JP2008283837A - インバータ駆動回路及びそれを備えたインバータモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 インバータ回路を駆動するインバータ駆動回路の小型化に有用な技術を提供すること。
【解決手段】 インバータ駆動回路は、ゲート電圧生成回路１０１〜１０６と制御回路１１４を備えている。ゲート電圧生成回路１０１〜１０６は、第１ゲート電圧生成回路１０１、１０３、１０５と第２ゲート電圧生成回路１０２、１０４、１０６とを有する。第１ゲート電圧生成回路１０１、１０３、１０５は、第１スイッチング素子Tr１、Tr３、Tr５毎に設けられている。各第１ゲート電圧生成回路１０１、１０３、１０５は、それぞれが空間的に分離された複数の第１分離基板１３０Hにそれぞれ設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、インバータ回路を駆動するインバータ駆動回路に関する。本発明はさらに、インバータ駆動回路を備えたインバータモジュールにも関する。

直流電力を交流電力に、又は交流電力を直流電力に電力変換するインバータ回路は、様々な場面で用いられている。例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車では、直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換し、その交流電力をモータに供給するために、直流電源とモータの間にインバータ回路が設けられている。車載用のインバータ回路は、インバータモジュールに収容されて用いられることが多い。インバータモジュールは、インバータ回路の他に、インバータ回路を駆動するインバータ駆動回路を備えている。

一般的に、インバータ回路は、高圧電源の高圧配線と低圧配線の間に接続されている第１スイッチング素子と第２スイッチング素子の直列回路を備えている。第１スイッチング素子は高圧電源の高圧配線側に接続されており、第２スイッチング素子は高圧電源の低圧配線側に接続されている。この直列回路はアームと称される。第１スイッチング素子が上アームと称され、第２スイッチング素子が下アームと称される。直列回路は、高圧電源の高圧配線と低圧配線の間に複数個が並列に設けられている。三相交流を発生するインバータ回路は、３つの直列回路（U相アーム、V相アーム及びW相アーム）で構成されていることが多い。第１スイッチング素子と第２スイッチング素子の各中間点は、各出力線（U相出力線、V相出力線及びW相出力線）に接続されている。
インバータ駆動回路は、ゲート電圧生成回路と制御回路を備えている。ゲート電圧生成回路は、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する。制御回路は、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子のオン期間とオフ期間を制御する信号をゲート電圧生成回路に提供する。
この種のインバータモジュールは、特許文献１に開示されている。

特開２００２−１１９０６８号公報

インバータ回路は、各第１スイッチング素子（上アーム）と各第２スイッチング素子（下アーム）が必要なタイミングでオン・オフを繰返すことによって駆動する。各第１スイッチング素子（上アーム）は、各出力線（U相出力線、V相出力線及びW相出力線）を基準電位として駆動する。例えば、第２スイッチング素子（下アーム）がオンであれば、出力線の電位は低圧配線の電位（例えば、０V）程度まで低下し、第２スイッチング素子（下アーム）がオフであれば、出力線の電位は高圧配線の電位（例えば、６５０V）程度にまで上昇する。

このため、従来のインバータ駆動回路では、３つの第１スイッチング素子（U相上アーム、V相上アーム及びW相上アーム）に対応する３つのゲート電圧生成回路は、それぞれが独自の電源回路を備えており、ゲート電圧生成回路と電源回路で１つのブロックを構成している。さらに、従来のインバータ駆動回路では、これら３つのブロックが１枚の基板に設けられている。このため、独自の電源回路を有するブロック間（例えば、U相とV相の間）には、大きな電位差が生じてしまう。従来のインバータ駆動回路は、この電位に対して充分な絶縁を確保するために、ブロック間に十分な距離が確保されるように設計されている。しかしながら、電位差の対策に必要な距離を確保すると、ブロックが設けられている基板の面積が増大し、ひいてはインバータモジュールも大型化してしまう。
本発明は、インバータ回路を駆動するインバータ駆動回路の小型化に有用な技術を提供することを１つの目的としている。本発明はさらに、このインバータ駆動回路を備えたインバータモジュールを提供することも他の１つの目的としている。

本明細書で開示される技術は、インバータ駆動回路のうちのゲート電圧生成回路をスイッチング素子毎に設けるとともに、そのゲート電圧生成回路をそれぞれが空間的に分離された複数の分離基板にそれぞれ設けることを特徴としている。少なくとも、第１スイッチング素子（上アーム）に対応するゲート電圧生成回路を第１スイッチング素子毎に設けるとともに、そのゲート電圧生成回路をそれぞれが空間的に分離された複数の分離基板にそれぞれ設けることを特徴としている。必要に応じて、第２スイッチング素子（上アーム）に対応するゲート電圧生成回路を第２スイッチング素子毎に設けるとともに、そのゲート電圧生成回路をそれぞれが空間的に分離された複数の分離基板にそれぞれ設けてもよい。
上記形態によると、分離基板間が空間的に分離されているので、絶縁性が極めて高い。このため、隣接するゲート電圧生成回路間の電気的な絶縁は、分離基板間の距離を短くしたとしても、十分に確保することができる。この結果、インバータ駆動回路が小型化され、ひいてはインバータ駆動回路を備えたインバータモジュールも小型化される。

即ち、本明細書で開示される技術は、高圧電源の高圧配線側に接続されている第１スイッチング素子と高圧電源の低圧配線側に接続されている第２スイッチング素子の直列回路の複数個が前記高圧配線と前記低圧配線の間に並列に接続されているインバータ回路を駆動する回路に具現化することができる。このインバータ駆動回路は、ゲート電圧生成回路と制御回路とを備えている。ゲート電圧生成回路は、第１スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する第１ゲート電圧生成回路と第２スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する第２ゲート電圧生成回路とを有している。制御回路は、低圧電源に接続されており、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子のオン期間とオフ期間を制御する信号をゲート電圧生成回路に提供する。本明細書で開示される技術では、第１ゲート電圧生成回路が、第１スイッチング素子毎に設けられている。さらに、各第１ゲート電圧生成回路は、それぞれが空間的に分離された複数の第１分離基板にそれぞれ設けられている。

本明細書で開示される技術では、第２ゲート電圧生成回路も、第２スイッチング素子毎に設けられていることが好ましい。さらに、各第２ゲート電圧生成回路は、それぞれが空間的に分離された複数の第２分離基板にそれぞれ設けられているのが好ましい。この場合、第１分離基板と第２分離基板は、共通形状であることを特徴としている。
上記形態によると、第１分離基板と第２分離基板が共通形状に構成されているので、部品種類の増加が抑制される。

本明細書で開示される技術では、各第１分離基板には、第１ゲート電圧生成回路に電圧を供給する第１電源回路がそれぞれ設けられていることが好ましい。
また、本明細書で開示される技術では、各第２分離基板にも、第２ゲート電圧生成回路に電圧を供給する第２電源回路がそれぞれ設けられていることが好ましい。
上記形態によると、分離基板のそれぞれに独自の電源回路が設けられている。分離基板内には大きな電位差が発生しないので、ゲート電圧生成回路と電源回路を分離基板内に高密度に配置することができる。この結果、分離基板自体が小型化され、ひいてはインバータ駆動回路、さらにはインバータモジュールが小型化される。

第１分離基板に独自の第１電源回路を設けるためには、各第１電源回路が、各第１スイッチング素子の高圧側端子と低圧側端子の間に接続されているコンデンサを備えていることが好ましい。
同様に、第２分離基板に独自の第２電源回路を設けるためには、各第２電源回路が、各第２スイッチング素子の高圧側端子と低圧側端子の間に接続されているコンデンサを備えていることが好ましい。
上記形態によると、スイッチング素子の主電極間に発生する電位差を利用する電源回路を構築することができる。

本明細書で開示される技術では、ゲート電圧生成回路と制御回路の間の信号の送受信を非接触状態で行う信号伝達手段をさらに備えていることが好ましい。
上記形態によると、ゲート電圧生成回路と制御回路の間も空間的に分離される。これにより、ゲート電圧生成回路及びインバータ回路が属する高圧部と制御回路が属する低圧部が空間的に分離される。制御回路は、低圧電源によって独自に駆動されるので、制御回路内に大きな電位差が発生しない。さらに、ゲート電圧生成回路と制御回路間の電気的な絶縁は、空間的に分離されているので、ゲート電圧生成回路と制御回路の間の距離を短くしたとしても、十分に確保することができる。この結果、インバータ駆動回路が小型化され、ひいてはインバータ駆動回路を備えたインバータモジュールも小型化される。

本明細書で開示される技術では、信号伝達手段には、様々な手段を採用することができる。例えば、信号伝達手段は、発光素子と受光素子を備えていることが好ましい。
上記形態によると、光信号を媒体にして、発光素子と受光素子の間で光信号の送受信を非接触状態で行うことができる。

本明細書で開示される技術によると、ゲート電圧生成回路が設けられている分離基板間が空間的に分離されているので、絶縁性が極めて高い。このため、ゲート電圧生成回路間の電気的な絶縁は、分離基板間の距離を短くしたとしても、十分に確保することができる。この結果、インバータ駆動回路が小型化され、ひいてはインバータ駆動回路を備えたインバータモジュールも小型化される。

本発明の好ましい特徴を列記する。
（第１特徴） 電源回路には、スイッチング素子の高圧端子から降圧することによって所望の電圧を確保するタイプ、スイッチング素子を流れる電流から電磁誘導によって所望の電圧を確保するタイプ、あるいは制御回路が設けられている上側回路基板とゲート電圧生成回路が設けられている中間回路基板の間を電磁誘導によって送電するタイプ等を採用することができる。
（第２特徴） 信号伝達手段には、光信号を利用するタイプ、磁気結合を利用するタイプ、あるいは電磁誘導を利用するタイプを採用することができる。

図１に、インバータモジュール１００に含まれる各回路の構成を示す。図２に、インバータモジュール１００を構成する下側回路基板１２０、中間回路基板１３０及び上側回路基板１４０の分解斜視図を模式的に示す。
図１に示すように、インバータモジュール１００は、高圧直流電源３００とモータMの間に設けられており、高圧直流電源３００から供給される直流電力を交流電力に変換し、その交流電力をモータMに供給する。なお、高圧直流電源３００から供給される直流電力は、一般的にコンバータによって昇圧されることが多く、そのコンバータもインバータモジュール内に設けられていることが多い。高圧直流電源３００とインバータ回路１００の間には、コンデンサ２００が設けられており、直流電力を平滑化している。

図１及び図２に示すように、下側回路基板１２０には、複数のトランジスタTr１〜Tr６で構成されているインバータ回路が設けられている。中間回路基板１３０には、トランジスタTr１〜Tr６のゲートに供給するゲート電圧を生成するゲート電圧生成回路１０１〜１０６が設けられている。上側回路基板１４０には、トランジスタTr１〜Tr６のオン期間とオフ期間を制御するゲート制御信号ＧＳ１〜ＧＳ６をゲート電圧生成回路１０１〜１０６に提供する制御回路１１４が設けられている。ゲート電圧生成回路１０１〜１０６と制御回路１１４をインバータ駆動回路という。
下側回路基板１２０のインバータ回路と中間回路基板１３０のゲート電圧生成回路１０１〜１０６は、高圧直流電源３００（例えば、６５０V）に電気的に接続されており、高圧部に属している。上側回路基板１４０は、低圧直流電源４００（例えば、１２V）に電気的に接続されており、低圧部に属している。

図１に示すように、下側回路基板１２０に設けられているインバータ回路は、高圧直流電源３００の高圧配線１００Hと低圧配線１００Lの間に並列に接続されているU相アーム１１１、V相アーム１１２及びW相アーム１１３を備えている。U相アーム１１１は、中間ノードNm１を介して直列に接続されたトランジスタTr１、Tr２を備えている。V相アーム１１２は、中間ノードNm２を介して直列に接続されたトランジスタTr３、Tr４を備えている。W相アーム１１３は、中間ノードNm３を介して直列に接続されたトランジスタTr５、Tr６を備えている。各トランジスタTr１〜Tr６には、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）が採用されている。さらに、各トランジスタTr１〜Tr６のコレクタ−エミッタ間には、逆並列ダイオードＤ１〜Ｄ６がそれぞれ接続されている。

各相アーム１１１〜１１３の中間点Nm１〜Nm3は、各相出力線Uout、Vout、Woutに電気的に接続されている。各相出力線Uout、Vout、Woutは、３相のモータMの各相コイルの各一端に電気的に接続されている。各相コイルの他端は、中性点に共通接続される。なお、この例のモータMは３相であるが、本明細書で開示される技術は、相数を限定することなく様々な交流電動機に適用可能である。

図１に示すように、中間回路基板１３０に設けられているゲート電圧生成回路１０１〜１０６は、トランジスタTr１〜Tr６毎に設けられている。図２に示すように、中間回路基板１３０は、上アームのトランジスタTr１、Tr３、Tr５に対応した複数の分離基板１３０Hと、下アームのトランジスタTr２、Tr４、Tr６に対応した複数の分離基板１３０Lを備えている。分離基板１３０H、１３０Lは、それぞれが空間的に分離されており、各分離基板１３０H、１３０Lの形状は共通である。分離基板１３０Hには、上アームに属するトランジスタTr１、Tr３、Tr５に対応したゲート電圧生成回路１０１、１０３、１０５が設けられている。分離基板１３０Lには、下アームに属するトランジスタTr２、Tr４、Tr６に対応したゲート電圧生成回路１０２、１０４、１０６が設けられている。
各分離基板１３０H、１３０Lは共通形状である。このため、上アーム用の分離基板１３０Hと下アーム用の分離基板１３０Lを別個に用意する必要がない。各分離基板１３０H、１３０Lを共通形状にすると、部品種類の増加を抑制することができる。

各分離基板１３０H、１３０Lと下側回路基板１２０は、はんだ等を介して電気的に接続されている。具体的には、各分離基板１３０H、１３０LのGND電極とトランジスタTr１〜Tr６のエミッタ電極がはんだ等を介して接続されている。この状態においても、隣接する分離基板１３０H、１３０Lは、水平方向に直接的に接していない。

図３に、ゲート電圧生成回路１０１が設けられている分離基板１３０Ｈに設けられている電源回路１１０の回路図を示す。なお、同種の電源回路１１０は、他のゲート電圧生成回路１０２〜１０６が設けられている分離基板１３０H、１３０Lにもそれぞれ設けられている。
電源回路１１０は、抵抗R１とコンデンサC１とツェナーダイオードZD１を備えている。抵抗R１とコンデンサC１は、トランジスタTr１のコレクタ−エミッタ間に直列に接続されている。抵抗R１の一端がトランジスタTr１のコレクタ端子に電気的に接続されており、コンデンサC１の一端がトランジスタTr１のエミッタ端子に電気的に接続されている。ツェナーダイオードZD１は、コンデンサC１に対して並列に設けられており、アノードがトランジスタTr１のエミッタ端子に電気的に接続されており、カソードが抵抗R１とコンデンサC１の中間点に電気的に接続されている。
上記電源回路１１０は、トランジスタTr１のコレクタ−エミッタ間電圧を降圧してコンデンサC１に蓄電して利用することができる。前記したように、同種の電源回路１１０が他の各分離基板１３０H、１３０Lにもそれぞれ設けられている。このため、各分離基板１３０H、１３０Lは独自の電源回路１１０を備えているので、各分離基板１３０H、１３０L内には大きな電位差が発生しない。これにより、ゲート電圧生成回路１０１〜１０６と電源回路１１０は、各分離基板１３０H、１３０L内において高密度に配置することができる。さらに、隣接する分離基板１３０H、１３０Lは空間的に分離されているので、隣接する分離基板１３０H、１３０L間の絶縁性は高い。このため、隣接する分離基板１３０H、１３０L間の電気的な絶縁は、隣接する分離基板１３０H、１３０L間の距離を短くしたとしても、十分に確保することができる。この結果、各分離基板１３０H、１３０Lを高密度に配置することができ、ひいてはインバータモジュール１００が小型化される。

図１に示すように、上側回路基板１４０には、低圧直流電源４００に接続されている制御回路１１４が設けられている。制御回路１１４は、モータMに所望のトルク・回転数等が生じるように、各トランジスタTr１〜Tr６のオン期間とオフ期間を制御するゲート制御信号ＧＳ１〜ＧＳ６をゲート電圧生成回路１０１〜１０６に提供する。制御回路１４０は、各種センサ１１５からの出力値に応じて、ゲート制御信号ＧＳ１〜ＧＳ６を生成する。各種センサ１１５からの出力値には、たとえば、モータMの位置センサからの出力値、モータMの速度センサからの出力値、各相出力線Uout、Vout、Woutに設けられた電流センサからの出力値などが含まれる。

図４に、上側回路基板１４０と分離基板１３０H、１３０Lの間のゲート制御信号ＧＳ１、ＧＳ２の送受信の様子を示す。なお、図４には、分離基板１３０H、１３０Lのうちのゲート電圧生成回路１０１（トランジスタTr１に対応している）が設けられている分離基板１３０Hと、ゲート電圧生成回路１０２（トランジスタTr２に対応している）が設けられている分離基板１３０Lのみを示すが、他の分離基板１３０H、１３０Lも同様の構造を備えている。
図４に示すように、上側回路基板１４０と分離基板１３０H、１３０Lは、空間的に分離されており、その間のゲート制御信号ＧＳ１、ＧＳ２の送受信には光信号が利用されている。このため、分離基板１３０H、１３０Lには、発光素子１０１L、１０２Lと受光素子１０１P、１０２Pがそれぞれ設けられている。さらに、上側回路基板１４０にも、各分離基板１３０H、１３０Lに対応して発光素子１４１L、１４２Lと受光素子１４１P、１４２Pがそれぞれ設けられている。これにより、上側回路基板１４０と分離基板１３０H、１３０Lは、非接触状態でゲート制御信号ＧＳ１、ＧＳ２の送受信を行うことができる。
なお、対向する受光素子１０１L、１０２L、１４１L、１４２Lと発光素子１０１P、１０２P、１４１L、１４２Lの間に光ファイバ等の光導波路を設けてもよい。光導波路が設けられていると、上側回路基板１４０と分離基板１３０H、１３０Lの配置に自由度が与えられる。

上記インバータモジュール１００は、高圧部に属する下側回路基板１２０及び中間回路基板１３０と低圧部に属する上側回路基板１４０が空間的に分離されている。上側回路基板１４０は独自の低圧直流電源４００で駆動するので、上側回路基板１４０内に大きな電位差が発生しない。さらに、中間回路基板１３０は、複数の分離基板１３０H、１３０Lに分離され、各分離基板１３０H、１３０Lにゲート電圧生成回路１０１〜１０６と独自の電源回路１１０が設けられている。したがって、各分離基板１３０H、１３０L内にも大きな電位差が生じない。このため、上側回路基板１４０、下側回路基板１２０及び各分離基板１３０H、１３０L内には、各回路を高密度に設けることができる。また、上側回路基板１４０と各分離基板１３０H、１３０Lの間、及び隣接する分離基板１３０H、１３０Lの間は空間によって隔てられているので絶縁性が極めて高い。このため、上側回路基板１４０、下側回路基板１２０及び各分離基板１３０H、１３０Lを高密度に配置することができる。この結果、極めて小型化されたインバータモジュール１００が得られる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、上記実施例では、下アームに対応する分離基板１３０Ｌが各下アームに対応して分離した形態を例示している。この例に代えて、下アームに対応する分離基板１３０Ｌが１枚の基板で構成されていてもよい。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

インバータモジュールに含まれる回路を示す。 インバータモジュールの各基板の分解斜視図を示す。 ゲート電圧生成回路内に設けられている電源回路の回路図を示す。 上側回路基板と分離基板の間のゲート制御信号の送受信の様子を示す。

符号の説明

１００：インバータモジュール
１０１〜１０６：ゲート電圧生成回路
１１０：電源回路
１１１〜１１３：相アーム
１１４：制御回路
１１５：各種センサ
１２０：下側回路基板
１３０：中間回路基板
１３０H、１３０L：分離基板
１４０：上側回路基板
２００：コンデンサ
３００：高圧直流電源
Tr１〜Tr６：トランジスタ
M：モータ
１０１L、１０２L、１４１L、１４２L：発光素子
１０１P、１０２P、１４１P、１４２P：受光素子

Claims (16)

1. 高圧電源の高圧配線側に接続されている第１スイッチング素子と高圧電源の低圧配線側に接続されている第２スイッチング素子の直列回路の複数個が前記高圧配線と前記低圧配線の間に並列に接続されているインバータ回路を駆動する回路であって、
   第１スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する第１ゲート電圧生成回路と第２スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する第２ゲート電圧生成回路とを有するゲート電圧生成回路と、
   低圧電源に接続されており、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子のオン期間とオフ期間を制御する信号をゲート電圧生成回路に提供する制御回路と、を備えており、
   第１ゲート電圧生成回路は、第１スイッチング素子毎に設けられており、
   各第１ゲート電圧生成回路は、それぞれが空間的に分離された複数の第１分離基板にそれぞれ設けられていることを特徴とするインバータ駆動回路。
2. 第２ゲート電圧生成回路は、第２スイッチング素子毎に設けられており、
   各第２ゲート電圧生成回路は、それぞれが空間的に分離された複数の第２分離基板にそれぞれ設けられており、
   第１分離基板と第２分離基板は、共通形状であることを特徴とする請求項１のインバータ駆動回路。
3. 各第１分離基板には、第１ゲート電圧生成回路に電圧を供給する第１電源回路がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１又は２のインバータ駆動回路。
4. 各第１電源回路は、各第１スイッチング素子の高圧側端子と低圧側端子の間に接続されているコンデンサを備えていることを特徴とする請求項３のインバータ駆動回路。
5. 各第２分離基板には、第２ゲート電圧生成回路に電圧を供給する第２電源回路がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかのインバータ駆動回路。
6. 各第２電源回路は、各第２スイッチング素子の高圧側端子と低圧側端子の間に接続されているコンデンサを備えていることを特徴とする請求項５のインバータ駆動回路。
7. ゲート電圧生成回路と制御回路の間の信号の送受信を非接触状態で行う信号伝達手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかのインバータ駆動回路。
8. 前記信号伝達手段は、発光素子と受光素子を備えていることを特徴とする請求項７のインバータ駆動回路。
9. インバータモジュールであって、
   下側回路基板と、中間回路基板と、上側回路基板を備えており、
   下側回路基板には、高圧電源の高圧配線側に接続されている第１スイッチング素子と高圧電源の低圧配線側に接続されている第２スイッチング素子の直列回路の複数個が前記高圧配線と前記低圧配線の間に並列に接続されているインバータ回路が設けられており、
   中間回路基板には、第１スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する第１ゲート電圧生成回路と第２スイッチング素子のゲートに供給するゲート電圧を生成する第２ゲート電圧生成回路とを有するゲート電圧生成回路が設けられており、
   上側回路基板には、低圧電源に接続されており、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子のオン期間とオフ期間を制御する信号をゲート電圧生成回路に提供する制御回路が設けられており、
   前記中間回路基板は、それぞれが空間的に分離された複数の第１分離基板を備えており、
   第１ゲート電圧生成回路は、第１スイッチング素子毎に設けられており、
   各第１ゲート電圧生成回路は、各第１分離基板にそれぞれ設けられていることを特徴とするインバータモジュール。
10. 前記中間回路基板は、それぞれが空間的に分離された複数の第２分離基板をさらに備えており、
    第２ゲート電圧生成回路は、第２スイッチング素子毎に設けられており、
    各第２ゲート電圧生成回路は、各第２分離基板にそれぞれ設けられており、
    第１分離基板と第２分離基板は、共通形状であることを特徴とする請求項９のインバータモジュール。
11. 各第１分離基板には、第１ゲート電圧生成回路に電圧を供給する第１電源回路がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項９又は１０のインバータモジュール。
12. 各第１電源回路は、各第１スイッチング素子の高圧側端子と低圧側端子の間に接続されているコンデンサを備えていることを特徴とする請求項１１のインバータモジュール。
13. 各第２分離基板には、第２ゲート電圧生成回路に電圧を供給する第２電源回路がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかのインバータモジュール。
14. 各第２電源回路は、各第２スイッチング素子の高圧側端子と低圧側端子の間に接続されているコンデンサを備えていることを特徴とする請求項１３のインバータモジュール。
15. ゲート電圧生成回路と制御回路の間の信号の送受信を非接触状態で行う信号伝達手段をさらに備えていることを特徴とする請求項９〜１４のいずれかのインバータモジュール。
16. 前記信号伝達手段は、発光素子と受光素子を備えていることを特徴とする請求項１５のインバータモジュール。
    

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