JP2008294092A - ワーク処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ワークは搬送方向（水平方向）とは直交する設置スペース等の制約の少ない上下方向に離間した状態で同軸上に複数保持することができ、大量のワークを同時期に処理することができるワーク処理装置を提供する。
【解決手段】ワークＷを離間状態で上下に多重支持するロット１３を内装し且つその多重支持状態でワーク処理を行うワーク処理部１０と、ワーク処理部１０の上方又は下方に接続されたワーク導入部２０と、ワーク処理部１０の下方又は上方に接続されたワーク排出部３０とを備え、ワーク導入部２０及びワーク排出部３０に設けられた導入口２２及び排出口３２に大気側との連通状態を遮断するシャッタ部材２３，３３が設けられている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体ウエハ等のワークの製造工程において、連続した同一処理を複数のワークに対して行うことができるワーク処理装置に関する。
特開２００２−００１０９９号公報 特開平１１−２９００１６号公報 従来から、半導体ウエハ等の薄肉な円盤状のワークを成形加工する際、その製造工程において時間を要する処理に対して複数のワークを同時期に処理することができれば、製造ライン全体の簡素化や省スペース化を実現することができることから、種々の提案がなされている（例えば、特許文献１，２参照）。
例えば、特許文献１に開示の技術の場合、複数のワークを立ち上げた対面状態で保持し、そのワークの間に処理装置（洗浄装置）を配置して一度に２枚のワークを同時期に処理するように構成されている。
また、特許文献２に開示の技術では、ベルトコンベア等の搬送装置上にワークを載置し、ベルトコンベアの搬送方向に沿って処理装置（金属有機化合物塗布装置）を設け、ベルトコンベアによるワーク搬送中に複数のワークを同時期に処理するように構成されている。
ところで、上述したワーク処理装置にあっては、ワーク間に処理装置を配置したり、搬送方向に隣接していることから、大量のワークをコンパクトな処理装置で同時期に処理するには余りにも制約があり、２〜５枚程度のワークを同時期に処理するのが限界であった。
また、近年の半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等のように大型化が進んでいる現状にあっては、上述した処理枚数はさらに少なく制約されてしまうという問題が生じていた。
そこで、本発明は、上記事情を考慮し、大量のワークを同時期に処理することができるワーク処理装置を提供することを目的とする。
請求項１に記載のワーク処理装置は、ワークを離間状態で上下に多重支持する支持部材を内装し且つその多重支持状態でワーク処理を行うワーク処理部と、該ワーク処理部の上方又は下方に接続されたワーク導入部と、前記ワーク処理部の下方又は上方に接続されたワーク排出部とを備え、前記ワーク導入部及び前記ワーク排出部に設けられた導入口又は排出口と前記ワーク処理部に設けられた前記ワーク導入部及び前記ワーク排出部との各連通口との少なくとも何れか一方には大気側との連通状態を遮断するシャッタ部材が設けられていることを特徴とする。
請求項１に記載のワーク処理装置によれば、ワークは搬送方向（水平方向）とは直交する設置スペース等の制約の少ない上下方向に離間した状態で同軸上に複数保持することができ、大量のワークを同時期に処理することができる。
請求項２に記載のワーク処理装置は、前記支持部材は、一対複数組の棒状に構成され且つ内方に向けて突出する複数の段状支持突起を備え、各一対の一方は少なくとも一段分の範囲で上下方向に昇降可能となっており、各一対の他方は一方の支持部材がワークを支持したまま昇降している際にはワーク被支持状態とするように退避可能となっていることを特徴とする。
請求項３に記載のワーク処理装置は、前記支持部材は、螺旋状に分割されたワーク支持部を備えていると共にワークの中心を基準にスイング回転することによってワークを上段又は下段へと移送することを特徴とする。
本発明のワーク処理装置によれば、大量のワークを同時期に処理することができる。
次に、本発明の一実施形態に係るワーク処理装置についてワーク乾燥装置に適用し、図面を参照して説明する。
図１乃至図１１は本発明の一実施形態に係るワーク処理装置を示し、図１はワーク処理装置の外観斜視図、図２（Ａ）はワーク処理装置の大気側とのワーク受け渡し状態の説明図、図２（Ｂ）はワーク処理装置の処理室側とのワーク受け渡し状態の説明図、図３乃至図１１はワーク処理装置のワーク搬送処理状態を時系列で示した説明図である。
図において、ワーク処理装置１は、円盤状のワークＷを処理するワーク処理部１０と、前段のワーク処理から搬送されたワークＷが導入されるワーク導入部２０と、後段のワーク処理等に向けて搬送するワーク排出部３０とを備えている。
ワーク処理部１０は、ドラム状（円筒状）に形成された石英製のチャンバー１１と、このチャンバー１１の外周に設けられてワークＷを乾燥処理するためのベーク炉１２と、ワークＷを離間状態で上下に多重支持する支持部材としての一対複数組のセラミック製のロット１３と、ロット１３の下端を支持する支持台１４とを備えている。
ロット１３の下端と支持台１４とは、図３に示すように、ワーク処理装置１を支持する架台２の機械室３に配置されている。
尚、一対複数組のロット１３は、ワークＷを支持するように内方に向けて突出されたリブにより複数のワーク支持部１５（図３参照）が形成されている。また、一対複数組のロット１３は、例えば、一対の一方は昇降可能且つワークＷの中心（支持中心）に対して退避可能となっており、一対の他方はワークＷの中心（支持中心）に対して退避可能となっている。
これにより、例えば、ワークＷを一段上昇させる場合、支持台１４は、
（１）他方のロット１３を中心から退避させてワーク支持部１５によるワーク支持状態を一旦解除する。
（２）ワーク支持状態を維持している一方のロット１３をワーク支持部１５の一段分だけ上昇する。
（３）他方のロット１３を中心に向けて再接近させてワーク支持部１５によるワーク支持状態を復帰する。
（４）一方のロット１３を中心から退避させてワーク支持部１５によるワーク支持状態を一旦解除する。
（５）ワーク支持状態を解除した一方のロット１３を元の位置に下降する。
（６）一方のロット１３を中心に向けて再接近させてワーク支持部１５によるワーク支持状態を復帰する（一対のロット１３の支持が復帰）。
の順で順次ワークＷを上段へと移送することができる。
尚、ロット１３の対を解除して複数設けると共にワーク支持部１５を複数の全体として仮想の螺旋溝状となるように構成すると共に、ワークＷを保持したままそのワークＷが自重により回転しないようにロット１３をワークＷの周囲（ワークＷを中心）で全体的にスイング回転（１回転）する支持台１４とすることにより、仮想の螺旋溝状のワーク支持部１５にワークが案内されて上方へと変位するように構成するなど、ワークＷの上昇（又は下降）は上記に限定されるものではない。
ワーク導入部２０は、セラミック製のボトムチャンバー２１と、このボトムチャンバー２１へとワークＷを取り入れるための導入口２２と、導入口２２を開閉するシャッタ部材２３と、導入口２２からボトムチャンバー２１の内部へと取り入れたワークＷをロット１３の最下段のワーク支持部１５に支持させるワーク移送用のアーム２４と、このアーム２４でのワークＷの支持の際に導入口２２から取り入れたワークＷを浮上状態で保持する浮上装置２５とを備えている。
ワーク排出部３０は、セラミック製のトップチャンバー３１と、このトップチャンバー３１から取り出したワークＷを排出するための排出口３２と、排出口３２を開閉するシャッタ部材３３と、ロット１３の最上段のワーク支持部１５から排出口３２へとワークＷを取り出すためのアーム３４と、このアーム３４でのワークＷの支持後に排出口３２からワークＷを排出する際に浮上状態で保持する浮上装置３５とを備えている。
上記の構成において、ワーク製造工程の搬送方向上流側より搬送されてきたワークＷは、シャッタ部材２３によって開放状態とされた導入口２２から取り入れ（図３参照）、浮上装置２５による浮上状態でボトムチャンバー２１内で停止させ（図４参照）た後、アーム２４によりロット１３の最下段のワーク支持部１５に支持させる（図５参照）。
そして、上記（１）〜（６）に示したロット１３の制御によって、最下段のワーク支持部１５に支持されたワークＷを次段（上段）のワーク支持部１５に移送しつつ次のワークＷをチャンバー２１へと取り入れた後（図６参照）、アーム２４によりロット１３の最下段のワーク支持部１５に支持させる（図７参照）。
以下、順次ワークＷの取り入れと上段移送とを繰り返しつつベーク炉１２の発熱によりワークＷを乾燥させ（図８参照）、ロット１３の最上段のワーク支持部１５にワークＷが達したらば、アーム３４によりワークＷをトップチャンバー３１へと取り出して浮上装置３５による浮上状態でトップチャンバー３１内で停止させ（図９参照）た後、シャッタ部材３３によって開放状態とされた排出口３２から取り出し（図１０参照）、再びシャッタ部材２３によって開放状態とされた導入口２２からワークＷを取り入れる（図１１参照）。
尚、上記実施の形態では、ワークＷをワーク処理部１０の下方から取り入れて上方から排出する例を示したが、逆でも良い。
このように、本発明のワーク処理装置１にあっては、支持部材としての一対複数組のセラミック製のロット１３に上下方向に多段にワークＷを支持すると共に、上下方向の移送と同時期に乾燥処理を行うことにより、ワーク搬送方向と直交する上下方向に広く且つ搬送方向を含む平面内の装置スペースの省スペース化に貢献したものでありながら、多数のワークＷを同時期に支持し且つ（乾燥）処理を行うことができる。
本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の外観斜視図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置を示し、（Ａ）はワーク処理装置の大気側とのワーク受け渡し状態の説明図、（Ｂ）はワーク処理装置の処理室側とのワーク受け渡し状態の説明図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク処理装置の時系列の断面図である。
符号の説明
１…ワーク処理装置
１０…ワーク処理部
１３…ロット（支持部材）
２０…ワーク導入部
２２…導入口
２３…シャッタ部材
３０…ワーク排出部
３２…排出口
３３…シャッタ部材

Claims (3)

  1. ワークを離間状態で上下に多重支持する支持部材を内装し且つその多重支持状態でワーク処理を行うワーク処理部と、該ワーク処理部の上方又は下方に接続されたワーク導入部と、前記ワーク処理部の下方又は上方に接続されたワーク排出部とを備え、
    前記ワーク導入部及び前記ワーク排出部に設けられた導入口又は排出口と前記ワーク処理部に設けられた前記ワーク導入部及び前記ワーク排出部との各連通口との少なくとも何れか一方には大気側との連通状態を遮断するシャッタ部材が設けられていることを特徴とするワーク処理装置。
  2. 前記支持部材は、一対複数組の棒状に構成され且つ内方に向けて突出する複数の段状支持突起を備え、各一対の一方は少なくとも一段分の範囲で上下方向に昇降可能となっており、各一対の他方は一方の支持部材がワークを支持したまま昇降している際にはワーク被支持状態とするように退避可能となっていることを特徴とする請求項１に記載のワーク処理装置。
  3. 前記支持部材は、螺旋状に分割されたワーク支持部を備えていると共にワークの中心を基準にスイング回転することによってワークを上段又は下段へと移送することを特徴とする請求項１に記載のワーク処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63241928A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 Hitachi Ltd 縦型加熱装置
JPH11204535A (ja) * 1998-01-16 1999-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の熱処理方法及び装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63241928A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 Hitachi Ltd 縦型加熱装置
JPH11204535A (ja) * 1998-01-16 1999-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の熱処理方法及び装置

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