JP2008294228A - 半導体メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による半導体メモリ素子は、半導体基板を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通する導電性プラグと、前記絶縁膜上に形成されて前記導電性プラグに電気的に接続している下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極と、からなる半導体メモリ素子であって、前記下部電極が1mol%以上の酸素を含有する金属からなっていることを特徴としている。
【選択図】図5
Description
20 トランジスタ
30 層間絶縁層
40 コンタクトプラグ
50 キャパシタ部
51 導電性拡散バリア層
52 導電性酸素拡散バリア層
53 下部電極
54 誘電体層
55 上部電極
60 埋込絶縁層
100 メモリ素子
Claims (8)
- 半導体基板を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通する導電性プラグと、前記絶縁膜上に形成されて前記導電性プラグに電気的に接続している下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極と、からなる半導体メモリ素子であって、
前記下部電極が1mol%以上の酸素を含有する金属からなっていることを特徴とする半導体メモリ素子。 - 前記下部電極は、その膜厚方向において複数のグレインが不規則に並んだ構造を有する金属層からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。
- 前記誘電体薄膜には高誘電体及び強誘電体のうち何れか1からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体メモリ素子。
- 前記下部電極は、金属酸化物を含んでいる金属層からなることを特徴とする請求項1乃至3の内いずれか1項に記載の半導体メモリ素子。
- 前記金属酸化物が酸化白金であることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ素子。
- 半導体基板上を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通する導電性プラグと、前記絶縁膜上に形成されて前記導電性プラグに電気的に接続している下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極と、からなる半導体メモリ素子の製造方法であって、
前記下部電極は、酸素を含む混合ガス雰囲気でのスパッタリングによって形成されることを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法。 - 半導体基板上を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通する導電性プラグと、前記絶縁膜上に形成されて前記導電性プラグに電気的に接続している下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極と、からなる半導体メモリ素子の製造方法であって、
前記下部電極は、酸素を含有する金属ターゲットを用いてスパッタリングすることによって形成されることを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法。 - 前記誘電体薄膜には高誘電体及び強誘電体のうち何れか1が用いられていることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
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JP6039795B2 (ja) * | 2013-04-17 | 2016-12-07 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08167701A (ja) * | 1994-06-02 | 1996-06-25 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体構造体 |
JP2003092391A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-03-28 | Fujitsu Ltd | 容量素子及びその製造方法 |
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2007
- 2007-05-24 JP JP2007138270A patent/JP2008294228A/ja active Pending
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