JP2008251903A - 化合物半導体量子ドットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si1-x-y Gex Cy (x≧0、y≧0)バッファ層2上にInAs量子ドット5を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばAsH3 のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばAsH3 及びTMInを供給してInAs量子ドット5を形成する工程が含まれる。
【選択図】 図4
Description
(1) Si(001)基板1を650℃に加熱し、ジシラン(Si2 H6 )、ゲルマン (GeH4 )モノメチルシラン(SiH3 CH3 )を供給することによりSiGe C層2を成長する。尚、図には、SiGeC層2上に自然に被着されたH原子3が 表示されている。
(3) 次いで、AsH3 を供給しながら、基板温度を480℃まで降温する。これに依 り、SiGeC層2の表面にはAs原子4が被着する。
(4) 次いで、温度が安定した後、AsH3 及びTMInを供給する。これに依って、 InAs量子ドット5が形成される。
(1) Si(001)基板1を650℃に加熱し、ジシラン(Si2 H6 )、ゲルマン (GeH4 )モノメチルシラン(SiH3 CH3 )を供給することによりSiGe C層2を成長する。尚、図には、実施例1と同様、SiGeC層2上に自然に被着 されたH原子3が表示されている。
(3) 次いで、セレン化水素(H2 Se)を供給しながら、基板温度を480℃まで降 温する。これに依り、SiGeC層2の表面にはSe原子6が被着する。
(4) 次いで、温度が安定した後、H2 Se並びにジエチルZn(DEZn)を供給す る。これに依って、ZnSe量子ドット7が形成される。
2 SiGeC層
3 H原子 4 As原子 5 InAs量子ドット
6 Se原子
7 ZnSe量子ドット
Claims (5)
- Si1-x-y Gex Cy (x≧0、y≧0)バッファ層上に量子ドットを形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料のみを先行して供給した後、全ての原料を供給して量子ドットを形成する工程
が含まれてなることを特徴とする化合物半導体量子ドットの製造方法。 - Si1-x-y Gex Cy (x≧0、y≧0)バッファ層をSi(001)基板上に水素化物原料を用いて成長させる工程
が含まれてなることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体量子ドットの製造方法。 - 先行して供給する一方の族の原料がV族原料であり、生成される量子ドットがIII-V 族化合物半導体からなること
を特徴とする請求項1或いは請求項2記載の化合物半導体量子ドットの製造方法。 - 先行して供給する一方の族の原料がVI族原料であり、生成される量子ドットがII−VI族化合物半導体からなること
を特徴とする請求項1或いは請求項2記載の化合物半導体量子ドットの製造方法。 - 先行して供給する一方の族の原料が基板温度を380℃以上とした状態で且つ1分以上に亙って供給されること
を特徴とする請求項1乃至4の何れか1記載の化合物半導体量子ドットの製造方法。
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