JP2008235437A - 半導体装置、及び半導体装置のテスト方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明によれば、高品質な半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明による半導体装置100は、P型ウェル9とP型ウェル9上に形成されるN型拡散層2とを備える半導体素子30と、N型ウェル8上に形成されるP型拡散抵抗40とを具備する。P型拡散抵抗40の一端10は、外部端子400に接続される。又、P型拡散抵抗40の他端50は、N型ウェル8とN型拡散層2とに電気的に接続される。
【選択図】図7
【解決手段】本発明による半導体装置100は、P型ウェル9とP型ウェル9上に形成されるN型拡散層2とを備える半導体素子30と、N型ウェル8上に形成されるP型拡散抵抗40とを具備する。P型拡散抵抗40の一端10は、外部端子400に接続される。又、P型拡散抵抗40の他端50は、N型ウェル8とN型拡散層2とに電気的に接続される。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体装置、及び半導体装置のテスト方法に関し、特に、高品質が要求される半導体装置、及びスクリーニングにおけるストレス加速試験に関する。
近年、半導体装置の用途が多様化する中、車載用、医療用、宇宙開発用の半導体装置は、その特性上、高品質、高信頼性が要求される。このため、製品出荷前にスクリーニングによって初期不良品や偶発不良品は選別されて除去される。スクリーニングには、製造工程においてストレスを加えずに行う外観検査と、製造後の製品に劣化や損傷を生じない程度のストレスを与えて存在不良品を劣化させて除去する加速試験(エージング)がある。上述のような高品質が求められる半導体製品には、製造後に行われるストレス加速試験が特に重要である。
例えば、図1に示すように、製品パッケージ600内の隣接するリード線300及び301上、又はその近傍に導電性屑500が存在する場合がある。製品パッケージ封入時に、導電性屑500がリード線300及び301の両方に接触していなくても、製品の利用環境(例えば振動、温度、高電圧印加)によっては、導電性屑500がリード線300及び301を短絡させ、製品に不具合を生じさせることがある。製造後に行われるストレス加速試験は、このような導電性屑500による短絡性不良を事前に顕在化させることができる。ここでは、相互に隣接するリード線300、301に接続する外部端子400、401に通常使用電圧よりも高い電圧を印加することによって、かろうじて短絡に至っていなかったリード線と導電性屑500とを短絡状態にし、後の電気的特性試験によって不良品を検出することができる。
しかし、従来技術による半導体装置では、ストレス加速試験において印加される電圧値は、外部端子に接続するバッファ等の素子耐圧によって制限される。このため、充分なストレス加速が実現できず、不良原因となる導電性屑500による短絡を顕在化することができない場合がある。ここで、従来技術による半導体装置に対してストレス加速(ストレス=電圧値)試験を行う場合について、その問題点を説明する。
従来技術による半導体装置の一例として特開平4−171983号公報に記載の半導体装置がある(特許文献1参照)。特許文献1には、製品端子(外部端子)と入力バッファとの間に静電耐量向上のためのN型拡散抵抗が設けられた半導体装置が記載されている。図2に、特許文献1に記載の半導体装置の入出力部の構成を示す。ここで、端子12及び13は、図1に示すパッド201及び202を介して外部端子400及び401に接続されているものとする。半導体チップ100のストレス加速検査が行われる際、外部端子400に低電圧、外部端子401に高電圧が印加される。
図2を参照して、特許文献1に記載の半導体装置は、端子12と、図示しない入力回路との間にN型拡散抵抗42を備える。N型拡散抵抗42の一端には、NMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ32のドレインが接続される。又、NMOSトランジスタ32のソースはGND端子22を介して接地される。
図3は、図2における端子12からN型拡散抵抗42を介してNMOSトランジスタ32までの構造を示す断面図である。従来技術によるN型拡散抵抗42及びNMOSトランジスタ32は、Pサブ92上のPウェル109上に形成される。N型拡散抵抗42とNMOSトランジスタ32は、素子分離領域106aによって分離される。N型拡散抵抗42の一端は、電極107aを介して端子12に接続され、他端は、電極107b、107cを介してNMOSトランジスタ32のドレイン拡散領域102に接続される。NMOSトランジスタ32は、ポリシリコンゲート101と、N型拡散層のドレイン拡散領域102及びソース拡散領域103とを備える。ソース拡散領域103は、電極107dを介してGND端子22に接続され、0Vが供給される。又、Pウェル109は、NMOSトランジスタ32と素子分離領域106bによって分離されたP型拡散層104を備える。P型拡散層104は、電極107eを介してGND端子22に接続され、Pウェル109に0Vを供給する。
端子13からN型拡散抵抗43を介してNMOSトランジスタ33までの構造も図3と同様である。このような構成の半導体装置の端子12、13のそれぞれに、例えば−6V、+6Vの電圧を印加してストレス加速試験を実施すると、0Vが印加されるPウェル109と、−6Vが印加されるN型拡散抵抗42によって順方向に電圧が印加された寄生ダイオードが形成される。このため、端子12からリード線300に大電流が流れてしまい、エレクトロマイグレーションによって半導体チップ内部のアルミ配線が断線する可能性がある。このような大電流を流さずにストレス加速試験を実施するためには、端子12に印加する電圧値の絶対値を小さくする必要がある。すなわち、特許文献1に記載の半導体装置に対しストレス加速試験を行う場合、端子12、13間(外部端子400、401間)に印加する電位差を小さく制限する必要がある。
一方、特開平2−70229号公報には、製品端子(外部端子)と入力バッファとの間に、外部サージ耐量向上のためのP型拡散抵抗が設けられた半導体装置が記載されている(特許文献2参照)。図4に、特許文献2に記載の半導体装置の入出力部の構成を示す。ここで、端子13及び14は、図1に示すパッド201及び202を介して外部端子400及び401に接続されているものとする。半導体チップ100のストレス加速検査が行われる際、外部端子400に低電圧、外部端子401に高電圧が印加される。
図4を参照して、特許文献2に記載の半導体装置は、端子14と、図示しない入力回路との間にP型拡散抵抗44を備える。P型拡散抵抗44の一端には、入力保護ダイオード34及び64が接続される。又、入力保護ダイオード34のアノードはGND端子24を介して接地される。入力保護ダイオード64のカソードはVDD端子74を介して電源VDD(+6V)に接続される。
図5は、図4における端子14からP型拡散抵抗44を介して入力保護ダイオード34までの構造を示す断面図である。従来技術によるP型拡散抵抗44は、Pサブ94上のNウェル208上に形成される。又、入力保護ダイオード34は、Pサブ94上のPウェル209上に形成される。Nウェル208は、P型拡散抵抗44と素子分離領域206aによって分離されたN型拡散層204を備える。N型拡散層204は、電極207cを介してVDD端子74に接続され、Nウェル208に+6Vを供給する。N型拡散層204と入力保護ダイオード34は、素子分離領域206bによって分離される。P型拡散抵抗44の一端は、電極207aを介して端子14に接続され、他端は、電極207b、207dを介して入力保護ダイオード34を形成するN型拡散層201に接続される。入力保護ダイオード34は、N型拡散層201とPウェル209とから形成される。Pウェル209は、N型拡散層201と素子分離領域206cによって分離されたP型拡散層205を備える。P型拡散層205は、電極207fを介してGND端子24に接続され、Pウェル209に0Vを供給する。
端子15からP型拡散抵抗45を介して入力保護ダイオード35までの構造も図5と同様である。このような構成の半導体装置の端子14、15のそれぞれに、例えば−6V、+6Vの電圧を印加してストレス加速試験を実施すると、端子14からP型拡散抵抗44に印加された−6VとP型拡散層204を介してNウェル208に印加された+6VとによってP型拡散抵抗44とNウェル208との境界に12Vの電位差が生じる。このため、素子耐圧が12Vより小さい素子は破壊される。このため、特許文献2に記載の半導体装置に対してストレス加速試験を行うためには、素子耐圧を超えないような電圧を印加する必要がある。
以上のように、従来技術においてストレス加速試験を行う際、隣接するリード線に印加する電圧値は、大電流発生に起因するエレクトロマイグレーションや、入出力部における素子耐圧等を考慮した値に設定される必要がある。このように従来技術では、ストレス加速試験における電圧値が低い値に制限されるため、高電圧では検出可能な導電性屑500による短絡不良が、顕在化しない可能性がある。
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号・符号を括弧付きで用いて、[課題を解決するための手段]を説明する。この番号・符号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]の記載との対応関係を明らかにするために付加されたものであるが、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
本発明による半導体装置(100)は、P型ウェル(9)とP型ウェル(9)上に形成されるN型拡散層(2)とを備える半導体素子(30)と、N型ウェル(8)上に形成されるP型拡散抵抗(40)とを具備する。P型拡散抵抗(40)の一端(10)は、外部端子(400)に接続される。又、P型拡散抵抗(40)の他端(50)は、N型ウェル(8)とN型拡散層(2)とに電気的に接続される。このような構成により、P型拡散抵抗(40)とN型ウェル(8)によって形成されるダイオード(80)には逆方向の電圧が印加されることとなる。又、N型ウェル(8)とN型拡散層(2)は電気的に接続されているため、N型ウェル(8)の電位は、半導体素子(30)に供給される電圧によって制御される。このため、P型拡散層(40)とN型ウェル(8)との間の電位差は大きくならず素子破壊が抑制され得る。
半導体装置(100)は、外部端子(400)に接続される電極パッド(201〜20n)を更に具備することが好ましい。この場合、P型拡散抵抗(40)の一端(10)は電極パッド(201)を介して外部端子(400)に接続される。
又、本発明に係る半導体素子は、N型MOSトランジスタ(30)であることが好ましい。この場合、N型MOSトランジスタ(30)のドレイン(2)は、P型拡散抵抗(40)の他端(50)又は一端(10)に電気的に接続される。
あるいは、本発明に係る半導体素子は入力保護ダイオードであることが好ましい。この場合、入力保護ダイオードの一端(例えばカソード)は、P型拡散抵抗の他端(50)に電気的に接続される。
本発明による半導体装置(100)に対し、ストレス加速試験が行われる場合、P型ウェル(9)にGND電位(例えば0V)が供給され、P型拡散抵抗(40)の一端(10)には、GND電位より低い第1電位(例えば、半導体装置(100)の素子耐圧である−6V)が供給されることが好ましい。
この場合、外部端子(400)は、第1リード線(201)を介してP型拡散抵抗(40)の一端(10)に第1電位(例えば−6V)を供給することが好ましい。他の外部端子(401)は、第1リード線(300)に少なくとも一部が隣接する第2リード線(301)を介して、GND電位より高い第2電位(例えば半導体装置(100)の素子耐圧である+6V)を他のP型拡散抵抗(41)の一端(11)に供給することが好ましい。
このように、少なくとも一部が隣接する2つのリード線(300、301)に対し、出力バッファを備える半導体装置(100)の耐圧電圧より大きい電圧を印加することで、リード線(300、301)の近傍に存在する導電性屑(500)とリード線(300、301)とを短絡させることができる。
本発明によれば、高品質な半導体装置を提供することができる。
又、信頼性の高いスクリーニングを行うことができる。
以下、添付図面を参照して、本発明による半導体装置、及び半導体装置のテスト方法の実施の形態を説明する。本発明による半導体装置は、図1に示される半導体チップ100としてパッケージ600内に収容される。半導体チップ100は、複数のパッド201〜20nを有する。複数のパッド201〜20nのそれぞれは、リード線やボンディングワイヤによって外部端子に接続される。本発明によるストレス加速試験では、少なくとも一部が隣接するリード線300、301に接続する外部端子400、401に対して素子耐圧以上の電圧が印加される。これによって、リード線300、301を短絡させる可能性のある導電性屑500を強制的に短絡させ、導電性屑500による短絡性不良を顕在化させる。ここで、リード線300、301はパッド201、202に接続される。図1では、パッド201とパッド202は隣接して設けられているが、これに限らず、パッド201とパッド202との間に他のパッドが設けられていても構わない。又、外部端子400、401も隣接して設けられていても、隣接していなくてもどちらでも良い。
1.第1の実施の形態
図6及び図7を参照して、本発明による半導体装置の第1の実施の形態を説明する。図6は、本発明による半導体装置の第1の実施の形態における入出力部の構成を示す回路図である。端子10及び11は、図1に示すパッド201及び202を介して外部端子400及び401に接続される。
図6及び図7を参照して、本発明による半導体装置の第1の実施の形態を説明する。図6は、本発明による半導体装置の第1の実施の形態における入出力部の構成を示す回路図である。端子10及び11は、図1に示すパッド201及び202を介して外部端子400及び401に接続される。
(構成)
図6を参照して、本発明による半導体装置は、端子10と入力回路(図示なし)との間設けられるP型拡散抵抗40と、NMOSトランジスタ30及びPMOSトランジスタ60を有する出力バッファを備える。P型拡散抵抗40の一端は端子10に接続され、他端はノード50を介してNMOSトランジスタ30及びPMOSトランジスタ60のドレインに接続される。又、NMOSトランジスタ30のソースはGND端子20を介して接地され、PMOSトランジスタ60のソースは、VDD端子70を介して電源VDD(+6V)に接続される。又、端末10には、外部端子400から−6Vが供給される。又、半導体装置は、端子11に接続されるP型拡散抵抗41、NMOSトランジスタ31、PMOSトランジスタ61を備える。P型拡散抵抗41の一端は端子11に接続され、他端はノード51を介してNMOSトランジスタ31及びPMOSトランジスタ61のドレインが接続される。又、NMOSトランジスタ31のソースはGND端子21を介して接地され、PMOSトランジスタ61のソースは、VDD端子71を介して電源VDD(+6V)に接続される。ここで、VDD端子70、71には、半導体装置(半導体チップ100)の製品電源が接続されているものとする。
図6を参照して、本発明による半導体装置は、端子10と入力回路(図示なし)との間設けられるP型拡散抵抗40と、NMOSトランジスタ30及びPMOSトランジスタ60を有する出力バッファを備える。P型拡散抵抗40の一端は端子10に接続され、他端はノード50を介してNMOSトランジスタ30及びPMOSトランジスタ60のドレインに接続される。又、NMOSトランジスタ30のソースはGND端子20を介して接地され、PMOSトランジスタ60のソースは、VDD端子70を介して電源VDD(+6V)に接続される。又、端末10には、外部端子400から−6Vが供給される。又、半導体装置は、端子11に接続されるP型拡散抵抗41、NMOSトランジスタ31、PMOSトランジスタ61を備える。P型拡散抵抗41の一端は端子11に接続され、他端はノード51を介してNMOSトランジスタ31及びPMOSトランジスタ61のドレインが接続される。又、NMOSトランジスタ31のソースはGND端子21を介して接地され、PMOSトランジスタ61のソースは、VDD端子71を介して電源VDD(+6V)に接続される。ここで、VDD端子70、71には、半導体装置(半導体チップ100)の製品電源が接続されているものとする。
図7は、図6における端子10からP型拡散抵抗40を介してNMOSトランジスタ30までの構造を示す断面図である。本発明に係るP型拡散抵抗40は、Pサブ90上のNウェル8上に形成される。又、NMOSトランジスタ30は、Pサブ90上のPウェル9上に形成される。Nウェル8上には、N型拡散層5が形成される。P型拡散抵抗40とN型拡散層5とは素子分離領域6aによって分離される。NMOSトランジスタ30は、ポリシリコンゲート1と、N型拡散層のドレイン拡散領域2及びソース拡散領域3とを備える。ソース拡散領域3は、電極7eを介してGND端子20に接続され、0Vが供給される。P型拡散抵抗40の一端は、電極7aを介して端子10に接続され、他端は、電極7b及びノード50を介して、電極7c及び電極7dに接続される。電極7cは、ノード50における電位をN型拡散層5を介してNウェル8に供給する。電極7dはドレイン拡散領域2とP型拡散抵抗40の他端とを電気的に接続する。又、Pウェル9上にはGND端子20に接地するためのP型拡散層4が形成される。P型拡散層4は、電極7fを介してGND端子20に接続され、Pウェル9に0Vを供給する。NMOSトランジスタ30とP型拡散層4とは、素子分離領域6cによって分離される。尚、端子11からP型拡散抵抗41を介してNMOSトランジスタ31までの構造は、図7と同様であるので説明を省略する。
NMOSトランジスタ30がOFF状態の場合、ノード50、すなわちNウェル8には、Pウェル9とドレイン拡散領域2によって形成される寄生ダイオードによる電圧Vfが供給される。あるいは、NMOSトランジスタ30がON状態の場合、Nウェル8には0Vが供給される。Vfは0に近い値であるため、NMOSトランジスタ30がON状態、OFF状態に関わらずNウェル8とP型拡散抵抗40との間の電位差は、約6Vとなる。このため、Nウェル8とP型拡散抵抗40との間の素子耐圧が±6Vである場合、端子10に−6Vを印加しても、従来技術のように素子破壊が起きることはない。又、P型拡散抵抗40とNウェル8とによって寄生ダイオード80が形成されるが、この寄生ダイオード80には逆方向の電圧が印加されるため、従来技術のような大電流の発生はない。更に、GND端子20から端子10へと流れる電流は、P型拡散抵抗40を介して流れるため、P型拡散抵抗40を適切な抵抗値に設定すれば、大電流を防止することができる。例えばP型拡散抵抗40は、100Ω以上に設定されることが好ましい。外部端子400に−6Vの電圧が印加される場合、6V÷100Ω=60mAの電流が流れる。この電流が出力バッファから外部端子400までの間に流れてもエレクトロマイグレーションが問題にならない程度にアルミ配線幅を設定することが好ましい。すなわち、P型拡散抵抗40によって、出力バッファから外部端子400に流れる電流を制御することができ、アルミ配線のエレクトロマイグレーションを防止することができる。
(テスト方法)
次に、本発明による半導体装置に対するストレス加速試験方法の実施の形態を説明する。図1を参照して、少なくとも一部が隣接するリード線300、301上に存在する導電性屑500を除去するためのストレス加速試験について説明する。ここでは、ストレス加速試験によって、外部端子400、401に出力バッファの素子耐圧以上の電圧が供給されることで、リード線300及び301の近傍に存在する導電性屑500はリード線300及び301と短絡状態となる。そして、その後のリークテストによってリード線300、301の短絡の有無が検査され、導電性屑500による短絡性不良を検出することができる。
次に、本発明による半導体装置に対するストレス加速試験方法の実施の形態を説明する。図1を参照して、少なくとも一部が隣接するリード線300、301上に存在する導電性屑500を除去するためのストレス加速試験について説明する。ここでは、ストレス加速試験によって、外部端子400、401に出力バッファの素子耐圧以上の電圧が供給されることで、リード線300及び301の近傍に存在する導電性屑500はリード線300及び301と短絡状態となる。そして、その後のリークテストによってリード線300、301の短絡の有無が検査され、導電性屑500による短絡性不良を検出することができる。
先ず、製品電源電圧(電源電圧VDD)として、GNDレベル(ここでは0V)に対して製品耐圧程度の電圧(ここでは6V)が供給される。次に製品(半導体チップ100)を動作させることにより出力バッファ(NMOSトランジスタ30及びPMOSトランジスタ60)をOFF状態にする。これにより出力バッファから端子11に流れる不要な電流を防止することができる。ただし、NMOSトランジスタ30についてはON状態で試験されても構わない。次に、外部端子400に−6V、外部端子401に6Vが印加されてストレス加速試験が行われる。本発明によれば、ストレス加速試験において外部端子間(リード線間)に印加可能な電位差は12Vと高電圧であるため、リード線300及び301上、又は近傍にある導電性屑500による短絡性不良を従来技術よりも効果的に顕在化して検出することができる。
又、上述の高電圧を印加するストレス加速試験の後、外部端子400、401間(リード線300、301間)が短絡していないかどうかの試験が行われる。
本発明による半導体装置は、出力バッファと外部端子400との間に抵抗素子(P型拡散抵抗40)が設けられている構成である。このため、通常使用電圧範囲であれば、出力バッファは問題なく動作する。
2.第2の実施の形態
図8を参照して、本発明による半導体装置の第2の実施の形態を説明する。第2の実施の形態における半導体装置では、出力バッファであるNMOSトランジスタ30とPMOSトランジスタ60との間に、P型拡散抵抗40が設けられる。図8を参照して、出力バッファを形成するNMOSトランジスタ30とPMOSトランジスタ60との間にP型拡散抵抗40とポリシリコン抵抗700とが直列に接続される。ここで端子10からP型拡散抵抗40を介してNMOSトランジスタ30までの構造は、第1の実施の形態と同様である。ただし、第2の実施の形態では、P型拡散抵抗40とNMOSトランジスタ30のドレイン拡散層2とを接続する電極7c及び7dは、ポリシリコンで形成される。このような構成により、第1の実施の形態と同様に、端子10及び11に素子耐圧以上の電位差を印加することができる。
図8を参照して、本発明による半導体装置の第2の実施の形態を説明する。第2の実施の形態における半導体装置では、出力バッファであるNMOSトランジスタ30とPMOSトランジスタ60との間に、P型拡散抵抗40が設けられる。図8を参照して、出力バッファを形成するNMOSトランジスタ30とPMOSトランジスタ60との間にP型拡散抵抗40とポリシリコン抵抗700とが直列に接続される。ここで端子10からP型拡散抵抗40を介してNMOSトランジスタ30までの構造は、第1の実施の形態と同様である。ただし、第2の実施の形態では、P型拡散抵抗40とNMOSトランジスタ30のドレイン拡散層2とを接続する電極7c及び7dは、ポリシリコンで形成される。このような構成により、第1の実施の形態と同様に、端子10及び11に素子耐圧以上の電位差を印加することができる。
以上のように、本発明によれば、パッケージ絶縁物内で隣接するリード線やボンディングワイヤに対し、高電圧を印加することができる。これにより、従来技術では検出できなかったパッケージ内に内在するショート性不良を検出することが可能となる。又、外部端子と出力バッファとの間に流れる電流をP型拡散抵抗40によって制御することができるため、ストレス加速試験に起因するエレクトロマイグレーションを抑制することができる。
以上、本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。本実施の形態では、出力バッファ(NMOSトランジスタ30)と端子10との間にP型拡散抵抗40を挿入した構成について説明したが、入力保護ダイオードと端子10との間にP型拡散抵抗40を挿入した形態でも良い。この場合、半導体装置には、NMOSトランジスタ30に替えて、電極を介してノード50に接続するN型拡散層とPウェル9とから形成される入力保護ダイオードが設けられる。又、第1の実施の形態において、NMOSトランジスタ30のドレインとP型拡散抵抗40との間にポリシリコン抵抗が設けられていても良い。
10、11:端子
20、21:GND端子
30、31:Nチャネル型MOSトランジスタ
40、41:P型拡散抵抗
50、51:ノード
60、61:Pチャネル型MOSトランジスタ
70、71:VDD端子
80、81:寄生ダイオード
90:Pサブ
1:ポリシリコンゲート
2:ドレイン拡散層
3:ソース拡散層
4:P型拡散層
5:N型拡散層
6a〜6c:素子分離領域
7a〜7f:電極
8:Nウェル
9:Pウェル
100:半導体チップ
201〜20n:パッド
300、301:リード線
400、401:外部端子
500:導電性屑
600:パッケージ
700、701:ポリシリコン抵抗
20、21:GND端子
30、31:Nチャネル型MOSトランジスタ
40、41:P型拡散抵抗
50、51:ノード
60、61:Pチャネル型MOSトランジスタ
70、71:VDD端子
80、81:寄生ダイオード
90:Pサブ
1:ポリシリコンゲート
2:ドレイン拡散層
3:ソース拡散層
4:P型拡散層
5:N型拡散層
6a〜6c:素子分離領域
7a〜7f:電極
8:Nウェル
9:Pウェル
100:半導体チップ
201〜20n:パッド
300、301:リード線
400、401:外部端子
500:導電性屑
600:パッケージ
700、701:ポリシリコン抵抗
Claims (10)
- P型ウェルと、前記P型ウェル上に形成されるN型拡散層とを備える半導体素子と、
N型ウェル上に形成されるP型拡散抵抗と、
を具備し、
前記P型拡散抵抗の一端は、外部端子に接続され、
前記P型拡散抵抗の他端は、前記N型ウェルと前記N型拡散層とに電気的に接続される
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記外部端子に接続される電極パッドを更に具備し、
前記P型拡散抵抗の一端は前記電極パッドを介して前記外部端子に接続される
半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記半導体素子は、Nチャネル型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタであり、
前記Nチャネル型MOSトランジスタのドレインは、前記P型拡散抵抗の他端に電気的に接続される
半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記NチャネルMOSトランジスタとともに出力バッファを形成するPチャネル型MOSトランジスタを更に具備し、
前記Pチャネル型MOSトランジスタのドレインは、前記P型拡散抵抗の一端に電気的に接続される
半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記Nチャネル型MOSトランジスタとともに出力バッファを形成するPチャネル型MOSトランジスタを更に具備し、
前記Pチャネル型MOSトランジスタのドレインは、前記P型拡散抵抗の他端に電気的に接続される
半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記半導体素子は入力保護ダイオードであり、
前記入力保護ダイオードの一端は、前記P型拡散抵抗の他端に電気的に接続される
半導体装置。 - 請求項1から6いずれか1項に記載の半導体装置において、
前記P型ウェルにはGND電位が供給され、
前記P型拡散抵抗の一端には、前記GND電位より低い第1電位が供給される
半導体装置。 - 前記外部端子は、第1リード線を介して前記P型拡散抵抗の一端に前記第1電位を供給し、
他の外部端子は、前記第1リード線に少なくとも一部が隣接する第2リード線を介して、前記GND電位より高い第2電位を他のP型拡散抵抗の一端に供給する
半導体装置。 - 請求項3から8いずれか1項に記載の半導体装置において、
前記N型MOSトランジスタのドレインは、ポリシリコン抵抗を介して前記P型拡散抵抗の他端に電気的に接続される
半導体装置。 - 出力バッファに含まれるMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタをオフ状態にするステップと、
少なくとも一部が隣接する2つのリード線に対し、前記リード線に接続される素子の素子耐圧より大きい電圧を印加するステップと、
を具備する半導体装置のテスト方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007070505A JP2008235437A (ja) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 半導体装置、及び半導体装置のテスト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2007070505A JP2008235437A (ja) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 半導体装置、及び半導体装置のテスト方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235437A true JP2008235437A (ja) | 2008-10-02 |
Family
ID=39907917
Family Applications (1)
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JP2007070505A Withdrawn JP2008235437A (ja) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 半導体装置、及び半導体装置のテスト方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2008235437A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016203942A1 (ja) * | 2015-06-15 | 2016-12-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 車載用の半導体チップ |
-
2007
- 2007-03-19 JP JP2007070505A patent/JP2008235437A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2016203942A1 (ja) * | 2015-06-15 | 2016-12-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 車載用の半導体チップ |
JP2017005179A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 車載用の半導体チップ |
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