JP2008283178A - リソグラフィ装置および方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 例えばプリントされたパターンの忠実度または品質の向上を図ることである。
【解決手段】 リソグラフィ方法が提供され、同方法は、照明システムを使用して照明モードを有する放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して放射ビームに断面においてパターンを与えること、複数の基板上に前記パターニングされた放射ビームを投影すること、を含む。照明モードは、放射ビームが１つまたは複数の基板上に投影された後に調整される。この調整は、１つまたは複数の後続する基板上へのパターンの投影中の投影されたパターンに対するレンズ加熱による収差の影響を低減するように構成されている。
【選択図】図６

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用され得るものである。この状況において、マスクまたはレチクルとも代わりに呼ばれるパターニングデバイスが、放射ビームに、その断面にパターンを与えるために使用が可能であり、このパターンはＩＣの個々の層の回路パターンに相当する。このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは数個のダイの一部を含むもの）上にイメージングされ得る。一般に、単一の基板は、連続して露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。知られているリソグラフィ装置は、一回の工程実施でターゲット部分上にパターン全体のイメージを露光または投影することにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパ、および、特定の方向（「スキャン」方向）においてビームを介してパターンがスキャンされる一方で、これと同期して、この方向と平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。リソグラフィプリント工程は、典型的に、イメージング工程に先立ち基板に施されるプライミング、レジストコーティング、および、基板のソフトベークなどの露光前プロセスを含んでいる。イメージング工程の後、基板には、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および、イメージングされたフィーチャの測定／検査などの他の手順を行うことが可能である。この手順の配列は、例えばＩＣなどのデバイスの個々の層であるパターンを構成するプリントされたフィーチャを設けるための基礎として使用されている。続いて、このようなパターニングされた層は、全てが個々の層を仕上げることを意図されたエッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨などの様々なプロセスを受けることができる。典型的に、基板上へのパターンの前述のイメージングまたは投影は、放射のパターニングされたビームを投影システムを横切らせることにより行われる。投影システムは一連のレンズを含み、高精度でパターンを投影するために配列されており、すなわち、投影されたパターンに少量の歪または他の誤差のみを導入するものとなっている。リソグラフィ装置の従来の動作においては、多数の基板が次々に順次パターニングされていた。投影システムは、パターンの投影中にこのシステムを通過する放射の吸収により、時間の経過とともに加熱していく。この加熱はレンズの形状を変化させ、それにより、収差を発生させ、この収差は基板上に投影されたパターンを歪ませるか、または、この収差もしくは他のものが、基板上にイメージングされたパターンの忠実度に影響を及ぼす。その結果、イメージングされた、ならびに、プリントされたフィーチャのパターン忠実度は、レンズの加熱により時間の経過とともに影響を受けることがある。
[0003] 収差は、例えばレンズの１つまたは複数が持つ形状などを調整するためのアクチュエータを使用することにより補正され得る。しかし、この補正は、限られた範囲に対してしか機能しない。リソグラフィには、投影システムによる投影中に、より小さな面積にわたり放射が益々集中される照明モードの使用に向かう傾向がある。一般に、リソグラフィ装置は、レーザまたはＥＵＶ放射源などの放射源から放射を受け取る照明システムを含み、かつ、パターニングデバイスを照明するための前述の放射のビームを生成する。典型的な照明システム内では、ビームが照明システムの瞳面において所望の空間的強度分布を有するように、ビームが整形および制御されている。瞳面における空間的強度分布は、マスクの高さにおいて照明放射を供給するための仮想放射源として効果的に機能する。前記強度分布のいずれかの特定の形状は、照明モードと呼ばれることがある。パターンをプリントするために使用される照明モードは、例えば、「従来の照明」（前記瞳における最上層円盤型強度分布）、ならびに、環状、双極子、四極子、および、より複雑な形状の配列の照明瞳強度分布などの「オフアクシス」照明モードである。上述の傾向は、特にこのようなオフアクシス照明モードに関連しており、オフアクシス方向でマスクに当たる放射は、基板の露光中に、照明システムおよび投影システムの瞳において、より小さな面積にわたり益々集中されている。放射のこの集中は、放射により、投影システムのレンズが加熱されるか、または、局所的に加熱される程度を高めている。このことは、次に、投影されたイメージの歪または色むらを増加させ、かつ、許容誤差を超えて、プリントされたパターンの忠実度または品質を低下させる可能性がある。
[0004] 上記に述べた問題の１つまたは複数を低減または軽減するリソグラフィ装置および方法を提供することが望ましい。
本発明の一態様によれば、照明システムを使用して照明モードを有する放射ビームを供給すること、パターンを放射ビームにその断面において与えること、投影システムを使用して複数の基板上にパターンを投影すること、を含み、１つまたは複数の基板上にパターンを投影した後に照明モードを調整し、その後に１つまたは複数の後続の基板上にパターンを投影し、かかる調整が、１つまたは複数の後続の基板上へのパターンの投影の間、レンズの加熱による投影されたパターンに対する光学収差の影響を低減することを含むリソグラフィ方法が提供されている。
[0005] 本発明のさらなる態様によれば、照明システムを使用して照明モードを有する放射ビームを供給すること、パターンを放射ビームにその断面において与えること、投影システムを使用して基板上の複数のターゲット部分上にパターンを投影すること、を含み、１つまたは複数のターゲット部分上にパターンを投影した後に照明モードを調整し、その後に１つまたは複数の後続のターゲット部分上にパターンを投影し、かかる調整が、１つまたは複数の後続のターゲット部分上へのパターンの投影の間、レンズの加熱による投影されたパターンに対する収差の影響を低減することを含む方法が提供されている。
本発明のさらなる態様によれば、照明モードを有する放射ビームを供給するための照明システムと、ビームに断面においてパターンを与えるパターニングデバイスを支持するための支持構造体と、基板を保持するための基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するための投影システムと、照明システムの一部を制御するように構成され、ビームが１つまたは複数の基板上、または、単一の基板上の１つまたは複数のターゲット部分上に投影された後にビームの照明モードを調整するように構成され、かかる調整が、１つもしくは複数の後続の基板または単一の基板上の１つもしくは複数の後続のターゲット部分上へのパターンの投影の間、レンズの加熱によるパターンに対する収差の影響を低減するように構成されているコントローラと、を含むリソグラフィ装置が提供されている。
[0007] 本発明の実施形態が、例のみの方法によって、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の模式的な図面を参照して説明される。
[0020] この状況においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の参照を行うことが可能ではあるが、本明細書に説明されているリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導パターンおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造などの他の実用例も有することが可能であることを理解されたい。当業者は、そのような代替実用例の状況において、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えられることを理解されよう。本明細書において言及された基板は、例えば、トラック（典型的に、基板にレジストの層を塗布し、かつ、露光されたレジストを現像するツール）、または、メトロロジーツール、または、インスペクションツールにおいて、露光の前または後にプロセスされることが可能である。適用される場合、本明細書における開示はこのような、および、他の基板プロセスツールに適用されることが可能である。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するなどのために、２回以上プロセスされることが可能であり、そのため、本明細書において使用されている用語「基板」はプロセス済みの多数の層を既に含む基板を指すこともできる。
[0021] 本明細書において使用されている用語「放射」および「ビーム」は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または、１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射および（例えば、５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射を含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。
[0022] 本明細書において使用されている用語「パターニングデバイス」は、基板上のターゲット部分にパターンを作成するなどのために、パターンを放射ビームにその断面において与えるために使用され得るデバイスを指すと広く解釈されたい。放射ビームに与えられたパターンが基板のターゲット部分において所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに注意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されつつあるデバイスにおける特定の機能層に対応する。
[0023] パターニングデバイスは透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、および、プログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト、および、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに、様々な混合マスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は小型ミラーのマトリクス配列を採用しており、このミラーの各々は入射する放射ビームを異なった方向に反射するように個別に傾けられ得る。このようにして、反射されたビームはパターニングされる。
[0024] 支持構造体は、パターニングデバイスを支持する。この構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境において保持されているか否かなどの他の条件に依存する形でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、機械式クランプ、真空、または、他のクランプ技術、例えば、真空状態における静電クランプなどを使用することができる。支持構造体は、必要に応じて例えば固定または可動とすることができ、かつ、パターニングデバイスが、例えば投影システムなどに関して所望の位置にあることを確実にできるフレームまたはテーブルとすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいずれの使用も、より全体的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
[0025] 本明細書において使用されている用語「投影システム」は、例えば、使用されている露光用放射に対して、または、液浸用液体の使用もしくは真空の使用などの他の要因などに対して適切であるような屈折性光学系、反射性光学系、反射屈折性光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含するとして広く解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいずれの使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えられることが可能である。
[0026] 照明システムは、放射のビームを誘導し、整形し、または、制御するための屈折性、反射性、および、反射屈折性の光学構成部分を含む様々なタイプの光学構成部分も包含することができ、そのような構成部分は、以下、まとめて、または、単独で「レンズ」と呼ばれることも可能である。
[0027] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはこれより多くの基板テーブル（および／または、２つ以上の支持構造体）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」機においては、追加のテーブルは並行して使用することができるか、または、１つまたは複数のテーブルが露光のために使用されている間に、予備工程を１つまたは複数の他のテーブル上で実行することができる。
[0028] リソグラフィ装置は、例えば米国特許出願公開公報２００７−００１３８９０Ａ１などに説明されているような２つ以上のマスクの間で（または、制御可能なパターニングデバイス上に供給されたパターンの間で）の迅速な切換えを可能にするタイプのものとすることができる。
[0029] このリソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすために、基板が比較的大きな屈折率を有する液体、例えば水の中に浸されるタイプのものとすることもできる。液浸用液体は、例えばマスクと投影システムの第１要素との間などのリソグラフィ装置における他の空間にも適用することができる。液浸技術は、投影システムの開口数を大きくするために当技術分野では良く知られている。
[0030] 図１は本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ装置を示す模式図である。この装置は、以下を含んでいる。
・放射の放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を条件調整するための照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
・パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するための、かつ、物体ＰＬに関してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするための第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造体（例えば、支持構造体）ＭＴと、
・基板（例えば、レジストコーティング済みウェーハ）Ｗを保持するための、かつ、物体ＰＬに関して基板を正確に位置決めするための第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
・基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含むもの）上に、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＰＢに与えられたパターンをイメージングするように構成された投影システム（例えば、屈折型投影レンズ）ＰＬ。
[0031] 同図中に示されたように、装置は透過型（例えば、透過型マスクを採用しているもの）のものである。代わりに、装置は、反射型（例えば、上述されたタイプのプログラマブルミラーアレイを採用したもの）のものとすることができる。
[0032] イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射のビームを受光する。放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザであると、別個の実体とすることができる。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成しているとは考えられず、かつ、放射ビームＢは、例えば適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤの支援を得て、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに通過される。他の場合、放射源ＳＯは、例えば放射源ＳＯが水銀ランプであると、リソグラフィ装置の一体化された一部とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼ぶことができる。
[0033] 以下に、イルミネータＩＬがさらに説明される。
[0034] イルミネータＩＬを出た後、放射ビームＰＢは、支持構造体ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを横切って、放射ビームＰＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームＰＢを合焦させるレンズＰＬを通過する。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス）の支援を得て、基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＰＢの経路内に異なった各ターゲット部分Ｃを位置決めするなどのために、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび（図１には明示的に描かれていない）他の位置センサは、例えばマスクライブラリからの機械式取出しの後またはスキャン中などに、放射ビームＰＢの経路に関してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、物体テーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭおよびＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の支援を得て実現される。しかし、（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、支持構造体ＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続されることが可能であるか、または、固定とされることが可能である。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイス・アライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントされることが可能である。
[0035] 示されている装置は、以下の例示的モードにおいて使用され得る。
[0036] １．ステップモードにおいて、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止に保たれる一方、放射ビームＰＢに与えられたパターン全体が一回の工程実施においてターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一静止露光）。続いて、基板テーブルＷＴは、異なったターゲット部分Ｃが露光され得るようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズは単一静止露光においてイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズを制限している。
[0037] ２．スキャンモードにおいて、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期してスキャンされる一方、放射ビームＰＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。支持構造体ＭＴを基準とした基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）倍率およびイメージ反転特性により決定されている。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を制限しているのに対し、スキャン移動の長さはターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定している。
[0038] ３．他のモードにおいて、支持構造体ＭＴは基本的に静止に保たれ、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴは移動されるか、または、スキャンされる一方、放射ビームＰＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードにおいて、一般に、パルス放射源が採用され、かつ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、または、スキャン中の連続した放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記に言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用したマスクレスリソグラフィに直ちに適用され得る。
[0039] 上述の使用モードまたは完全に異なった使用モードに対する組合せおよび／または変形も、採用されることが可能である。
[0040] イルミネータＩＬは放射ビームＰＢの角度強度分布を調整するための調整手段ＡＭを含むことができる。この手段は、例えば、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒｔ呼ばれる）外側および／または内側半径範囲の調整を可能とすることができる。加えて、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮおよび結合光学系ＣＯなどの様々な他の構成部分を含んでいる。例えば水晶のロッドとすることができるインテグレータは、放射ビームＰＢの均一性を改善する。
[0041] イルミネータの瞳面での放射ビームＰＢの空間強度分布は、放射ビームＰＢがパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射する前に、角度強度分布に変換される。言い換えれば、イルミネータＩＬの瞳面とパターニングデバイスＭＡ（パターニングデバイスはフィールド面にある）との間にはフーリエ関係がある。これは、イルミネータ瞳面が、パターニングデバイスＭＡ上に放射ビームＰＢを合焦させる結合光学系ＣＯの前方焦点面と実質的に一致していることによるものである。
[0042] 瞳面における適切な空間強度分布の選択は、パターニングデバイスＭＡのイメージが基板Ｗ上に投影される正確さを改善するために使用され得る。特に、双極子、環状、または、四極子のオフアクシス照明プロファイルを持つ空間強度分布は、パターンが投影される分解能を増強するため、または、投影レンズの収差、露光ラチチュード、および、焦点深度に対する感度などの他のパラメータを改善するために使用されることが可能である。
[0043] 検出器ＤＴは基板テーブルＷＴ内に設けられており、放射ビームＰＢ内に存在する収差を測定するように構成されている。検出器ＤＴはプロセッサＰＲを介してコントローラＣＴに接続されている。コントローラＣＴは、測定システムから受信された信号に応じてイルミネータＩＬの設定を調整するように構成されている。これが行われる方法は、図６に関して以下にさらに説明される。
[0044] 図２は、放射ビームＰＢの対応する角度および空間の強度分布の原理を示す模式図である。従来技術の装置によれば、放射ビームの外側および／または内側半径範囲（それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒ）は、回折要素４のアレイを使用して設定されることが可能である。各回折要素４は、発散光線束５を形成する。光線束５は、放射ビームＰＢの一部またはサブビームに相当する。光線束５はフォーカスレンズ６に入射する。フォーカスレンズ６の後側焦点面８において、光線束５は照明された領域に対応する。この領域のサイズは、この光線束５の光線が伝播する方向の範囲に依存している。この方向の範囲が小さい場合、後側焦点面８における照明された領域のサイズも小さい。方向の範囲が大きい場合、後側焦点面８における照明された領域のサイズも大きい。さらに、全ての同一の方向の光線束５、すなわち、互いに平行な全ての光線は、後側焦点面８における同じ特定の点に対応する（但し、理想的な光学的条件が適用されることを条件とする）。
[0045] 環状の形状を有する放射ビームＰＢの断面における（特に、放射ビームＰＢの瞳面における）空間強度分布を作成することが知られている。これは環状照明モードとして知られている。この環状形状の例は、２つの同心円により図４に示されている。環状形状の内側半径範囲（σ−ｉｎｎｅｒ）は、ゼロまたはゼロに近い強度を持つ中央領域に相当し、かつ、回折性光学要素の適切なアレイを使用することにより設定され得る。例えば、図２を参照すると、回折性要素４のアレイが選択され得、このアレイは、光線の鉛筆状束５のいずれも中央領域には入射せず、かつ、代わりに、環状領域のみに入射するように構成されている（しかし、実際には、分散などの効果により中央領域にはゼロより大きな強度が存在する可能性がある）。回折性要素アレイ４の適切な選択により、双極子照明または四極子照明などの他の空間強度分布は、断面領域において生成され得る。放射ビームＰＢの角度分布にさらなる修正を施すために、ズームレンズまたはアキシコンなどの（図示されていない）追加の光学要素が使用されることが可能である。
[0046] 図３は代案となる従来技術の装置を示す模式図である。放射源３１（図１のＳＯと等価のもの）は、シャッター１１を通過する比較的狭くコリメートされた放射ビームを出力する。続いて、この放射ビームは、反射性要素３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅのアレイ３３のサイズに相当するサイズに、このビームを拡張するビーム開散光学系３２を通過する。理想的には、放射ビーム開散光学系３２はコリメートされたビームを出力するものである。好ましくは、拡張された放射ビームのサイズは、放射ビームが全ての反射性要素３３ａから３３ｅに入射するのに十分である。図３において、例として、拡張された放射ビームの３本のサブビームが示されている。
[0047] 第１のサブビームは反射性要素３３ｂに入射する。アレイ３３の他の反射性要素３３ａ、および、３３ｃから３３ｅのように、反射性要素３３ｂは、サブビームが所望の所定の方向に反射されるように、自身の向きを調整するように制御され得る。フォーカスレンズを含むことができる再誘導光学系１６は、サブビームが放射ビームの断面平面１８における所望の点または小さな領域に入射するようにサブビームを再誘導する。断面平面１８は瞳面と一致することがあり、これは、（図３では示されていない）イルミネータの他の部分のための仮想放射源として機能する。図３に示された他のサブビームは、平面１８の他の点に入射するように、反射性要素３３ｃ、３３ｄにより反射され、再誘導光学系１６により再誘導される。反射性要素３３ａから３３ｅの向きを制御することにより、断面平面１８におけるほとんどいずれの空間強度分布も生成され得る。
[0048] 図３は５個の反射性要素３３ａからｅのみを示しているが、アレイ３３は、例えば二次元グリッドなどに配列されたより多くの反射性要素を含むことができる。例えば、アレイ３３は１，０２４個（例えば、３２×３２）のミラー、もしくは、４，０９６個（例えば、６４×６４）のミラー、または、いずれの他の適した数のミラーを含むことができる。ミラーの２つ以上のアレイも使用されることが可能である。例えば、３２×３２個のミラーを有する４つのミラーアレイのグループも使用されることが可能である。以下の説明において、用語「アレイ」は単一のアレイまたはミラーアレイのグループを意味することができる。
[0049] 図４は、リソグラフィ装置のイルミネータＩＬにより生成されることが可能な瞳面における空間強度分布を示している。図４は、複数のサブビームを使用して空間強度分布を生成する原理を説明する模式図として理解されてもよい。図４の図面平面は、放射ビームＰＢの断面、例えば、図３の断面平面１８と一致している。図４は、閾値よりも大きな照明強度を持つ領域を表す１５個の円形領域２３を示している。図４に示された強度分布はほぼ平行四辺形の形状を有している。放射ビームＰＢのサブビームが断面領域のいずれの所望の場所にも誘導され得るため、ほとんどいずれの強度プロファイルも生成され得る。しかし、例えば環状形状、双極子形状、四極子形状などを持つ従来の強度分布と考えられるものを生成することも可能である。図４において、内円と外円との間の領域２１は環状領域２３で満たされ得る。σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒは、内円と外円との間の対応する場所にサブビームを誘導することにより調整され得る。
[0050] 図５ａおよび５ｂは、例えば、図３に模式的に示された反射性要素のアレイ３３の一部などを形成することができる反射性要素の例を模式的に示している。反射性要素のアレイは、例えば、１，０００個を超えるそのような反射性要素を含むことができ、これらは、例えば、放射ビームを横切る平面においてグリッド状編成などに配列されることが可能である。反射性要素は図５ａにおいて上方から、および、図５ｂにおいて斜視図において見られる。例示の容易さのために、図５ａに示された詳細の一部は図５ｂには含まれていない。反射性要素は、長方形の反射性表面領域を持つミラー６１を含んでいる。一般に、ミラー６１は、例えば、正方形、長方形、円形、六角形などのいかなる所望の形状も有することができる。ミラー６１は回転接続部６５を介して支持部材６３に接続されている。ミラー６１は支持部材６３に関して回転されることが可能であり、回転は（ダッシュ線により示されている）第１の軸Ｘの周囲のものである。支持部材６３は（図示されていない）基板により支持されている脚部６７に回転可能に接続されている。支持部材６３は（ダッシュ線により示されている）第２の軸Ｙの周囲を回転されることが可能である。したがって、ミラー６１をＸ軸およびＹ軸での回転の組合せを必要とする方向に向けることが可能となる。
[0051] ミラー６１の向きは、静電アクチュエータ７１を使用して制御されることが可能である。静電アクチュエータ７１は、所定の電荷が印加されたプレートを含んでいる。電荷は静電吸引力を介してミラー６１を吸引し、ミラー６１の向きを調整するために変化される。ミラー６１の向きのフィードバック制御をもたらすために、センサが設けられる。センサは、例えば光学センサとすることができるか、または、例えば容量性フィードバックセンサとすることができる。静電アクチュエータとして使用されているプレートは、容量性フィードバックセンサとして機能することもできる。図５ｂでは２つの静電アクチュエータ７１のみが示されているが、３つ以上が使用されることも可能である。アクチュエータのいずれの他の適した形態も使用されることが可能である。例えば、圧電アクチュエータが使用されることも可能である。
[0052] ミラー６１の向きは、入射放射ビームを半球のいずれの所望の方向にも反射するように調整され得る。図５ａおよび５ｂに示されたタイプおよび他のタイプの反射性要素に関するさらなる詳細は、例えば米国特許第６０３１９４６号明細書に開示されている。
[0053] 図６は図１の簡略版であり、本発明の実施形態に関連するリソグラフィ装置のいくつかの要素を示している。上記にさらに説明されたように、放射源ＳＯは、例えば、放射ビームＰＢをイルミネータＩＬに誘導するように構成されたレーザを含むことができる。イルミネータＩＬは、必要な照明モードを上述の方法で提供するように構成されたミラーのアレイを含むことができる。イルミネータＩＬは、所望のモードを持つ放射を、放射ビームＰＢにパターンを与えるマスクＭＡ上に誘導するように構成されている。一組の屈折性レンズを含むことができる投影システムＰＬは、基板テーブルＷＴ上に支持された基板Ｗ上にパターンを投影するように構成されている。
[0054] 検出器ＤＴは、放射ビーム中の収差を測定するように構成されている。収差とは、投影システムＰＬを横切る放射ビームに対して投影システムＰＬにより与えられた光学収差を指し、イメージに存在するイメージ収差として、または、同等に、放射ビーム中に存在する波面の波面収差として表されることが可能である。検出器ＤＴは、プロセッサＰＲを介してコントローラＣＴに接続されている。コントローラＣＴは、イルミネータＩＬ内に設けられたミラーアレイの向きを制御する。
[0055] 使用において、リソグラフィ装置はパターンを多数の基板上に順次投影するように構成されている。基板上へのパターンの投影中、放射の大半は投影システムＰＬを通過し、基板Ｗに入射する。しかし、放射の小さな部分は、投影システムＰＬ内のレンズにより吸収され、レンズを加熱させる。これは知られている効果であり、「レンズの加熱」としばしば呼ばれている。レンズが熱くなる速度は、レンズの温度が最終的に安定する（これは時に「飽和」と呼ばれる）まで、時間の経過とともに低下する。典型的なリソグラフィ装置において、レンズの温度は、例えば１５分間で安定することがある（この時間は、異なった装置に対しては異なる）。放射ビームによりレンズに熱が加えられた速度と同じ速度で、一旦レンズが放射ビームにより供給された熱を放散すれば、レンズ温度の安定化が生じる。レンズの加熱は、基板テーブルＷＴ上に投影されているパターンに影響を及ぼす光学収差を引き起こすことがある。基板テーブルに設けられた検出器ＤＴはこれらの収差を検出または測定し、かつ、時間の経過に伴う収差の変化を測定するように構成されている。検出器ＤＴは、例えば、シアリング干渉計システムの一部として構築および配列されることが可能である。シアリング干渉計はリソグラフィ装置内に含められることが可能である。投影システム収差のその場での収差測定のためのシアリング干渉計の詳細は、米国特許出願公開公報ＵＳ２００２／０００１０８８号明細書から収集可能である。リソグラフィ装置の一部であるシアリング干渉計は、典型的に、放射源モジュールおよび検出器ＤＴを含んでいる。放射源モジュールは、投影システムＰＬの物体面（マスクパターンの平面）内に定置されたクロムのパターニング済み層を有し、このクロム層の上方に設けられた追加の光学系を有する。この組合せは、投影システムＰＬの瞳全体に放射の波面を提供する。この実施形態における検出器ＤＴは、投影レンズＰＬのイメージ平面内に定置されたクロムのパターニング済み層（レンズ干渉計マーカ）、および、前記クロムの層のある距離後方に定置されたカメラを含んでいる。検出器上のクロムのパターニングン済み層は、互いに干渉してインターフェログラムを発生させる数個の回折次に放射を回折させる。インターフェログラムはカメラにより測定される。投影レンズＰＬの収差は、測定されたインターフェログラムに基づくソフトウェアにより決定され得る。代案として、検出器ＤＴは、透過型イメージセンサとして構築および配列されることも可能であり、マスク（レチクル）の高さにおけるマークパターンの投影領域内イメージの基板の高さにおける位置を測定するために使用されることが可能である。基板の高さにおける投影イメージは、露光放射の波長に匹敵する線幅を持つラインパターンであってもよい。透過型イメージセンサは、光電セルを下に備えた透過パターンを使用して、上述のマークパターンを測定する。センサは投影システムの光学的性能を測定するために使用されることが可能である。異なった投影イメージとの組合せで異なった照明設定を使用することにより、コマ収差、球面収差、非点収差、および、像面湾曲などの収差が測定され得る。相当する測定方法の詳細な説明は、米国特許第６７８７７８９号明細書から収集され得る。上述の実施形態のいずれにおいても、検出器ＤＴは、放射ビームの異なった部分に存在する１つまたは複数の収差が測定されることを可能にするために、放射ビームＰＢを横断して移動されることが可能である。これは、基板Ｗが上に所在する基板テーブルＷＴを移動することにより達成される。収差を波の位相誤差として（すなわち、波長λの一部として）表した波面収差Ｗａ（ρ，θ）を表す収差のデータは、従来、直交ゼルニケ（Ｚｅｒｎｉｋｅ）円多項式ｆｊ（ρ，θ）、および、個々のゼルニケ多項式の存在に重み付けしている対応するゼルニケ収差係数Ｚｊの項において記載されている。
例えば、「Ｏｐｔｉｃａｌ ｉｍａｇｉｎｇ ｉｎ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」、Ａｌｆｒｅｄ Ｋｗｏｋ−Ｋｉｔ Ｗｏｎｇ、Ｔｕｔｏｒｉａｌ ｔｅｘｔｓ ｉｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ、Ｖｏｌ．ＴＴ６６、２００５年、ＳＰＩＥ Ｐｒｅｓｓ社、米国ワシントン州Ｂｅｌｌｉｎｇｈａｍ、７．３章を参照されたい。
[0056] ゼルニケ多項式には、例えば、正規化されたか、または、非正規化の、および、異なった番号付け方式などの多数の定義があることに注意されたい。本発明の実施形態の機能性は、ゼルニケ多項式の特定の定義には依存しない。
[0057] 検出器ＤＴにより出力された収差データは、プロセッサＰＲに送られる。プロセッサＰＲは、放射ビーム中の収差の分布の表示を形成するためにこのデータを使用する。続いて、プロセッサＰＲは、基板Ｗ上に投影されたパターンへの収差の影響を決定する。これを行うために、プロセッサＰＲには、マスクＭＡ上のパターンの表示が供給されている。これは、例えば、プロセッサＰＲの一部を形成することができるメモリなどの記憶デバイスに保存されることが可能である。プロセッサＰＲは、基板Ｗ上に投影されたパターンに対する収差の影響を一旦決定すれば、続いて、基板Ｗ上に投影されたパターンの忠実度を改善するために使用されることが可能な照明モードの調整値を算出する。言い換えれば、照明モードの調整値は、投影されたパターンが照明モードの調整のない場合に投影されたであろうパターンよりも正確になるように算出される。
[0058] 一旦照明モードの所望の調整が決定されれば、この情報は、コントローラＣＴに送られる。コントローラＣＴは、ミラーの向きに対して必要となる調整を決定し、それに従って、ミラーアレイのミラーに送られる制御信号を変化させる。
[0059] 放射ビームにおける収差の分布の表示の形成、および、基板Ｗ上に投影されたパターンに対する収差の影響の決定は、２つの別個の工程として上記に説明されている。しかし、プロセッサＰＲは、これらの工程を単一の工程として行ってもよい。
[0060] 図７は、上述されたプロセスを説明するフローチャートである。照明モードが選択され（ステップ７２０）、この照明モードは投影されるパターンに対して適切なものである。パターンが１つまたは複数の基板上に投影される（ステップ７３０）。放射ビーム中に存在する収差が測定される（ステップ７４０）。投影されたパターンに対する収差の影響が算出または決定される（ステップ７５０）。基板上に投影されたパターンの正確さを改善する照明モードの調整が算出される（ステップ７６０）。ミラーアレイのミラーに送られる制御信号の必要な修正が決定され（ステップ７７０）、修正された制御信号がミラーに印加される（ステップ７８０）。
[0061] 上記に説明されたように、投影システムＰＬ内のレンズは、かなりの時間にわたり加熱を続ける。この理由のために、図７において説明されているプロセスは、所定の時間が経過した後に反復されている。例えば、プロセスは、パターンまたは隣接したパターンのネットワークの基板Ｗ上への投影が完了した後で反復されることが可能である。このことは図７の点線により示され、この点線は、ミラーアレイのミラーに修正済み制御信号を印加する最終プロセスステップ（ステップ７８０）を、後続する１つまたは複数の基板を露光するプロセスステップ（ステップ７９０）に、および、次に、収差を測定するプロセスステップ７４０に接続している。
[0062] 図７に示された一連のプロセスを各基板の露光の後に反復することが望ましい場合がある。これは、例えば、測定された収差が不変であると見出され、レンズの温度が安定したことを示すまで継続することができる。
[0063] 一連のプロセスを、さほどしばしばではなく、例えば、各第２の基板の露光の後に、または、各第３の基板の露光の後に、または、いくつかの他の数の基板の後に反復することを所望することができる。レンズ温度の上昇の速度が時間の経過とともに低下するため、プロセスの連続の各反復の間の時間は、長くなることがある。例えば、プロセスは、第１の基板、第２の基板、第３の基板、第６の基板などの露光の後に行われることが可能である。
[0064] 特定の実体により行われている特定のプロセスへの言及は例のみであり、かつ、いくつかのプロセスが他の実体により行われる場合もあってよい。加えて、または、代案として、１つまたは複数のプロセスが単一の実体により行われることも可能である。例えば、照明モードの調整の算出に加えて、プロセッサＰＲは、ミラーに印加される制御信号を算出することもできる。
[0065] 照明モードの調整は、例えば従来の四極子照明モードと環状照明モードとの間などの一般に知られている異なったタイプの照明モード間での１工程での変更ではない。代わりに、単一の照明モード調整の前後で、照明モードのタイプは実質的に同じまま存続し、その照明モードの特性が調整される。例えば、照明瞳における強度分布の半径範囲は、特定の方向において延長されることが可能であるか、より大きくされることが可能であるか、または、より小さくされることが可能である。
[0066] プロセッサＰＲは、例えば、オランダのＶｅｌｄｈｏｖｅｎのＡＳＭＬ社から入手可能であるＬｉｔｈｏＧｕｉｄｅとして知られているプログラムを使用することができる。ＬｉｔｈｏＧｕｉｄｅは、レンズ加熱の表示、および、投影されたパターンならびにプリントされたパターンに対するレンズ加熱の影響を含むモデル化用ソフトウェアである。
[0067] 投影されたパターンに対するレンズの加熱または冷却の影響は、例えば、以下の等式を含むモデルに基づくことができる。
ここで、Ｂは、例えばフィーチャの幅などのイメージパラメータである。フィーチャは、例えば溝とすることができ、Ｂは最小の印刷可能なクリティカルディメンジョンとすることができる。さらに、Ｚｉは異なった次数ｉの収差のゼルニケ収差係数を示し、Ｓｉは特定の次数ｉの収差に対する感度の測定値である。
本発明の上述の実施形態において、照明モードの所望の調整はリアルタイムで、すなわち、収差の測定値が取得された直後に算出される。本発明の代案実施形態において、プロセスステップのフローは、照明モードの適切な調整が生産工程の前に算出されることを可能にするために、事前に行われることが可能である較正露光工程を含む。プロセスステップの代案となるフローは図１１に示されている。生産工程のために使用される照明モードを選択（ステップ７２０）した後、収差の時間依存性の較正が実行される（ステップ１１２０）。較正は、例えば一連の２５枚の基板などを含む１バッチの基板の露光工程を含むことができ、放射ビーム中に存在する収差は、２枚の後続する基板の露光と露光の間に、または、基板の各露光の後に検出器ＤＴを使用して測定される。しかし、レンズ加熱時定数によっては、較正が、２５枚未満の基板を含む基板露光工程を含むことができることを理解されよう。例えば、１５分未満の値を有する時定数の場合、較正は、例えばちょうど５枚の基板からちょうど１枚の基板までの露光を含むことができる。較正が、例えば、２回以上の露光と露光の間に、または、２枚の後続する基板の露光と露光の間などに発生することがあるように、レンズの冷却についての時定数および振幅特性の同様の決定も含むことができることを理解されよう。較正工程に続いて、プロセッサＰＲは、投影されたパターンに対する収差の影響を、データの各測定済みセットに対して、および、この影響を低減するための照明モードの適切な調整を決定するために使用される。レンズの加熱に誘起された収差の影響は、時間の経過とともに動的に変化し、そのため、このレンズ加熱誘起収差影響を補正するために、本実施形態は、レンズの加熱の影響の上述のモデルを採用している。等式（１）を参照されたい。レンズの加熱は、時間の関数として１つまたは複数のゼルニケ係数Ｚｉを表すことにより説明される。例えば、このモデルは、指数関数の和としてゼルニケ係数を表すことができ、ここで、指数関数は、個々の振幅および時定数により特徴付けられている。このような振幅および時定数は、以下に「モデルパラメータ」と呼ばれるパラメータの例である。較正の測定値は、特定の収差の測定済み時間依存性をモデル化された時間依存性と比較するために使用される。すなわち、収差の時間依存性を較正するために必要な異なった時刻における収差の測定が、図１１の較正プロセスステップ１１２０の一部となっているのである。モデルパラメータを取得および保存する次のプロセスステップ（図１１のステップ１１３０）は、収差の測定済み時間依存性の個々のモデル化時間依存性への適合を含むことができる。このような適合は個々のモデルパラメータに対する見積り値をもたらす。これらのモデルパラメータはデータ保存媒体にデータとして保存され得、このデータはプロセッサＰＲにより検索可能である。
得られたモデルパラメータは、基板を露光する後続の生産工程中の収差係数Ｚｉの変化、および、後続する生産工程中の時間の経過とともに進む（フィーチャ幅などの）事前選択されたイメージパラメータＢの対応する変化の予測を可能にする。収差のこのような予測効果は、図１１のステップ１１４０により表される。例えば、プロセッサＰＲは等式１に基づきイメージパラメータＢの変化の予測値を算出することができ、ここで、（上記に説明されたように）ゼルニケ収差を表す指数関数の振幅および時定数の較正済みの値は、算出のために検索および使用される。
これらの予測値に基づき、生産工程実施中にイメージパラメータＢの個々の許容誤差内に同パラメータを保つなどのために、照明モードを表していて、かつ、イメージ忠実度パラメータＢの変化を補償するために必要になっている強度分布へのフィードフォワード補正が算出され得、かつ、適用され得る（前出の実施形態における通りのステップ７６０、７７０、および、７８０）。次に、１つまたは複数のウェーハを露光する生産工程が実行され得（ステップ１１５０）、照明モードのフィードフォワード調整が、（図１１の点線の矢印により示されたように）１つまたは複数のウェーハを露光する後続する工程実施のために反復され得る。
[0068] 較正工程は、異なった照明モードに対して行われることが可能であり、特定のタイプだが異なった特性を有する照明モードに対して行われることも可能である。較正工程は、異なったパターンまたは異なったタイプのパターンに対しても行われることが可能である。
[0069] 後続する生産工程中、適切な照明モードがマスクＭＡ上に設けられたパターンに対して選択される。この照明モードのために行われた較正工程実施の結果がメモリから検索される。これらの結果は、イルミネータＩＬ内のミラーアレイのミラーの向きを制御するためにコントローラＣＴを介して使用される。これは、投影されたパターンに対するレンズの加熱の影響を低減するための照明モードの調整を提供する。この調整は、基板の露光と露光の間の放射ビームの収差を測定する必要なく、かつ、露光と露光の間の調整値を算出する必要なく提供される。
[0070] 本発明のさらなる代案実施形態において、時間の関数としての収差係数および照明モードの対応する調整は、１つまたは複数の較正実施工程を介して決定され、かつ、データのセットとして保存されることが可能である。後続する生産工程実施中、収差は基板の露光後に測定されることが可能である。測定された収差は、保存されている最も類似した収差を見出すために、データのセットと比較されることが可能である。続いて、適切な照明モード調整が保存されているデータから検索され、かつ、照明モードに適用される。
[0071] 全般に、本発明の実施形態は、照明モードの調整を介してレンズ加熱により引き起こされた収差の補正を提供する。
[0072] 本発明のさらなる実施形態のプロセスフローが図１２に示されている。このプロセスフローは、図１１のステップ１１５０を除き、図１１に示されたフローと同じである。前出の実施形態においては、フィードフォワード補正が、何枚かの基板全体の露光の後に適用された（図１１を参照されたい）のに対して、本実施形態においては、フィードフォワード補正が、図１２のステップ１２５０により示されているように、単一の基板の１つまたは複数のターゲット部分を露光する前に適用され（かつ、その露光後に反復され）る。１時間当りのウェーハ全体の露光に関しては、より大きなスループットに対する要求が高まり、与えられる放射ビーム強度は、パターンイメージ忠実度に対するレンズ加熱の影響が、単一の基板上の後続する２つの複数のターゲット部分の露光と露光の間、または、後続する単一のターゲット部分の間においてさえも照明モード調整による補償を必要とすることがある程度にまで増大している。
[0073] 本発明による照明モード調整の実施例、および、この照明モード調整により低減されるパターンの投影中のレンズ加熱による投影されたパターンに対する光学収差の影響の実施例が以下に説明され、かつ、上記に説明された実施形態を示している。図８ａおよび８ｂは、四極子照明モードの調整およびその調整の効果をそれぞれ模式的に示している。四極子照明モードは、この説明の目的のために、上部極１０１、下部極１０２、左側極１０３、および、右側極１０４と呼ばれる４つの極を含んでいる。図９ａに示されているように、これらの４つの極は、照明システムの瞳の比較的に大きな強度の領域を表し、瞳の平面はｘｙ平面であり、極１０３および１０４はｘ軸に関して中央に集まり、極１０１および１０２はｙ軸に関して中央に集まっている。図８ｂは、基板上に突き出したようなコンタクトホール１０５を上方から見て示している。
[0074] 図８ａおよび８ｂに示された状況において、コンタクトホール１０５は、これが円形となることを意図されているのに対して、（レンズ加熱により引き起こされた放射ビーム中の収差のために）楕円形である。したがって、コンタクトホール１０５は両方向の矢印により示された方向に引き伸ばされる必要がある。これは、四極子照明モードの上部極１０１および下部極１０２を修正することにより達成される。この修正は、例えば上部極１０１および下部極１０２の外側半径範囲を増大させ、内側半径範囲を減少させることなどにより、図８ａの両方向の矢印により示された両極１０１、１０２を引き伸ばすことを含んでいる。両極が引き伸ばされる程度は、さらに上記に説明されたようにプロセッサＰＲにより決定される。左側極１０３および右側極１０４は修正されていず、したがって、同じままとなっている。
[0075] 図８ｂに示されたタイプの歪は、例えば、放射ビームに存在するゼルニケ収差係数Ｚ５により表される非点収差の量の増加により生じる。照明モードの調整はＺ５収差の影響を最小に抑えるか、または、少なくとも低減する。
[0076] 図９ａおよび９ｂは、四極子照明モード、および、図８ｂのイメージングされたコンタクトホール１０５の形状に対するこの照明モードの変化の影響の個々のプロットを模式的に示している。図９ａに示されたように、照明モードに行われることが可能な調整は、左側極１０３および右側極１０４の内側半径範囲を減少（σｉｎｎｅｒを減少）させることにより、これらの極１０３、１０４を一体に近づくように移動される工程を含んでいる。同時に、これらの極の外側半径範囲σｏｕｔｅｒが、σｉｎｎｅｒ＋０．５（σｏｕｔｅｒ−σｉｎｎｅｒ）定数により定義される半径範囲の中央値を保つように増大される（図９ｂにおいて、照明モードのこのような変化への言及は、本文「固定シグマ Ｘセクタの中央」により行われている）。図９ｂはＺ５収差の影響を示し、左側極および右側極の位置の調整がこの収差の影響を最小に抑えるためにどのようにして使用されることが可能かを説明している。コンタクトホール１０５の楕円率の輪郭のプロットが示されている。この楕円形は、相互に直交する短軸および長軸を規定し、楕円率は｛１−（短軸に沿った大きさ／長軸に沿った大きさ）｝として定義されている。図９ｂの水平軸に沿って、両極１０３および１０４の外側半径範囲σｏｕｔｅｒがプロットされている。垂直軸に沿って、放射ビームの波長の一部としてＺ５収差の値がプロットされている。図９ｂにおいて、ダークグレイ色領域と白色領域の間の過渡領域上にあることが好ましい。何らのＺ５収差もない場合、左側極１０３および右側極１０４の好ましい半径範囲σｏｕｔｅｒは、０．８である（開口数の一部として表されたもの）。しかし、一旦何らかのＺ５収差が導入されれば、左側極１０３および右側極１０４の好ましい半径範囲σｏｕｔｅｒは減少する。例えば、Ｚ５が０．０４であると、σｏｕｔｅｒに対する好ましい値は約０．７４である。距離の低減は、図９ａの矢印により模式的に示されているように、照明モードの左側極１０３および右側極１０４の内側範囲を一体に移動させることにより達成される。
[0077] 図１０ａおよび１０ｂは、コンタクトホール１０５の形状に対するＺ５収差の影響を最小に抑えるために使用されることが可能である照明モードの代案調整を示している。図９ｂのように、図１０ｂは、コンタクトホール１０５の楕円率の輪郭プロットを示している。図１０ｂは、いわゆるｘセクタ極（すなわち、左側極１０３および右側極１０４）の相対強度の変化の楕円率に対する影響を示している。ｘセクタ極の相対強度は図１０ｂの水平軸に沿ってプロットされている。ｘセクタ極の相対強度は、いわゆるｙセクタ極（すなわち、上部極１０１および下部極１０２）の強度により正規化されたこれらの極の強度として定義されている。図１０ｂにおいて、垂直軸に沿って、図９ｂにあるように収差Ｚ５の値がプロットされている。図９ｂと共通して、ダークグレイ色領域と白色領域の間の過渡領域上に留まることが好ましい。図１０ｂからは、何らのＺ５収差も存在しない場合、ｘセクタとｙセクタの強度の比は１としてもよく、すなわち、同じ量のエネルギーが、上部極１０１および下部極１０２に存在するように、左側極１０３および右側極１０４にも存在していることが理解される。しかし、放射に何らかのＺ５収差が存在していると、極における相対強度の調整が必要となる。例えば、Ｚ５＝０．０４であると、極１０１から１０４の相対強度は、ｘセクタ極（左側極１０３および右側極１０４）の強度が、ｙセクタの極（上部極１０１および下部極１０２）の強度の比約０．８９となるように調整される。
[0078] 本発明による照明モード調整のさらなる例が以下に説明され、かつ、スキャンリソグラフィ装置の投影システムのｙ方向（スキャン方向）に沿った倍率（または、縮小率）の誤差を表すレンズ加熱誘起収差の補償を含んでいる。このような収差は、ゼルニケ収差係数Ｚ３により説明され得、ここで、例えば、ｙ方向（スキャン方向）に沿って配置された（基板の高さにおける）イメージ点について、Ｚ３の値は、それらのイメージ点のｙ座標とともに線形的に変化する。投影システムの光学軸上で、パターンのイメージングされた部分の中央において、ｙ＝０においては、Ｚ３もＺ３＝０である。収差の線形的変化の観点から、この収差はｙ倍率誤差もしくはＺ３傾き収差、または、簡単に「Ｚ３傾き」とも呼ばれる。Ｚ３傾きの値は、イメージングされた部分のエッジ部におけるイメージ点に対する対応した波面収差の最大値を参照する。
[0079] Ｚ３傾き収差の存在は、プリントプロセスがスキャン露光を含む際に、特にプリントされたパターンの忠実度に影響を及ぼすことがあり、ここで、「水平」および「垂直」の線の形状のフィーチャの双方を含むマスクパターンが基板上にイメージングされる。水平および垂直の線の形状のフィーチャは、以下、Ｈ線およびＶ線とも呼ばれ、かつ、それぞれｘ方向およびｙ方向に位置合わせされている。結果として得られる水平および垂直のプリントされた線の形状のフィーチャは、通常、クリティカルディメンジョンまたはＣＤと呼ばれる同じ幅を有している。Ｚ３傾き収差の結果として、所謂Ｈ−Ｖ差が許容誤差を超えてもよく、ここで、「Ｈ−Ｖ差」は水平線のＣＤと垂直線のＣＤとの間の差を指す。
[0080] Ｚ３傾き収差などのｙ倍率誤差は、典型的に、図８ａに示されたものなどの四極子照明モードの存在に導入されることが可能である。４個の極がｘ軸およびｙ軸によって二等分された各象限に配置されている四極子モードは、直交四極子モードとも呼ばれることが可能である。このような照明モードは、水平線形状フィーチャおよび垂直線形状フィーチャの双方を含む投影用パターンを伴う使用に適している。例えば、直交四極子照明モードは、双方がクリティカルディメンジョンＣＤ＝６５ｎｍの線幅を有するＨ線およびＶ線を含むパターンをプリントするために使用されることが可能である。このようなパターンの線をプリントするためのリソグラフィプリントプロセスは、例えば、０．９３である投影システムの開口数、１９３ｎｍである放射ビームの波長、それぞれ０．７および０．９であるσｉｎｎｅｒおよびσｏｕｔｅｒの設定、ならびに、３５度である図８ａの各極１０１、１０２、１０３、および、１０４の（ｘｙ平面における）正接角度範囲の設定により特徴付けられることが可能である。後者の角度範囲は、照明システムの瞳における光軸上の点に関して各極により限定される（度で表された）角度を指す。このプロセスを使用してプリントされるパターンは、寸法ＣＤ＝６５ｎｍの公称線幅を有する規則的に間隔を空けられた隔離されたＨ線、および、同様に規則的に間隔を空けられた隔離されたＶ線を含むことができ、ここで「隔離された」とは、ピッチ、例えば３ＣＤ（１９５ｎｍ）よりも大きいピッチで配列されたそのような規則的に間隔を空けられた線のアレイを指す。
[0081] 本実施形態において、Ｚ３傾きの影響を低減するための使用のための照明モードの調整は、ｙセクタ極１０１および１０２のσｉｎｎｅｒの設定の同様の変化と組み合わされた設定σｏｕｔｅｒの変化により引き起こされたｙセクタの極１０１および１０２の半径方向の位置の調整を含むことができる。このような半径方向の位置は、σの値と同じ方法で正規化され、以下、ＲＰｙと示されている。照明モードの調整は、ｙセクタ極の角度範囲の調整をさらに含むことができる。この角度範囲は、以下、φｙにより示される。照明モードの調整はｙセクタ極の相対強度の調整をさらに含むことができる。この相対強度は、ｘセクタ極１０３および１０４の強度の一部ＲＩｙとして表される。調整可能な他のプロセスパラメータ設定は、ＥＤにより以下に示される露光量である。本発明によれば、リソグラフィプリントプロセスは、これらの調整のいずれかと、対応する結果的に得られるＣＤの変化との間の関係を表す感度Ｓにより特徴付けられることが可能である。感度Ｓは、表１に掲げられているように、感度Ｓｉｊの４×４行列の要素として配列され得、ここで、行の指標ｉはｉ＝１からｉ＝４まで進行し、参照、それぞれ高密度Ｖ線、隔離されたＶ線、高密度Ｈ線、および、隔離されたＨ線の結果的に得られたＣＤ（ΔＣＤ）の変化を表現している。表１において、列の指標ｊはｊ＝１からｊ＝４まで進行し、露光量の調整量（ΔＥＤ）、ｙセクタ極の半径方向位置の調整量（ΔＲＰｙ）、ｙセクタ極の相対強度の調整量（ΔＲＩｙ）、および、ｙセクタ極角度の調整量（Δφｙ）への参照をそれぞれ表現している。例えば、Ｓ２３は、ＣＤ変化ＲＩｆにより除されたＲＩｙの対応する変化の結果としてのＣＤ変化の比を指す。
[0082] レンズの加熱により１６ｎｍ（０．０８の波）の収差のＺ３傾きが存在する場合、２ｎｍＨ−Ｖ誤差がもたらされることがある。すなわち、隔離されたＶ線が６５ｎｍのままにプリントされる一方、隔離されたＨ線は６３ｎｍにプリントされる。この加熱誘起Ｈ−Ｖ誤差の大きさは、例えばスループットおよび露光量などにより制御されるように、放射ビームに伴う加熱パワーに実質的に線形的に依存している。Ｈ−Ｖ誤差は、ｙセクタ極の半径方向の位置ならびにｙセクタ極１０１および１０２の角度範囲を調整することにより補償され得る。表１に示されたような感度の場合、−０．０３だけｙセクタ極１０１および１０２のσｉｎｎｅｒおよびσｏｕｔｅｒの設定の双方を減少させ、かつ、３５度から５５度にｙセクタ極角度範囲を増加させる組合せ調整の結果、２ｎｍＨ−Ｖの低減が得られる。
[0083] 本発明のさらなる実施形態によれば、レンズ加熱による光学収差の影響はプリントされたパターンのＣＤピッチ特性の変化となってもよい。パターンは、ここで、前出の実施形態で説明されたような隔離されたＨ線およびＶ線に加えて、ＣＤ＝６５ｎｍの公称幅を有する高密度Ｈ線ならびに高密度Ｖ線も含んでいる。これらの高密度線は、規則的に間隔を空けられた線として配列され、ここで、「高密度」は、２ＣＤ（１３０ｎｍ）に等しいピッチで配列されているこのような規則的に間隔を空けられた線のアレイを指す。
[0084] Ｚ３傾きの存在は、線がパターンに存在する個々の異なったピッチに対して異なって、プリントされた線のＣＤに影響を及ぼすことがあり、そのため、個々の高密度かつ隔離されたＨ線およびＶ線に対して異なって影響を及ぼすことがある。レンズ加熱誘起収差がない場合、プリントされた線は６５ｎｍの公称線幅を有し、そのため、ピッチに応じて、（高密度かつ隔離されたＨ線を含む）水平線のグループ内に、および、同様に、（高密度かつ隔離されたＶ線を含む）垂直線のグループ内にも、（許容誤差を超えた）ＣＤの変化は（実質的には）ない。ＣＤピッチ特性は、２つの個々の異なったピッチで配列された同じ向きになった線の２つのセットのプリントされたＣＤのピッチを少なくとも指し、例えば、プリントされたＣＤとピッチのプロットとすることが可能である。前出の実施形態におけるように、レンズ加熱により、隔離されたＨ線およびＶ線に対して２ｎｍのＨ−Ｖ誤差が存在することが可能である。しかし、Ｚ３傾き収差は、高密度のＨ線およびＶ線に異なって影響を及ぼす（これらの線のプリントされたＣＤはＺ３傾きにはさほど敏感ではない）。そのため、レンズ加熱により、かつ、レンズ加熱の影響の低減がない場合、水平線に対するＣＤピッチ特性は、垂直線のＣＤピッチ特性とは異なっている。
[0085] 本発明の一態様によれば、前出の実施形態におけるように、前述の２つの異なったＣＤピッチ特性の間の差を低減するために、（照明モードおよび露光量の）同じ調整が使用され得る。レンズ加熱誘起Ｚ３傾きのない場合のパターンのプリントに対して、使用するためのプロセスパラメータ設定の考えられるセットは、露光量ＥＤ＝２９ｍＪ／ｃｍ２、σｉｎｎｅｒ＝０．７およびσｏｕｔｅｒ＝０．９、ならびに、３５度に選択された図８ａの極１０１、１０２、１０３、および、１０４の角度範囲の設定とすることができる。０．０８個の波のＺ３傾きが存在し、かつ、ＣＤピッチ誤差の低減を適用しない場合、高密度かつ隔離された水平線は、異なった量のＣＤ変化により影響を受ける。すなわち、隔離された水平線の幅は、高密度線の幅よりも強く影響を受ける。例えば、隔離されたＨ線の幅は約２ｎｍ減少することができるのに対して、高密度水平線の幅はＨ線幅の減少の一部１／６０のみ減少することができる。したがって、水平線のＣＤピッチ特性は約２ｎｍの等密度誤差を特徴としている。垂直線の幅は実質的に不変のまま存続し、そのため、水平線と垂直線のＣＤピッチ特性の間には差がある。コンピューターを含むコントローラは、表１に表示されたものなどの感度Ｓｉｊの保存された値をメモリデバイスから読み出すように構成され得、かつ、そのようなＣＤピッチ差などを、リソグラフィ装置に適用されると、低減する調整設定のセットを得るために最小自乗適合法をその後に適用するようにプログラムされ得る。例えば、設定の変化ΔＥＤ＝１．０２［ｍＪ／ｃｍ２］、ΔＲＰｙ＝０．０４、ΔＲＩｙ＝−０．０７、および、Δφｙ＝−３４［度］は、６５ｎｍの公称線幅での隔離されたＨ線のプリントをもたらす一方、他の線の幅の実質的に６５ｎｍの公称サイズでのプリントを維持する。これにより、水平と垂直のプリントされた個々の線のＣＤピッチ特性の間の差は低減される。ｙセクタ極の位置およびｙセクタ極の角度範囲の変化は、この低減に最も貢献している。本発明が表１に述べられた調整に限定されないことは理解されよう。リング幅（σｏｕｔｅｒ−σｉｎｎｅｒ）などの他の照明モード調整に対する感度も考慮されることが可能である。本発明の一態様によれば、上記に説明された実施形態において、調整は、露光と露光の間の、または、後続する基板の露光と露光の間の冷却の影響に対して補償するために、照明モードに適用されることが可能である。
[0086] 上記に示されたように、本発明の方法は、レンズ加熱誘起ＣＤピッチ特性の変化を許容誤差内に維持するために使用されることが可能である。本発明が、ａ）ダイの単一の露光、ｂ）連続した複数のダイの露光、および、ｃ）連続した基板の露光のいずれか１つの間のパターンフィーチャの水平と垂直の多ピッチ配列の間のＣＤピッチ差を低減することに限定されないことは理解されよう。生産環境において、（本実施形態のプロセスなどの）同じリソグラフィプロセスは、２つ以上の異なったリソグラフィ投影装置で実行されることが可能である。対応する異なったリソグラフィ装置を使用して異なった基板上にプリントされた同じパターンのＣＤピッチ特性は異なっていてよく、レンズ加熱誘起ピッチ依存線幅の変化のない場合も同様である。このような差は、例えば、（装置が動作できる異なった開口数、または、異なった残存投影レンズ収差などの）異なった投影システムの光学特性の間の差により引き起こされることがある。第１の装置を使用してプリントされたようなパターンのＣＤピッチ特性が参照ＣＤピッチ特性として採用されることが可能である。または、より詳細には、個々の第１および第２のピッチにおいて配列された相互に平行な線の第１および第２のプリントされたＣＤが第１および第２の参照線幅として採用されることが可能である。本発明の一態様によれば、本発明の方法は、第２の装置を使用してプリントされた同じパターンのレンズ加熱誘起ＣＤピッチ特性の変化を許容誤差内に維持するために使用されることが可能である。特に、本発明の方法は、個々のプリントされた第１および第２の線幅と個々の参照第１および第２の線幅との間の差を低減するために、個々の第１および第２のピッチで配列された相互に平行な線のプリントされたパターンのレンズ加熱誘起第１および第２の線幅の変化を予測および補償するために使用されることが可能である。この補償は、露光中のマスクパターンのイメージにおける対応する線幅の補償を含んでいる。
[0087] 投影されたパターンに対するレンズ加熱の影響を低減するために使用されることが可能な照明モードの他の調整は、（例えば、極のエッジ部で強度を先細りさせるなどの）極の形状の変更、極の内側エッジ部の移動、および、極の外側エッジ部の移動、ならびに、シグマ−ｉｎｎｅｒおよびシグマ−ｏｕｔｅｒの非点収差の改善的な変更（すなわち、環状領域の半径方向幅をより広くまたは狭くすること）を含んでいる。
[0088] 照明モード調整が極に関連して説明されたが、調整の少なくともいくつかは、極を含まないモードタイプに適用されることが可能である。例えば、調整は、環状モード、円盤モード、または、特定のパターンをプリントするために最適化され、かつ、照明瞳における複数の比較的明るい、および、比較的暗い領域により特徴付けられたより複雑な照明モードにも適用されることが可能である。
[0089] 上述の実施形態のいずれにおいても、照明モードの調整は、照明モードのタイプを実質的に変化させない照明モードの修正を含んでいる。これは、例えば、実質的に等しい強度を有する４つの照明極を持つ四極子モードと環状モードとの間での１工程切換えを含むことは意図されていない。このような切換えは米国特許第６６５８０８４号明細書に開示されている。しかし、上述の実施形態のいずれにおいても、生産露光工程の開始時（または、本発明による方法の適用の開始時）に使用される照明モードを基準とした照明モードの実質的な修正は、本発明による時間の経過に伴う複数の照明モード調整の累積効果の結果として達成されることが可能である。例えば、当初、実質的なレンズ加熱のない場合、双極子照明モードが使用中の照明モードであってよい。次に、複数回の露光の後、かつ、レンズ加熱がある場合、レンズ加熱による非点収差の影響は、対応する四極子配列における２つの余分な照明極を導入することにより緩和されることが可能である。典型的に、照明モードのこのような変更が適用されると、結果的に得られる四極子モードは、４つの照明極、すなわち、実質的に異なった強度を有する（各セットが２つの反対側の極を含む）２セットの極により特徴付けられることが可能である。そのため、本発明による照明モードの修正は、１つの照明モードタイプから他の異なった照明モードタイプへの漸進的な移行を含むことができる。証明モードの調整は、放射ビームの角度分布の調整であると考えられる。
[0090] 本発明の実施形態が上記にミラーアレイに関連して説明されたが、個々に制御可能な要素の他の適したアレイも使用されることが可能である。
[0091] 本発明の特定の実施形態が上記に説明されたが、本発明が説明された以外でも実現可能であることは理解されよう。説明は本発明を限定することを意図されていない。
[0006]
[0008]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す模式図である。 [0009]従来装置による空間強度分布への角度強度分布の変換を示す模式図である。 [0010]図１に示されたリソグラフィ装置の部分をより詳細に示す模式図である。 [0011]瞳面における空間強度分布を示す図である。 [0012]図１に示されたリソグラフィ装置の一部を形成することができるミラーアレイのミラーを模式的に示す上面図である。 [0012]図１に示されたリソグラフィ装置の一部を形成することができるミラーアレイのミラーを模式的に示す斜視図である。 [0013]本発明の実施形態に関連した図１に示されたリソグラフィ装置の諸要素を示す模式図である。 [0014]本発明の実施形態により使用されているプロセスを示すフローチャートである。 [0015]本発明の実施形態の一部を形成することができる照明モードの調整の模式図である。 [0015]円形のコンタクトホールの収差の付いたイメージの模式図である。 [0016]本発明の実施形態の一部を形成することができる照明モード調整の模式図である。 [0016]照明モードの波面収差および放射状の広がりに応じたコンタクトホールのイメージの楕円率の程度の輪郭プロットを示す図である。 [0017]本発明の実施形態の一部を形成することができる照明モード調整の模式図である。 [0017]波面収差および照明モード強度特性に応じたコンタクトホールのイメージの楕円率の程度の輪郭プロットを示す図である。 [0018]照明モードのフィードフォワード調整を含む本発明の実施形態により使用されているプロセスを示すフローチャートである。 [0019]基板上の２つのターゲット部分の露光と露光の間に適用される照明モードのフィードフォワード調整を含む本発明の実施形態により使用されているプロセスを示すフローチャートである。

Claims (18)

  1. 照明システムを使用して照明モードを有する放射ビームを供給すること、
    前記放射ビームに断面においてパターンを与えること、および、
    投影システムを使用して複数の基板上に前記パターンを投影すること、
    を含み、
    １つまたは複数の基板上に前記パターンを投影した後に前記照明モードを調整し、その後に１つまたは複数の後続する基板上に前記パターンを投影し、
    前記調整が、
    前記１つまたは複数の後続する基板上への前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記投影されたパターンに対する光学収差の影響を低減することを含む、リソグラフィ方法。
  2. 前記光学収差の影響を低減することが、
    前記投影システムを横切る前記放射ビームの光学収差に関する情報を取得すること、
    前記投影されたパターンに対する前記光学収差の影響を決定すること、
    前記１つまたは複数の後続する基板上への前記パターンの投影の間、前記光学収差の前記影響を少なくとも部分的に補償する照明モードの変化を決定すること、および、
    前記変化を前記照明モードに適用すること、
    を含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記光学収差に関する情報を取得することが、
    前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記収差の時間依存性のモデルを提供することであって、前記モデルが少なくとも１つのモデルパラメータによりパラメータ化される少なくとも１つの時間依存性関数を含むこと、
    前記モデルパラメータを較正すること、および、
    前記１つまたは複数の後続する基板上への前記パターンの前記投影の間、前記較正済みモデルを使用して前記収差の前記影響を予測すること、
    を含む、請求項２に記載の方法。
  4. 前記光学収差に関する情報を取得することが、前記複数の基板のいずれか１つを保持するために構成された基板ホルダ内に配置された検出器を使用して前記収差を測定することをさらに含む、請求項２または３に記載の方法。
  5. 前記複数の基板上への前記パターニングされた放射ビームの投影を開始する前に前記照明モードを調整することをさらに含み、
    前記投影を開始する前に調整することが、
    前記複数の基板上への前記パターンの投影の間、較正済みモデルを使用して収差の影響を予測すること、
    前記複数の基板上への前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記投影されたパターンに対する前記収差の前記予測された影響を低減すること、
    を含む、請求項３または４に記載の方法。
  6. 照明システムを使用して照明モードを有する放射ビームを供給すること、
    前記放射ビームに断面においてパターンを与えること、
    投影システムを使用して基板上の複数のターゲット部分上に前記パターンを投影すること、
    を含み、
    １つまたは複数のターゲット部分上に前記パターンを投影した後に前記照明モードを調整し、その後に１つまたは複数の後続するターゲット部分上に前記パターンを投影し、
    前記調整が、
    前記１つまたは複数の後続するターゲット部分上への前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記投影されたパターンに対する収差の影響を低減することを含む、リソグラフィ方法。
  7. 前記光学収差の影響を低減することが、
    前記投影システムを横切る前記放射ビームの光学収差に関する情報を取得すること、
    前記投影されたパターンに対する前記光学収差の影響を決定すること、
    前記１つまたは複数の後続するターゲット部分上への前記パターンの投影の間、前記光学収差の前記影響を少なくとも部分的に補償する照明モードの変化を決定すること、および、
    前記変化を前記照明モードに適用すること、
    を含む、請求項６に記載の方法。
  8. 前記光学収差に関する情報を取得することが、
    前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記収差の時間依存性のモデルを提供することであって、前記モデルが少なくとも１つのモデルパラメータによりパラメータ化される少なくとも１つの時間依存性関数を含むこと、
    前記モデルパラメータを較正すること、および、
    前記１つまたは複数の後続するターゲット部分上への前記パターンの前記投影の間、前記較正済みモデルを使用して前記収差の前記影響を予測すること、
    を含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記光学収差に関する情報を取得するが、前記基板を保持するために構成された基板ホルダ内に配置された検出器を使用して前記収差を測定することをさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
  10. 前記複数のターゲット部分上への前記パターニングされた放射ビームの投影を開始する前に前記照明モードを調整することをさらに含み、
    前記投影を開始する前に調整することが、
    前記複数のターゲット部分上への前記パターンの投影の間、較正済みモデルを使用して収差の影響を予測すること、
    前記複数のターゲット部分上への前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記投影されたパターンに対する前記収差の前記予測された影響を低減すること、
    を含む、請求項８または９に記載の方法。
  11. 前記パターンは、各々の第１および第２のピッチで配列された相互に平行な線である第１および第２のアレイを含み、
    光学収差の影響を低減することが、前記投影されたパターンの第１および第２の線幅の変化を補償して、各々のプリントされた第１および第２の線幅と、各々の第１および第２のターゲット線幅との間の差を低減することを含む、請求項３、４、５、８、９、または、１０に記載の方法。
  12. 前記照明システムは、個別に制御可能な要素のアレイと、前記照明モードを提供するように構成された関連光学要素と、を含み、
    前記方法が、前記照明モードの調整を提供するために前記制御可能な要素を調整することをさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記照明モードの前記調整が、前記照明モードの１つまたは複数の極を広げること、前記照明モードの１つまたは複数の極間の分離を変化させること、前記照明モードの極の相対強度を変化させること、前記照明モードの内側または外側の境界を変化させること、および、前記照明モードのエッジ部における放射の強度を先細りさせることのいずれか１つを含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
  14. 照明モードを有する放射ビームを供給するための照明システムと、
    前記ビームに断面においてパターンを与えるパターニングデバイスを支持するための支持構造体と、
    基板を保持するための基板テーブルと、
    前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影するための投影システムと、
    前記照明システムの一部を制御するように構成され、前記ビームが１つまたは複数の基板上、または、単一の基板上の１つまたは複数のターゲット部分上に投影された後に前記ビームの前記照明モードを調整するように構成され、前記調整が１つもしくは複数の後続する基板または前記単一の基板上の１つもしくは複数の後続するターゲット部分上への前記パターンの投影の間、レンズ加熱による前記パターンに対する収差の影響を低減するように構成されている、コントローラと、
    を含む、リソグラフィ装置。
  15. 前記収差を測定するように構成された検出器をさらに含む、請求項１４に記載の装置。
  16. 複数の収差値と連結された複数の照明モード調整値を保存するように構成されたメモリをさらに含む、請求項１４または１５に記載の装置。
  17. 前記照明システムは、個別に制御可能な要素のアレイと、前記照明モードを提供するように構成された関連光学要素と、を含み、
    前記コントローラは、前記個別に制御可能な要素のアレイを制御して前記照明モードの前記調整値を提供するように構成されている、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の装置。
  18. 前記コントローラは、
    前記照明モードの１つまたは複数の極を広げること、
    前記照明モードの１つまたは複数の極間の分離を変化させること、
    前記照明モードの極の相対強度を変化させること、
    前記照明モードの内側または外側の境界を変化させること、および、
    前記照明モードのエッジ部における放射の強度を先細りさせることの少なくとも１つを実行するように構成されている、請求項１４に記載の装置。
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