JP2008244390A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ101と、チャンバ101内に収容されるウェハ102が載置されるサセプタ103を有するホルダ104と、ホルダ104内に設けられ、ウェハ102を裏面から加熱するインヒータ105及びアウトヒータ106と、インヒータ105に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管107と、チャンバ101外に設けられた、ウェハ102の表面温度を計測する温度計測部108とが備えられることを特徴とする。これにより、ウェハ102上に生じる、温度分布の誤差部分である温度の特異点の位置を把握することができる。そして、温度の特異点を局所的に冷却することでウェハ102面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
ウェハに単結晶薄膜を生成させるエピタキシャル成長には一般に常圧化学気相成長法が用いられ、場合によっては減圧化学気相成長(LPCVD)法が用いられる。チャンバ内にウェハを収容し、チャンバ内を常圧(0.1Mpa(760Torr))か、或いは所定の真空度の真空雰囲気に保持した状態でウェハを加熱し回転させながら、シリコン源とボロン化合物、リン化合物、或いは砒素化合物等のドーパントとを混合したプロセスガスを供給する。そして加熱されたウェハの表面でプロセスガスの熱分解反応或いは水素還元反応を行なって、ボロン(B)、リン(P)、或いは砒素(As)がドープされた結晶膜を生成させることにより製造する。
そのため、いずれか、或いはヒータの全体の出力を制御することでウェハ302面内の温度分布の誤差を修正しようとしても、結局さらに他の部分に温度分布の誤差を生じさせてしまう。
結果としてウェハ302全面において温度分布を均一にすることができず、生成させる結晶膜の膜厚を均一にすることも叶わなかった。
さらに、気相成長反応時のウェハ302面内の温度分布に誤差が生じていると、生成される結晶膜に結晶欠陥が生じてしまい、高性能の半導体素子を製造するために用いることができる品質のウェハを生産できなくなってしまう(特許文献1参照)。
チャンバと、
チャンバ内に収容され、ウェハを載置するサセプタを有するホルダと、
ホルダ内に設けられ、サセプタに載置されたウェハを加熱するヒータと、
ヒータに対向して設けられ、ヒータに向けて冷却ガスを噴射する送気管と、
チャンバ外に設けられ、ウェハの表面の温度を計測する温度計測部と、
を備えることを特徴とする。
チャンバ内に収容されたホルダのサセプタにウェハを載置し、このウェハにプロセスガスを供給するとともに、ホルダ内に設けられたヒータによりウェハを加熱することによって気相成長反応を行なう気相成長方法であって、
ウェハの表面温度を、温度計測部を用いて計測し、ウェハの表面温度を所定の温度に均一になるようにヒータに冷却ガスを噴射してウェハの温度を制御することを特徴とする。
さらに、局所的にヒータを冷却して、ウェハの過熱部分をなくすことによって表面温度を制御することは、新たなヒータを別に設けることでウェハの温度を制御する方式等に比べて、実施、導入することが容易であることも有用性の一部である。
まず、実施形態1について、図に基づいて詳細に説明する。
図1における気相成長装置100には、チャンバ101と、チャンバ101内に収容されるウェハ102が載置されるサセプタ103を有するホルダ104と、ホルダ104内に設けられ、ウェハ102を裏面から加熱するインヒータ105及びアウトヒータ106と、インヒータ105に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管107と、チャンバ101外に設けられた、ウェハ102の表面温度を計測する温度計測部108とが備えられている。
ここで、ウェハ102表面に結晶膜を生成させるために必要な各部材のうち、実施形態1を説明する上で必要な構成以外は省略する。また、図1に示した各部材の縮尺等は実物とは一致させていない。以下、各図面において同様である。
図2は、サセプタ103にウェハ102を載置していない状態のホルダ104と、その内部の構造を示す一部欠截した斜視図であり、図3は図2に示したホルダ104内の底面部を上方から示した概念図である。
図2に示すように、ホルダ104の下部の回転胴110はチャンバ101外に設けられた図示しない回転機構に繋がっており、回転させることができる。そして、図3に示すように、回転胴110の内部を通っている送気管107はインヒータ105に対向して冷却ガスを噴射するように、回転胴110の水平断面の同一円周上の90°ごとに等間隔に配置されている。これによって、ウェハ102の回転円周上を加熱するインヒータ105の4点が局所的に冷却されるように、送気管107から冷却ガスが噴射される。
尚、実施形態1においては送気管107を4箇所設けたが、設置する数はこれに限るものではなく、ウェハ102を所定の温度にまで十分に冷却できるようにインヒータ105に冷却ガスを噴出できる状態にあればよい。また、送気管107の材質は、石英や炭化ケイ素(SiC)など、チャンバ101内に対する金属汚染やパーティクル汚染等の影響を与える虞のないものであれば良い。
インヒータ105の下面から5mm〜30mm下方に先端が位置するように配置された送気管107は、ウェハ102の温度の特異点の回転円周上を加熱しているインヒータ105の部分を冷却するように冷却ガスを噴出する。
ここで、送気管107から噴射される冷却ガスは常温の水素(H2)等、チャンバ101内の気相成長反応の環境を乱す虞のないものであれば良い。また、冷却ガスの流量は100SCCM(Standard
Cubic Centimeter per Minutes)1.69×10−1Pam3/S〜5SLM(Standard
Liter per Minutes)8.45Pam3/Sであると好適である。
かかる状態で、所定の流量の冷却ガスをインヒータ105の所定の位置に対して噴射して冷却することで、ウェハ102に生じる温度の特異点に対するインヒータ105からの輻射熱による加熱を局所的に抑制する。
この結果、冷却ガスを噴射することによって間接的に、且つ局所的にウェハ102を冷却することができ、ウェハ102面内の温度分布の均一性を高めることができる。
ここで、放射温度計118は、インヒータ105からの輻射熱によって加熱されるウェハ102の中央部の温度を計測するように配置される。そして、計測された温度情報を基にインヒータ105の出力を制御し、ウェハ102の中央部の温度を調整する。
また、放射温度計128は、アウトヒータ106からの輻射熱と、加熱されたサセプタ103からの伝導熱によって加熱される部分であるウェハ102の外縁部の温度を計測するように配置する。そして、計測された温度情報を基にアウトヒータ106の出力を制御し、ウェハ102外縁部の温度を調整する。
そして、放射温度計138はウェハ102面内の温度の特異点の温度を計測するように配置する。
ここで、ウェハ102面内で温度の特異点が生じている位置を特定するために、予めウェハ102とインヒータ105、アウトヒータ106との関係の熱解析を行なっておく。そして、この結果から特定される温度の特異点の温度変動を捕捉できる位置に放射温度計138を配置する。
上述のようにして計測された温度情報を基に、ウェハ102面内の温度分布が均一になるように、所定の流量に制御された冷却ガスを送気管107からインヒータ105に噴射する。
これによって、ウェハ102の過熱部分を加熱しているインヒータ105を所定の温度に冷却することができ、間接的にウェハ102を冷却することができる。そして、これによってウェハ102に生じている温度の特異点を中心とした温度分布の誤差を解消することができる。
そして、かかる状態のウェハ102に結晶膜を生成する原料成分を含んだプロセスガスを供給する。するとウェハ102表面で熱分解反応或いは水素還元反応が行なわれ、膜厚が均一に制御された結晶膜を生成させることができる。
この結果、本実施形態における気相成長装置及び気相成長方法を用いれば、高性能な半導体素子を製造するために必要とされる、膜厚が均一に制御され、尚且つ結晶欠陥のない高品質のウェハを製造することができる。
ドーパントガスはボロン系のジボラン(B2H6)、リン系のホスフィン(PH3)等が用いられる。ジボランを添加すればp型、ホスフィンを添加すればn型の導電性を示す結晶膜を生成することができる。
次に、実施形態2について図に基づいて詳細に説明する。
図5は気相成長反応の環境或いは部材の変更等によってウェハ202に生じる温度の特異点の位置が変動した場合に、インヒータ205の冷却する部分を移動させることができる送気管207を備えた気相成長装置200を示す概念図である。
本実施形態では、いずれの条件下においても温度の特異点の位置を温度計測部208が把握し、これに応じて送気管207の位置を移動させて冷却ガスを噴出させることができる気相成長装置について説明する。
そして、放射温度計238は、ウェハ202面内の放射温度計218が計測する部分から放射温度計228が計測する部分の間の所定の距離を径方向に移動しながらウェハ202の温度を計測する。
放射温度計218、228、238が計測したウェハ202の3つの温度情報を取得することによって、ウェハ202面内の径方向の温度分布を把握することができる。この結果、ウェハ202面内において温度の特異点が生じている部分を検知することができ、ウェハ202面内に生じる温度の特異点の位置の変動を捕捉させることができる。
かかる状態で、ウェハ202面内の温度分布が均一になるような所定の流量の冷却ガスを送気管207から噴出して、インヒータ205を冷却する。
結果として、インヒータ205が冷却されることによって間接的にウェハ202を冷却することができる。
温度計測部208がウェハ202面内の温度の特異点を捕捉すると、送気管207は温度の特異点を加熱するインヒータ205の位置に4本全てが同期して等距離を移動し、ウェハ202の回転円周上にあたるインヒータ205の位置を冷却するように配置される。
これによって、ウェハ202に生じる温度の特異点の温度の誤差を解消することができ、均一な面内の温度分布が得られる。
この方式であれば、放射温度計を1基配置するだけでウェハの径方向における温度分布を把握することができる。また、このウェハの径方向の温度分布の把握を行なえば、インヒータ及びアウトヒータの出力制御のための温度計測と、ウェハ上の温度の特異点の捕捉のための温度計測とを同時に行なうことができる。
これによってウェハ上に温度の特異点が複数生じてしまった場合においても順次送気管を移動させて温度の誤差を修正することで、より均一なウェハ面内の温度分布が得られる。
101、201…チャンバ
102、202…ウェハ
103、203…サセプタ
104、204…ホルダ
105、205…インヒータ
106、206…アウトヒータ
107、207…送気管
108、208…温度計測部
109…窓
110…回転胴
118、128、138、218、228、238…放射温度計
Claims (5)
- チャンバと、
前記チャンバ内に収容され、ウェハを載置するサセプタを有するホルダと、
前記ホルダ内に設けられ、前記サセプタに載置されたウェハを加熱するヒータと、
前記ヒータに対向して設けられ、前記ヒータに向けて冷却ガスを噴射する送気管と、
前記チャンバ外に設けられ、前記ウェハの表面の温度を計測する温度計測部と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。 - 前記送気管は、前記ヒータの前記ウェハを過熱する部分に対向して設けられることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 前記送気管は、前記ウェハの回転円周上に位置するように略等間隔に複数個設けられることを特徴とする請求項1記載または請求項2記載の気相成長装置。
- 前記送気管は、前記温度計測部が計測した前記ウェハの表面温度に基づいて流量が制御される冷却ガスを噴射するものであることを特徴とする請求項1記載乃至請求項3のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- チャンバ内に収容されたホルダのサセプタにウェハを載置し、このウェハにプロセスガスを供給するとともに、前記ホルダ内に設けられたヒータによりウェハを加熱することによって気相成長反応を行なう気相成長方法であって、
前記ウェハの表面温度を、温度計測部を用いて計測し、前記ウェハの表面温度を所定の温度に均一になるように前記ヒータに冷却ガスを噴射して前記ウェハの温度を制御することを特徴とする気相成長方法。
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US12/053,657 US7837794B2 (en) | 2007-03-29 | 2008-03-24 | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015517204A (ja) * | 2012-04-04 | 2015-06-18 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置 |
US9093484B2 (en) | 2009-08-12 | 2015-07-28 | Nuflare Technology, Inc. | Manufacturing apparatus and method for semiconductor device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1865354B1 (en) * | 2005-03-17 | 2016-03-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscopic image capturing device |
JP4870604B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
EP3514700A1 (en) * | 2013-02-20 | 2019-07-24 | Hartford Steam Boiler Inspection and Insurance Company | Dynamic outlier bias reduction system and method |
JP6918642B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH045822A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ランプアニール装置および方法 |
JP2001168022A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
JP2002198297A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
JP2003526940A (ja) * | 2000-03-17 | 2003-09-09 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 基板の局部加熱および局部冷却 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5345534A (en) * | 1993-03-29 | 1994-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means |
JP2001345271A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Shibaura Mechatronics Corp | ウェハの加熱制御方法 |
JP3877157B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2007-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP3887291B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2007-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP4642349B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びその低温域温度収束方法 |
TWI327339B (en) * | 2005-07-29 | 2010-07-11 | Nuflare Technology Inc | Vapor phase growing apparatus and vapor phase growing method |
JP2007210875A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-08-23 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
JP4870604B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
-
2007
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-
2008
- 2008-03-24 US US12/053,657 patent/US7837794B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH045822A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ランプアニール装置および方法 |
JP2001168022A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
JP2003526940A (ja) * | 2000-03-17 | 2003-09-09 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 基板の局部加熱および局部冷却 |
JP2002198297A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9093484B2 (en) | 2009-08-12 | 2015-07-28 | Nuflare Technology, Inc. | Manufacturing apparatus and method for semiconductor device |
JP2015517204A (ja) * | 2012-04-04 | 2015-06-18 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080236477A1 (en) | 2008-10-02 |
US7837794B2 (en) | 2010-11-23 |
JP4870604B2 (ja) | 2012-02-08 |
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