JP2008233785A - ブザー付き電子機器、ブザー駆動回路、及びブザー駆動用半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】コストアップを生じさせること無く、電子機器単体にて最適なブザー音圧に調整が可能なシステムを提供する。
【解決手段】ブザー駆動信号発生回路に適用可能な複数のブザー駆動条件を記憶する駆動条件記憶手段と、ブザー駆動後の停止期間に発生する電気的自由振動信号を入力し、該電気的自由振動信号の特性値を測定し対応する特性値データを出力する特性値測定回路を有し、以下の処理を行い調整する。
（１）駆動条件記憶手段の駆動条件で順次ブザー駆動し、その後停止させ、
（２）停止期間において特性値測定回路より出力される特性値データを入力し、
（３）（１）（２）の処理を順次繰り返し、複数の駆動条件に対応した特性値データを取得し、前記複数の特性値データ中の最良値を判断する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ブザー付き電子機器、ブザー駆動回路、及びブザー駆動用半導体装置に関し、特に音圧調整機能を有するものに関する。

一般に電子時計等の電子機器には、時報やアラーム音等を発音するブザー機能を備えたものが数多くある。

従来この種の機能を実現する構成としては、例えば図５（ａ）に示すようなものが一般的である。１は、発振回路１０１、分周回路１０２、波形整形回路１０３から構成されるブザー駆動信号発生回路であり、発振回路１０１で作成した基準信号を分周回路１０２で分周して各種タイミング信号を作成し、波形整形回路１０３はそのタイミング信号を受けてブザー駆動信号１ａを出力する。２はブザー駆動信号１ａを入力し、ブザー駆動信号を出力するブザードライブ部、３は圧電素子を金属もしくはガラス等の振動板に貼着して成るブザーである。

ブザードライブ部２は図示しないが、例えばコイルやトランジスタ等を用いて昇圧した信号によりブザー３を駆動するが、その入力となるブザー駆動信号１ａの周波数やデューティー（ブザー駆動信号のＯＮ／ＯＦＦ比）は駆動回路毎に予め一種類に固定されていた。

この為、ブザードライブ部２の構成部品やブザー３の構造、更には組み立て上の各種ばらつきにより予め固定された一種類の周波数やデューティーでは、必ずしも最適な音圧を得る為の設定値とはならず、厳密には調整が必要であった。

また電子時計において、計時駆動やブザー機能を担うムーブメントに対し、複数種類の外装ケースを適用する場合が殆どである為、ムーブメント毎に予め固定された一種類の周波数やデューティーでは必ずしも外装とマッチせず、最適な音圧を得ることが出来ない場合があった。

そこで、電子時計毎に最適な音圧に調整すべく、ブザー駆動条件を設定する方法が提案されている（特許文献１参照）。以下、図面に基づいて特許文献１より、従来の音圧調整機能を有するブザー付き電子時計を説明する。

図５（ｂ）は、特許文献１に開示された従来の音圧調整機能を有する電子時計のブザー機能の構成を示すブロック図であって、特許文献１の内容をモディファイしたものである。従来例の図５（ａ）と同じ部分は同じ符号を付して説明を省略する。８は外部操作スイッチ、９は駆動周波数変更手段である。

この従来技術においては、音圧調整工程にて電子時計の外部操作スイッチ８の操作により駆動周波数変更手段９にて、ブザー駆動信号１ａの周波数をブザーの共振周波数とマッチするよう波形整形回路１３を制御することで、電子時計毎に最適なブザー音圧に調整する技術が示されている。
特公平３−６４０号公報

しかしながら上記特許文献１記載の技術は、外部操作スイッチ８の操作によりブザー駆動信号１ａを変更する度に、例えばマイクを用いた測定器等によりブザー音圧をモニタし、最適な音圧になったことを測定器等の値から判別して該ブザー駆動信号１ａの周波数を固定する作業が必要となる。

従って、基本的には人による作業の為、製造工程数が増えコストアップを生じさせる為、実際に採用できるのはかなりの高級品に限られてしまう恐れがある。
本発明の目的は上記問題点を解決し、コストアップを生じさせること無く、電子機器単体にて最適なブザー音圧に調整が可能なシステムを提供することである。

上記課題を解決する為に、本発明のブザー付き電子機器及びブザー駆動用半導体装置は、下記記載の構成を採用する。

ブザーを駆動する為のブザー駆動信号を出力する為の回路であって、複数のブザー駆動条件を設定可能なブザー駆動信号発生回路と、該ブザー駆動信号発生回路に適用可能な複数のブザー駆動条件を記憶する駆動条件記憶手段と、ブザーが駆動された後の停止期間に発生する電気的自由振動信号を入力し、該電気的自由振動信号の特性値を測定し対応する特性値データを出力する特性値測定回路と、以下の（１）〜（４）に記載の調整工程を実施する制御部とを有することを特徴とする。
（１）前記駆動条件記憶手段に記憶されている駆動条件を順次読み出した上で、前記ブザー駆動信号発生回路に設定した後、前記ブザー駆動信号発生回路を所定時間駆動し、その後停止させ、
（２）前記ブザー駆動信号発生回路駆動後の停止期間において前記特性値測定回路より出力される特性値データを入力し、
（３）（１）（２）の処理を順次繰り返し、前記複数の駆動条件に対応した特性値データを取得し、
（４）前記複数の特性値データ中の最良値を判断する。

これにより、ブザー付き電子機器単体で、複数の駆動条件に対応した特性値データ中のうち最良値を判断することで最適なブザー音圧に設定出来る為、人による作業や製造工程増に伴うコストアップを生じることなく、様々な外装ケースや機種に適用することが出来る。

また、書き込み／消去が可能であって、前記駆動条件記憶手段に記憶されている複数のブザー駆動条件のうち１つを記憶可能な最適条件記憶手段を有し、前記制御部が前記最良値に対応する駆動条件を前記最適条件記憶手段に書き込むことを特徴とする。

これにより、最適なブザー音圧となる駆動条件を最適条件記憶手段に書き込んで記憶しておくことが出来る為、一度調整するだけで以後は不要な調整工程を実施する必要が無くなる。

また、前記制御部は、ブザー駆動要求が有った場合に、前記最適条件記憶手段のデータを読み出し、消去されていなければ前記最適条件記憶手段に記憶された駆動条件にて前記ブザー駆動信号発生回路を駆動し、消去されていれば、前記調整工程を実施することを特徴とする。

これにより、通常は最適なブザー音圧となる駆動条件にて前記ブザー駆動信号発生回路が駆動され、新たに最適なブザー音圧となる駆動条件に調整する必要がある場合のみ、前記調整工程を実施することが出来る。

また、前記特性値測定回路が、前記電気的自由振動信号の振幅レベルが所定値以下となる減衰時間を測定する減衰時間測定回路であり、該減衰時間測定回路は、前記減衰時間に対応するデジタルデータを出力することを特徴とする。

これにより、測定した前記減衰時間から最適なブザー音圧となる駆動条件を判断する前記制御部の回路はＡ／Ｄコンバータ等の複雑な回路を必要としない為、面積の小さい簡単な構成に出来る。

また、前記制御部が、前記最適条件記憶手段のデータにより前記ブザー駆動信号発生回路を駆動した場合に前記特性値データが出力されない場合は、以降の前記ブザー駆動信号発生回路の駆動を停止し、前記最適条件記憶手段のデータを消去することを特徴とする。

これにより、最適なブザー音圧となる駆動条件に再度調整する必要がある場合を検出して前記最適条件記憶手段のデータを消去し、次のブザー駆動要求が有った場合に、前記調整工程を実施出来る。

また、前記複数の駆動条件が複数の周波数であることを特徴とする。

これにより、複数の周波数の中からブザーの共振周波数とマッチするような周波数を選択出来る。

また、前記駆動条件記憶手段に記憶されている複数の周波数の周波数領域が１オクターブ以上であることを特徴とする。

これにより、通常ブザーの共振周波数とマッチするような周波数が１種類は検出出来る。

前期所定時間が３０ｍｓ以上２００ｍｓ以下であることを特徴とする。

これにより、前記ブザー駆動信号発生回路駆動後の停止期間において、前記最良値を判断するのに有効な特性値データを測定出来る。

前記制御部が、前記最良値に対応する駆動条件が複数ある場合は、ブザー駆動時の消費電流的に有利な駆動条件を採用し、前記最適条件記憶手段に書き込むことを特徴とする。

これにより、低消費電力で最適な音圧となるブザー駆動が実現出来る。

前記駆動条件記憶手段は複数の駆動周波数に対応するデューティーを記憶し、前記ブザー駆動信号発生回路に駆動周波数と共に対応するデューティーを設定することを特徴とする。

これにより、低消費電力で最適な音圧となるブザー駆動が実現出来る。

前記最適条件記憶手段が不揮発性メモリで構成されていることを特徴とする。

これにより、一度合わせ込みを行えば、次回ブザー駆動時からは調整工程を不要に出来る。

また、本発明のブザー付き電子機器は、ブザー駆動回路と、ブザーと、前記ブザー駆動
信号発生回路の出力する駆動信号を入力し前記ブザーを駆動するブザー駆動手段とを有することを特徴とする。

また、本発明のブザー駆動用半導体装置は、ブザー駆動回路を積層したことを特徴とする。

また、本発明のブザー付き電子機器は、ブザー駆動用半導体装置と、ブザーと、前記ブザー駆動信号発生回路の出力する駆動信号を入力し前記ブザーを駆動するブザー駆動手段とを有することを特徴とする。

これらの各発明においても、ブザー付き電子機器単体で、複数の駆動条件に対応した特性値データ中のうち最良値を判断することで最適なブザー音圧に設定出来る為、人による作業や製造工程増に伴うコストアップを生じることなく、様々な外装ケースや機種に適用することが出来る。

前記特性値測定回路の入力側に直列に挿入された抵抗が、前記ブザー駆動用半導体装置の外部に外付けされていることを特徴とする。

これにより、前記ブザーから入力される高い振幅レベルの電気的自由振動信号による静電破壊を防止することが出来る。

上記の如く本発明によれば、ブザー付き電子機器単体で、複数の駆動条件に対応した特性値データ中のうち最適なブザー音圧となる最良値を判断できる為、人による作業や製造工程増に伴うコストアップを生じることなく、様々な外装ケースや機種に適用可能なブザー駆動回路を提供出来る。

以下図面により本発明の実施形態を詳述する。図１は本発明の音圧調整付きブザー駆動回路の構成を示すブロック図である。図２は本発明の動作フローチャート図である。図３は本発明の一実施形態を示す図である。図４は本発明の音圧調整工程動作の一実施形態を示すタイミングチャート図である。

図１に基づいて本発明の音圧調整付きブザー駆動回路の構成を説明する。尚、従来例の図５（ａ）、図５（ｂ）と同じ部分は同じ符号を付して説明を省略する。
図１に於いて、４は前記ブザー駆動信号発生回路１に適用可能な複数のブザー駆動条件を記憶しておく駆動条件記憶手段で、５はブザー３が駆動された後の停止期間に発生する電気的自由振動信号３ａを入力し、該電気的自由振動信号３ａの特性値を測定し対応する特性値データ５ａを出力する特性値測定回路である。
６は前記駆動条件記憶手段４に記憶されている複数の駆動条件で前記ブザー３を駆動した時に得られる特性値データ５ａを入力し、最良値を判断する制御部である。７は前記駆動条件記憶手段４に記憶されている複数の駆動条件のうち、最適な条件を記憶する最適条件記憶手段である。

次に、図２のフローチャートに基づいて動作を説明する。まず、ブザー駆動要求が有った場合に、前記制御部６が書き込み／消去可能な例えば不揮発性メモリから成る最適条件記憶手段７からデータを読み出す（Ｓ１）。該データを判別した結果（Ｓ２）、書き込みデータが存在した場合（Ｓ２：Ｙ）、既に最適条件に調整済であるので、該データにて前記ブザー駆動信号発生回路１を所定時間駆動してブザー駆動信号１ａを出力し、ブザード
ライブ部２を介してブザー３を駆動する（Ｓ３）。この時、制御部６は前記ブザー３が駆動された後の停止期間（Ｓ４）に発生する電気的自由振動信号３ａから、前記特性値測定回路５にて特性値を測定し対応する特性値データ５ａを取得する（Ｓ５）。

該特性値データ５ａが例えば１以上のような有効値であるかを判別した結果（Ｓ６）、有効値と判断した場合（Ｓ６：Ｙ）、前記ブザー駆動信号発生回路１の駆動を継続してブザー３駆動を再開する（Ｓ８）。この場合は、既に最適条件に調整済であり、かつ、ブザー３も接続されているので、以降のブザー３の駆動は、この最適条件により行えば良い。

逆に、例えば０のような有効値でないと判断された場合（Ｓ６：Ｎ）、前記ブザー駆動信号発生回路１の駆動を停止し、前記最適条件記憶手段７のデータを全消去する（Ｓ７）。この場合は、既に最適条件に調整済であったが、何らかの理由、例えば、時計の場合で言えば、電池交換などで裏蓋が開けられ、ブザー３が接続されていない場合である。
ブザー３が接続されていない状態で駆動を実行しても無駄なので、節電のため、駆動を停止するのである。
また、電池交換が終了し、再度ブザー３が接続されたとしても、接続状態（裏蓋の閉め方など）が、前回調整時と変わっている可能性も有るので、再度の調整を行うために、データを全消去する。

また、Ｓ２にて前記最適条件記憶手段７からデータを読み出した結果、書き込みデータが存在しなかった場合（Ｓ２：Ｎ）は、未調整であるので、音圧調整工程を実施する。まず、前記駆動条件記憶手段４から複数の駆動条件のうち１つ目の駆動条件を読み出して前記ブザー駆動信号発生回路１に設定する（Ｓ９）。ここで、該駆動条件にて所定時間ブザー３を駆動（Ｓ１０）した後、ブザー駆動を停止する（Ｓ１１）。この時、前記制御部６はブザー３が駆動された後の停止期間に発生する電気的自由振動信号３ａから、前記特定値測定回路５にて特性値を測定し対応する特性値データ５ａを取得する（Ｓ１２）。

次に、前記駆動条件記憶手段４から複数の駆動条件のうち２つ目の駆動条件を読み出して同様に対応する特性値データ５ａを取得する。以降、順次前記駆動条件記憶手段４に記憶されている駆動条件を読み出し、対応する全ての特性値データ５ａを取得する（Ｓ１３）。前記制御部６は全ての特性値データ５ａのうち最良値を判断し（Ｓ１４）、該最良値に対応する駆動条件を前記最適駆動条件記憶手段７に書き込む（Ｓ１５）。

ここで、駆動条件記憶手段４に記憶される複数のブザー駆動条件は複数の周波数とすることで、その中からブザーの共振周波数とマッチするような周波数を選択出来るようにしている。

更に、該複数の周波数の領域は例えば２ｋＨｚ〜５ｋＨｚといった１オクターブ以上としておくことで、通常ブザー３の共振周波数とマッチするような周波数が最低１種類は存在することになる為、複数種類の外装ケースを適用する場合でも個々に最適な周波数に設定可能としている。

また、ブザー３を駆動する前記所定時間については（Ｓ３とＳ１０で実施）、出願人の実験測定により、３０ｍｓ以上２００ｍｓ以下が適正と考えている。３０ｍｓ未満であると、ブザー３が駆動された後の停止期間に発生する前記ブザー３の機械的自由振動によって発生した電気的自由振動信号３ａの振幅レベルが充分ではなく、前記特性値測定回路５にて有効な特性値データ５ａを出力出来なくなる為最良値が判断出来ない。また、２００ｍｓより大きいと、前記電気的自由振動信号３ａの振幅レベルが充分になり、前記特性値測定回路５にて有効な特性値データ５ａを出力することが可能になる為最良値が判断出来るが、ブザー３の駆動時間間隔が長くなり過ぎブザー音が不自然になったり、音圧調整時
間が長くなり過ぎる恐れがあるからである。

また、前記制御部６は前記最良値が複数ある場合は、最も消費電流が少なくなるような周波数を駆動条件として採用し、前記最適条件記憶手段７に書き込んでおくようにしている。例えば、駆動周波数が２ｋＨｚと３ｋＨｚでの駆動の場合が最良であった場合、通常は周波数の低い２ｋＨｚの方が消費電流が少ないので、２ｋＨｚを最適条件と判断する。

また、前記駆動条件記憶手段４は複数の周波数を駆動条件として記憶するが、各周波数毎に低消費電流且つ高音圧になるような最適なデューティーも併せて記憶しておき、ブザー駆動要求が有った場合に、前記ブザー駆動信号発生回路１に各周波数と共に対応するデューティーも設定するようにしている。

次に、図３と図４に基づいて本発明の音圧調整付きブザー駆動回路の音圧調整工程の一実施形態を説明する。まず図３を用いて構成を説明する。１０はブザー駆動信号発生回路１や駆動条件記憶手段４、制御部６、最適条件記憶手段７、特性値測定回路５の一部を含むブザー駆動回路であり、電源電圧ＶＤＤと接地電圧ＶＳＳが印加されている。

ブザー駆動回路１０は、ディスクリ−ト部品により構成しても良いし、ＩＣ化しても良い。本実施例では、ＩＣ化された場合を例示している。

２は前記ブザー駆動信号発生回路１に接続されたベース抵抗２１とＮＰＮトランジスタ２２より成るブザードライブ部で、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタは接地電圧ＶＳＳへ、コレクタは後述のブザー３と特性値測定回路５に接続されている。

ブザー３は一方が電源電圧ＶＤＤと接続されたコイル３２と圧電素子３１からなり、他方は前記ブザードライブ部２と特性値測定回路５に接続されており、該接続点Ａにブザー３が駆動された後の停止期間に発生する前記ブザー３の機械的自由振動によって発生した電気的自由振動信号３ａが生じる。

特性値測定回路５は該電気的自由振動信号３ａを入力し、直流カット用コンデンサ５１と入力抵抗５２、増幅用のインバータ５３、該インバータ５３の入出力間に接続された帰還抵抗５４、該インバータ５３の出力と前記制御部６からの増幅許可信号１１ａを入力して、電気的自由振動信号３ａをデジタル信号化した特性値データ５ａを前記制御部６に出力するＡＮＤゲート１１から成る。

特性値測定回路５の構成要素は、全てＩＣ化されたブザー駆動回路１０に内蔵しても良いが、小型化が難しい直流カット用コンデンサ５１と、静電破壊を防ぐ働きもある入力抵抗５２は、ディスクリ−ト部品により外付けとするほうが好ましい。

次に、図４を用いて動作を説明する。ブザー駆動要求があって前記制御部６が最適条件記憶手段７からデータを読み出した結果、例えば全て消去されて０であるような場合に音圧調整工程を開始する。

まず、前記駆動条件記憶手段４に記憶された駆動条件のうち例えば２．０ｋＨｚの駆動条件を読み出して前記ブザー駆動信号発生回路１に設定してブザー駆動信号１００１により所定時間Ｔだけブザー３を駆動する。この時、所定時間Ｔの間はコイル３２の逆起電圧波形３００１ａが電気的自由振動信号３ａとして測定され、所定時間Ｔ後のブザー駆動停止区間では、圧電素子３１の機械的自由振動によって発生する減衰振動電圧波形３００１ｂが電気的自由振動信号３ａとして測定される。

該電気的自由振動信号３ａは前記特性値測定回路５に入力され、直流カット用コンデンサ５１により交流成分のみが取り出され、入力抵抗５２とインバータ５３、帰還抵抗５４からなる増幅回路により増幅信号１２０１となる。尚、該増幅回路の増幅率は前記入力抵抗５２と帰還抵抗５４の比でおおよそ決定される。

該増幅信号１２０１と前記制御部６からの増幅許可信号１０１１に対し、例えば電源電圧ＶＤＤの半分といった所定電圧値Ｖｔｈを論理しきい値とする前記ＡＮＤゲート１１で論理積を取ると、前記逆起電圧波形３００１ａに対応する電圧波形がマスクされ、前記減衰振動電圧波形３００１ｂに対応する増幅信号１２０１のうち前記所定電圧Ｖｔｈ以上の部分のみ特性値データ５００１として取得することが出来る（本例では“２”というカウント値）。即ち、該特性値データ５００１は前記圧電素子３１の機械的自由振動によって発生する減衰振動時間に対応するデジタルデータであり、Ａ／Ｄコンバータのような複雑な回路を必要としないでデジタル化が可能である為、容易に前記制御部６での処理が可能である。

以下同様に、例えば２．２ｋＨｚの駆動条件に対応するブザー駆動信号１００２でブザー３を駆動したときに、対応する特性値データ５００２（本例では“３”というカウント値）を取得することが出来、次に例えば２．４ｋＨｚの駆動条件に対応するブザー駆動信号１００３でブザー３を駆動したときに、対応する特性値データ５００３（本例では“５”というカウント値）を取得することが出来る。

この処理を順次繰り返し、記憶されている例えば５．０ｋＨｚの駆動条件に対応するブザー駆動信号１００５までの全てのブザー駆動信号１ａ（本例では１００１〜１００５）に対応する特性値データ５ａ（本例では５００１〜５００５）であるカウント値を全て取得する。

全データ取得して比較することにより、前記制御部６にて最大のカウント値となった“５”を最良値と判断し、該最良値に対応する駆動条件である２．４ｋＨｚを外装の共振周波数とマッチした駆動条件と判断し、前記最適条件記憶手段７に書き込む。以降は、ブザー駆動を行う毎に最適な音圧を得られる駆動条件である２．４ｋＨｚで前記ブザー駆動信号発生回路１が駆動されるようになる。

また、最適なブザー音圧となる駆動条件に再度調整する必要がある場合、具体的には異なる外装ケースにムーブメントを入れ替えた場合が想定されるが、このとき新しい外装の共振周波数にマッチした駆動条件に設定する音圧調整工程が必要となる。これについては、図２の動作フローチャートと図４の構成から類推出来る為詳細は省くが、必要となるのは圧電素子３１を金属もしくはガラス等の振動板に貼着して成るブザー３を外装ケースから外すことである。これについては、新しい外装ケースにムーブメントを入れ替える工程の途中に必ず生じる為、特にコストアップにはならない。（図２のＳ６、Ｓ７相当）
ブザー３を外装ケースから外した状態でブザー駆動要求があると、先に述べた最適駆動条件にて前記ブザー駆動信号発生回路１が駆動されるが、電気的自由振動信号３ａのうち前記ブザー駆動を行う所定時間Ｔ後のブザー駆動停止区間にて、圧電素子３１の機械的自由振動によって発生する減衰振動電圧波形が存在しない為、対応する特性値データ５ａが“０”となる。これを前記制御部６が検出し、前記最適条件記憶手段７のデータを全消去して、次の音圧調整工程に備えることが可能となる。

また、前記特性値測定回路５の入力抵抗５２は、ブザー３駆動時の前記所定時間Ｔの間にコイル３２から発生する高い振幅レベルの逆起電圧による静電破壊を防止する為、前記ブザー駆動回路１を含むブザー駆動用半導体装置の外部に高耐圧のディスクリート部品を
用いて外付けされている。

この入力抵抗５２は、製品の落下などで衝撃が加わった時に圧電素子３１より発生する逆起電圧に対しても同様に有効である。

以上のように、本発明によればブザー付き電子機器単体で、複数の駆動条件に対応した特性値データ中のうち最良値を判断することで最適なブザー音圧に設定出来る為、人による作業や製造工程増に伴うコストアップを生じることなく、様々な外装ケースや機種に適用することが出来る。
尚、本発明の実施例で提示したブロック図や回路構成、フローチャート図やタイミングチャート図はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更することが出来る。

制御部６は、ランダムロジックで構成しても良いし、マイクロコンピュータによる制御を行っても良い。

最適条件記憶手段７については、不揮発性メモリで説明を行ってきたが、揮発性メモリ（ＲＡＭなど）であっても良い。通常、機器の使用時には、電源は常に与えられるので最適条件記憶手段７を揮発性メモリで構成することに問題は無い。

一般に、不揮発性メモリはそれ自体が効果である上、書込／消去時に高電圧が必要なため昇圧回路が必要であり、システムが高価になるが、安価な揮発性メモリを使用することで、安価なシステムとすることが出来る。

この実施形態は、ＲＡＭの使用が必須であるマイクロコンピュータで制御部６を構成する場合に有効である。

ただし、最適条件記憶手段７を揮発性メモリで構成した場合、電池が抜かれるなどで電源が与えられないと記憶が失われるので、電源再投入後には調整が必要となる。

しかしながら、時計の場合は、先述の通り、電池交換時には裏蓋がはずされるので再調整が必須であり、大きな問題とならない。

なお、揮発性メモリの場合は、静電気などで記憶が書き換えられる可能性が有るので、定期的な再調整動作が必要になる可能性がある。

調整時には、駆動条件記憶手段４に記憶されている全ての駆動条件について駆動を行い、全特性値データを取得してから最適条件を決定していたが、最適条件をピーク値として見つける、所謂「山登り」方式を採用しても良い。

即ち、図４で言えば、１００１の駆動条件から順次駆動して行くと、特性値データ５ａは徐々に大きくなり、１００３でピークである「５」となり、１００４で再び小さくなって「１」となる（図４の例では、実際は１００４の駆動条件は１００３の直後の駆動条件では無いが、ここでは仮に直後の駆動条件であるとする）。この時点で、１００３がピークであるとわかるので、１００３の駆動条件である２．６ｋＨｚを最適条件として、最適条件記憶手段７に書き込むとともに、調整の為の以降の駆動と特性値データ５ａの取得（図４では１００５）をやめる。

「山登り」方式の採用により、調整時間を短縮することが可能となる。

本発明の一実施例の音圧調整付きブザー駆動回路の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施例の動作を示すフローチャート図である。 本発明の一実施例の構成を示す説明図である。 本発明の音圧調整の動作を示すタイミングチャート図である。 （ａ）は、従来のブザー駆動回路の構成を示すブロック図であり、（ｂ）は、従来の音圧調整機能付きブザー駆動回路の構成を示すブロック図である。

符号の説明

１ ブザー駆動信号発生回路
１ａ ブザー駆動信号
２ ブザードライブ部
３ ブザー
３ａ 電気的自由振動信号
４ 駆動条件記憶手段
５ 特性値測定回路
５ａ 特性値データ
６ 制御部
７ 最適条件記憶手段
１０ ブザー駆動回路
１１ａ 増幅許可信号
１２ａ 増幅信号

Claims (15)

1. ブザーを駆動する為のブザー駆動信号を出力する為の回路であって、複数のブザー駆動条件を設定可能なブザー駆動信号発生回路と、該ブザー駆動信号発生回路に適用可能な複数のブザー駆動条件を記憶する駆動条件記憶手段と、ブザーが駆動された後の停止期間に発生する電気的自由振動信号を入力し、該電気的自由振動信号の特性値を測定し対応する特性値データを出力する特性値測定回路と、以下の（１）〜（４）に記載の調整工程を実施する制御部とを有することを特徴とするブザー駆動回路。
   （１）前記駆動条件記憶手段に記憶されている駆動条件を順次読み出した上で、前記ブザー駆動信号発生回路に設定した後、前記ブザー駆動信号発生回路を所定時間駆動し、その後停止させ、
   （２）前記ブザー駆動信号発生回路駆動後の停止期間において前記特性値測定回路より出力される特性値データを入力し、
   （３）（１）（２）の処理を順次繰り返し、前記複数の駆動条件に対応した特性値データを取得し、
   （４）前記複数の特性値データ中の最良値を判断する。
2. 書き込み／消去が可能であって、前記駆動条件記憶手段に記憶されている複数のブザー駆動条件のうち１つを記憶可能な最適条件記憶手段を有し、前記制御部が前記最良値に対応する駆動条件を前記最適条件記憶手段に書き込むことを特徴とする請求項１に記載のブザー駆動回路。
3. 前記制御部は、ブザー駆動要求が有った場合に、前記最適条件記憶手段のデータを読み出し、消去されていなければ前記最適条件記憶手段に記憶された駆動条件にて前記ブザー駆動信号発生回路を駆動し、消去されていれば、前記調整工程を実施することを特徴とする請求項２に記載のブザー駆動回路。
4. 前記特性値測定回路が、前記電気的自由振動信号の振幅レベルが所定値以下となる減衰時間を測定する減衰時間測定回路であり、該減衰時間測定回路は、前記減衰時間に対応するデジタルデータを出力することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のブザー駆動回路。
5. 前記制御部が、前記最適条件記憶手段のデータにより前記ブザー駆動信号発生回路を駆動した場合に前記特性値データが出力されない場合は、以降の前記ブザー駆動信号発生回路の駆動を停止し、前記最適条件記憶手段のデータを消去する
   ことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１つに記載のブザー駆動回路。
6. 前記複数の駆動条件が複数の周波数であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のブザー駆動回路。
7. 前記駆動条件記憶手段に記憶されている複数の周波数の周波数領域が１オクターブ以上であることを特徴とする請求項６に記載のブザー駆動回路。
8. 前期所定時間が３０ｍｓ以上２００ｍｓ以下であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のブザー駆動回路。
9. 前記制御部が、前記最良値に対応する駆動条件が複数ある場合は、ブザー駆動時の消費電流的に有利な駆動条件を採用し、前記最適条件記憶手段に書き込むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載のブザー駆動回路。
10. 前記駆動条件記憶手段は複数の駆動周波数に対応するデューティーを記憶し、前記ブザー駆動信号発生回路に駆動周波数と共に対応するデューティーを設定することを特徴とする請求項６ないし７のいずれか１つ記載のブザー駆動回路。
11. 前記最適条件記憶手段が不揮発性メモリで構成されている
    ことを特徴とする請求項2ないし１０のいずれか１つ記載のブザー駆動回路。
12. 請求項１ないし１１いずれか１つに記載のブザー駆動回路と、
    ブザーと、前記ブザー駆動信号発生回路の出力する駆動信号を入力し前記ブザーを駆動するブザー駆動手段とを有することを特徴とするブザー付き電子機器。
13. 請求項１ないし１１のいずれか１つのブザー駆動回路を積層したブザー駆動用半導体装置。
14. 請求項１３に記載のブザー駆動用半導体装置と、
    ブザーと、前記ブザー駆動信号発生回路の出力する駆動信号を入力し前記ブザーを駆動するブザー駆動手段とを有することを特徴とするブザー付き電子機器。
15. 前記ブザー駆動用半導体装置内の前記特性値測定回路の入力端子に直列に接続され、前記ブザー駆動用半導体装置の外部に外付けされている抵抗を有する
    ことを特徴とする請求項１４に記載のブザー付き電子機器。

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