JP2008294369A - 半導体物理量センサの実装構造 - Google Patents

半導体物理量センサの実装構造 Download PDF

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Abstract

【課題】外来ノイズの影響を受けることを防止する。
【解決手段】半導体物理量センサ１を基板９に実装する際、半導体物理量センサ１を基板９表面に載置した後、導電性接着剤１０の濡れ性を利用して導電性接着剤１０をフレーム部５の側壁部の少なくとも一部を被覆させて半導体物理量センサ１と基板９を接続する。このような実装構造によれば、導電性接着剤１０を介してフレーム部５の電位を基板９と同電位にすることができるので、外来ノイズの影響によってフレーム部５に電位が生じることを防止できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、加速度等の物理量を検知する半導体物理量センサの実装構造に関する。
従来より、フレーム部に対し揺動自在に支持された可動電極と、この可動電極に対向配置された固定電極とを有し、可動電極が揺動することによって可動電極と固定電極との間の隙間幅が変化することに伴う静電容量の変化を検出することにより、加速度等の物理量を検出する半導体物理量センサが知られている（特許文献１参照）。
特開２００４−３１１９５１号公報
従来の半導体物理量センサは、ワイヤボンディングやバンプ接続によって半導体物理量センサの電極と基板を接続することにより基板上に実装されるために、電磁波等の外来ノイズの影響を受けることによってフレーム部に電位が生じ、物理量の検出精度が低下することがあった。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は外来ノイズの影響を受けることを防止可能な半導体物理量センサの実装構造を提供することにある。
本発明に係る半導体物理量センサの実装構造は、フレーム部に対し揺動自在に支持された可動電極と可動電極に対向配置された固定電極とを有し、可動電極が揺動することによって可動電極と固定電極間の隙間幅が変化することに伴う静電容量の変化を検知することにより物理量を検知する半導体基板と、半導体基板の上下面を挟持するガラス基板とを備える半導体物理量センサの実装構造であって、フレーム部の側壁部の少なくとも一部に導電性接着剤を被覆させた状態で導電性接着剤により半導体物理量センサを基板上に実装する。
本発明に係る半導体物理量センサの実装構造によれば、導電性接着剤によりフレーム部の電位を基板と同電位にすることができるので、外来ノイズの影響によってフレーム部に電位が生じることを防止できる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成及びその実装構造について説明する。
〔半導体物理量センサの構成〕
本発明の一実施形態となる半導体物理量センサ１は、図１に示すようにガラス基板２ａ，２ｂによりＳｉ等により形成される半導体基板３を挟持した構成を有し、半導体基板３は、図２に示すように、ビーム（バネ）部４によってフレーム部５に揺動自在に支持された可動電極６と、可動電極６に対向配置された固定電極７とを有する。またこの半導体物理量センサ１では、可動電極６と固定電極７の対向面の一部には櫛歯電極６ａ，７ａが互いに噛み合うように設けられている。このような構成を有する半導体物理量センサ１では、加速度等の物理量が加わった際、可動電極６が揺動することによって櫛歯電極６ａ，７ａ間の隙間幅が変化し、さらに隙間幅の変化に伴い静電容量が変化するので、電極端子８ａ〜８ｄを介して静電容量の変化を検知することにより加速度等の物理量を検知できる。なお図２中の参照符号８ｅはフレーム部５に設けられた接地端子を示す。
〔実装構造〕
上記半導体物理量センサ１を基板に実装する際は、図１に示すように、半導体物理量センサ１を基板９表面に載置した後、導電性接着剤１０の濡れ性を利用して導電性接着剤１０をフレーム部５の側壁部の少なくとも一部を被覆させて半導体物理量センサ１と基板９を接続する。このような実装構造によれば、導電性接着剤１０を介してフレーム部５の電位を基板９と同電位にすることができるので、外来ノイズの影響によってフレーム部５に電位が生じることを防止できる。なお本実施形態では導電性接着剤１０のみを利用して半導体物理量センサ１を基板９に実装したが、図３に示すように、絶縁性を有し、且つ、チクソ性（通常は高粘度状態であるが、攪拌したりするとその間だけ粘度が低くなる物性）の高いＲＴＶ（room temperature cure silicon rubber）等の絶縁性材料１１と導電性接着剤１０の二重構造をフレーム部５の側壁部まで被覆させるようにしてもよい。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す断面図である。 本発明の実施形態となる半導体物理量センサを構成する半導体基板の構成を示す上面図である。 図１に示す半導体物理量センサの応用例の構成を示す断面図である。
符号の説明
１：半導体物理量センサ
２ａ，２ｂ：ガラス基板
３：半導体基板
４：ビーム（バネ）部
５：フレーム部
６：可動電極
６ａ，７ａ：櫛歯電極
７：固定電極
８ａ〜８ｄ：電極端子
８ｅ：接地端子
９：基板
１０：導電性接着剤
１１：絶縁性材料

Claims (2)

  1. フレーム部に対し揺動自在に支持された可動電極と当該可動電極に対向配置された固定電極とを有し、可動電極が揺動することによって可動電極と固定電極間の隙間幅が変化することに伴う静電容量の変化を検知することにより物理量を検知する半導体基板と、当該半導体基板の上下面を挟持するガラス基板とを備える半導体物理量センサの実装構造であって、フレーム部の側壁部の少なくとも一部に導電性接着剤を被覆させた状態で導電性接着剤により半導体物理量センサを基板上に実装することを特徴とする半導体物理量センサの実装構造。
  2. 請求項１に記載の半導体物理量センサの実装構造において、前記導電性接着剤の下面に絶縁性材料を備えることを特徴とする半導体物理量センサの実装構造。
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