JP2008227328A - 光検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一導電形エミッタ16と、第二導電形ベース15と、第一導電形コレクタ14とを有し、前記エミッタ16のバンドギャップエネルギーが前記ベース15のバンドギャップエネルギーより大きなヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、光を吸収する光吸収層13を有し、該光吸収層13を前記ベース15及び前記コレクタ14のバンドギャップより小さなバンドギャップよりなる単一又は多重構造の量子井戸層を有する量子井戸構造により構成し、該量子井戸層を前記コレクタ14内に配置した。
【選択図】図1
Description
さらに、バンドギャップ波長が2μm近くにまで長くなると、i層中の電界により容易にキャリアのバンド間のトンネル現象が発生し、トンネル電流が大変大きくなるという問題もある。
第一導電形エミッタと、第二導電形ベースと、第一導電形コレクタとを有し、前記エミッタのバンドギャップエネルギーが前記ベースのバンドギャップエネルギーより大きいヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、
光を吸収する光吸収層を有し、
該光吸収層は前記ベース及び前記コレクタのバンドギャップより小さなバンドギャップよりなる単一又は多重構造の量子井戸層を有する量子井戸構造により構成され、
該量子井戸層は前記コレクタ内に配置される
ことを特徴とする。
前記コレクタ内の前記量子井戸層は前記ベースとは直接には接することのない位置に配置される
ことを特徴とする。
前記光吸収層の組成は歪を有する材料で構成される
ことを特徴とする。
歪を有する層は歪緩和が起きない層構成で構成される
ことを特徴とする。
前記量子井戸層の歪は1.5%以上3.5%以下である
ことを特徴とする。
前記光吸収層の波長帯は1.8μm以上3.0μm以下である
ことを特徴とする。
前記量子井戸層はInAsからなり、
前記InAsの厚さは1nm以上10nm以下である
ことを特徴とする。
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsPとInGaAsPとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする。
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsPとAlInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする。
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInAsとInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする。
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsSbとInGaAsPとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする。
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsSbとAlInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする。
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsSbとInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする。
さらに、光吸収層が量子井戸構造で構成されることにより、吸収波長の長い、格子定数の大きな結晶も、結晶成長段階で歪緩和が起きない程度の極めて薄い層とすること、及びその多重構造にすることが可能となり、結晶欠陥等を発生させることなく形成することができる。これにより、信頼性の高い結晶層構造が形成される。
さらに、量子井戸層は、電界強度の弱いコレクタ中のベース端より離れた側に配置されているため、トンネル電流の発生が抑制され、暗電流の低減を図ることができる。
〔動作の説明〕
上方からの入射光は多重量子井戸光吸収層13で吸収され、発生したキャリアは電子がコレクタ電極18側へ、ホールがpベース層15側へ走行し、ホール電流となる。pベース層15に到達したホールはベース電位を下げ、その結果、エミッタ16より大量の電子が注入され、コレクタ電極18まで到達し、コレクタ電流として、外部に出力される。入射光により発生したホール電流により、大量の電子電流が生成されることになり、この比が、電流増幅率で与えられる。
以下、本発明の第1の実施例に係る光検出器について説明する。
図1を参照すると、本発明の実施の形態は、n‐InP基板11上に、n‐InGaAs(n=1017cm-3)サブコレクタ層12、InAsウェル厚5nmのInAs/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層(MQW層)13、0.3μm厚のn-‐InGaAs(n=1016cm-3)コレクタ層14、0.12μm厚のp‐InGaAs(p=1018cm-3)ベース層15、0.6μm厚のn‐InP(n=5×1017cm-3)エミッタ層16、エミッタ電極17、コレクタ電極18よりなる。エミッタ・ベース接合面積は、直径0.25mmである。
上方からの2.3μm波長の入射光はInAs/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層13で吸収され、発生したキャリアは電子がコレクタ電極18側へ、ホールがp‐InGaAsベース層15側へ、走行する。p‐InGaAsベース層15に到達したホールはベース電位を下げ、その結果、エミッタ電極17より大量の電子が注入され、コレクタ電極18まで到達し、コレクタ電流として、外部に出力される。コレクタ電流は、入射光により発生したホール電流が電流増幅率倍だけ増幅されて大きな値となっている。
なお、InAs/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層13の歪量はInPに対して3.2%である。また、歪緩和の影響を考慮すると、InAs層の層厚は1nm以上10nm以下が可能である。
また、本実施例では、p‐InGaAsベース層15には、電極を設けていないが、ベース電極を形成した3端子構造とし、ヘテロ接合フォトトランジスタのベース電位をバイアスして用いてもよいことは言うまでもない。
以下、本発明の第2の実施例に係る光検出器について説明する。
図4を参照すると、本発明の実施の形態は、n‐InP基板41上に、n‐InGaAs(n=1017cm-3)サブコレクタ層42、InGaAsSbウェル厚5nmのInGaAsSb/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層(MQW層)43、0.3μm厚のn-‐InGaAs(n=1016cm-3)コレクタ層44、0.12μm厚のp‐lnGaAs(p=1018cm-3)ベース層45、0.6μm厚のn‐InP(n=5×1017cm-3)エミッタ層46、エミッタ電極47、コレクタ電極48よりなる。エミッタ・ベース接合面積は、直径0.25mmである。
上方からの1.9μm波長の入射光は43のInGaAsSb/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層43で吸収され、発生したキャリアは電子がコレクタ電極48側へ、ホールがp‐InGaAsベース層45側へ、走行する。p‐InGaAsベース層45に到達したホールはベース電位を下げ、その結果、エミッタ46より大量の電子が注入され、コレクタ電極48まで到達し、コレクタ電流として、外部に出力される。コレクタ電流は、入射光により発生したホール電流が電流増幅率倍に増幅されて大きな値となっている。
本実施例では、エミッタ層にInPを用いているが、AlInGaAsなどの他の材料系でもよい。
そして、本実施例に係る光検出器の特性を測定した結果、暗電流が低減され高感度な良好な特性が得られた。
この構造のフォトトランジスタの特性を測定した結果、暗電流が低減され高感度な良好な特性が得られた。
12 n‐InGaAsサブコレクタ層(nサブコレクタ層)
13 InAs/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層(多重量子井戸光吸収層)
14 n-‐InGaAsコレクタ層(n-コレクタ層)
15 p‐InGaAsベース層(pベース層)
16 n‐InPエミッタ層(nエミッタ層)
17 エミッタ電極
18 コレクタ電極
41 n‐InP基板
42 n‐InGaAsサブコレクタ層
43 InGaAsSb/InGaAs‐5重量子井戸光吸収層
44 n-‐InGaAsコレクタ層
45 p‐InGaAsベース層
46 n‐InPエミッタ層
47 エミッタ電極
48 コレクタ電極
71 n基板
72 n層
74 光吸収層
76 p層
77 p電極
78 n電極
81 n基板
82 n‐サブコレクタ層
84 n-‐コレクタ層
85 p‐ベース層
86 n‐エミッタ層
87 エミッタ電極
88 コレクタ電極
Claims (13)
- 第一導電形エミッタと、第二導電形ベースと、第一導電形コレクタとを有し、前記エミッタのバンドギャップエネルギーが前記ベースのバンドギャップエネルギーより大きなヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、
光を吸収する光吸収層を有し、
該光吸収層は前記ベース及び前記コレクタのバンドギャップより小さなバンドギャップよりなる単一又は多重構造の量子井戸層を有する量子井戸構造により構成され、
該量子井戸層は前記コレクタ内に配置される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1に記載の光検出器において、
前記コレクタ内の前記量子井戸層は前記ベースとは直接には接することのない位置に配置される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1又は請求項2のいずれかに記載の光検出器において、
前記光吸収層の組成は歪を有する材料で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項3に記載の光検出器において、
歪を有する層は歪緩和が起きない層構成で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項4に記載の光検出器において、
前記量子井戸層の歪は1.5%以上3.5%以下である
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光検出器において、
前記光吸収層の波長帯は1.8μm以上3.0μm以下である
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記量子井戸層はInAsからなり、
前記InAsの厚さは1nm以上10nm以下である
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsPとInGaAsPとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsPとAlInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInAsとInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsSbとInGaAsPとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsP又はAlInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsSbとAlInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする光検出器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光検出器において、
前記ベース及び前記コレクタはInGaAsで構成され、
前記光吸収層はInGaAsSbとInGaAsとからなる前記量子井戸層で構成される
ことを特徴とする光検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007066081A JP2008227328A (ja) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | 光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007066081A JP2008227328A (ja) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | 光検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008227328A true JP2008227328A (ja) | 2008-09-25 |
Family
ID=39845560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007066081A Pending JP2008227328A (ja) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | 光検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008227328A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-03-15 JP JP2007066081A patent/JP2008227328A/ja active Pending
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