JP2008243350A - 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】スキューに起因した問題の発生を防止し、トラック幅を精度よく規定し、且つ記録特性を向上させる。
【解決手段】磁極層１６は、媒体対向面３０から１０〜３００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面３０までの領域Ｒ１に配置された側面Ｓ１，Ｓ２と、領域Ｒ１以外の領域Ｒ２に配置された側面Ｓ３，Ｓ４と、領域Ｒ１と領域Ｒ２との境界位置に配置され、側面Ｓ１と側面Ｓ３とを接続する側面Ｓ５と、領域Ｒ１と領域Ｒ２との境界位置に配置され、側面Ｓ２と側面Ｓ４とを接続する側面Ｓ６とを有している。トラック幅方向についての側面Ｓ１と側面Ｓ２との間の距離は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。側面Ｓ３，Ｓ４の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、側面Ｓ１，Ｓ２の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。
【選択図】図１

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。
垂直磁気記録方式において、記録密度の向上に寄与するのは、主に、記録媒体の改良と記録ヘッドの改良である。高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、トラック幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、トラック幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、トラック幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。
ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。
特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。また、隣り合う２つのトラックの間における不要な書き込みは、磁気ヘッドの位置決め用のサーボ信号の検出や再生信号の信号対雑音比に悪影響を及ぼす。
上述のようなスキューに起因した問題の発生を防止する技術としては、例えば特許文献１および特許文献２に記載されているように、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、記録媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される辺が反対側の辺よりも短い形状とする技術が知られている。磁気ヘッドでは、通常、媒体対向面において、基板から遠い端部が記録媒体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）に配置される。従って、上述の媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状は、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる。
特開２００２−９２８２１号公報 特開２００３−２０３３１１号公報
ここで、上述のように媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる磁極層の形成方法について考える。特許文献１には、レジストパターンをマスクとして無機絶縁膜をエッチングして無機絶縁膜に溝を形成し、その後、ストッパ膜を形成し、更に磁性膜を形成し、磁性膜の上面を平坦化して、磁極層を形成する方法が記載されている。また、特許文献２には、マスクを用いて磁性層をエッチングすることによって磁極層を形成する方法が記載されている。
特許文献１に記載された方法または特許文献２に記載された方法によって形成された磁極層では、磁極層の側面の大部分が、磁極層の全周にわたって、基板の上面に垂直な方向に対して傾いた面となる。このような形状の磁極層では、磁極層の側面全体が基板の上面に対して垂直な場合に比べて、磁束の流れる方向に対して垂直な磁極層の断面積が小さくなる。上記の形状の磁極層では、特にトラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。そのため、上記の形状の磁極層では、記録特性の低下を抑制するために、ネックハイトを小さくせざるを得ない。
ところで、磁極層の側面のうちトラック幅規定部と幅広部との境界近傍の部分を精度よく形成することは難しい。そのため、磁極層のうちトラック幅規定部と幅広部との境界近傍の部分は、媒体対向面から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすい。そのため、ネックハイトが小さくなってくると、媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の幅すなわちトラック幅を精度よく規定することが難しくなる。
これらのことから、従来は、スキューに起因した問題の発生を防止でき、トラック幅を精度よく規定でき、且つ記録特性を向上させることのできる磁極層を実現することが難しかった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、スキューに起因した問題の発生を防止でき、トラック幅を精度よく規定でき、且つ記録特性を向上させることができるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えている。
磁極層は、媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部の端部に接続され、トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有している。媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有している。第２の辺は、トラック幅を規定している。媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっている。
磁極層は、更に、媒体対向面から１０〜３００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置された第１および第２の側面と、第１の領域以外の第２の領域に配置された第３および第４の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第１の側面と第３の側面とを接続する第５の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第２の側面と第４の側面とを接続する第６の側面とを有している。
トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きい。第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、基板の上面に近づくに従って大きくなる。
本発明の磁気ヘッドにおいて、第３の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度が第１の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第４の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度が第２の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドにおいて、トラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って大きくなってもよい。
また、本発明の磁気ヘッドにおいて、第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離と等しくてもよいし、この距離よりも小さくてもよいし、この距離よりも大きくてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する収容溝を有する収容層と、収容溝に連続する貫通した開口部を有し、収容層の上面の上に配置された収容溝規定層とを備えていてもよい。この場合、収容溝規定層の開口部の縁は、収容層の上面における収容溝の縁の真上に配置され、磁極層の少なくとも一部は、収容層の収容溝内に収容される。収容溝規定層は、ＳｉＣよりなるものであってもよい。
また、本発明の磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層と基板との間に配置されて収容層に接する底部形成層を備え、収容溝のうち少なくとも第２の領域に配置された部分の一部は収容層を貫通していてもよい。底部形成層は、ＳｉＣよりなるものであってもよい。
また、本発明の磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容溝内において、収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜を備えていてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドにおいて、磁極層のうち第１の領域に配置された部分は、基板の上面に近い面である第１の底面を有し、磁極層のうち第２の領域に配置された部分は、基板の上面に近い面である第２の底面を有し、第２の底面は、第１の底面に比べて基板の上面に近い位置に配置されていてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドにおいて、トラック幅規定部は、基板の上面から遠い面である第１の上面を有し、幅広部は、基板の上面から遠い面である第２の上面を有し、第２の上面は、第１の上面に比べて基板の上面から遠い位置に配置されていてもよい。
本発明の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、媒体対向面、コイル、磁極層、収容層、収容溝規定層および基板を備えている。
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
後に収容溝が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、
非磁性層の上に収容溝規定層を形成する工程と、
非磁性層のうち収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に、後にエッチングされることによって収容溝となる初期溝を形成する第１のエッチング工程と、
収容溝規定層および初期溝のうち第１の領域内に存在する部分の上にマスクを形成する工程と、
上記マスクおよび収容溝規定層をエッチングマスクとして用いて、初期溝のうちマスクによって覆われていない部分をエッチングすることによって、収容溝を完成させる第２のエッチング工程と、
少なくとも一部が収容溝内に配置されるように磁極層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
本発明の磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程によって、収容溝のうち、磁極層における第１および第２の側面に対向する部分が形成され、第２のエッチング工程によって、収容溝のうち、磁極層における第３ないし第６の側面に対向する部分が形成される。
本発明の磁気ヘッドの製造方法において、第３の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度が第１の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第４の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度が第２の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、トラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って大きくなってもよい。
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離と等しくてもよいし、この距離よりも小さくてもよいし、この距離よりも大きくてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、収容溝規定層は、ＳｉＣよりなるものであってもよい。
また、本発明の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層と基板との間に配置されて収容層に接する底部形成層を備え、収容溝のうち少なくとも第２の領域に配置された部分の一部は収容層を貫通していてもよい。この場合、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、更に、非磁性層を形成する前に底部形成層を形成する工程を備える。底部形成層は、ＳｉＣよりなるものであってもよい。また、第１のエッチング工程では、初期溝の底部全体が底部形成層の上面に達するように、非磁性層をエッチングしてもよい。あるいは、第１のエッチング工程では、初期溝のうち第２の領域に存在する部分における底部は底部形成層の上面に達するが、初期溝のうち第１の領域に存在する部分における底部は底部形成層の上面に達しないように、非磁性層をエッチングしてもよい。あるいは、第１のエッチング工程では、初期溝の底部全体が底部形成層の上面に達しないように非磁性層をエッチングし、第２のエッチング工程では、収容溝のうち第２の領域に存在する部分における底部は底部形成層の上面に達するが、収容溝のうち第１の領域に存在する部分における底部は底部形成層の上面に達しないように、初期溝をエッチングしてもよい。
また、本発明の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容溝内において、収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜を備えていてもよい。この場合、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、更に、第２のエッチング工程と磁極層を形成する工程の間において非磁性膜を形成する工程を備える。
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、磁極層のうち第１の領域に配置された部分は、基板の上面に近い面である第１の底面を有し、磁極層のうち第２の領域に配置された部分は、基板の上面に近い面である第２の底面を有し、第２の底面は、第１の底面に比べて基板の上面に近い位置に配置されていてもよい。
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、トラック幅規定部は、基板の上面から遠い面である第１の上面を有し、幅広部は、基板の上面から遠い面である第２の上面を有し、第２の上面は、第１の上面に比べて基板の上面から遠い位置に配置されていてもよい。
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドまたはその製造方法では、トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなる。また、第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きく、第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、基板の上面に近づくに従って大きくなる。これにより、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止でき、トラック幅を精度よく規定でき、且つ記録特性を向上させることができるという効果を奏する。
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図５および図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成について説明する。図５は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図６は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。なお、図５は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図５において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
図５および図６に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第１の上部シールド層７とを備えている。
ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。
磁気ヘッドは、更に、第１の上部シールド層７の上に順に配置された非磁性層８１および第２の上部シールド層８２を備えている。非磁性層８１は、アルミナ等の非磁性材料によって形成されている。第２の上部シールド層８２は、磁性材料によって形成されている。下部シールド層３から第２の上部シールド層８２までの部分は、再生ヘッドを構成する。
磁気ヘッドは、更に、第２の上部シールド層８２の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８３と、この絶縁層８３の上に配置されたコイル９と、コイル９の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１０と、絶縁層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１１とを備えている。コイル９は、平面渦巻き形状をなしている。コイル９および絶縁層１０，１１の上面は平坦化されている。絶縁層８３，１１は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層１０は、例えばフォトレジストによって形成されている。コイル９は、銅等の導電材料によって形成されている。
磁気ヘッドは、更に、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された非磁性材料よりなる収容層１２を備えている。収容層１２は、上面で開口し、後述する磁極層の少なくとも一部を収容する収容溝１２ａを有している。収容層１２の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。
磁気ヘッドは、更に、収容層１２の上面の上に配置された収容溝規定層１３を備えている。収容溝規定層１３は、収容溝１２ａの形状を規定するための層である。収容溝規定層１３は、貫通する開口部１３ａを有し、この開口部１３ａの縁は、収容層１２の上面における収容溝１２ａの縁の真上に配置されている。
収容溝規定層１３の材料は、収容層１２となる非磁性層に収容溝１２ａを形成するためのエッチングの際に非磁性層よりもエッチング速度が小さい材料であればよい。例えば、収容層１２となる非磁性層の材料がアルミナの場合には、収容溝規定層１３の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＷＳｉ２、ＴａＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴｉＮ、ＴｉＷ等の非磁性金属材料や、ＳｉＣを用いることができる。また、例えば、収容層１２となる非磁性層の材料がシリコン酸化物の場合には、収容溝規定層１３の材料としては、上記の非磁性金属材料やＳｉＣを用いることができる他、アルミナを用いることもできる。
収容溝規定層１３の材料としてＳｉＣを用いた場合には、収容溝規定層１３に開口部１３ａを形成するためのエッチングの際に、エッチングによって除去された物質が開口部１３ａに付着することを防止でき、これにより、開口部１３ａを精度よく形成することができる。その結果、収容溝１２ａも精度よく形成することができる。
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層１２の収容溝１２ａ内および収容溝規定層１３の開口部１３ａ内に配置された非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁極層１６を備えている。非磁性膜１４は、収容溝１２ａの表面に接するように配置されている。磁極層１６は、収容溝１２ａの表面から離れるように配置されている。研磨停止層１５は、非磁性膜１４と磁極層１６の間に配置されている。研磨停止層１５は、磁極層１６をめっき法で形成する際に用いられるシード層を兼ねている。
非磁性膜１４は、非磁性材料によって形成されている。非磁性膜１４の材料としては、例えば絶縁材料または半導体材料を用いることができる。非磁性膜１４の材料としての絶縁材料としては、例えばアルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。非磁性膜１４の材料としての半導体材料としては、例えば多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを用いることができる。
研磨停止層１５は、非磁性導電材料によって形成されている。研磨停止層１５の材料としては、例えば、収容溝規定層１３に用いられる非磁性金属材料と同じものを用いることができる。非磁性膜１４と研磨停止層１５は、いずれも、本発明における非磁性膜に対応する。
磁極層１６は、金属磁性材料によって形成されている。磁極層１６の材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
磁気ヘッドは、更に、収容溝規定層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁極層１６の上面の上に配置されたギャップ層１８を備えている。ギャップ層１８には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。
磁気ヘッドは、更に、シールド層２０を備えている。シールド層２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、この第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、このヨーク層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂ、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび第３層２０Ｅは、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの層２０Ａ〜２０Ｅの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、ヨーク層２０Ｂの周囲に配置された非磁性層２１を備えている。非磁性層２１の一部は、第１層２０Ａの側方に配置されている。非磁性層２１は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層２１は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｐｄ、Ｈｆ等の高融点金属が用いられる。
磁気ヘッドは、更に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、後述するコイル２３が配置される領域の上に配置された絶縁層２２と、この絶縁層２２の上に配置されたコイル２３と、このコイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に配置された絶縁層２４と、絶縁層２４の周囲に配置された絶縁層２５と、コイル２３および絶縁層２４，２５の上に配置された絶縁層２６を備えている。コイル２３は、平面渦巻き形状をなしている。コイル２３の一部は、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄの間を通過している。コイル２３は、銅等の導電材料によって形成されている。第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび絶縁層２４，２５の上面は平坦化されている。絶縁層２４は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２２，２５，２６は、例えばアルミナによって形成されている。
コイル９からシールド層２０の第３層２０Ｅまでの部分は、記録ヘッドを構成する。磁気ヘッドは、更に、シールド層２０を覆うように形成された保護層２７を備えている。保護層２７は、例えばアルミナによって形成されている。
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。
再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。
記録ヘッドは、コイル９、収容層１２、収容溝規定層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５、磁極層１６、ギャップ層１８、シールド層２０およびコイル２３を備えている。コイル９，２３は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。なお、コイル９は、記録ヘッドにおける必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。また、非磁性膜１４は省略してもよい。
磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
シールド層２０は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１６に連結されている。ギャップ層１８は、非磁性材料よりなり、磁極層１６とシールド層２０との間に設けられている。
媒体対向面３０において、シールド層２０の端面は、磁極層１６の端面に対して、ギャップ層１８の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。ギャップ層１８の厚みは、例えば、２０〜５０ｎｍの範囲内である。コイル２３の少なくとも一部は、磁極層１６とシールド層２０との間に、磁極層１６およびシールド層２０に対して絶縁された状態で配置されている。
磁極層１６の少なくとも一部は、収容層１２の収容溝１２ａ内に収容されている。具体的には、本実施の形態では、磁極層１６は、収容層１２の収容溝１２ａ内および収容溝規定層１３の開口部１３ａ内に、非磁性膜１４および研磨停止層１５を介して配置されている。非磁性膜１４の厚みは、例えば２０〜８０ｎｍの範囲内である。しかし、この範囲内に限らず、非磁性膜１４の厚みは、トラック幅に応じて任意に設定することができる。研磨停止層１５の厚みは、例えば２０〜８０ｎｍの範囲内である。
シールド層２０は、ギャップ層１８に隣接するように配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａにおけるギャップ層１８とは反対側に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、このヨーク層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第２層２０Ｃは、媒体対向面３０とコイル２３の少なくとも一部との間に配置されている。コイル２３は、連結層２０Ｄを中心として巻回されている。なお、図５に示した例では、ヨーク層２０Ｂの一部は、磁極層１６とコイル２３の一部との間に配置されている。しかし、このようなヨーク層２０Ｂの代わりに、連結層２０Ｄと同様の平面形状を有し、磁極層１６と連結層２０Ｄとを連結する連結層を設けてもよい。
第１層２０Ａは、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第２層２０Ｃも、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て磁極層１６とシールド層２０との間隔が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。スロートハイトＴＨは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。
次に、図１ないし図４を参照して、磁極層１６の形状について詳しく説明する。図１は、磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す斜視図である。図２は、磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す平面図である。図３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面３０の一部を示す正面図である。図４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面３０に平行な断面の一部を示す断面図である。なお、図４は、図２において４−４線で示す断面を示している。
図１および図２に示したように、磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部１６Ａと、このトラック幅規定部１６Ａの端部に接続され、トラック幅規定部１６Ａの幅よりも大きい幅を有する幅広部１６Ｂとを有している。トラック幅規定部１６Ａは、実質的に媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない幅を有している。幅広部１６Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１６Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１６Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、磁極層１６のうち、媒体対向面３０に配置された端面から、磁極層１６の幅が大きくなり始める位置までの部分を、トラック幅規定部１６Ａとする。ここで、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１６Ａの長さをネックハイトＮＨと呼ぶ。ネックハイトＮＨは、例えば６０〜２００ｎｍの範囲内である。
なお、磁極層１６の側面のうちトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界近傍の部分を精度よく形成することは難しい。そのため、磁極層１６のうちトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界近傍の部分は、媒体対向面３０から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすい。このような例を図１４に示す。図１４は、磁極層１６のうちのトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界近傍の部分を示す平面図である。この場合には、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂの境界位置およびネックハイトＮＨを以下のように定義する。すなわち、磁極層１６の上面において、媒体対向面３０とトラック幅規定部１６Ａの側部との交点を通って媒体対向面３０に垂直な方向に延びる仮想の直線Ｌ１と、トラック幅規定部１６Ａの側部に続く幅広部１６Ｂの側部のうちの直線部分から、この直線部分の方向に延びる仮想の直線Ｌ２との交点をＰとする。そして、この点Ｐを通り媒体対向面３０に平行な仮想の平面の位置をトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂの境界位置とし、媒体対向面３０と点Ｐとの間の距離をネックハイトＮＨとする。このように定義したネックハイトＮＨは、設計上のネックハイトとほぼ等しい。
図３に示したように、媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。第３の辺Ａ３は、収容溝１２ａの壁面に対向する第１の部分Ａ３１と、開口部１３ａの壁面に対向する第２の部分Ａ３２とを含んでいる。同様に、第４の辺Ａ４は、収容溝１２ａの壁面に対向する第１の部分Ａ４１と、開口部１３ａの壁面に対向する第２の部分Ａ４２とを含んでいる。第１の部分Ａ３１，Ａ４１は、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いている。第１の部分Ａ３１，Ａ４１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば５°〜１５°の範囲内であり、８°〜１２°の範囲内であることが好ましい。第２の部分Ａ３２，Ａ４２は、実質的に基板１の上面に対して垂直になっている。
第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。媒体対向面３０における磁極層１６の厚みは、例えば０．１５〜０．３μｍの範囲内である。
図１に示したように、磁極層１６は、媒体対向面３０から１０〜３００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面３０までの第１の領域Ｒ１において互いに反対側に配置された第１の側面Ｓ１および第２の側面Ｓ２と、第１の領域Ｒ１以外の第２の領域Ｒ２に配置された第３の側面Ｓ３および第４の側面Ｓ４と、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第１の側面Ｓ１と第３の側面Ｓ３とを接続する第５の側面Ｓ５と、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第２の側面Ｓ２と第４の側面Ｓ４とを接続する第６の側面Ｓ６と、第１の領域Ｒ１において互いに反対側に配置された第７の側面Ｓ７および第８の側面Ｓ８とを有している。
第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は収容溝１２ａの壁面に対向し、第７および第８の側面Ｓ７，Ｓ８は開口部１３ａの壁面に対向している。第７の側面Ｓ７は第１の側面Ｓ１に続いており、第８の側面Ｓ８は第２の側面Ｓ２に続いている。媒体対向面３０に配置された第１の側面Ｓ１の端部は、第３の辺Ａ３の第１の部分Ａ３１を形成する。媒体対向面３０に配置された第２の側面Ｓ２の端部は、第４の辺Ａ４の第１の部分Ａ４１を形成する。媒体対向面３０に配置された第７の側面Ｓ７の端部は、第３の辺Ａ３の第２の部分Ａ３２を形成する。媒体対向面３０に配置された第８の側面Ｓ８の端部は、第４の辺Ａ４の第２の部分Ａ４２を形成する。
トラック幅方向についての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１と、第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２は、第１の部分Ａ３１，Ａ４１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と等しく、例えば５°〜１５°の範囲内であり、８°〜１２°の範囲内であることが好ましい。第７および第８の側面Ｓ７，Ｓ８は、実質的に、基板１の上面に対して垂直になっている。
なお、第１の側面Ｓ１の面積は第７の側面Ｓ７の面積よりも大きく、第２の側面Ｓ２の面積は第８の側面Ｓ８の面積よりも大きい。第１の領域Ｒ１においては、第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２が磁極層１６の主要な側面である。第１の領域Ｒ１では、第７および第８の側面Ｓ７，Ｓ８が設けられずに、第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２のみが設けられていてもよい。
第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置において、最も基板１の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、最も基板１の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔よりも大きい。また、第５の側面Ｓ５の幅と第６の側面Ｓ６の幅は、いずれも、基板の上面１に近づくに従って大きくなる。
トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、基板１の上面からの距離に関わらずに一定であってもよいし、基板１の上面に近づくに従って小さくなってもよいし、基板１の上面に近づくに従って大きくなってもよい。
トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔が、基板１の上面からの距離に関わらずに一定である場合には、第３の面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、いずれも０°である。
本実施の形態では、トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔が、基板１の上面に近づくに従って小さくなる場合には、第３の面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１よりも小さく、第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２よりも小さい。この場合には、第３の面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、いずれも、０°に近いほど好ましい。
なお、図１および図２には、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離が、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界位置と媒体対向面３０との間の距離すなわちネックハイトＮＨと等しい例を示している。しかし、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離は、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界位置と媒体対向面３０との間の距離すなわちネックハイトＮＨよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。これらの例は、後で第１および第２の変形例として示す。
また、磁極層１６のうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第１の底面Ｂ１を有し、磁極層１６のうち第２の領域Ｒ２に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第２の底面Ｂ２を有し、第２の底面Ｂ２は、第１の底面Ｂ１に比べて基板１の上面に近い位置に配置されている。また、磁極層１６は、底面Ｂ１，Ｂ２を連結する面Ｂ３を有している。また、本実施の形態では、磁極層１６の上面は平坦な面になっている。
次に、図７ないし図１３を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図７ないし図１３において、記号ＡＢＳは、媒体対向面３０の目標位置に配置された仮想の面を示している。また、図７ないし図１３では、収容層１２よりも下の部分を省略している。
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図３に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、非磁性層８１、第２の上部シールド層８２および絶縁層８３を順に形成する。次に、絶縁層８３の上に、コイル９および絶縁層１０，１１を形成する。次に、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって平坦化する。
図７は、次の工程を示す。図７（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）に示した積層体の７Ｃ−７Ｃ線断面図である。図７（ｄ）は、図７（ａ）に示した積層体の７Ｄ−７Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、後に収容溝１２ａが形成されることにより収容層１２となる非磁性層１２Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層１２Ｐの上に、収容溝規定層１３を形成する。収容溝規定層１３の厚みは、例えば２０〜１００ｎｍの範囲内である。
次に、収容溝規定層１３の上に、収容溝規定層１３に開口部１３ａを形成するための図示しないフォトレジストマスクを形成する。このフォトレジストマスクは、開口部１３ａおよび収容溝１２ａに対応した形状の開口部を有している。フォトレジストマスクは、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、フォトレジストマスクを用いて、収容溝規定層１３を選択的にエッチングする。これにより、収容溝規定層１３に、貫通した開口部１３ａが形成される。この開口部１３ａは、後に形成される磁極層１６の平面形状に対応した形状をなしている。
次に、フォトレジストマスクおよび収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、非磁性層１２Ｐのうち収容溝規定層１３の開口部１３ａから露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層１２Ｐに、後にエッチングされることによって収容溝１２ａとなる初期溝１２Ｐａを形成する。この初期溝１２Ｐａを形成する工程を、第１のエッチング工程と呼ぶ。次に、フォトレジストマスクを除去する。収容溝規定層１３の開口部１３ａの縁は、非磁性層１２Ｐの上面における初期溝１２Ｐａの縁の真上に配置されている。
第１のエッチング工程は、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。第１のエッチング工程では、初期溝１２Ｐａの壁面のうち磁極層１６の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に対向する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内、好ましくは８°〜１２°の範囲内になるようにする。第１のエッチング工程の後では、初期溝１２Ｐａの壁面のうち第２の領域Ｒ２内に配置された部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、初期溝１２Ｐａの壁面のうち磁極層１６の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に対向する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度の１〜２倍程度の大きさになっている。
図８は、次の工程を示す。図８（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図８（ｃ）は、図８（ａ）に示した積層体の８Ｃ−８Ｃ線断面図である。図８（ｄ）は、図８（ａ）に示した積層体の８Ｄ−８Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、収容溝規定層１３および初期溝１２Ｐａのうち第１の領域Ｒ１内に存在する部分の上にマスク３１を形成する。このマスク３１は、例えば、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、初期溝１２Ｐａのうちマスク３１によって覆われていない部分、すなわち初期溝１２Ｐａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分のみをエッチングして、収容溝１２ａを完成させる。この工程を、第２のエッチング工程と呼ぶ。第２のエッチング工程は、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。なお、第２のエッチング工程は、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングのような異方性エッチングに限らず、等方性エッチングを用いて行ってもよい。この場合の等方性エッチングは、ウェットエッチングでもよいしドライエッチングでもよい。ウェットエッチングの場合には、アルカリ性のエッチング液が用いられる。次に、マスク３１を除去する。
この第２のエッチング工程では、上述のようなエッチングにより、例えば、収容溝１２ａの壁面のうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を、収容溝１２ａの壁面のうち第１の領域Ｒ１内に存在する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくする。あるいは、第２のエッチング工程では、上述のようなエッチングにより、収容溝１２ａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の幅が、基板１の上面に近づくに従って大きくなるようにする。
この工程では、マスク３１および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、初期溝１２Ｐａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分のみをエッチングすることによって、収容溝１２ａが完成される。そのため、収容溝１２ａの壁面のうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の位置は、収容溝規定層１３の開口部１３ａの縁によって、精度よく規定される。
また、第２のエッチング工程により、収容溝１２ａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分が、収容溝１２ａのうち第１の領域Ｒ１内に存在する部分よりも深くなる。
第１のエッチング工程では、収容溝１２ａのうち、磁極層１６における第１の側面Ｓ１、第２の側面Ｓ２および第１の底面Ｂ１に対向する部分が形成される。また、第２のエッチング工程では、収容溝１２ａのうち、磁極層１６における第３ないし第６の側面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６、底面Ｂ２および面Ｂ３に対向する部分が形成される。
図９は、次の工程を示す。図９（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図９（ｃ）は、図９（ａ）に示した積層体の９Ｃ−９Ｃ線断面図である。図９（ｄ）は、図９（ａ）に示した積層体の９Ｄ−９Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性膜１４を形成する。非磁性膜１４は収容溝１２ａ内にも形成される。非磁性膜１４は、例えば、スパッタ法または化学的気相成長法（以下、ＣＶＤと記す。）によって形成される。非磁性膜１４の厚みは、精度よく制御することができる。ＣＶＤを用いて非磁性膜１４を形成する場合には、特に、１原子層毎の成膜を繰り返すＣＶＤ、いわゆるアトミックレイヤーＣＶＤ（以下、ＡＬＣＶＤと記す。）を用いることが好ましい。この場合には、非磁性膜１４の厚みの制御をより精度よく行うことができる。また、ＡＬＣＶＤを用いて非磁性膜１４を形成する場合には、非磁性膜１４の材料としては、特にアルミナが好ましい。半導体材料を用いて非磁性膜１４を形成する場合には、特に、低温（２００℃程度）でのＡＬＣＶＤまたは低温での低圧ＣＶＤを用いて非磁性膜１４を形成することが好ましい。また、非磁性膜１４の材料としての半導体材料は、不純物をドープしない多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンであることが好ましい。
次に、例えばスパッタ法またはＡＬＣＶＤによって、積層体の上面全体の上に研磨停止層１５を形成する。研磨停止層１５は収容溝１２ａ内にも形成される。研磨停止層１５は、後に行われる研磨工程における研磨の停止位置を示す。
図１０は、次の工程を示す。図１０（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）に示した積層体の１０Ｃ−１０Ｃ線断面図である。図１０（ｄ）は、図１０（ａ）に示した積層体の１０Ｄ−１０Ｄ線断面図である。
この工程では、後に磁極層１６となる磁性層１６Ｐを形成する。磁性層１６Ｐは、その上面が収容溝規定層１３、非磁性膜１４および研磨停止層１５の各上面よりも上方に配置されるように形成される。磁性層１６Ｐは、例えば、フレームめっき法によって形成してもよいし、パターニングしていないめっき層を形成した後、このめっき層をエッチングによってパターニングして形成してもよい。
図１１は、次の工程を示す。図１１（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）に示した積層体の１１Ｃ−１１Ｃ線断面図である。図１１（ｄ）は、図１１（ａ）に示した積層体の１１Ｄ−１１Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる、図示しない被覆層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、研磨停止層１５が露出するまで被覆層および磁性層１６Ｐを研磨して、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐの上面を平坦化する。ＣＭＰによって被覆層および磁性層１６Ｐを研磨する場合には、研磨停止層１５が露出した時点で研磨が停止するようなスラリー、例えばアルミナ系のスラリーを用いる。
次に、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、研磨停止層１５のうち、積層体の上面に露出している部分を選択的に除去する。次に、例えばＣＭＰによって、収容溝規定層１３が露出するまで非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐを研磨して、収容溝規定層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐの上面を平坦化する。これにより、残った磁性層１６Ｐがそれぞれ磁極層１６となる。ＣＭＰによって非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐを研磨する場合には、収容溝規定層１３が露出した時点で研磨が停止するようなスラリー、例えばアルミナ系のスラリーを用いる。このようにして収容溝規定層１３が露出した時点で研磨を停止させることにより、磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
図１２は、次の工程を示す。図１２（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。ＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、特にＡＬＣＶＤを用いることが好ましい。また、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、ギャップ層１８の材料としては、特にアルミナが好ましい。
次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上にヨーク層２０Ｂを形成する。第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。
次に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２３が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２３の少なくとも一部が絶縁層２２の上に配置されるように、コイル２３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２３を形成してもよい。
次に、コイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２４を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２３が露出するまで絶縁層２５を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２３および絶縁層２４，２５の上面を平坦化する。
図１３は、次の工程を示す。図１３（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。この工程では、まず、コイル２３および絶縁層２４，２５の上に絶縁層２６を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド層２０を完成させる。
次に、図５に示したように、積層体の上面全体を覆うように保護層２７を形成する。次に、保護層２７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル２３は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１６およびシールド層２０は、コイル２３が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層１６は、コイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールド層２０は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１６に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド２０は、媒体対向面３０に配置された磁極層１６（トラック幅規定規定部１６Ａ）の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有している。
また、本実施の形態では、媒体対向面３０において、シールド層２０の端面は、磁極層１６の端面に対して、ギャップ層１８による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面３０における磁極層１６のギャップ層１８側の端部の位置によって決まる。シールド層２０は、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。
また、本実施の形態では、図３に示したように、媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。
また、本実施の形態では、非磁性材料よりなる収容層１２の収容溝１２ａ内に、非磁性膜１４および研磨停止層１５を介して磁極層１６が配置される。そのため、磁極層１６の幅は収容溝１２ａの幅よりも小さくなる。これにより、収容溝１２ａを容易に形成することが可能になると共に、磁極層１６の幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１６Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。
また、本実施の形態では、磁極層１６は、媒体対向面３０から１０〜３００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面３０までの第１の領域Ｒ１において互いに反対側に配置された第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２と、第１の領域Ｒ１以外の第２の領域Ｒ２に配置された第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４と、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第１の側面Ｓ１と第３の側面Ｓ３とを接続する第５の側面Ｓ５と、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第２の側面Ｓ２と第４の側面Ｓ４とを接続する第６の側面Ｓ６とを有している。
トラック幅方向についての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２との間の距離は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置において、最も基板１の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、最も基板１の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔よりも大きい。また、第５の側面Ｓ５の幅と第６の側面Ｓ６の幅は、いずれも、基板の上面１に近づくに従って大きくなる。
ここで、本実施の形態に対する比較例として、第２のエッチング工程を行わずに、第１のエッチング工程のみによって収容溝１２ａを形成し、この収容溝１２ａ内に収容されるように形成された磁極層１６を形成した場合について考える。この比較例では、トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４との間の距離は基板１の上面に近づくに従って小さくなり、且つ第３および第４の面Ｓ３，Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、それぞれ角度θ１，θ２と等しいか、角度θ１，θ２よりも大きくなる。この比較例における磁極層１６では、特にトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。そのため、比較例では、記録特性の低下を抑制するために、ネックハイトＮＨを小さくせざるを得ない。しかし、ネックハイトＮＨを小さくすると、トラック幅を精度よく規定することが難しくなる。
これに対し、本実施の形態における磁極層１６では、比較例に比べて、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の近傍の部分において、磁束の流れる方向に対して垂直な磁極層１６の断面積が大きくなる。そのため、本実施の形態における磁極層１６では、比較例に比べて、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができる。これにより、本実施の形態によれば、比較例に比べて、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。そのため、本実施の形態によれば、比較例に比べて、ネックハイトＮＨを大きくすることが可能になる。そして、本実施の形態によれば、比較例に比べてネックハイトＮＨを大きくすることにより、比較例に比べて、トラック幅を精度よく規定することが可能になる。
また、本実施の形態では、磁極層１６のうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第１の底面Ｂ１を有し、磁極層１６のうち第２の領域Ｒ２に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第２の底面Ｂ２を有し、第２の底面Ｂ２は、第１の底面Ｂ１に比べて基板１の上面に近い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを小さくして、スキューに起因した問題の発生を効果的に防止しながら、磁極層１６のうち第２の領域Ｒ２に配置された部分の厚みを大きくして、磁極層１６によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことが可能になる。
［変形例］
以下、図１５ないし図１８を参照して、本実施の形態における第１ないし第４の変形例について説明する。図１５は、第１の変形例における磁極層１６の一部を示す斜視図である。図１６は、第２の変形例における磁極層１６の一部を示す斜視図である。図１７は、第３の変形例における磁極層１６の一部を示す斜視図である。図１８は、第４の変形例の磁気ヘッドにおける媒体対向面３０に平行な断面の一部を示す断面図である。なお、図１８は、図４と同様の位置における断面を表している。
図１５に示した第１の変形例では、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離が、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界位置と媒体対向面３０との間の距離すなわちネックハイトＮＨよりも小さくなっている。
図１６に示した第２の変形例では、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離が、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界位置と媒体対向面３０との間の距離すなわちネックハイトＮＨよりも大きくなっている。
図１７に示した第３の変形例における磁極層１６は、第１の領域Ｒ１において、第７および第８の側面Ｓ７，Ｓ８が設けられずに、第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２のみが設けられたものである。このような構造の磁極層１６は、図１１に示した工程の後、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、収容溝規定層１３が除去されるまで、収容溝規定層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐをエッチングすることによって形成することができる。
図１８に示した第４の変形例では、収容溝１２ａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の幅が、基板１の上面に近づくに従って大きくなっている。このような形状の収容溝１２ａは、例えば、第２のエッチング工程において、アンダーカット（サイドエッチング）が生じるように、初期溝１２Ｐａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分のみをエッチングすることによって形成することができる。また、第４の変形例における磁極層１６では、トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４との間の距離は、基板１の上面に近づくに従って大きくなる。
第１ないし第４の変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図６に示した磁気ヘッドと同様である。
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図１９を参照して、本実施の形態における磁極層１６の形状について説明する。本実施の形態における磁極層１６では、トラック幅規定部１６Ａは、基板１の上面から遠い面である第１の上面Ｔ１を有し、幅広部１６Ｂは、基板１の上面から遠い面である第２の上面Ｔ２を有している。第２の上面Ｔ２は、第１の上面Ｔ１に比べて基板１の上面から遠い位置に配置されている。本実施の形態における磁極層１６のその他の特徴は、第１の実施の形態における磁極層１６と同様である。
次に、図２０ないし図２３を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図２０ないし図２３において、記号ＡＢＳは、媒体対向面３０の目標位置に配置された仮想の面を示している。また、図２０ないし図２３では、収容層１２よりも下の部分を省略している。
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図１０に示したように、磁性層１６Ｐを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
図２０は、次の工程を示す。図２０（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図２０（ｂ）は、図２０（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図２０（ｃ）は、図２０（ａ）に示した積層体の２０Ｃ−２０Ｃ線断面図である。図２０（ｄ）は、図２０（ａ）に示した積層体の２０Ｄ−２０Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる、図示しない被覆層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、研磨停止層１５が露出するまで被覆層および磁性層１６Ｐを研磨して、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐの上面を平坦化する。
次に、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐの上にマスク３２を形成する。マスク３２は、磁性層１６Ｐの上面のうち、第２の上面Ｔ２となる部分を覆っている。このマスク３２は、例えば、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。
図２１は、次の工程を示す。図２１（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図２１（ｂ）は、図２１（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図２１（ｃ）は、図２１（ａ）に示した積層体の２１Ｃ−２１Ｃ線断面図である。図２１（ｄ）は、図２１（ａ）に示した積層体の２１Ｄ−２１Ｄ線断面図である。
この工程では、マスク３２によって覆われていない領域において、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層１６Ｐ、研磨停止層１５および非磁性膜１４をエッチングする。これにより、磁性層１６Ｐの上面に、上面Ｔ１，Ｔ２が形成されて、磁性層１６Ｐが磁極層１６となる。次に、マスク３２を除去する。
図２２は、次の工程を示す。図２２（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図２２（ｂ）は、図２２（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図２２（ｃ）は、図２２（ａ）に示した積層体の２２Ｃ−２２Ｃ線断面図である。図２２（ｄ）は、図２２（ａ）に示した積層体の２２Ｄ−２２Ｄ線断面図である。この工程では、例えばイオンビームエッチングによって、磁極層１６の第２の上面Ｔ２の周辺の研磨停止層１５および非磁性膜１４をエッチングする。
図２３は、次の工程を示す。図２３（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。ＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、特にＡＬＣＶＤを用いることが好ましい。また、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、ギャップ層１８の材料としては、特にアルミナが好ましい。ＡＬＣＶＤを用いて形成されるギャップ層１８は、ステップカバレージがよい。従って、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成することにより、平坦ではない磁極層１６の上に均質なギャップ層１８を形成することができる。
次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上にヨーク層２０Ｂを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。
次に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２３が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２３の少なくとも一部が絶縁層２２の上に配置されるように、コイル２３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２３を形成してもよい。
次に、コイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２４を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２３が露出するまで絶縁層２５を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２３および絶縁層２４，２５の上面を平坦化する。
本実施の形態におけるその後の工程は、第１の実施の形態と同様である。すなわち、まず、コイル２３および絶縁層２４，２５の上に絶縁層２６を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド層２０を完成させる。次に、積層体の上面全体を覆うように保護層２７を形成する。次に、保護層２７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
本実施の形態では、トラック幅規定部１６Ａは、基板１の上面から遠い面である第１の上面Ｔ１を有し、幅広部１６Ｂは、基板１の上面から遠い面である第２の上面Ｔ２を有している。第２の上面Ｔ２は、第１の上面Ｔ１に比べて基板１の上面から遠い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを小さくして、スキューに起因した問題の発生を効果的に防止しながら、幅広部１６Ｂの厚みを大きくして、磁極層１６によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことが可能になる。
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１ないし第４の各変形例と同様の変形も可能である。
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図２４を参照して、本実施の形態における磁極層１６の形状の一例について説明する。図２４に示した磁極層１６では、底面が平坦になっている。図２４に示した磁極層１６のその他の特徴は、第１の実施の形態における磁極層１６と同様である。
次に、図２５および図２６を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図２５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図２６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。なお、図２５は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図２５において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の実施の形態における収容層１２の代わりに、コイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層４１と、この非磁性層４１の上に配置された底部形成層４２と、この底部形成層４２の上に配置された収容層４３とを備えている。非磁性層４１は、例えばアルミナによって形成されている。底部形成層４２の材料としては、例えば、Ｒｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ、ＮｉＣｒ、Ｐｄ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＴａＯ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮｉＣｕ、ＮｉＰｄ、ＡｌＮ、ＡｌＦ、ＳｉＣ、ＴｉＣのいずれかを用いることができる。底部形成層４２の材料としては、特にＳｉＣが好ましい。収容層４３は、上面で開口する収容溝４３ａを有している。収容層４３の材料は、第１の実施の形態における収容層１２と同様である。
底部形成層４２は、収容層４３と基板１との間に配置されて収容層４３に接している。収容溝４３ａのうち少なくとも第２の領域Ｒ２に配置された部分の一部は収容層４３を貫通している。収容溝４３ａのうち収容層４３を貫通している部分の底部は、底部形成層４２の上面によって形成される。そして、底部形成層４２の上面と収容溝４３ａの壁面とによって囲まれた空間内に、磁極層１６の少なくとも一部が収容されている。
なお、図２５には、収容溝４３ａの全体が収容層４３を貫通している例を示している。収容溝４３ａのうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は収容層４３を貫通していない例を、後で第１および第２の変形例として示す。
次に、図２５および図２６に示した磁気ヘッドの製造方法について、図２７ないし図３２を参照して説明する。なお、図２７ないし図３２において、記号ＡＢＳは、媒体対向面３０の目標位置に配置された仮想の面を示している。また、図２７ないし図３２では、非磁性層４１よりも下の部分を省略している。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
図２７は、次の工程を示す。図２７（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図２７（ｂ）は、図２７（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図２７（ｃ）は、図２７（ａ）に示した積層体の２７Ｃ−２７Ｃ線断面図である。図２７（ｄ）は、図２７（ａ）に示した積層体の２７Ｄ−２７Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、非磁性層４１と底部形成層４２を順に形成し、次に、底部形成層４２の上に、後に収容溝４３ａが形成されることにより収容層４３となる非磁性層４３Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層４３Ｐの上に、収容溝規定層１３を形成する。次に、第１の実施の形態と同様に、フォトレジストマスクを用いて収容溝規定層１３をエッチングして、収容溝規定層１３に開口部１３ａを形成する。次に、第１の実施の形態と同様に、フォトレジストマスクおよび収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、非磁性層４３Ｐのうち収容溝規定層１３の開口部１３ａから露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層４３Ｐに、後にエッチングされることによって収容溝４３ａとなる初期溝４３Ｐａを形成する。この初期溝４３Ｐａを形成する工程を、第１のエッチング工程と呼ぶ。次に、フォトレジストマスクを除去する。収容溝規定層１３の開口部１３ａの縁は、非磁性層４３Ｐの上面における初期溝４３Ｐａの縁の真上に配置されている。
図２５に示した磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、初期溝４３Ｐａの全体が非磁性層４３Ｐを貫通して、初期溝４３Ｐａの底部全体が底部形成層４２の上面に達するように、非磁性層４３Ｐをエッチングする。第１のエッチング工程におけるエッチング方法は、第１の実施の形態と同様である。
第１のエッチング工程では、初期溝４３Ｐａの壁面のうち磁極層１６の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に対向する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内、好ましくは８°〜１２°の範囲内になるようにする。第１のエッチング工程の後では、初期溝４３Ｐａの壁面のうち第２の領域Ｒ２内に配置された部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、初期溝４３Ｐａの壁面のうち磁極層１６の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に対向する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度の１〜２倍程度の大きさになっている。
図２８は、次の工程を示す。図２８（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図２８（ｂ）は、図２８（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図２８（ｃ）は、図２８（ａ）に示した積層体の２８Ｃ−２８Ｃ線断面図である。図２８（ｄ）は、図２８（ａ）に示した積層体の２８Ｄ−２８Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、収容溝規定層１３および初期溝４３Ｐａのうち第１の領域Ｒ１内に存在する部分の上にマスク３１を形成する。次に、初期溝４３Ｐａのうちマスク３１によって覆われていない部分、すなわち初期溝４３Ｐａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分のみをエッチングして、収容溝４３ａを完成させる。この工程を、第２のエッチング工程と呼ぶ。第２のエッチング工程におけるエッチング方法は、第１の実施の形態と同様である。次に、マスク３１を除去する。
第２のエッチング工程では、例えば、収容溝４３ａの壁面のうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を、収容溝４３ａの壁面のうち第１の領域Ｒ１内に存在する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくする。あるいは、第２のエッチング工程では、収容溝４３ａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の幅が、基板１の上面に近づくに従って大きくなるようにする。
この工程では、マスク３１および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、初期溝４３Ｐａのうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分のみをエッチングすることによって、収容溝４３ａが完成される。そのため、収容溝４３ａの壁面のうち第２の領域Ｒ２内に存在する部分の位置は、収容溝規定層１３の開口部１３ａの縁によって、精度よく規定される。
第１のエッチング工程では、収容溝４３ａのうち、磁極層１６における第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に対向する部分が形成される。また、第２のエッチング工程では、収容溝４３ａのうち、磁極層１６における第３ないし第６の側面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６に対向する部分が形成される。
図２９は、次の工程を示す。図２９（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図２９（ｂ）は、図２９（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図２９（ｃ）は、図２９（ａ）に示した積層体の２９Ｃ−２９Ｃ線断面図である。図２９（ｄ）は、図２９（ａ）に示した積層体の２９Ｄ−２９Ｄ線断面図である。
この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性膜１４および研磨停止層１５を順に形成する。非磁性膜１４および研磨停止層１５は収容溝４３ａ内にも形成される。非磁性膜１４および研磨停止層１５の形成方法は、第１の実施の形態と同様である。
図３０は、次の工程を示す。図３０（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図３０（ｂ）は、図３０（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３０（ｃ）は、図３０（ａ）に示した積層体の３０Ｃ−３０Ｃ線断面図である。図３０（ｄ）は、図３０（ａ）に示した積層体の３０Ｄ−３０Ｄ線断面図である。
この工程では、後に磁極層１６となる磁性層１６Ｐを形成する。磁性層１６Ｐは、その上面が収容溝規定層１３、非磁性膜１４および研磨停止層１５の各上面よりも上方に配置されるように形成される。磁性層１６Ｐの形成方法は、第１の実施の形態と同様である。
図３１は、次の工程を示す。図３１（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図３１（ｂ）は、図３１（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３１（ｃ）は、図３１（ａ）に示した積層体の３１Ｃ−３１Ｃ線断面図である。図３１（ｄ）は、図３１（ａ）に示した積層体の３１Ｄ−３１Ｄ線断面図である。この工程では、第１の実施の形態と同様にして、収容溝規定層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁性層１６Ｐの上面を平坦化する。これにより、磁性層１６Ｐは磁極層１６となる。
図３２は、次の工程を示す。図３２（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図３２（ｂ）は、図３２（ａ）に示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上にヨーク層２０Ｂを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。
次に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２３が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２３の少なくとも一部が絶縁層２２の上に配置されるように、コイル２３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２３を形成してもよい。
次に、コイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２４を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２３が露出するまで絶縁層２５を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２３および絶縁層２４，２５の上面を平坦化する。
本実施の形態におけるその後の工程は、第１の実施の形態と同様である。すなわち、まず、コイル２３および絶縁層２４，２５の上に絶縁層２６を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド層２０を完成させる。次に、積層体の上面全体を覆うように保護層２７を形成する。次に、保護層２７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
［変形例］
以下、図３３ないし図３５を参照して、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。図３３は、第１の変形例における磁極層１６の一部を示す斜視図である。図３４は、第１の変形例における磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図３５は、第２の変形例における磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
図３３および図３４に示した第１の変形例では、磁極層１６のうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第１の底面Ｂ１を有し、磁極層１６のうち第２の領域Ｒ２に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第２の底面Ｂ２を有し、第２の底面Ｂ２は、第１の底面Ｂ１に比べて基板１の上面に近い位置に配置されている。また、磁極層１６は、底面Ｂ１，Ｂ２を連結する面Ｂ３を有している。
また、第１の変形例では、収容溝４３ａのうち第２の領域Ｒ２に配置された部分の一部は収容層４３を貫通し、収容溝４３ａのうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は収容層４３を貫通していない。収容溝４３ａのうち収容層４３を貫通している部分の底部は、底部形成層４２の上面によって形成される。
第１の変形例における磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、初期溝４３Ｐａのうち第２の領域Ｒ２に存在する部分における底部は底部形成層４２の上面に達するが、初期溝４３Ｐａのうち第１の領域Ｒ１に存在する部分における底部は底部形成層４２の上面に達しないように、非磁性層４３Ｐをエッチングする。これにより、第１のエッチング工程において、収容溝４３ａの最大の深さが決定される。
図３５に示した第２の変形例では、第１の変形例と同様に、磁極層１６のうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第１の底面Ｂ１を有し、磁極層１６のうち第２の領域Ｒ２に配置された部分は、基板１の上面に近い面である第２の底面Ｂ２を有し、第２の底面Ｂ２は、第１の底面Ｂ１に比べて基板１の上面に近い位置に配置されている。また、磁極層１６は、底面Ｂ１，Ｂ２を連結する面Ｂ３を有している。
また、第２の変形例では、収容溝４３ａのうち第２の領域Ｒ２に配置された部分の一部は収容層４３を貫通し、収容溝４３ａのうち第１の領域Ｒ１に配置された部分は収容層４３を貫通していない。収容溝４３ａのうち収容層４３を貫通している部分の底部は、底部形成層４２の上面によって形成される。第２の変形例では、第１の変形例に比べて、底部形成層４２が基板１の上面に近い位置に配置されている。
第２の変形例における磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、初期溝４３Ｐａの底部全体が底部形成層４２の上面に達しないように非磁性層４３Ｐをエッチングし、第２のエッチング工程では、収容溝４３ａのうち第２の領域Ｒ２に存在する部分における底部は底部形成層４２の上面に達するが、収容溝４３ａのうち第１の領域Ｒ１に存在する部分における底部は底部形成層４２の上面に達しないように、初期溝４３Ｐａをエッチングする。このようにして、第２の変形例では、第２のエッチング工程において、収容溝４３ａの最大の深さが決定される。
本実施の形態によれば、底部形成層４２によって、収容溝４３ａの最大の深さを精度よく制御することができる。これにより、本実施の形態によれば、磁極層１６の厚みを精度よく制御することが可能になる。
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１ないし第４の各変形例と同様の変形も可能である。また、本実施の形態において、第２の実施の形態と同様に、磁極層１６に第１および第２の上面Ｔ１，Ｔ２を形成してもよい。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態において、平面渦巻き形状のコイル９，２３の代わりに、磁極層１６を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面の一部を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面に平行な断面の一部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 磁極層のうちのトラック幅規定部と幅広部との境界近傍の部分を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態の第１の変形例における磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態の第２の変形例における磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態の第３の変形例の磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態の第４の変形例の磁気ヘッドにおける媒体対向面に平行な断面の一部を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態の第１の変形例における磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態の第１の変形例における磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態の第２の変形例における磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
符号の説明
１２…収容層、１２ａ…収容溝、１３…収容溝規定層、１４…非磁性膜、１５…研磨停止層、１６…磁極層、１６Ａ…トラック幅規定部、１６Ｂ…幅広部、１８…ギャップ層、２０…シールド層、２３…コイル。

Claims (28)

  1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の端部に接続され、前記トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有し、
    前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺は、トラック幅を規定し、前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
    前記磁極層は、更に、媒体対向面から１０〜３００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置された第１および第２の側面と、前記第１の領域以外の第２の領域に配置された第３および第４の側面と、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第１の側面と第３の側面とを接続する第５の側面と、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第２の側面と第４の側面とを接続する第６の側面とを有し、
    トラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔は、前記基板の上面に近づくに従って小さくなり、
    前記第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きく、
    前記第５の側面の幅と前記第６の側面の幅は、いずれも、前記基板の上面に近づくに従って大きくなることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  2. 前記第３の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
    前記第４の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  3. トラック幅方向についての前記第３の側面と第４の側面の間隔は、前記基板の上面に近づくに従って大きくなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  4. 前記第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離と等しいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  5. 前記第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  6. 前記第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  7. 更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する収容溝を有する収容層と、前記収容溝に連続する貫通した開口部を有し、前記収容層の上面の上に配置された収容溝規定層とを備え、前記収容溝規定層の開口部の縁は、前記収容層の上面における前記収容溝の縁の真上に配置され、前記磁極層の少なくとも一部は、前記収容層の収容溝内に収容されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  8. 前記収容溝規定層は、ＳｉＣよりなることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  9. 更に、非磁性材料よりなり、前記収容層と前記基板との間に配置されて前記収容層に接する底部形成層を備え、前記収容溝のうち少なくとも前記第２の領域に配置された部分の一部は前記収容層を貫通していることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  10. 前記底部形成層は、ＳｉＣよりなることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  11. 更に、非磁性材料よりなり、前記収容溝内において、前記収容層と前記磁極層との間に配置された非磁性膜を備えたことを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  12. 前記磁極層のうち前記第１の領域に配置された部分は、前記基板の上面に近い面である第１の底面を有し、前記磁極層のうち前記第２の領域に配置された部分は、前記基板の上面に近い面である第２の底面を有し、前記第２の底面は、第１の底面に比べて前記基板の上面に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  13. 前記トラック幅規定部は、前記基板の上面から遠い面である第１の上面を有し、前記幅広部は、前記基板の上面から遠い面である第２の上面を有し、前記第２の上面は、第１の上面に比べて前記基板の上面から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  14. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    非磁性材料よりなり、上面で開口する収容溝を有する収容層と、
    前記収容溝に連続する貫通した開口部を有し、前記収容層の上面の上に配置された収容溝規定層と、
    前記収容層、収容溝規定層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
    前記収容溝規定層の開口部の縁は、前記収容層の上面における前記収容溝の縁の真上に配置され、前記磁極層の少なくとも一部は、前記収容層の収容溝内に収容され、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の端部に接続され、前記トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有し、
    前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺は、トラック幅を規定し、前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
    前記磁極層は、更に、媒体対向面から１０〜３００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置された第１および第２の側面と、前記第１の領域以外の第２の領域に配置された第３および第４の側面と、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第１の側面と第３の側面とを接続する第５の側面と、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第２の側面と第４の側面とを接続する第６の側面とを有し、
    トラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔は、前記基板の上面に近づくに従って小さくなり、
    前記第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きく、
    前記第５の側面の幅と前記第６の側面の幅は、いずれも、前記基板の上面に近づくに従って大きくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
    後に前記収容溝が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
    前記非磁性層の上に前記収容溝規定層を形成する工程と、
    前記非磁性層のうち前記収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に、後にエッチングされることによって前記収容溝となる初期溝を形成する第１のエッチング工程と、
    前記収容溝規定層および前記初期溝のうち前記第１の領域内に存在する部分の上にマスクを形成する工程と、
    前記マスクおよび前記収容溝規定層をエッチングマスクとして用いて、前記初期溝のうち前記マスクによって覆われていない部分をエッチングすることによって、前記収容溝を完成させる第２のエッチング工程と、
    少なくとも一部が前記収容溝内に配置されるように前記磁極層を形成する工程と、
    前記コイルを形成する工程とを備え、
    前記第１のエッチング工程によって、前記収容溝のうち、前記磁極層における第１および第２の側面に対向する部分が形成され、
    前記第２のエッチング工程によって、前記収容溝のうち、前記磁極層における第３ないし第６の側面に対向する部分が形成されることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  15. 前記第３の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
    前記第４の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  16. トラック幅方向についての前記第３の側面と第４の側面の間隔は、前記基板の上面に近づくに従って大きくなることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  17. 前記第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離と等しいことを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  18. 前記第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  19. 前記第１の領域と第２の領域との境界位置と媒体対向面との間の距離は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界位置と媒体対向面との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  20. 前記収容溝規定層は、ＳｉＣよりなることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
  21. 前記磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、前記収容層と前記基板との間に配置されて前記収容層に接する底部形成層を備え、前記収容溝のうち少なくとも前記第２の領域に配置された部分の一部は前記収容層を貫通しており、
    磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記非磁性層を形成する前に前記底部形成層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  22. 前記底部形成層は、ＳｉＣよりなることを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  23. 前記第１のエッチング工程では、前記初期溝の底部全体が前記底部形成層の上面に達するように、前記非磁性層をエッチングすることを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  24. 前記第１のエッチング工程では、前記初期溝のうち前記第２の領域に存在する部分における底部は前記底部形成層の上面に達するが、前記初期溝のうち前記１の領域に存在する部分における底部は前記底部形成層の上面に達しないように、前記非磁性層をエッチングすることを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  25. 前記第１のエッチング工程では、前記初期溝の底部全体が前記底部形成層の上面に達しないように前記非磁性層をエッチングし、前記第２のエッチング工程では、前記収容溝のうち前記第２の領域に存在する部分における底部は前記底部形成層の上面に達するが、前記収容溝のうち前記１の領域に存在する部分における底部は前記底部形成層の上面に達しないように、前記初期溝をエッチングすることを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  26. 前記磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、前記収容溝内において、前記収容層と前記磁極層との間に配置された非磁性膜を備え、
    磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第２のエッチング工程と前記磁極層を形成する工程の間において前記非磁性膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  27. 前記磁極層のうち前記第１の領域に配置された部分は、前記基板の上面に近い面である第１の底面を有し、前記磁極層のうち前記第２の領域に配置された部分は、前記基板の上面に近い面である第２の底面を有し、前記第２の底面は、第１の底面に比べて前記基板の上面に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  28. 前記トラック幅規定部は、前記基板の上面から遠い面である第１の上面を有し、前記幅広部は、前記基板の上面から遠い面である第２の上面を有し、前記第２の上面は、第１の上面に比べて前記基板の上面から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
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