JP2008270508A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイス等の製造に用いるCVD装置の真空系におけるドライポンプとメカニカルブースターポンプの間に反応性生物をその下部内面にトラップする中間室を設けるとともに、ドライポンプのインレット・パイプの上端を中間室内の高い位置まで挿入する。
【選択図】図1
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。すなわち、
1.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ウエハをCVD装置の反応室に導入する工程;
(b)前記反応室に導入された前記ウエハの第1の主面上に、CVD法により第1の部材膜を形成する工程、
ここで、前記反応室を排気する真空系は以下を含む:
(i)荒引きポンプとしてのドライポンプ(クロー型、スクリュー型等がある);
(ii)前記ドライポンプよりも高真空側に設けられたメカニカル・ブースターポンプ(ルーツポンプともいう);
(iii)前記ドライポンプと前記メカニカル・ブースターポンプの間のガス通路に設けられた上部および下部内壁を有する中間室(固形生成物集積部であり、着脱自在になっており定期的にクリーニング可能となっている。材料的には一般にステンレススチール等の熱伝導性のよい金属材料が好適と考えられる。それは、トラップ作用が放熱によって助長されると考えられるからである。この点については、遮蔽板等他の部分もほぼ同じである)、
(iv)前記ドライポンプの低真空側と前記中間室を連結するように設けられた、前記中間室の前記下部内壁を貫通する接続パイプ、
更にここで、前記接続パイプの上部開口部は前記上部内壁と前記下部内壁の中間より上にある。
6.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ウエハをCVD装置の反応室に導入する工程;
(b)前記反応室に導入された前記ウエハの第1の主面上に、CVD法により第1の部材膜を形成する工程、
ここで、前記反応室を排気する真空系は以下を含む:
(i)荒引きポンプとしてのドライポンプ;
(ii)前記ドライポンプよりも高真空側に設けられたメカニカル・ブースターポンプ;
(iii)前記ドライポンプと前記メカニカル・ブースターポンプの間のガス通路に設けられた上部および下部内壁を有する中間室、
(iv)前記ドライポンプの低真空側と前記中間室を連結する接続パイプ、
更にここで、前記中間室内部には、ガス流路を複雑にさせるように遮蔽板が設けられている。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。
2 メカニカルブースターポンプ
3 中間室
4 ドライポンプ
7,8 パンチングプレート
9,10、11,12,13,14 遮蔽板
15 接続パイプ上部開口部
16 接続パイプ
17 固形物通過阻止部材
Claims (5)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ウエハをCVD装置の反応室に導入する工程;
(b)前記反応室に導入された前記ウエハの第1の主面上に、CVD法により第1の部材膜を形成する工程、
ここで、前記反応室を排気する真空系は以下を含む:
(i)荒引きポンプとしてのドライポンプ;
(ii)前記ドライポンプよりも高真空側に設けられたメカニカル・ブースターポンプ;
(iii)前記ドライポンプと前記メカニカル・ブースターポンプの間のガス通路に設けられた上部および下部内壁を有する中間室、
(iv)前記ドライポンプの低真空側と前記中間室を連結するように設けられた、前記中間室の前記下部内壁を貫通する接続パイプ、
更にここで、前記接続パイプの上部開口部は前記上部内壁と前記下部内壁の中間より上にある。 - 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記中間室の出口には固形物通過阻止部材が設けられている。
- 前記2項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記中間室内部には、ガス流路を複雑にさせるように遮蔽板が設けられている。
- 前記3項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記中間室の入り口には固形物通過阻止部材が設けられている。
- 前記4項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記遮蔽板は複数設けられている。
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JP2007111215A JP2008270508A (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021187425A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、排気装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
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JPH06295873A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-10-21 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 気相反応装置用トラップ装置 |
JPH11307456A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Rohm Co Ltd | 半導体基板表面処理装置における排気装置 |
JP2005109383A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置用排気配管および半導体製造装置 |
-
2007
- 2007-04-20 JP JP2007111215A patent/JP2008270508A/ja active Pending
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JP7408772B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-01-05 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、排気装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム |
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