JP2008260651A - Y2o3質焼結体 - Google Patents
Y2o3質焼結体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008260651A JP2008260651A JP2007103987A JP2007103987A JP2008260651A JP 2008260651 A JP2008260651 A JP 2008260651A JP 2007103987 A JP2007103987 A JP 2007103987A JP 2007103987 A JP2007103987 A JP 2007103987A JP 2008260651 A JP2008260651 A JP 2008260651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- weight
- sio
- phase
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】(a)Y2O3の含有量が99.7重量%以上、(b)SiO2の含有量が0.05〜0.3重量%、(c)Al2O3の含有量が0.02重量%以下、(d)TiO2の含有量が0.01重量%以下、(e)不可避不純物量が0.01重量%以下であり、(f)結晶相として第2相が存在しないY2O3単相からなり、(g)その相対密度が95%以上であり、(h)平均結晶粒径が5〜20μmであることを特徴とするY2O3質焼結体。
【選択図】なし
Description
従来は半導体製造装置の部材として、石英ガラス、高純度アルミナ焼結体、ジルコニア焼結体等が用いられてきたが、これらの部材は長時間の使用により部材表面が汚染並びに腐食し、長期間の使用に耐えうるものではなかった。そこで、近年ハロゲン系腐食ガスやそのプラズマに対して高い耐食性を有するY2O3が注目されている。
特許文献2には、プラズマエッチング処理時の表面に付着する反応生成物を洗浄工程で除去する手段として、Si及びAlの含有量を少量に規定しているが、Y2O3自体が難焼結性であるため、緻密化させるために焼成温度が高温となり、異常粒成長を起こし、脱粒しやすくなり、機械的特性並びに耐プラズマ性の不均一性を起こす問題があった。
特許文献3には、比較的低温で高い焼結性を得るためにB2O3を添加する方法が開示されているが、B2O3の添加によりYBO3やY3BO6等といった第2相が析出するため、機械的特性が低下し、半導体製造部材としての装置への取扱い時に破損する危険性がある。
従来の技術では、Y2O3粉末を用いたスラリーは、Y2O3の粒子表面が水和するため安定性に劣り、スラリー作製時に粘度上昇が起こり、流動性が低下し、スプレードライヤー処理が困難であるという問題があった。また、Y2O3は難焼結性であるため、高い相対密度を得るために焼成温度を1700〜1800℃と非常に高温で焼成しなければならず、製造する上で大きなデメリットである。また、この温度領域では焼成温度の制御が難しく、緻密な焼結体が安定して得られないという問題があった。
本発明においてはY2O3が99.7重量%以上であることが必要であり、好ましくは99.8重量%以上含有することが好ましい。Y2O3の含有量が99.7重量%未満の場合は、フッ素系及び塩素系等のハロゲン系腐食性ガス並びにそのプラズマに対する耐食性が低下するため好ましくない。
本発明においてはSiO2の含有量が0.05〜0.3重量%、とくに0.05〜0.1重量%を含有することが好ましい。SiO2含有量が0.05重量%未満の場合は、焼結性が低下し、気孔を持った焼結体となり、プラズマに対する耐食性が低下するため好ましくない。また、SiO2の含有量が0.3重量%を超える場合は、Y2O3と第2相を形成し、機械的特性及び耐プラズマ性が低下するため好ましくない。
本発明においてはAl2O3の含有量が0.02重量%以下、好ましくは0.01重量%以下であることが好ましい。Al2O3の含有量が0.02重量%を超える場合は、プラズマ環境下において粒界腐食が発生し、耐食性が低下するため好ましくない。なお、不純物であるAl2O3の下限値は、現状では0.001重量%程度である。
本発明においてはTiO2の含有量が0.01重量%以下、好ましくは0.005重量%以下であることが好ましい。TiO2の含有量が0.01重量%を超える場合は、焼結性が向上する反面、耐プラズマ性が低下するため好ましくない。なお、不純物であるTiO2の下限値は、現状では0.0005重量%程度である。
本発明においてはY2O3質焼結体に含まれる不可避不純物量は0.01重量%以下であることが必要である。不可避不純物量が0.01重量%を超える場合は、耐プラズマ性及び耐食性が低下するため好ましくない。不可避不純物は原料及び粉砕・分散工程から混入する微量成分のことであり、例えばFe2O3、CaO、MgO、Na2O、K2O等である。
本発明においては、Y2O3質焼結体は第2相が存在しないY2O3単相であることが必要である。Y2O3以外の第2相が存在すると、焼結性が低下し、機械的特性が低下するだけでなく、耐プラズマ性が低下するため、好ましくない。尚、本発明でいう第2相が存在しないということは、XRD(粉末X線回折)において、X線源CuKα、管電圧40kV、管電流40mA、発散スリット1°、散乱スリット1°、受光スリット0.15mm、スキャンスピード3.0°/min、走査軸2θ/θ、走査範囲10°〜70°の条件で測定した際に、Y2O3以外の回折ピークが定性分析されないレベルのことを言う。XRDに用いる試料は、焼結体を乳鉢等で10μm程度に砕いたものを用いる。
本発明において、明確ではないがごく少量のナノレベルの微細粒子からなるSiO2の添加により、焼結性向上だけでなく、耐プラズマ性の低下をきたさない理由は、SiO2がY2O3の結晶粒界付近に偏析しているか、Y2O3粒内に固溶しているためと推測される。
本発明おいては相対密度が95%以上であることが必要であり、好ましくは97%以上、より好ましくは98%以上であることが好ましい。相対密度が95%未満の場合は、焼結体の気孔にプラズマとの反応生成物が付着、腐食を起こすため好ましくない。相対密度はY2O3の理論密度(5.03g/cm3)を用い、下式より求めたものである。
本発明においては平均結晶粒径が5〜20μm、好ましくは7〜15μmであることが好ましい。結晶粒径が5μm未満の場合は、脱粒が発生しやすくなり、耐食性が低下するため好ましくない。結晶粒径が20μmを超える場合は、結晶粒径分布が大きくなり、異常粒成長が発生し、耐食性の不均一性が発生するため好ましくない。尚、平均結晶粒径はY2O3焼結体を鏡面研磨し、熱エッチングを施した後、走査電子顕微鏡により観察し、インターセプト法により10点平均から、下式より求めたものである。
D=1.5×50/15=5
となり、結晶粒径は5μmとなる。
本発明では、純度99.7重量%以上、好ましくは99.9重量%以上であるY2O3原料を用いる。尚、粉砕・分散工程での不純物の混入を考えると、用いる粉体の平均粒子径が6〜12μm、好ましくは8〜10μmのY2O3粉体を用いるのがよい。Y2O3の純度が99.7重量%未満の場合は、Y2O3質焼結体に含有する不純物量が多くなり、フッ素系及び塩素系等のハロゲン系腐食性ガス並びにそのプラズマに対する耐食性が低下するため好ましくない。平均粒子径が6μm未満の場合は、Y2O3の水和反応が促進され、スラリーの分散が低くなり、第2相が析出し、焼結性が低下するため好ましくない。また平均粒子径が12μmを超える場合は、所定の粉砕・分散時間が長くなり、結果的に粉砕機からの摩耗粉の混入により不純物量が増加するため好ましくない。
焼成工程で焼結助剤として作用するSiO2は平均粒子径100nm以下のゾルの形態で添加する。平均粒子径が100nmを超える場合は、粉砕・分散工程でSiO2の均一分散が困難となり、スラリーが増粘し、スプレードライヤー処理が困難となるため好ましくなく、また第2相が析出し、焼結性が低下するため好ましくない。
前記Y2O3粉体と前記SiO2ゾルを所定の組成となるように配合し、湿式でボールミルやアトリッションミルを用い、コストの安価な水で粉砕・分散を行う。これにより、Y2O3の水和化の抑制及びSiO2をY2O3粒子に対して均一分散させることにより、Y2O3質焼結体の機械的特性の向上並びに高い耐プラズマ性が得られる。粉砕・分散後の平均粒子径は、粉砕・分散時の粉体濃度、使用するボール径や処理時間の調整によりコントロールする。尚、粉砕・分散後の平均粒子径は0.8〜2μm、好ましくは1〜1.4μmであることが好ましい。平均粒子径が0.8μm未満の場合は、Y2O3粒子表面が水和され、粉体粒子同士の凝集が強くなり、均一に分散し難くなり、スラリーが増粘し、スプレードライヤー処理が困難となるため好ましくなく、2μmを超える場合は、Y2O3自身の焼結体が低下し、Y2O3とSiO2の均一分散性が低下し、第2相の析出により焼結性が低下し、耐プラズマ性が低下するため好ましくない。
成形方法としてはプレス成形、ラバープレス成形、冷間等方圧成形(CIP)等が採用される。得られた粉砕・分散スラリーに必要により公知の成形助剤(例えばワックスエマルジョン、PVA、アクリル系樹脂等)を加え、スプレードライヤー等の公知の方法で乾燥させて成形粉体を作製し、これを用いて成形する。
得られた成形体は大気中1550〜1750℃、好ましくは1600〜1700℃で焼成する。焼成温度が1550℃未満の場合は、焼結が不十分なため気孔が増加し、耐プラズマ性が低下するため好ましくなく、1750℃を超える場合は、焼結性は向上するが、異常粒成長及び粒界に気孔が発生しやすくなるので、好ましくない。
1)SiとAlを少量規定することにより、高温焼成時に発生する、異常粒成長による脱粒の発生並びに機械的特性及び耐プラズマ性が不均一性になる問題点の解消
2)TiO2を含有するY2O3質焼結体は、耐プラズマ性が低下するという問題点の解消
3)焼結性を向上させるために、Y2O3を湿式処理で微粉化処理を行った場合にY2O3が水和化し、Y(OH)3となり、スプレードライヤー処理が困難となる点の解消
4)Y2O3以外のY系の存在(第2相)により機械的特性が低下する点の解消
以上のことから、本発明のY2O3質焼結体は半導体・液晶製造装置で使用される部材として幅広く対応可能である。
純度が99.9重量%、粒度7.6μmのY2O3原料に、SiO2源として比較例7では1次粒子径130nmのSiO2ゾルを用い、それ以外の実施例や比較例では1次粒子径26nmのSiO2ゾル用いた。また、比較例1のTiO2源として0.11μmのTiO2粉体、比較例2のAl2O3源として0.24μmのAl2O3粉体を用い、表1の組成になるように配合し、水を用いて湿式で粉砕・分散した。なお、実施例におけるAl2O3やTiO2はY2O3中に不純物の形で存在していたものである。得られたスラリーをスプレードライヤーで乾燥し、顆粒を作製し、所定の金型を用い20MPaで予備成形を行った後、CIP(冷間等方圧成形)で100MPaの圧力で成形を行い、1530〜1760℃で焼成し、角板状(20mm×20mm、厚さ2mm)の焼結体を作製した。この角板状の焼結体の上面(プラズマに晒される面)を鏡面研磨し、評価用試料とした。
評価用試料をチャンバーにセットし、プラズマガスとしてCF4+O2(10%)を流量30cc/min、出力200W、曝露時間2時間にてプラズマ処理を施した。プラズマ処理後の試料はアセトンで洗浄を行った後、イオン交換水で洗浄を行った。
比較例3は、Y2O3の化学組成と相対密度が請求項の範囲外であり、
比較例6は、平均結晶粒径が20μmを超え請求項の範囲外であり、
比較例10は、平均結晶粒径が5μm未満と請求項の範囲外であり、
比較例7は、SiO2源として添加したSiO2ゾルが製造方法に記載している100nm以上のものを添加している。100nm以上のSiO2ゾルを添加すると第2相が析出し、機械的特性や耐プラズマ性が低下する。
Claims (1)
- (a)Y2O3の含有量が99.7重量%以上、(b)SiO2の含有量が0.05〜0.3重量%、(c)Al2O3の含有量が0.02重量%以下、(d)TiO2の含有量が0.01重量%以下、(e)不可避不純物量が0.01重量%以下であり、(f)結晶相として第2相が存在しないY2O3単相からなり、(g)その相対密度が95%以上であり、(h)平均結晶粒径が5〜20μmである、ことを特徴とするY2O3質焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007103987A JP5134280B2 (ja) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | Y2o3質焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007103987A JP5134280B2 (ja) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | Y2o3質焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008260651A true JP2008260651A (ja) | 2008-10-30 |
JP5134280B2 JP5134280B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=39983420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007103987A Active JP5134280B2 (ja) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | Y2o3質焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5134280B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020004563A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびプラズマ処理装置用部材 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181042A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Kyocera Corp | 耐食性セラミック部材およびその製造方法 |
JP2002255647A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Nihon Ceratec Co Ltd | 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具 |
JP2004269350A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Y2o3焼結体及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-11 JP JP2007103987A patent/JP5134280B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181042A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Kyocera Corp | 耐食性セラミック部材およびその製造方法 |
JP2002255647A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Nihon Ceratec Co Ltd | 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具 |
JP2004269350A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Y2o3焼結体及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020004563A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびプラズマ処理装置用部材 |
KR20210011442A (ko) * | 2018-06-28 | 2021-02-01 | 교세라 가부시키가이샤 | 세라믹 소결체 및 플라즈마 처리 장치용 부재 |
CN112334433A (zh) * | 2018-06-28 | 2021-02-05 | 京瓷株式会社 | 陶瓷烧结体和等离子体处理装置用构件 |
JPWO2020004563A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2021-08-02 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびプラズマ処理装置用部材 |
JP7112491B2 (ja) | 2018-06-28 | 2022-08-03 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびプラズマ処理装置用部材 |
CN112334433B (zh) * | 2018-06-28 | 2022-10-25 | 京瓷株式会社 | 陶瓷烧结体和等离子体处理装置用构件 |
KR102585554B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2023-10-06 | 교세라 가부시키가이샤 | 세라믹 소결체 및 플라즈마 처리 장치용 부재 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5134280B2 (ja) | 2013-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI433825B (zh) | 氧化釔材料、半導體製造裝置用構件及氧化釔材料之製造方法 | |
JP2009068067A (ja) | 耐プラズマ性セラミックス溶射膜 | |
JP2006037238A (ja) | 溶射用球状粒子の製造方法 | |
Kim et al. | The effect of MnO 2 content on the permeability and electrical resistance of porous alumina-based ceramics | |
WO2012165334A1 (ja) | CaF2多結晶体、フォーカスリング、プラズマ処理装置及びCaF2多結晶体の製造方法 | |
JP4798693B2 (ja) | プラズマ処理装置用イットリアセラミックス部品及びその製造方法 | |
JP4762168B2 (ja) | アルミナ質焼結体及びこれを用いた処理装置用部材ならびに処理装置 | |
JP2010083729A (ja) | 耐食性、耐熱衝撃抵抗性及び耐久性に優れたアルミナ質焼結体 | |
JP2006069843A (ja) | 半導体製造装置用セラミック部材 | |
KR20110034747A (ko) | 고강도 저온소결 세라믹의 제조방법 | |
JP5134280B2 (ja) | Y2o3質焼結体 | |
JP6284609B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JP2010064937A (ja) | プラズマ処理装置用セラミックス | |
JP2006199562A (ja) | 耐食性部材およびそれを用いた半導体・液晶製造装置用部材 | |
JP5874248B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
TWI385138B (zh) | Ceramic components and corrosion resistance components | |
Lee et al. | Effect of Additive Size on the Densification and Thermal Conductivity of AlN Ceramics with MgO–CaO–Al 2 O 3–SiO 2 Additives | |
KR20140048048A (ko) | 정전 척 유전체층 및 정전 척 | |
JP2008213240A (ja) | アルミナ質セラミックス焼結体の製造方法およびアルミナ質セラミックス焼結体 | |
JP2010095393A (ja) | 耐食性に優れたセラミックス製熱処理用部材およびその製造方法 | |
US20070232740A1 (en) | Ceramic green sheet and process for production thereof | |
US10301222B2 (en) | Ceramic powders with controlled size distribution | |
JP6062912B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
JP5351405B2 (ja) | 耐摩耗性にすぐれたアルミナ質セラミックス | |
JP2007223828A (ja) | イットリアセラミックス焼結体およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121109 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5134280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |