JP2008246524A - 消耗電極式ガスシールドアーク溶接制御装置及び溶接制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】溶接中に溶接条件を変化させた場合及びワイヤ突出し長さが変化した場合においても、正確に溶滴の離脱を検出できる溶接制御装置及び溶接制御方法を提供する。
【解決手段】消耗電極式ガスシールドアーク溶接において、溶接電圧又はアーク抵抗の２階微分値を求め、この２階微分値を基に、溶滴の離脱又はその離脱直前を検出する。そして、溶滴離脱又はその直前を検出した後、直ちに、検出時の電流より低い所定電流に切替える。
【選択図】図１

Description

本発明はシールドガス雰囲気中で消耗電極を用いてアーク溶接を行う消耗電極式ガスシールドアーク溶接制御装置及び溶接制御方法に関する。

消耗電極式ガスシールドアーク溶接では、電極ワイヤの消耗に伴い、ワイヤ先端部に溶滴が形成され、その溶滴は重力、アーク反力、電磁ピンチ力、表面張力等の様々な力を受けながら成長した後、離脱し、溶融池に移行する。しかし、その成長過程は極めて不安定であり、溶滴が過大に持ち上げられて変形した場合は、アーク反力の影響を受けながら離脱し、ワイヤ延長方向の溶融池には移行せず、大粒のスパッタとして飛散する。従って、溶滴移行周期は不規則になり、これが溶融池の挙動を不規則にし、上述の現象を助長する。また、溶滴の離脱後、アークがワイヤに移動した際、ワイヤ先端に残留した融液を吹き飛ばし、小粒スパッタを発生させてしまう。このようなスパッタ発生現象は、特に、炭酸ガス単体又は炭酸ガスを含む混合ガスをシールドガスとして使用する中・高電流溶接で発生しやすく、このスパッタが溶接構造物の品質を劣化させる。

このような問題点に対し、特許文献１に開示された従来技術では、炭酸ガスを主成分とするシールドガスを使用したパルスアーク溶接の出力制御装置に関し、電圧又は抵抗の増加により溶滴離脱を検出し、検出した期間から一定期間、電流を低下させることにより、スパッタを抑制している。具体的には、この特許文献１においては、検出電圧又は検出抵抗と基準電圧又は基準抵抗を比較し、検出電圧又は検出抵抗が基準電圧又は基準抵抗を超えた際に検出信号を出力するものと、検出電圧又は検出抵抗の微分値が設定値を超えた場合に、検出信号を出力するものとがある。

特開平８−２２９６８０号公報

しかしながら、上述した従来の制御装置及び方法では、溶接中に溶接条件を変化させた場合と、ワイヤ突出し長さが変化する場合（例えば、開先内におけるウィービング溶接等）に、溶滴の離脱を正確に検出することができなくなる。このような検出ミスは、高電流領域で多い。従って、特にスパッタ低減が望まれる高電流領域において、結局スパッタを低減することができず、逆に検出ミスがスパッタを増大させてしまい、溶接構造物の品質を劣化させてしまうことがあった。

また、一般に溶滴離脱時の電圧レベル及びその傾きは、毎回の溶滴移行で異なる。一方、比較となる一定基準値を予め設定する場合、その基準値を低めに設定すると、検出ミスの可能性が高い。従って、比較となる基準値を高めに設定し、溶滴離脱後、溶滴からワイヤへアークが移った際のアーク長の大きな上昇によって、溶滴離脱の判定を行わざるを得なくなる。即ち、この従来技術においては、完全に溶滴が離脱した後に、波形を制御することになる。この場合、溶滴離脱直後のアークがワイヤに移動した瞬間は離脱時の高電流値のままであり、ワイヤ先端に残留した融液を吹き飛ばして小粒スパッタを発生させてしまうという問題は解決できない。また、この方法を用いても溶滴離脱の検出ミスを十分に防止することはできない。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、溶接中に溶接条件を変化させた場合及びワイヤ突出し長さが変化した場合（例えば、ウィービング溶接した場合）においても正確に溶滴の離脱を検出できると共に、比較対象となる所定基準値の設定によっては、溶滴の離脱直前も検出でき、これにより、溶滴離脱の検出後、検出時の電流より小さい電流に切替えることにより、中・高電流の領域でも、スパッタの発生を防止することができ、更に溶接構造物の品質を向上させることができる溶接制御装置及び溶接制御方法を提供することを目的とする。

本発明に係る溶接制御装置は、消耗電極式ガスシールドアーク溶接の溶接電流を制御する溶接制御装置において、溶接中の溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、又は溶接中のアーク抵抗（＝溶接電圧／溶接電流）の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２を演算し、その値が所定値以上になったときに、溶滴が離脱したこと、又は離脱の直前であることを検出し、検出後、溶接電流を検出時の電流値より低い電流値に切替えることを特徴とする。

本発明に係る他の溶接制御装置は、消耗電極式ガスシールドアーク溶接の溶接電流を制御する溶接制御装置において、溶接中の溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、又は溶接中のアーク抵抗（＝溶接電圧／溶接電流）の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２を演算する演算部と、前記２階微分値が所定の閾値を超えたときに溶滴の離脱又は離脱直前を検出して検出信号を出力する検出部と、前記検出信号に基づいて溶滴離脱後の溶接電源波形を制御する波形生成器と、溶接電流を出力する出力制御部とを有し、前記波形生成器は、溶滴離脱検出信号が入力されると、波形設定器に設定された期間は、検出時の溶接電流値よりも低い溶接電流値になるように前記出力制御器に制御信号を出力することを特徴とする。

なお、前記検出部に設定される閾値は、高速度カメラによる観察と波形同期計測実験によって、溶滴離脱現象に伴う前記演算部により演算される２階微分値を求め、適正値を設定する。検出部は、この演算部により演算された２階微分値と閾値とを比較し、溶滴離脱を検出する。

本発明に係る溶接制御方法は、消耗電極式ガスシールドアーク溶接法により溶接するに際し、溶接中の溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、又は溶接中のアーク抵抗（＝溶接電圧／溶接電流）の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２を演算し、その値が所定値以上になったときに、溶滴が離脱したこと、又は離脱の直前であることを検出し、検出後、溶接電流を検出時の電流値より低い電流値に切替えることを特徴とする。

本発明においては、例えば、溶接電流及び溶接電圧がパルス波形を呈しており、パルスによる電磁ピンチ力を利用して溶滴を離脱させる。

また、シールドガスとしては、ＣＯ_２ガスを使用することができる。

本発明は、溶接電圧又はアーク抵抗の２階微分値を用いて、溶滴の離脱又はその離脱直前を検出し、溶滴の離脱又は離脱直前を検出した後、直ちに検出時の電流より低い所定の電流に切替えるので、溶接中に溶接条件を変化させた場合及びワイヤ突出し長さが変化した場合（例えばウィービング溶接等）においても、正確に溶滴の離脱を検出できると共に、比較対象となる所定基準値の設定によっては、溶滴の離脱直前も検出でき、検出後、直ちに検出時の電流より低い所定電流に切替えることにより、中・高電流の領域で大幅なスパッタ低減を実現でき、溶接構造物の品質を向上させることができる。

溶滴が離脱する場合、ワイヤ先端に存在する溶滴の根元がくびれ、そのくびれが進行する結果、溶接電圧及び抵抗が上昇する。また、溶滴が離脱するとアーク長が長くなるため、溶接電圧及び抵抗が上昇する。そして、これらの時間微分値も当然上昇することになる。溶滴がくびれ始め、離脱するまでの間、溶接電圧及び抵抗と、これらの微分値は常に上昇している。従って、従来技術では、これらを検出し、演算し、その結果を所定の閾値と比較することによって、溶滴の離脱を判定していた。

しかし、このような溶接電圧及び抵抗の測定値自体又はそれらの微分値を基に、溶滴離脱を判断すると、溶接進行中に溶接条件を変化させた場合及びワイヤ突出し長さが変化する場合（例えば、開先内におけるウィービング溶接等）、溶滴の離脱を正確に検出することができなくなる。例えば、溶接中にワイヤ突出し長さ、即ち、チップ−母材間距離を変化させた場合の溶滴離脱時の電圧変化を図１（ａ）に示す。チップ−母材間距離が短い場合は、電圧の立上りは緩く、チップ−母材間距離が長い場合は、電圧の立上りが急峻になっている。また、電圧値レベルそのものも異なることになる。従って、電圧の時間微分値（ｄｖ／ｄｔ）も図１（ｂ）に示すように異なることになる。これはアーク抵抗でも同様である。即ち、ワイヤ突出し長さが溶接中に変化した場合、溶滴の離脱による電圧の変化又はアーク抵抗の変化と、突出し長さの変化による電圧の変化又はアーク抵抗の変化とが重複し、同一の判定基準では、正確に溶滴の離脱を検出できなくなる。また、溶接中に電流・電圧等の溶接条件を変化させた場合も同様に、電圧値及びアーク抵抗値レベル自体及びその時間微分値を使用する方法では、正確に溶滴離脱を検出できない。

一方、図１（ｂ）の線分の傾き、即ち溶接電圧又はアーク抵抗の２階微分値は、図１（ｃ）に示すように、ほぼ同一値である。この２階微分値は、ワイヤ突出し長さ等の溶接条件の影響を大きく受けない。本発明では溶接中の溶接電圧又はアーク抵抗の時間２階微分値を演算し、溶滴の離脱又は離脱の直前を検出し、検出した直後に溶接電流を低くなるように制御するため、溶接中の溶接条件の変化に影響されず、正確に溶滴の離脱を検出できる。

以下、本発明の実施形態に係る溶接制御装置の具体的な装置構成について説明する。図２は、本発明の第１実施形態に係る溶接制御装置を示すブロック図である。本実施形態は、溶接電圧の時間２階微分値を使用するものである。３相交流電源（図示せず）に、出力制御素子１が接続されており、この出力制御素子１に与えられた電流は、トランス２、ダイオードからなる整流部３、直流リアクトル８及び溶接電流を検出する電流検出器９を介して、コンタクトチップ４に与えられる。被溶接材７はトランス２の低位電源側に接続されており、コンタクトチップ４内を挿通して給電される溶接ワイヤ５と、被溶接材７との間に溶接アーク６が生起される。

コンタクトチップ４と被溶接材７との間の溶接電圧は、電圧検出器１０により検出されて出力制御器１５に入力される。出力制御器１５には、更に、電流検出器９から溶接電流の検出値が入力されており、出力制御器１５は、溶接電圧及び溶接電流を基に、ワイヤ５に給電する溶接電流及び溶接電圧を制御している。

電圧検出器１０により検出された溶接電圧は、溶滴離脱検出部１８の溶接電圧微分器１１に入力され、溶接電圧微分器１１において、時間１階微分が演算される。次に、この溶接電圧の１階微分値は、２階微分器１２に入力され、この２階微分器１２において、溶接電圧の時間２階微分が演算される。その後、この時間２階微分値は比較器１４に入力される。２階微分値設定器１３に、２階微分設定値（閾値）が入力されて設定されており、比較器１４は、２階微分器１２からの２階微分値と２階微分値設定器１３からの設定値(閾値)とを比較し、２階微分値が設定値を超えた瞬間に、溶滴離脱検出信号を出力する。この２階微分値が設定値を超えた瞬間が、溶滴がワイヤ端から離脱したか、又は離脱の直前であると判定される。

この溶滴離脱検出信号は、波形生成器２０に入力され、波形生成器２０において、溶滴離脱後の溶接電流波形が制御され、出力補正信号が出力制御器１５に入力される。この波形生成器２０は、溶滴離脱検出信号が入力されると、波形生成器２０に設定された期間は、検出時の溶接電流値よりも低い溶接電流値になるように出力制御器１５に制御信号（出力補正信号）を出力する。波形設定器１９は、波形生成器２０において、出力補正信号を出力する期間及び溶接電流を低下させる程度を入力するものであり、波形設定器１９により、出力補正信号を出力する期間及び溶接電流を低下させる程度が波形生成器２０に設定される。

ここで、溶滴離脱検出信号は、溶滴の離脱またはその直前を検出した場合に出力する信号である。溶滴が離脱する際には、ワイヤ先端に存在する溶滴の根元がくびれ、そのくびれが進行する結果、溶接電圧及び抵抗が上昇する。また、溶滴が離脱するとアーク長が長くなるため、溶接電圧及び抵抗が上昇する。これを電圧及び抵抗値またはそれらの微分値で検出した場合、溶接中、溶接条件が変化すると、その溶接条件の変化に影響して、溶滴離脱検出部が、誤検出を頻発し、スパッタを増大させる。しかし、本形態による２階微分値による検出の場合、溶接中に溶接条件が変化しても、その変化に影響されず、正確に溶滴の離脱を検出できる。また、溶滴離脱直前のくびれによる電圧またはアーク抵抗の変化に相当する２階微分値を２階微分値設定器１３で設定すれば、溶滴離脱直前を検出し、溶接波形を制御できるため、ワイヤ先端に残留した融液を吹き飛ばして小粒スパッタを発生させてしまうという問題を完全に解消できる。

このように、溶滴の離脱又はその直前を検出した後の出力補正について説明する。波形設定器１９で電流・電圧等の必要なパラメータを設定する。出力制御器１５は、電流検出器９、電圧検出器１０、波形生成器２０からの信号を入力し、出力制御素子１を制御することによって、アークを制御する。溶滴離脱検出信号が波形生成器２０に入力されない場合、電流検出器９の検出電流及び電圧検出器１０の検出電圧が波形設定器１９で設定された電流・電圧となるように出力制御素子１へ制御信号を出力する。波形生成器２０は、溶滴離脱検出部１８の溶滴離脱検出信号を入力すると、波形設定器１９で設定した期間は、波形設定器１９で設定した溶接電流になるように出力補正信号を出力制御器１５に出力する。このときの溶接電流は検出時の溶接電流より低いため、溶滴を押し上げるアーク反力が弱くなり、溶滴はワイヤ延長方向から大きく反れずに溶融池に移行する。従って、溶滴がスパッタとして飛散しにくくなる。

次に、特に、溶接電流・電圧がパルス波形を呈しており、パルスによる電磁ピンチ力を利用して溶滴を離脱させる場合について説明する。図６は、このパルス波形の一例を示す図である。波形設定器１９でパルスピーク電流（Ｉｐ１、Ｉｐ２）、パルス幅（Ｔｐ１，Ｔｐ２、Ｔｂ１，Ｔｂ２）、ベース電流（Ｉｂ１，Ｉｂ２）等の必要なパルスパラメータを設定する。出力制御器１５は、電流検出器９、電圧検出器１０、波形生成器２０からの信号を入力し、出力制御素子１を制御することによって、パルスアークを制御する。溶滴離脱検出部１８は波形生成器２０から離脱検出許可信号が入力された期間のみ離脱検出を有効とする。溶滴離脱検出信号が波形生成器２０に入力されない場合、電流検出器９の検出電流及び電圧検出器１０の検出電圧が波形設定器１９で設定されたパルス形状となるように出力制御素子１へ制御信号を出力する。前記溶滴離脱検出信号が波形生成器２０に入力された場合、波形設定器１９で設定した期間は、波形設定器１９で設定した溶接電流になるように出力補正信号を出力制御器１５に出力する。このときの溶接電流は検出時の溶接電流より低いため、溶滴はスパッタとして飛散しにくい。波形設定器１９で設定した出力補正期間が終了すると、波形設定器１９で設定したパルス形状となるように再び電流・電圧波形を制御する。

このように、パルスによる電磁ピンチ力を利用して溶滴を離脱させる場合において、シールドガスとしてアルゴン等の不活性ガスをベースとした混合ガスを用いる場合は、１パルスあたり１溶滴移行となるため、全パルス期間のパルスピーク期間及びピーク期間からベース期間へ移行途中のスロープ期間において、溶滴離脱検出を行えばよい。また、シールドガスとして１００％ＣＯ_２を用いる場合は、パルスピーク電流及びパルス幅の異なる２種類のパルス波形を交互に出力し、これら２種のパルス波形は溶滴を離脱させる役割と溶滴を形成させる役割を分担することになる。この場合、溶滴を離脱させるパルスのパルスピーク期間及びピーク期間からベース期間へ移行途中のスロープ期間において、混合ガスを用いる場合と同様に溶滴離脱検出を行えばよい。

図３は、本発明の第２実施形態に係る溶接制御装置を示すブロック図である。本実施形態の溶滴離脱検出部１８は、溶接電圧微分器１１の代わりに、アーク抵抗微分器１７を設けたものである。電圧検出器１０及び電流検出器９の出力は、アーク抵抗算出器１６に入力され、アーク抵抗算出器１６において、電圧を電流で除することにより、アーク抵抗が算出される。このアーク抵抗の算出値は、アーク抵抗微分器１７に入力され、アーク抵抗微分器１７で１次微分された後、２階微分器１２において、２階微分される。このアーク抵抗の２階微分値は、比較器１４において、２階微分設定器１３から入力された２階微分設定値（閾値)と比較され、アーク抵抗の２階微分値が、設定値を超えた瞬間に溶滴離脱検出信号が出力される。

本実施形態も、図２に示す実施形態と同様の作用効果を奏する。

次に、本発明の効果を実証するために行った溶接試験の結果について説明する。

「実施例１」
図２及び図３に示す第１及び第２実施形態の溶接制御装置を使用して、消耗電極ワイヤとして、ワイヤ径１．２ｍｍのソリッドワイヤを使用し、シールドガスとしてＭＡＧ（８０％Ａｒ＋２０％ＣＯ_２）ガスを使用してガスシールドアーク溶接を行った。このときの溶接電流・電圧波形、溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、アーク抵抗の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２、離脱検出信号波形を図４(ａ)、（ｂ）に示す。溶接条件は、平均電流が２４０Ａ、平均電圧が３０〜３２Ｖ、溶接速度が３０ｃｍ／分、ワイヤ突出し長さが２５ｍｍである。

図４（ａ）では、ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２又はｄ^２Ｒ／ｄｔ^２の変化を捉えて、離脱検出信号が出力された直後に、溶接電流を１２０Ａに切替え、２．０ｍｓ経過後、本電流（２４０Ａ）に戻る様子を示している。また、図４（ｂ）は溶滴の離脱直前を検出した例であり、ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２又はｄ^２Ｒ／ｄｔ^２の変化を捉えて、離脱検出信号が出力された直後に、溶接電流を１２０Ａに切替え、７．０ｍｓ経過後、本電流（２４０Ａ）に戻る様子を示している。電圧波形中の矢印に示すように、１２０Ａに切替えられた後に溶滴の離脱が行われていることがわかる。

「実施例２」
第１及び第２実施形態の溶接制御装置を使用して、消耗電極ワイヤとしてワイヤ径１．２ｍｍのソリッドワイヤ、シールドガスとしてＣＯ_２を用いてパルスアーク溶接を行った。この溶接における溶接電流・電圧波形、溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、離脱検出信号波形を図５(ａ)、（ｂ）に示す。また、図６はこのパルス波形を示す。この図６に示すように、パルスピーク電流Ｉｐ１、Ｉｐ２及びパルス幅Ｔｐ１，Ｔｐ２が異なる２種類のパルス波形を交互に出力し、図５中の第１パルス（Ｉｐ１、Ｔｐ１）にて溶滴を離脱させ、図５中の第２パルス（Ｉｐ２，Ｔｐ２）にて溶滴を形成させることにより、１周期あたり１溶滴移行を実現することができた。第１パルスのピーク期間又は立下がりスロープ期間において、溶滴離脱許可信号を出力し、溶滴の離脱又はその直前を検出した後、直ちに検出時の電流より低い所定電流に切替えた。ここでは平均電流３００Ａ、平均電圧３５〜３６Ｖ、溶接速度３０ｃｍ／分、ワイヤ突出し長さ２５ｍｍの溶接条件を用いた。図５（ａ）ではｄ^２Ｖ／ｄｔ^２の変化（矢印に示す）を捉えて、離脱検出信号が出力された後、直ちに、検出時の電流より低い１５０Ａに切替えられている。また、図５（ｂ）は、溶滴の離脱直前を検出した例であり、電圧波形中の矢印に示すように、検出時の電流値より低い１５０Ａに切替えられた後に溶滴の離脱が行われていることがわかる。

「実施例３」
図２及び図３に示す溶接制御装置を使用して、消耗電極ワイヤとして、ワイヤ径１．２ｍｍのソリッドワイヤ、シールドガスとしてＭＡＧ（８０％Ａｒ＋２０％ＣＯ_２）ガスを用いたガスシールドアーク溶接及び１００％ＣＯ_２ガスを用いたパルスアーク溶接を行った。下向きすみ肉溶接において、ウィービング幅６．０ｍｍ、ウィービング周波数２Ｈｚの条件で溶接し、溶接中、時々刻々、ワイヤ突出し長さが変化する状況にて、従来技術（電圧の時間微分値ｄＶ／ｄｔによる検出）と本発明（電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２による検出）の溶滴離脱検出成功率を比較した。平均電流は３００Ａ、電圧は各シールドガスに応じた適正電圧に設定し、溶接速度及びワイヤ突出し長さは実施例１及び実施例２と同様である。高速度カメラ画像と電流・電圧波形、離脱検出信号波形の同期計測を使用し、溶接中１０秒間の全溶滴移行について、離脱検出成功率を求めた。その結果を、図７に示す。シールドガスとしてＭＡＧ（８０％Ａｒ＋２０％ＣＯ_２）ガスを用いたガスシールドアーク溶接及び１００％ＣＯ_２ガスを用いたパルスアーク溶接のいずれの溶接法においても、本発明では離脱検出成功率が大幅に向上している。

本発明の原理を説明する図である。 本発明の第１実施形態に係る溶接制御装置を示すブロック図である。 本発明の第２実施形態に係る溶接制御装置を示すブロック図である。 (ａ)、（ｂ）は、実施例１の溶接電流・電圧波形、溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、アーク抵抗の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２、離脱検出信号波形を示すグラフ図である。 (ａ)、（ｂ）は、実施例２の溶接電流・電圧波形、溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、離脱検出信号波形を示すグラフ図である。 パルス波形を示す図である。 溶接中１０秒間の全溶滴移行についての離脱検出成功率を示すグラフ図である。

符号の説明

１ 出力制御素子
２ トランス
３ 整流部
４ コンタクトチップ
５ ワイヤ
６ アーク
７ 被溶接材
８ リアクトル
９ 溶接電流検出器
１０ 溶接電圧検出器
１１ 溶接電圧微分器
１２ ２階微分器
１３ ２階微分値設定器
１４ 比較器
１５ 出力制御器
１６ アーク抵抗算出器
１７ アーク抵抗微分器
１８ 溶滴離脱検出部
１９ 波形設定器
２０ 波形生成器

Claims (6)

1. 消耗電極式ガスシールドアーク溶接の溶接電流を制御する溶接制御装置において、溶接中の溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、又は溶接中のアーク抵抗（＝溶接電圧／溶接電流）の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２を演算し、その値が所定値以上になったときに、溶滴が離脱したこと、又は離脱の直前であることを検出し、検出後、溶接電流を検出時の電流値より低い電流値に切替えることを特徴とする溶接制御装置。
2. 消耗電極式ガスシールドアーク溶接の溶接電流を制御する溶接制御装置において、溶接中の溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、又は溶接中のアーク抵抗（＝溶接電圧／溶接電流）の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２を演算する演算部と、前記２階微分値が所定の閾値を超えたときに溶滴の離脱又は離脱直前を検出して検出信号を出力する検出部と、前記検出信号に基づいて溶滴離脱後の溶接電源波形を制御する波形生成器と、溶接電流を出力する出力制御部とを有し、前記波形生成器は、溶滴離脱検出信号が入力されると、波形設定器に設定された期間は、検出時の溶接電流値よりも低い溶接電流値になるように前記出力制御器に制御信号を出力することを特徴とする溶接制御装置。
3. 溶接電流及び溶接電圧がパルス波形を呈しており、パルスによる電磁ピンチ力を利用して溶滴を離脱させることを特徴とする請求項１又は２に記載の溶接制御装置。
4. 消耗電極式ガスシールドアーク溶接法により溶接するに際し、溶接中の溶接電圧の時間２階微分値ｄ^２Ｖ／ｄｔ^２、又は溶接中のアーク抵抗（＝溶接電圧／溶接電流）の時間２階微分値ｄ^２Ｒ／ｄｔ^２を演算し、その値が所定値以上になったときに、溶滴が離脱したこと、又は離脱の直前であることを検出し、検出後、溶接電流を検出時の電流値より低い電流値に切替えることを特徴とする溶接制御方法。
5. 溶接電流及び溶接電圧がパルス波形を呈しており、パルスによる電磁ピンチ力を利用して溶滴を離脱させることを特徴とする請求項４に記載の溶接制御方法。
6. シールドガスとしてＣＯ_２ガスを使用することを特徴とする請求項４又は５に記載の溶接制御方法。

Images