JP2008260839A5

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Info

Publication number: JP2008260839A5
Application number: JP2007104427A
Authority: JP
Filing date: 2007-04-12
Publication date: 2010-05-27
Anticipated expiration: 2027-04-12

Description

すなわち、本発明の第一は、化学式（１）で表される構造を有するポリアミドイミドである。
（式中のｍ及びｎは、ｍ≧１、ｎ≧１、２≦（ｍ＋ｎ）≦１５０、及び０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９を満たす整数である。また、繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であってもかまわない。式中のＸは、３価の芳香族基を示す。式中のＹ₁及びＹ₂は、それぞれ同じであっても異なっていても良く、少なくとも１つの２価の有機基を示す。式中のＺは、下式化学式（２）で表される基の中から選択される少なくとも１つの１価の有機基を示す。

（式中のＲ₁は炭素数３〜１５の１価の有機基を示し、式中のＲ₂は炭素数１〜１３の２価の有機基を示す。））

本発明の第二は、（Ａ）上記第一のポリアミドイミド１００質量部に対し、（Ｂ）光重合性の不飽和二重結合を有するモノマー１〜８０質量部、及び（Ｃ）光重合開始剤１〜２０質量部を含むネガ型感光性樹脂組成物、である。
本発明の第三は、（１）上記第二のネガ型感光性樹脂組成物を層またはフィルムの形で
基板上に形成する工程、（２）該基板に対し、マスクを介して活性光線で露光するか、又は化学線を直接照射する工程、（３）未露光部又は未照射部を現像液により溶解除去する工程、（４）得られたネガ型レリーフパターンを加熱する工程、を含む硬化レリーフパターンの形成方法、である。
本発明の第四は、上記硬化レリーフパターンの形成方法を包含する半導体装置の製造方法である。
本発明の第五は、上記ネガ型感光性樹脂組成物を硬化させた樹脂からなる塗膜を有する半導体装置、である。

Claims

下記化学式（１）で表される構造を有することを特徴とするポリアミドイミド。
（式中のｍ及びｎは、ｍ≧１、ｎ≧１、２≦（ｍ＋ｎ）≦１５０、及び０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９を満たす整数である。また、繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であってもかまわない。式中のＸは、３価の芳香族基を示す。式中のＹ₁及びＹ₂は、それぞれ同じであっても異なっていても良く、少なくとも１つの２価の有機基を示す。式中のＺは、下式化学式（２）で表される基の中から選択される少なくとも１つの１価の有機基を示す。
（式中のＲ₁は炭素数３〜１５の熱架橋基を有する１価の有機基を示し、式中のＲ₂は炭素数１〜１３の熱架橋基を有する２価の有機基を示す。））
（Ａ）請求項１に記載のポリアミドイミド１００質量部に対し、（Ｂ）光重合性の不飽和二重結合を有するモノマー１〜８０質量部、及び（Ｃ）光重合開始剤１〜２０質量部を含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
（１）請求項２に記載のネガ型感光性樹脂組成物を層またはフィルムの形で基板上に形成する工程、（２）該基板に対し、マスクを介して活性光線で露光するか、又は化学線を直接照射する工程、（３）未露光部又は未照射部を現像液により溶解除去する工程、（４）得られたネガ型レリーフパターンを加熱する工程、を含むことを特徴とする硬化レリーフパターンの形成方法。
請求項３に記載の硬化レリーフパターンの形成方法を包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２に記載のネガ型感光性樹脂組成物を硬化させた樹脂からなる塗膜を有することを特徴とする半導体装置。