JP2008294187A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】固体電解コンデンサにおいて、抵抗溶接による陽極リードと陽極リードフレームとの接続性を向上させ、そのための工程数も少なくすること。
【解決手段】固体電解コンデンサ素子6の陽極リード9と、表面に金属メッキが施された陽極リードフレーム10とが抵抗溶接で接続される固体電解コンデンサにおいて、陽極リード9は、その陽極リードフレーム10との抵抗溶接部の接合面に凹溝14が形成されている。
【選択図】図4
【解決手段】固体電解コンデンサ素子6の陽極リード9と、表面に金属メッキが施された陽極リードフレーム10とが抵抗溶接で接続される固体電解コンデンサにおいて、陽極リード9は、その陽極リードフレーム10との抵抗溶接部の接合面に凹溝14が形成されている。
【選択図】図4
Description
本発明は、固体電解コンデンサに関し、特に陽極リードと陽極リードフレームとの接合性を改善した固体電解コンデンサに関するものである。
一般に、固体電解コンデンサは、次のようにして製造される。図6に示すように、陽極リード9を植立した弁作用金属粉末を加圧成形し、真空焼結したものを焼結体1とし、この焼結体1を電気化学的に陽極酸化し、表面に酸化皮膜層2を形成させる。次いで、硝酸マンガンへの含浸・熱分解を複数回繰り返すことにより二酸化マンガンからなる固体電解質層3を形成した後、さらにカーボングラファイト層4および銀層5を順次積層して陰極引出層を形成してコンデンサ素子6とする。
そして、上記銀層5と42アロイ等からなる陰極リードフレーム8とを導電性接着剤7を介して接続し、さらに陽極リード9と表面に錫等のメッキが施された陽極リードフレーム10とを抵抗溶接等で接続した後、エポキシ系樹脂またはシリコン系樹脂によるモールドで樹脂外装する(例えば、特許文献1参照)。
そして、上記銀層5と42アロイ等からなる陰極リードフレーム8とを導電性接着剤7を介して接続し、さらに陽極リード9と表面に錫等のメッキが施された陽極リードフレーム10とを抵抗溶接等で接続した後、エポキシ系樹脂またはシリコン系樹脂によるモールドで樹脂外装する(例えば、特許文献1参照)。
上述したように製造された従来の固体電解コンデンサでは、陽極リード表面の酸化皮膜層が厚くなるに従い、また陽極リードと陽極リードフレームとの材質の違いにより、抵抗溶接等で陽極リードと陽極リードフレームとを接続するときに、その接続強度にバラツキが生じやすい。そのため、両者の接続が不十分になった場合には、コンデンサの機能を果たさないという問題がある。
近時、陽極リードの周面の全領域に亘って溝を形成し、かつこの溝を分断する凹み部を陽極リードの上下に形成するようにした固体電解コンデンサが提案されている(特許文献2)。
しかしながら、特許文献2に係る技術では、陽極リードの周面の全領域に溝を形成するため、片側の溝の深さに制限があることによって溝が浅くなる。そのため、溶接時に陽極リードフレームの表面を覆っている錫等のメッキ金属の溶融物が上記溝内に十分に形成されない。その結果、溶接強度を向上させる効果は少なくなってしまう。また、陽極リードの周方向全体に加工を施す必要があるので、その工程数が多くなるという問題がある。
本発明は、上記に鑑みて、なされたもので、溶接による陽極リードと陽極リードフレームとの接続性を向上させ、そのための工程数も少ない固体電解コンデンサの提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、弁作用金属粉末を加圧成形して、焼結した後、酸化皮膜層、固体電解質層、陰極引出層を順次形成してなる固体電解コンデンサ素子の陽極リードと、表面に金属メッキが施された陽極リードフレームとが抵抗溶接で接続される固体電解コンデンサにおいて、上記陽極リードの上記陽極リードフレームとの抵抗溶接部の接合面に1以上の凹溝が形成されている。
ここで、上記凹溝14の深さは、上記陽極リードの径方向の長さの30〜70%に設定されていることが好ましい。この範囲よりも浅くても深くても、陽極リードと陽極リードフレームとの接続不良率に関する改善効果が低下してしまうからである。特に、深すぎる場合には、陽極リード自身の強度が弱くなる。
また、上記凹溝の幅は、上記陽極リードの径方向長さの15〜20%に設定されていることが好ましい。これは、15%未満では、溶接時の凹溝への陽極リードフレームの表面を覆っているメッキ金属の溶融物の形成量が少なくなってしまう一方、20%を超えると、陽極リード自体の強度が弱くなるおそれがあるからである。
特に、上記凹溝を複数形成する場合には、これら凹溝同士の間隔は、上記陽極リードの径方向の長さの20〜40%に設定されていることが好ましい。これは、20%未満では、凹溝形成時の凹溝同士の間に凸部の強度が弱く加工困難となる一方、40%を超えると、形成可能な凹溝の数が少なくなって本発明の効果が得られ難くなるからである。
本発明によれば、陽極リードの陽極リードフレームとの溶接接合面のみに凹溝を形成する(換言すると、凹状加工を施している)ため、周方向全体に凹溝を形成する場合と比較し、凹溝をより深く形成することができるので、溶接時に陽極リードフレームの表面を覆っているメッキ金属の溶融物が凹溝内に充分形成されることになる。
そのため、溶接強度をより強くすることが可能となる。また、陽極リードの周方向全体に上記の凹状加工を施す必要がないため、その工程数も少なくすることができる。
そのため、溶接強度をより強くすることが可能となる。また、陽極リードの周方向全体に上記の凹状加工を施す必要がないため、その工程数も少なくすることができる。
以下に、本発明の具体的な実施例について、添付図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の実施例1〜8に係る固体電解コンデンサの概略構成を示す断面図、図2は図1のX部を拡大して示す図である。なお、図1および図2において、1は焼結体、2は酸化皮膜層、3は固体電解質層、4はカーボングラファイト層(以下、単に「グラファイト層」という)、5は銀層、6はコンデンサ素子、7は導電性接着剤、8は陰極リードフレーム、9は陽極リード、10は陽極リードフレーム、11は外装樹脂である。
[実施例1]
本実施例では、まず、陽極リード9となるタンタルワイヤの一部を埋め込んだ状態でタンタル粉末を加圧成形し、さらに真空焼結することによって焼結体1を形成した後、陽極リード9の上部を抵抗溶接により金属バー12(図3参照)に接続した。
本実施例では、まず、陽極リード9となるタンタルワイヤの一部を埋め込んだ状態でタンタル粉末を加圧成形し、さらに真空焼結することによって焼結体1を形成した後、陽極リード9の上部を抵抗溶接により金属バー12(図3参照)に接続した。
次に、0.1%硝酸水溶液の槽に焼結体1を浸漬し、金属バー12を通じて上記焼結体1を陽極とし、硝酸水溶液槽を陰極として、80Vの電圧を印加することによって上記陽極リード9の引出側端面を除いて当該焼結体1上に酸化皮膜層2を形成した後、硝酸マンガン溶液への浸漬と熱分解処理とを複数回行うことにより、上記焼結体1を覆う酸化皮膜2上に固体電解質層3を形成した。
続いて、固体電解質層3上にグラファイト層4および銀層5を順次積層して陰極引出層を形成し、コンデンサ素子6を作製した。
さらに、上記コンデンサ素子6に植立された陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に凹状加工を施した。
具体的には、図3に示すように、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接部を金属バー12に固定した状態で、当該陽極リードフレーム10との抵抗溶接部の接合面を金属製のブレード13で削って凹溝14を2箇所形成した。特に、本実施例1においては、これら凹溝14の深さは、陽極リード9の径方向の長さ(直径)の30%としており、幅は陽極リード9の径方向の長さ(直径)の20%としている。また、凹溝14同士の間隔は、上記凹溝14の幅と同様に、陽極リード9の径方向の長さ(直径)の20%としている。なお、以下の説明において、「陽極リード9の径方向の長さ(直径)」を単に「陽極リード径」と称する。
そして、金属バー12から陽極リード9を切り離した後、陽極リード9と、表面に錫等のメッキが施された陽極リードフレーム10とを抵抗溶接で接続した。本実施例1においては、陽極リードフレーム10として、表面に錫メッキを施した42アロイからなるリードフレームを使用した。
具体的には、図4に示すように、陽極リードフレーム10上に上記の陽極リード9の凹溝14を形成した部分(陽極リード9の凹状加工部)を重ね、電源16に接続された上電極15aおよび下電極15bで挟持・加圧して両者を接触させた後に、電圧を印加することで抵抗溶接を行い、陽極リード9と陽極リードフレーム10とを接続した。
なお、上記抵抗溶接と同時に、導電性接着剤7を介して、上記の銀層5および陰極リードフレーム8の両者を接続した。
続いて、熱硬化性を有するエポキシ樹脂を用いたトランスファーモールドにより外装樹脂11を形成し、寸法が2.0mm×1.25mm×1.1mmで定格が25V−1μFである固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例2]
本実施例2では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の50%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例2では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の50%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例3]
本実施例3では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の70%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例3では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の70%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例4]
本実施例4では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の幅を上記の陽極リード径の15%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例4では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の幅を上記の陽極リード径の15%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例5]
本実施例5では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の20%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例5では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の20%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例6]
本実施例6では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の80%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例6では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の深さを上記の陽極リード径の80%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例7]
本実施例7では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の幅を上記の陽極リード径の10%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例7では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の幅を上記の陽極リード径の10%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[実施例8]
本実施例8では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の幅を上記の陽極リード径の25%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
本実施例8では、上記の陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接接合面に形成する凹溝14の幅を上記の陽極リード径の25%とした以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
[従来例]
従来例では、図5に示すように、陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接部に上記の凹状加工を施さない状態で陽極リードフレーム10と当接させて抵抗溶接により接続した以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
従来例では、図5に示すように、陽極リード9の陽極リードフレーム10との抵抗溶接部に上記の凹状加工を施さない状態で陽極リードフレーム10と当接させて抵抗溶接により接続した以外は、実施例1と同様に、固体電解コンデンサを10,000個作製した。
上述した実施例1〜8および従来例において、陽極リード9と陽極リードフレーム10との接続不良率および接続強度の平均値を比較した結果を表1に示す。
表1より明らかなように、実施例1〜8は、従来例と比較し、上記の接続不良率および接続強度が共に改善された。実施例5および6においても、従来例と比較すると、上記の接続不良率および接続強度が共に若干改善されている。しかし、実施例5では、凹溝14の深さが実施例1〜3に比べて浅いため、上記の接続不良率の改善効果は、実施例1〜4よりも小さくなっている。他方、実施例6では、凹溝14の深さが実施例1〜4に比べて深いため、陽極リード9自身の強度が弱くなり、そのために上記の接続不良率の改善効果は、実施例1〜4よりも小さくなっている。よって、凹溝14の深さは、上記陽極リード径の30〜70%の範囲とすることが好ましい。
また、実施例7は、凹溝14の幅が実施例1〜4に比べて狭いため、上記の接続不良率と接続強度の改善効果が小さくなっている。他方、実施例8は、凹溝14の幅が実施例1〜4に比べて広いため、陽極リード9自身の強度が弱くなり、上記の接続不良率の改善効果が小さくなっている。よって、凹溝14の幅は、上記陽極リード径の15〜20%の範囲とすることが好ましい。
本発明において、上記のような改善効果を得られたのは、抵抗溶接時に陽極リードフレーム10の表面を覆っている錫の溶融物が陽極リード9の凹溝14部の内部に充分に形成されるからである。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、上記実施例においては、陽極リードの陽極リードフレームとの抵抗溶接接合面に2つの凹溝を形成した例について記載したが、凹溝が1つであっても、本発明の目的は十分に達成し得る。もちろん、凹溝の数は3つ以上であっても差し支えない。これは、凹溝の数には制限がないが、その数は、凹溝内での陽極リードフレームのメッキ金属の溶融物の形成量、および陽極リード自体の強度保持を考慮して決定すべきであることを意味する。
また、上記実施例では、固体電解質に二酸化マンガンを使用したが、ポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子を使用しても同様の効果を得ることができる。
さらに、上記実施例では、タンタル固体電解コンデンサを適用したが、ニオブコンデンサに適用しても同様の効果を得ることができる。
その他、本明細書に添付の特許請求の範囲内での種々の設計変更および修正を加え得ることは勿論である。
本発明では、抵抗溶接による陽極リードと陽極リードフレームとの接続性が向上し、そのための工程数も少なくて済むゆえ、固体電解コンデンサとして有用である。
1 焼結体
2 酸化皮膜層
3 固体電解質層
4 グラファイト層
5 銀層
6 コンデンサ素子
7 導電性接着剤
8 陰極リードフレーム
9 陽極リード
10 陽極リードフレーム
11 外装樹脂
12 金属バー
13 ブレード
14 凹溝
15a,15b 電極
16 電源
2 酸化皮膜層
3 固体電解質層
4 グラファイト層
5 銀層
6 コンデンサ素子
7 導電性接着剤
8 陰極リードフレーム
9 陽極リード
10 陽極リードフレーム
11 外装樹脂
12 金属バー
13 ブレード
14 凹溝
15a,15b 電極
16 電源
Claims (3)
- 弁作用金属粉末を加圧成形して、焼結した後、酸化皮膜層、固体電解質層、陰極引出層を順次形成してなる固体電解コンデンサ素子の陽極リードと、表面に金属メッキが施された陽極リードフレームとが溶接で接続される固体電解コンデンサにおいて、
上記陽極リードの上記陽極リードフレームとの溶接部の接合面に1以上の凹溝が形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 上記凹溝の深さは、陽極リードの径方向長さの30〜70%に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサ。
- 上記凹溝の幅は、陽極リードの径方向長さの15〜20%に設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007137618A JP2008294187A (ja) | 2007-05-24 | 2007-05-24 | 固体電解コンデンサ |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013251543A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Avx Corp | 固体電解コンデンサのためのノッチ付きリード |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59149625A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-27 | Toshiba Corp | 炭化物薄膜エミツタの製造方法 |
JPH04216608A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Nec Toyama Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
2007
- 2007-05-24 JP JP2007137618A patent/JP2008294187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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