JP2008277783A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008277783A5
JP2008277783A5 JP2008077627A JP2008077627A JP2008277783A5 JP 2008277783 A5 JP2008277783 A5 JP 2008277783A5 JP 2008077627 A JP2008077627 A JP 2008077627A JP 2008077627 A JP2008077627 A JP 2008077627A JP 2008277783 A5 JP2008277783 A5 JP 2008277783A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
orientation
substrate
epitaxial film
less
electrode layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008077627A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008277783A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008077627A priority Critical patent/JP2008277783A/ja
Priority claimed from JP2008077627A external-priority patent/JP2008277783A/ja
Publication of JP2008277783A publication Critical patent/JP2008277783A/ja
Publication of JP2008277783A5 publication Critical patent/JP2008277783A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2008077627A 2007-03-30 2008-03-25 エピタキシャル膜、圧電体素子、強誘電体素子、これらの製造方法及び液体吐出ヘッド Pending JP2008277783A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008077627A JP2008277783A (ja) 2007-03-30 2008-03-25 エピタキシャル膜、圧電体素子、強誘電体素子、これらの製造方法及び液体吐出ヘッド

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007094116 2007-03-30
JP2008077627A JP2008277783A (ja) 2007-03-30 2008-03-25 エピタキシャル膜、圧電体素子、強誘電体素子、これらの製造方法及び液体吐出ヘッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008277783A JP2008277783A (ja) 2008-11-13
JP2008277783A5 true JP2008277783A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2011-02-03

Family

ID=39362721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008077627A Pending JP2008277783A (ja) 2007-03-30 2008-03-25 エピタキシャル膜、圧電体素子、強誘電体素子、これらの製造方法及び液体吐出ヘッド

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8198199B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP (1) JP2008277783A (cg-RX-API-DMAC7.html)
CN (2) CN102214788A (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO (1) WO2008126575A1 (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011121863A1 (ja) * 2010-03-29 2011-10-06 日立電線株式会社 圧電薄膜素子及びその製造方法、並びに圧電薄膜デバイス
US10573686B2 (en) * 2016-06-19 2020-02-25 Iqe Plc Epitaxial AIN/cREO structure for RF filter applications
CN108597875B (zh) * 2018-04-03 2020-10-30 湘潭大学 一种透明柔性全氧化物异质外延铁电薄膜及其制备方法
CN111682100B (zh) * 2020-07-07 2022-05-13 中国科学技术大学 压电产生装置及其制作方法、微机电系统
JP7533078B2 (ja) * 2020-09-29 2024-08-14 セイコーエプソン株式会社 液体吐出ヘッド、液体吐出装置、アクチュエーター
KR20250116437A (ko) 2024-01-25 2025-08-01 케이랩 주식회사 분광광도계의 광경로 길이조절 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0618174B2 (ja) * 1986-07-08 1994-03-09 シャープ株式会社 半導体基板
JPH0282585A (ja) 1988-09-19 1990-03-23 Res Dev Corp Of Japan 超電導配線
JP3223233B2 (ja) * 1994-08-17 2001-10-29 ティーディーケイ株式会社 酸化物薄膜、電子デバイス用基板および酸化物薄膜の形成方法
JP3346939B2 (ja) * 1995-03-15 2002-11-18 ティーディーケイ株式会社 Ｓｉ基板およびその表面処理方法
JPH08181289A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Yasuo Tarui 強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法
JP3310881B2 (ja) 1995-08-04 2002-08-05 ティーディーケイ株式会社 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
US5753934A (en) 1995-08-04 1998-05-19 Tok Corporation Multilayer thin film, substrate for electronic device, electronic device, and preparation of multilayer oxide thin film
JP3286127B2 (ja) * 1995-08-14 2002-05-27 ティーディーケイ株式会社 Ｓｏｉデバイスおよびその製造方法
DE19711137C1 (de) * 1997-03-07 1998-08-13 Siemens Ag Verfahren zum Aufbringen texturierter YSZ-Schichten durch Sputter-Beschichten
JPH10265948A (ja) * 1997-03-25 1998-10-06 Rohm Co Ltd 半導体装置用基板およびその製法
JP3833070B2 (ja) 2001-02-09 2006-10-11 キヤノン株式会社 液体噴射ヘッドおよび製造方法
JP3907628B2 (ja) * 2003-02-07 2007-04-18 キヤノン株式会社 圧電アクチュエーターおよびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド
CN100335415C (zh) * 2003-02-28 2007-09-05 新加坡纳米材料科技有限公司 一种制备各种晶态钙钛矿类化合物粉体的方法
US7262544B2 (en) 2004-01-09 2007-08-28 Canon Kabushiki Kaisha Dielectric element, piezoelectric element, ink jet head and method for producing the same head
JP4670495B2 (ja) * 2004-09-06 2011-04-13 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス及びその製造方法
US7998362B2 (en) * 2005-08-23 2011-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric substance, piezoelectric element, liquid discharge head using piezoelectric element, liquid discharge apparatus, and production method of piezoelectric element
JP2007112069A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Canon Inc 液体吐出ヘッド

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7586234B2 (en) Piezoelectric material and piezoelectric device
JP2009545886A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2008277783A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2008266770A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO2011108732A4 (en) Piezoelectric thin film, piezoelectric element, and manufacturing method thereof
JP5035504B2 (ja) インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
JP5131447B2 (ja) 光学素子、光集積デバイスおよびその製造方法
JP2008266771A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2012519378A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP5790759B2 (ja) 強誘電体薄膜およびその製造方法
CN113363384B (zh) 一种HfO2基铁电隧道结器件及其制备方法
JP2009062564A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP6065022B2 (ja) 誘電体デバイスの製造方法
TWI755922B (zh) 具有pmnpt層的壓電裝置之製造
JP2009064859A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2011151366A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2003257854A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2011057475A (ja) ぺロブスカイト構造酸化物薄膜の作製方法
CN107634154B (zh) 一种oled薄膜封装方法、结构及oled结构
JP2008277783A (ja) エピタキシャル膜、圧電体素子、強誘電体素子、これらの製造方法及び液体吐出ヘッド
JP5041121B2 (ja) インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
WO2012063642A1 (ja) 強誘電体薄膜、強誘電体薄膜の製造方法、圧電体素子の製造方法
TWI233639B (en) Vapor phase growth method of oxide dielectric film
EP3587617B1 (de) Verfahren zum herstellen eines mikrosystems mit einer dünnschicht aus bleizirkonattitanat
JP6311179B2 (ja) 強誘電体セラミックス