 A JP 2008007577A JP 2008007577 A JP2008007577 A JP 2008007577A JP 2008294399 A JP2008294399 A JP 2008294399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
tin
conductive layer
diode chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008007577A
Other languages
English (en)
Inventor
Pei-Choa Wang
派酋 王
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Augux Co Ltd
Original Assignee
Augux Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW96118315A external-priority patent/TW200841493A/zh
Application filed by Augux Co Ltd filed Critical Augux Co Ltd
Publication of JP2008294399A publication Critical patent/JP2008294399A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】発光ダイオードの放熱効率が良く寿命を延長させることができる錫半田による発光ダイオードの固定方法を提供する。
【解決手段】まず、銅基板1を用意し、銅基板1上に絶縁層2を形成し、その絶縁層2上に導電層3をさらに形成し、網版印刷により、導電層3の発光ダイオードチップ5を配置する所定の位置に錫ペースト4を塗布する。次に、導電層3上に発光ダイオードチップ5を配置し、銅基板1の下方で加熱を行ない、導電層3と発光ダイオードチップ5との間に塗布された錫ペースト4を融解させ、最後に、銅基板1を冷却させ、錫ペースト4を薄膜状の錫層にして発光ダイオードチップ5を導電層3上に固定させる。
【選択図】図3

Description

本発明は、発光ダイオードに関し、特に発光ダイオードチップの固定方法に関する。
発光ダイオードは、小体積、長寿命、低消費電力、高反応速度、耐震性などの特性により、各種電気製品、電光掲示板、通信製品が使用する発光デバイスとして広範囲にわたり利用されている。
現在使用される発光ダイオードは、種類が多いが、輝度により分類すると、高輝度発光ダイオードと、一般の輝度の発光ダイオードとに分けられる。
高輝度発光ダイオードは、四元化合物及びGaN系化合物により作製される発光ダイオードで、一般の輝度の発光ダイオードは、GaN系以外の二元化合物及び三元化合物により作製される発光ダイオードである。高輝度発光ダイオードは、使用の際、極めて高い熱を発生させるため、高輝度発光ダイオードの回路基板上に放熱器を増設したり、リードフレーム上に放熱片を増設したりする措置が取られる。この放熱メカニズムは、高輝度発光ダイオードの寿命を延長させるために、高輝度発光ダイオードの発生する熱を放熱器又は放熱片に導熱して放熱を行なう。
従来の高輝度発光ダイオードは、放熱において、まだ不足している部分があった。従来の高輝度発光ダイオードは、発光ダイオードチップ固定の際、銀ペーストにより発光ダイオードチップを基板上の導電層又はリードフレーム上に固定させていた。銀ペースト自体の熱抵抗が比較的高いため、半田付けにより導電層又はリードフレーム上に配置された銀ペーストの厚さを制御するのが難しく、発光ダイオードチップが発生する熱の伝導において、極めて大きな問題となった。
特開2005−317950号公報
本発明の目的は、熱抵抗が比較的低い錫ペーストを用いた錫半田により、発光ダイオードチップを固定し、錫層の厚さを4〜5μmに制御し導熱効果を向上させる錫半田による発光ダイオードの固定方法を提供することにある。
上述の目的を達成するため、本発明は錫半田による発光ダイオードの固定方法を提供する。本発明の錫半田による発光ダイオードの固定方法は、まず、銅基板を用意する。銅基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上に導電層をさらに形成する。網版印刷により、導電層の発光ダイオードチップを配置する所定の位置に錫ペーストを塗布する。導電層上に発光ダイオードチップを配置する。銅基板の下方で加熱を行ない、導電層と発光ダイオードチップとの間に塗布された錫ペーストを融解させる。最後に、銅基板を冷却させ、錫ペーストを薄膜状の錫層にして発光ダイオードチップを導電層上に固定させる。
本発明の錫半田による発光ダイオードの固定方法は、熱抵抗が比較的高い銀ペーストに替えて熱抵抗が比較的低い錫ペーストを用いた錫半田により、発光ダイオードチップを固定し、網版印刷方式により錫層の厚さを4〜5μmに制御し導熱効果を向上させるため、高輝度発光ダイオードの寿命を延長させることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態による錫半田による発光ダイオードチップの固定方法を示すフローチャート図である。図2は、銅基板上に形成された絶縁層を示す斜視図である。図3は、絶縁層上に形成された導電層を示す斜視図である。図4は、導電層上にプリントされた錫ペーストを示す斜視図である。図5は、錫ペースト上に配置された発光ダイオードチップを示す斜視図である。図6は、基板を示す側面図である。
図1〜6に示すように、本発明の実施形態による錫半田による発光ダイオードチップの固定方法は、図1のステップ100〜112に示す工程順に行うが、先ず、ステップ100において、銅基板1を用意する。
ステップ102において、銅基板1上に絶縁層2を形成する。本発明の実施形態においては、絶縁層2は、導熱絶縁材である。
ステップ104において、絶縁層2上に導電層3を形成する。
ステップ106において、網版印刷により、導電層3の発光ダイオードチップ5を配置する所定の位置に錫ペースト4を塗布する。
ステップ108において、導電層3上に発光ダイオードチップ5を配置する。
ステップ110において、銅基板1の下方で加熱を行ない、導電層3と発光ダイオードチップ5との間に塗布された錫ペースト4を融解させる。
最後に、ステップ112において、銅基板1を冷却させ、錫ペースト4を薄膜状の錫層にして発光ダイオードチップ5を導電層3上に固定させる。
このような発光ダイオードチップ5の固定工程において、網版の網点の大きさにより、導電層3上に塗布する錫ペースト4の量を制御することができる。加熱及び冷却処理後、錫層が発光ダイオードチップ5を導電層3上に固定させるが、錫層の厚さは、4〜5μmに制御することができる。また、錫ペースト4を加えることにより、熱抵抗は、従来の銀ペーストより小さくなり、発光ダイオードチップ5が発生させた熱は、迅速に銅基板1上に伝導し放熱が行なわれる。
本発明の実施例の錫半田による発光ダイオードの固定方法によれば、熱抵抗が比較的高い銀ペーストに替えて熱抵抗が比較的低い錫ペーストを用いた錫半田により、発光ダイオードチップを固定し、網版印刷方式により錫層の厚さを4〜5μmに制御し導熱効果を向上させるため、発光ダイオード、特に、高輝度発光ダイオードの寿命を延長させることができる。
なお、本発明では好適な実施形態を前述の通りに開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者は誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。
本発明の実施形態による錫半田による発光ダイオードチップの固定方法を示すフローチャート図である。 銅基板上に形成された絶縁層を示す斜視図である。 絶縁層上に形成された導電層を示す斜視図である。 導電層上にプリントされた錫ペーストを示す斜視図である。 錫ペースト上に配置された発光ダイオードチップを示す斜視図である。 基板を示す側面図である。
符号の説明
1 銅基板
2 絶縁層
3 導電層
4 錫ペースト
5 発光ダイオードチップ
100 ステップ100
102 ステップ102
104 ステップ104
106 ステップ106
108 ステップ108
110 ステップ110
112 ステップ112

Claims (3)

  1. 錫半田による発光ダイオードの固定方法であって、
    前記固定方法は、銅基板を用意するステップと、
    前記銅基板上に絶縁層を形成するステップと、
    前記絶縁層上に導電層を形成するステップと、
    網版印刷により、前記導電層の発光ダイオードチップを配置する所定の位置に錫ペーストを塗布するステップと、
    塗布された前記錫ペースト上に前記発光ダイオードチップを配置するステップと、
    前記錫ペーストを融解させて薄膜状の錫層を形成するステップと、
    前記銅基板を冷却させるステップ、
    を含むことを特徴とする錫半田による発光ダイオードの固定方法。
  2. 前記絶縁層は導熱絶縁材であることを特徴とする請求項1に記載の錫半田による発光ダイオードの固定方法。
  3. 前記錫層の厚さは4〜5μmであることを特徴とする請求項1に記載の錫半田による発光ダイオードの固定方法。
JP2008007577A 2007-05-23 2008-01-17 錫半田による発光ダイオードの固定方法 Pending JP2008294399A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96118315A TW200841493A (en) 2007-04-10 2007-05-23 Soldering type LED chip fixing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008294399A true JP2008294399A (ja) 2008-12-04

Family

ID=40168775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008007577A Pending JP2008294399A (ja) 2007-05-23 2008-01-17 錫半田による発光ダイオードの固定方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2008294399A (ja)
KR (1) KR20080103399A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339943A (zh) * 2010-07-22 2012-02-01 上海卓凯电子科技有限公司 多晶金属基座式发光二极管散热结构及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057446A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001291905A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP2004172648A (ja) * 2004-03-18 2004-06-17 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体素子
JP2004363706A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Exquisite Optical Technology Co Ltd 映像センサーモジュール
JP2005252191A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光作用領域面積を増加可能な発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057446A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001291905A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP2004363706A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Exquisite Optical Technology Co Ltd 映像センサーモジュール
JP2005252191A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光作用領域面積を増加可能な発光装置
JP2004172648A (ja) * 2004-03-18 2004-06-17 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339943A (zh) * 2010-07-22 2012-02-01 上海卓凯电子科技有限公司 多晶金属基座式发光二极管散热结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080103399A (ko) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008028377A (ja) Ledモジュールの冷却装置及びその製造方法
CN101888740B (zh) 一种凸型金属印刷电路板及其制作方法
JP2009522804A (ja) 発光ダイオードパッケージ、その製造方法及び、これを具備するバックライトユニット
JP2007251176A (ja) 陽極酸化金属基板モジュール
JP2008277817A (ja) 放熱モジュール及びその製造方法
JP3128955U (ja) 放熱シート結合の電気回路板構造
CN101776248A (zh) 灯具及其照明装置
JP2015111620A (ja) 発光デバイス及びその製造方法
JP2008042162A (ja) 放熱機能を備えた回路基板の製造方法
KR20120005827A (ko) Led 램프 모듈의 방열구조체
JP2008041638A (ja) 平面ディスプレイのためのバックライト光源用熱放散デバイス
JP2010258260A (ja) 放熱プリント基板
JP2009224486A (ja) Ledモジュール
JP2008294399A (ja) 錫半田による発光ダイオードの固定方法
JP2013098269A (ja) 放熱性を有する基板の製造法
JP2011087157A (ja) 冷却装置、冷却方法
JP2009038156A (ja) 回路基板及び照明装置
CN210670726U (zh) 多层pcb板散热结构
CN103234181A (zh) 高导热led焊接方法
CN109524374B (zh) 一种led发光模块
KR101281043B1 (ko) 히트 싱크
JP2014123674A (ja) プリント基板の放熱構造
CN213818360U (zh) 一种高效散热的蓝牙电路板
US20080299688A1 (en) Method of bonding a solder type light emitting diode chip
CN203309568U (zh) Led灯具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090212

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090324

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120210