JP2008225439A - 光学物品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学基材の形状が変わりにくく、形状および度数が維持されることができる光学物品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光学物品１は、光学基材１０と、光学基材１０の表面に設けられたコーティング層２と、を備え、ＴＭＡを用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、光学基材１０の熱機械分析を実施した場合において、光学基材１０のＴｇ＋１０℃の測定温度における光学基材１０の厚みの変形量が、初期温度における光学基材１０の厚みの１０％以上であり、コーティング層２は、光学基材１０のＴｇ以下の温度で硬化する材料から形成される。
【選択図】図１
【解決手段】光学物品１は、光学基材１０と、光学基材１０の表面に設けられたコーティング層２と、を備え、ＴＭＡを用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、光学基材１０の熱機械分析を実施した場合において、光学基材１０のＴｇ＋１０℃の測定温度における光学基材１０の厚みの変形量が、初期温度における光学基材１０の厚みの１０％以上であり、コーティング層２は、光学基材１０のＴｇ以下の温度で硬化する材料から形成される。
【選択図】図１
Description
本発明は、光学材料用樹脂からなる光学物品およびその製造方法に関する。
従来から、モールド型に樹脂材料を注入し、加熱などの方法で重合させることにより光学基材が形成されている。そして、この光学基材に、硬度向上、耐擦傷性および反射防止機能などが付与された光学物品およびその製造方法が知られている。
ここで、重合後にモールド型から外した光学基材には、内部応力が残留しているため、物理的衝撃などの外力に弱いと言われている。
ここで、重合後にモールド型から外した光学基材には、内部応力が残留しているため、物理的衝撃などの外力に弱いと言われている。
このような内部応力が残留した光学基材を長期間に渡って保管した場合、徐々に内部応力を開放或いは緩和する方向へ光学基材が変形する現象が起こり、光学基材の形状および光学物品の度数が維持されないおそれがある。
そのため、重合後、各種機能が付与される前の光学基材に、ガラス転移点（Ｔｇ）を超える温度でのアニール処理を施すことが多い。これにより、光学基材の内部応力を緩和させ、光学物品の形状および度数の安定化を図ることができる。
そのため、重合後、各種機能が付与される前の光学基材に、ガラス転移点（Ｔｇ）を超える温度でのアニール処理を施すことが多い。これにより、光学基材の内部応力を緩和させ、光学物品の形状および度数の安定化を図ることができる。
一方、上述のような光学物品に用いる光学基材の樹脂材料として、屈折率（ｎｄ）１．７以上の高屈折率を有する重合性組成物が提案されている。（例えば、特許文献１、２、３参照）。このような高屈折率を有する樹脂材料によれば、優れた光学特性を有する光学物品を構成することができる。
しかしながら、特許文献１〜３に記載の樹脂材料は、熱可塑の性質を持ち合せているため、Ｔｇを超える温度でのアニール処理を施すと、光学基材の形状が変わってしまうおそれがある。光学基材が変形すると、最終製品である光学物品の形状および度数が維持されず、品質低下が引き起こされるという課題があった。
このような課題は、特許文献１〜３に記載の樹脂材料に限定されず、熱可塑性を有する樹脂材料に共通するものであった。
このような課題は、特許文献１〜３に記載の樹脂材料に限定されず、熱可塑性を有する樹脂材料に共通するものであった。
本発明の目的は、光学基材の形状が変わりにくく、形状および度数が維持されることができる光学物品およびその製造方法を提供することである。
本発明の光学物品は、光学基材と、前記光学基材の表面に設けられたコーティング層と、を備え、ＴＭＡ（Thermomechanical Analyzer）を用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、前記光学基材の熱機械分析を実施した場合において、前記光学基材のガラス転移点＋１０℃の測定温度における前記光学基材の厚みの変形量が、前記初期温度における前記光学基材の厚みの１０％以上であり、前記コーティング層は、前記光学基材のガラス転移点以下の温度で硬化する材料から形成されることを特徴とする。
この発明によれば、光学基材は、測定温度（Ｔｇ＋１０℃）における変形量が大きい材料、つまり熱可塑性を有する材料により構成される。そして、光学基材の表面には、光学基材のガラス転移点（Ｔｇ）以下の温度で硬化する材料から形成されたコーティング層が設けられる。
ここで、コーティング層が、光学基材のＴｇ以下の温度で硬化する材料により形成されるので、光学基材の表面においてコーティング層の材料を硬化させる際に、光学基材がそのＴｇ以上に加熱されることがない。したがって、コーティング層の形成時に、熱可塑性を有する光学基材が変形する可能性が低い。
そして、硬化したコーティング層は、光学基材のＴｇ以上に加熱されたとしても、軟化することなく、その形状を維持することができる。
すなわち、本発明の光学物品に光学基材のＴｇ以上の温度でのアニール処理を施した場合、光学基材は軟化するが、光学基材の表面に設けられたコーティング層は軟化しない。
コーティング層がアニール処理によって軟化した光学基材の変形を防ぐので、意図した形状および度数の光学物品が得られる。
なお、アニール処理によれば、光学基材の内部応力を緩和させ、光学物品の形状および度数の安定化を図ることができる。
すなわち、本発明の光学物品に光学基材のＴｇ以上の温度でのアニール処理を施した場合、光学基材は軟化するが、光学基材の表面に設けられたコーティング層は軟化しない。
コーティング層がアニール処理によって軟化した光学基材の変形を防ぐので、意図した形状および度数の光学物品が得られる。
なお、アニール処理によれば、光学基材の内部応力を緩和させ、光学物品の形状および度数の安定化を図ることができる。
したがって、本発明の光学物品は、光学基材のＴｇ以上の温度でのアニール処理を実施しても光学基材の形状が変わりにくく、形状および度数を維持することができる優れた光学物品である。
なお、本発明において、「コーティング層が光学基材のガラス転移点以下の温度で硬化する」とは、コーティング層を形成する原料組成物を硬化させる際に、外部から加える温度が、光学基材のＴｇ以下であることを意味する。
例えば、加熱重合により原料組成物を硬化させる場合には、外部からの加熱が光学基材のＴｇ以下であることが必要である。
また、例えば、紫外線などのエネルギー照射によって原料組成物を硬化させる場合にも、重合中における原料組成物の温度が光学基材のＴｇ以下となるように調整することが必要である。
例えば、加熱重合により原料組成物を硬化させる場合には、外部からの加熱が光学基材のＴｇ以下であることが必要である。
また、例えば、紫外線などのエネルギー照射によって原料組成物を硬化させる場合にも、重合中における原料組成物の温度が光学基材のＴｇ以下となるように調整することが必要である。
本発明の光学物品では、前記光学基材は、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から形成されることが好ましい。
式（１）中、Ｍは、Ｓｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子、またはＧｅ原子である。Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基であり、Ｘ１は、Ｓ原子またはＯ原子であり、ｎは０〜４の整数を示す。Ｙは、下記の式（１−１）、または式（１−２）、または式（１−３）のいずれかである。
一般式（１）で示される化合物は、屈折率が高く、光学特性に優れた光学基材を与える一方、熱可塑性を有するためアニール処理によって変形を生じるという問題点があった。
これに対し、本発明では、コーティング層が、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から形成される光学基材のＴｇ以下の温度で硬化され、光学基材の表面に形成されていることにより、コーティング層が高温下でも軟らかくなることがなく、コーティング層が変形しないことによって、結果的に光学基材の形状を維持することになる。
このため、アニール処理でＴｇを超える温度で光学基材を加熱しても、形状および度数を維持することが可能となり、高屈折率で光学特性に優れた光学物品を提供することができる。
これに対し、本発明では、コーティング層が、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から形成される光学基材のＴｇ以下の温度で硬化され、光学基材の表面に形成されていることにより、コーティング層が高温下でも軟らかくなることがなく、コーティング層が変形しないことによって、結果的に光学基材の形状を維持することになる。
このため、アニール処理でＴｇを超える温度で光学基材を加熱しても、形状および度数を維持することが可能となり、高屈折率で光学特性に優れた光学物品を提供することができる。
本発明の光学物品では、前記コーティング層は、前記光学基材の変形防止用のコーティング層である構成が好ましい。
この発明では、光学基材の変形防止用のコーティング層が、光学基材の表面に形成されていることにより、コーティング層が光学基材の形状変化を防止することから、アニール処理を施しても形状および度数が維持されることが可能となる光学物品を提供することができる。
この発明では、光学基材の変形防止用のコーティング層が、光学基材の表面に形成されていることにより、コーティング層が光学基材の形状変化を防止することから、アニール処理を施しても形状および度数が維持されることが可能となる光学物品を提供することができる。
本発明の光学物品では、前記コーティング層が、プライマ層、ハードコート層、反射防止層の少なくとも一つを兼ねる構成が好ましい。
この発明では、コーティング層は、従来の光学物品に備えられているプライマ層、ハードコート層、反射防止層の少なくとも一つを兼ねることができるため、製造工程を増やすことなくコーティング層を備えた光学物品を製造できる。このため、構成を複雑にすることなく、アニール処理を施しても変形のない光学物品を提供することができる。
この発明では、コーティング層は、従来の光学物品に備えられているプライマ層、ハードコート層、反射防止層の少なくとも一つを兼ねることができるため、製造工程を増やすことなくコーティング層を備えた光学物品を製造できる。このため、構成を複雑にすることなく、アニール処理を施しても変形のない光学物品を提供することができる。
本発明の光学物品の製造方法は、光学基材を形成する基材形成工程と、前記基材形成工程の後に、前記光学基材の表面に前記光学基材の変形防止用のコーティング層を前記光学基材のガラス転移点以下の温度で形成するコーティング層形成工程と、前記コーティング層形成工程の後に、前記コーティング層および前記光学基材を前記光学基材のガラス転移点を超える温度で加熱するアニ−ル工程と、を備え、ＴＭＡ（Thermomechanical Analyzer）を用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、前記光学基材の熱機械分析を実施した場合において、前記光学基材のガラス転移点＋１０℃の測定温度における前記光学基材の厚みの変形量が、前記初期温度における前記光学基材の厚みの１０％以上であることを特徴とする。
この発明によれば、基材形成工程で形成された熱可塑性の光学基材の表面に、光学基材のＴｇ以下の温度で、変形防止用のコーティング層を形成する（コーティング層形成工程）。
このコーティング層形成工程において、光学基材は、そのＴｇ以上の温度には加熱されない。よって、熱可塑性を有する光学基材が変形する可能性が低い。
このコーティング層形成工程において、光学基材は、そのＴｇ以上の温度には加熱されない。よって、熱可塑性を有する光学基材が変形する可能性が低い。
コーティング層形成工程に続くアニール工程では、コーティング層および光学基材を光学基材のＴｇを超える温度で加熱する。
これにより、光学基材の内部応力を緩和させ、光学物品の形状および度数の安定化を図ることができる。
これにより、光学基材の内部応力を緩和させ、光学物品の形状および度数の安定化を図ることができる。
ここで、従来は、熱可塑性を備える光学基材を含む光学物品にアニール工程を実施すると、光学基材が変形し、最終製品である光学物品の形状および度数が維持されず、品質低下が引き起こされるという課題があった。
これに対し、本発明では、コーティング層形成工程において、光学基材の表面に、変形防止用のコーティング層を形成する。コーティング層は、アニール工程においても軟化しないので、その形状を維持することができ、コーティング層に隣接する光学基材の形状もまた維持される。
これに対し、本発明では、コーティング層形成工程において、光学基材の表面に、変形防止用のコーティング層を形成する。コーティング層は、アニール工程においても軟化しないので、その形状を維持することができ、コーティング層に隣接する光学基材の形状もまた維持される。
したがって、本発明の光学物品の製造方法によれば、光学基材のＴｇ以上の温度でのアニール工程を実施しても光学基材の形状が変わりにくく、形状および度数を維持することができる優れた光学物品を製造することができる。
本発明において、前記基材形成工程では、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から前記光学基材を形成することが好ましい。
式（１）中、Ｍは、Ｓｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子、またはＧｅ原子である。Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基であり、Ｘ１は、Ｓ原子またはＯ原子であり、ｎは０〜４の整数を示す。Ｙは、下記の式（１−１）、または式（１−２）、または式（１−３）のいずれかである。
一般式（１）で示される化合物は、屈折率が高く、光学特性に優れた光学基材を与える一方、熱可塑性を有するためアニール処理によって変形を生じるという問題点があった。
これに対し、本発明では、コーティング層形成工程が、光学基材の変形防止用のコーティング層を、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から形成される光学基材のＴｇ以下の温度で硬化して、光学基材の表面に形成することにより、光学基材の形状を変わりにくくした後に基材組成物から形成される光学基材のＴｇを超える温度でアニール工程を行って光学基材の内部応力を緩和させる。このことから、形状および度数を維持する光学物品の製造方法を提供することができる。
これに対し、本発明では、コーティング層形成工程が、光学基材の変形防止用のコーティング層を、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から形成される光学基材のＴｇ以下の温度で硬化して、光学基材の表面に形成することにより、光学基材の形状を変わりにくくした後に基材組成物から形成される光学基材のＴｇを超える温度でアニール工程を行って光学基材の内部応力を緩和させる。このことから、形状および度数を維持する光学物品の製造方法を提供することができる。
本発明の光学物品の製造方法では、前記コーティング層形成工程は、前記光学基材の表面にプライマ層を形成するプライマ層形成工程と、前記光学基材の表面もしくは前記プライマ層の表面にハードコート層を形成するハードコート層形成工程と、前記光学基材の表面もしくは前記ハードコート層の表面もしくは前記プライマ層の表面に反射防止層を形成する反射防止層形成工程との少なくとも一つを兼ねる構成が好ましい。
この発明では、コーティング層形成工程が、プライマ層形成工程と、ハードコート層形成工程と、反射防止層形成工程との少なくとも一つを兼ねることにより、アニール工程の後の工程が短縮する。このことから、簡略化された光学物品の製造方法を提供することができる。
この発明では、コーティング層形成工程が、プライマ層形成工程と、ハードコート層形成工程と、反射防止層形成工程との少なくとも一つを兼ねることにより、アニール工程の後の工程が短縮する。このことから、簡略化された光学物品の製造方法を提供することができる。
本発明では、熱可塑性を有する光学基材の表面に、光学基材のＴｇ以下の温度で硬化する材料から形成されるコーティング層を設けたので、光学基材のＴｇ以上の温度でのアニール処理を施した場合にも、コーティング層の存在によって光学基材の変形を防ぐことができ、意図した形状および度数の光学物品を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明による光学物品およびその製造方法は、以下の実施形態に限定されるものではない。
図１は、本実施形態の光学物品の概略構成を示す断面図である。
図２〜５は、それぞれ光学物品の製造方法の実施形態１〜９を示すフローチャート図である。
図６〜８は、本実施形態の光学物品の製造方法を示す概略図である。
図１は、本実施形態の光学物品の概略構成を示す断面図である。
図２〜５は、それぞれ光学物品の製造方法の実施形態１〜９を示すフローチャート図である。
図６〜８は、本実施形態の光学物品の製造方法を示す概略図である。
［光学物品］
図１は、本実施形態の光学物品１を示す。以下、光学物品１について、図１に基づき説明する。本実施形態では、光学物品１はメガネレンズである。
図１において、本実施形態の光学物品１は、光学基材１０と、光学基材１０の表面に形成されたコーティング層２とを備えている。なお、コーティング層２の表面には、２点鎖線で示す層Ｐを備えていてもよい。
図１は、本実施形態の光学物品１を示す。以下、光学物品１について、図１に基づき説明する。本実施形態では、光学物品１はメガネレンズである。
図１において、本実施形態の光学物品１は、光学基材１０と、光学基材１０の表面に形成されたコーティング層２とを備えている。なお、コーティング層２の表面には、２点鎖線で示す層Ｐを備えていてもよい。
ＴＭＡを用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、光学基材１０の熱機械分析を実施した場合において、光学基材１０のＴｇ＋１０℃の測定温度における光学基材１０の厚みの変形量が、初期温度における光学基材１０の厚みの１０％以上である。
つまり、光学基材１０は、熱可塑性を有する。
つまり、光学基材１０は、熱可塑性を有する。
光学基材１０は、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１からなる高屈折率を有する樹脂材料から形成されることが好ましい。
一般式（１）において、Ｍは、Ｓｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子、またはＧｅ原子である。Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基であり、Ｘ１は、Ｓ原子またはＯ原子であり、ｎは０〜４の整数を示す。Ｙは、下記の式（１−１）、または（１−２）、または（１−３）のいずれかである。
一般式（１）において、Ｍは、Ｓｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子、またはＧｅ原子である。Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基であり、Ｘ１は、Ｓ原子またはＯ原子であり、ｎは０〜４の整数を示す。Ｙは、下記の式（１−１）、または（１−２）、または（１−３）のいずれかである。
通常、光学物品１は、光学基材１０の表面に、プライマ層、ハードコート層、および反射防止層が、内側から外側に向けて積層されているが、物品によっては、プライマ層や反射防止層が省略されることがある。
本実施形態のコーティング層２は、プライマ層、ハードコート層、および反射防止層の少なくとも一つである。
つまり、コーティング層２は、図１において、一層構成に描画しているが、一層構成もしくは複数の層からなる複層構成である。
そして、コーティング層２は、光学基材１０の変形防止用であって、光学基材１０のＴｇ以下の温度で硬化されることにより形成される。
本実施形態のコーティング層２は、プライマ層、ハードコート層、および反射防止層の少なくとも一つである。
つまり、コーティング層２は、図１において、一層構成に描画しているが、一層構成もしくは複数の層からなる複層構成である。
そして、コーティング層２は、光学基材１０の変形防止用であって、光学基材１０のＴｇ以下の温度で硬化されることにより形成される。
このため、コーティング層２および２点鎖線で示す層Ｐは、以下に示す構成例が挙げられる。
（構成１）コーティング層２はプライマ層およびハードコート層からなる二層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、反射防止層である。
（構成２）コーティング層２はハードコート層からなる一層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、反射防止層である。
（構成３）コーティング層２はプライマ層およびハードコート層および反射防止層からなる三層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、形成されていない。
（構成４）コーティング層２は複数の無機層が積層された反射防止層からなる多層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、形成されていない。
（構成１）コーティング層２はプライマ層およびハードコート層からなる二層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、反射防止層である。
（構成２）コーティング層２はハードコート層からなる一層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、反射防止層である。
（構成３）コーティング層２はプライマ層およびハードコート層および反射防止層からなる三層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、形成されていない。
（構成４）コーティング層２は複数の無機層が積層された反射防止層からなる多層構成になっている。２点鎖線で示す層Ｐは、形成されていない。
プライマ層は、ウレタン樹脂などで形成されている。ハードコート層は、シリコーン系、アクリル系材料などで形成されている。反射防止層は、一層構成もしくは複数の層からなる複層構成である。複層構成の例としては、ＳｉＯ２からなる層と、ＺｒＯ２またはＴｉＯ２からなる層とが、交互に積層された構成である。
［光学物品の製造方法］
図２〜図５は、本実施形態の光学物品の製造方法の例を示すフローチャート図である。
以下、本実施形態の製造方法について、以下に示す４つの実施形態について図２〜図５に基づきそれぞれ説明する。
図２〜図５は、本実施形態の光学物品の製造方法の例を示すフローチャート図である。
以下、本実施形態の製造方法について、以下に示す４つの実施形態について図２〜図５に基づきそれぞれ説明する。
いずれの光学物品１の製造方法においても、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から光学基材１０を形成する基材形成工程を行い、この基材形成工程の後に、光学基材１０の表面に光学基材１０の変形防止用のコーティング層２を形成するコーティング層形成工程と、コーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱するアニ−ル工程とを備える。
［第１実施形態］
図２において、光学物品１の製造方法の第１実施形態を説明する。第１実施形態の方法では、基材形成工程として、まず、光学基材１０の原料である基材組成物１１を調合する原料調合工程（Ｓ１０１）を実施し、続けて、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）を実施し、その後に、コーティング層形成工程を実施する。ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）の具体的な手順については後述する。
コーティング層形成工程は、光学基材１０の表面にプライマ層を形成するプライマ層形成工程（Ｓ１０５）と、プライマ層の表面にハードコート層を形成するハードコート層形成工程（Ｓ１０６）とを備え、これらの工程を順順に実施する。これにより、光学基材１０の表面に、構成１で示されるプライマ層およびハードコート層からなるコーティング層２が形成される。なお、これらの工程の具体的な手順については後述する。
コーティング層形成工程の後に、アニール工程（Ｓ１０７）を行う。
このアニール工程では、プライマ層およびハードコート層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
アニール工程の後に、反射防止層形成工程（Ｓ１０８）を行う。これにより、光学物品１が完成する。なお、アニール工程の後に、反射防止層形成工程を行うとしたが、反射防止層形成工程を行わずに、光学物品１が完成するとしてもよい。反射防止層形成工程（Ｓ１０８）の具体的な手順については後述する。
図２において、光学物品１の製造方法の第１実施形態を説明する。第１実施形態の方法では、基材形成工程として、まず、光学基材１０の原料である基材組成物１１を調合する原料調合工程（Ｓ１０１）を実施し、続けて、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）を実施し、その後に、コーティング層形成工程を実施する。ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）の具体的な手順については後述する。
コーティング層形成工程は、光学基材１０の表面にプライマ層を形成するプライマ層形成工程（Ｓ１０５）と、プライマ層の表面にハードコート層を形成するハードコート層形成工程（Ｓ１０６）とを備え、これらの工程を順順に実施する。これにより、光学基材１０の表面に、構成１で示されるプライマ層およびハードコート層からなるコーティング層２が形成される。なお、これらの工程の具体的な手順については後述する。
コーティング層形成工程の後に、アニール工程（Ｓ１０７）を行う。
このアニール工程では、プライマ層およびハードコート層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
アニール工程の後に、反射防止層形成工程（Ｓ１０８）を行う。これにより、光学物品１が完成する。なお、アニール工程の後に、反射防止層形成工程を行うとしたが、反射防止層形成工程を行わずに、光学物品１が完成するとしてもよい。反射防止層形成工程（Ｓ１０８）の具体的な手順については後述する。
［第２実施形態］
光学物品１の製造方法の第２実施形態を図３に基づいて説明する。図３において、光学物品１の製造方法の第２実施形態は、コーティング層形成工程として、第１実施形態と比べてプライマ層形成工程は行わないとし、光学基材１０の表面にハードコート層形成工程（Ｓ２０５）を行うことに特徴がある。これにより、光学基材１０の表面に、構成２に示すコーティング層２が形成される。アニール工程（Ｓ２０６）は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様に、コーティング層形成工程の後に行う。このアニール工程では、ハードコート層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
アニール工程の後に、図２に示す反射防止層形成工程（Ｓ１０８）と同様に、反射防止層形成工程（Ｓ２０７）を行う。これにより、光学物品１が完成する。
基材形成工程は、図２に示す基材形成工程Ｓ１０１〜Ｓ１０４と同様のため、同一の符号を付与して説明を省略する。
第２実施形態の方法において、ハードコート形成工程（Ｓ２０５）およびアニール工程（Ｓ２０６）および反射防止層形成工程（Ｓ２０７）は、図２に示すハードコート層形成工程（Ｓ１０６）およびアニール工程（Ｓ１０７）および反射防止層形成工程（Ｓ１０８）とそれぞれ同様である。
光学物品１の製造方法の第２実施形態を図３に基づいて説明する。図３において、光学物品１の製造方法の第２実施形態は、コーティング層形成工程として、第１実施形態と比べてプライマ層形成工程は行わないとし、光学基材１０の表面にハードコート層形成工程（Ｓ２０５）を行うことに特徴がある。これにより、光学基材１０の表面に、構成２に示すコーティング層２が形成される。アニール工程（Ｓ２０６）は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様に、コーティング層形成工程の後に行う。このアニール工程では、ハードコート層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
アニール工程の後に、図２に示す反射防止層形成工程（Ｓ１０８）と同様に、反射防止層形成工程（Ｓ２０７）を行う。これにより、光学物品１が完成する。
基材形成工程は、図２に示す基材形成工程Ｓ１０１〜Ｓ１０４と同様のため、同一の符号を付与して説明を省略する。
第２実施形態の方法において、ハードコート形成工程（Ｓ２０５）およびアニール工程（Ｓ２０６）および反射防止層形成工程（Ｓ２０７）は、図２に示すハードコート層形成工程（Ｓ１０６）およびアニール工程（Ｓ１０７）および反射防止層形成工程（Ｓ１０８）とそれぞれ同様である。
［第３実施形態］
光学物品１の製造方法の第３実施形態を図４に基づいて説明する。図２において、コーティング層形成工程としてプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を行うとしたことを、本実施形態では、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ３０６）に引き続いて反射防止層形成工程（Ｓ３０７）を実施してコーティング層形成工程が行われることに特徴がある。これにより、光学基材１０の表面に、構成３に示すコーティング層２を形成する。アニール工程（Ｓ３０８）は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様に、コーティング層形成工程の後に行う。これにより、光学物品１が完成する。このアニール工程では、プライマ層、ハードコート層および反射防止層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与する。また、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ３０６）およびアニール工程（Ｓ３０８）は、図２に示すプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）およびアニール工程（Ｓ１０７）とそれぞれ同様である。
光学物品１の製造方法の第３実施形態を図４に基づいて説明する。図２において、コーティング層形成工程としてプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を行うとしたことを、本実施形態では、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ３０６）に引き続いて反射防止層形成工程（Ｓ３０７）を実施してコーティング層形成工程が行われることに特徴がある。これにより、光学基材１０の表面に、構成３に示すコーティング層２を形成する。アニール工程（Ｓ３０８）は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様に、コーティング層形成工程の後に行う。これにより、光学物品１が完成する。このアニール工程では、プライマ層、ハードコート層および反射防止層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与する。また、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ３０６）およびアニール工程（Ｓ３０８）は、図２に示すプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）およびアニール工程（Ｓ１０７）とそれぞれ同様である。
［第４実施形態］
光学物品１の製造方法の第４実施形態を図５に基づいて説明する。図５に示す光学物品１の製造方法は、図２において、コーティング層形成工程としてプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を行うとしたことを、プライマ層形成工程およびハードコート層形成工程は行わず、反射防止層形成工程（Ｓ４０５）のみからコーティング層形成工程を実施することに特徴がある。これにより、光学基材１０の表面に、構成４に示すコーティング層２を形成する。アニール工程（Ｓ４０６）は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様に、コーティング層形成工程の後に行う。これにより、光学物品１が完成する。なお、アニール工程では、反射防止層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与する。
光学物品１の製造方法の第４実施形態を図５に基づいて説明する。図５に示す光学物品１の製造方法は、図２において、コーティング層形成工程としてプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を行うとしたことを、プライマ層形成工程およびハードコート層形成工程は行わず、反射防止層形成工程（Ｓ４０５）のみからコーティング層形成工程を実施することに特徴がある。これにより、光学基材１０の表面に、構成４に示すコーティング層２を形成する。アニール工程（Ｓ４０６）は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様に、コーティング層形成工程の後に行う。これにより、光学物品１が完成する。なお、アニール工程では、反射防止層からなるコーティング層２および光学基材１０を光学基材１０のＴｇを超える温度で加熱することで実施される。
なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与する。
［基材形成工程］
図６は、基材形成工程の一例を示す概略図である。図６（Ａ）（Ｂ）は原料調合工程（Ｓ１０１）の後に行うガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）の具体的手順を示す概略図であり、図６（Ｃ）は熱硬化工程（Ｓ１０３）の具体的手順を示す概略図であり、図６（Ｄ）は離型工程（Ｓ１０４）の具体的手順を示す概略図である。
図６は、基材形成工程の一例を示す概略図である。図６（Ａ）（Ｂ）は原料調合工程（Ｓ１０１）の後に行うガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）の具体的手順を示す概略図であり、図６（Ｃ）は熱硬化工程（Ｓ１０３）の具体的手順を示す概略図であり、図６（Ｄ）は離型工程（Ｓ１０４）の具体的手順を示す概略図である。
図６（Ａ）に示すように、成型用ガラスモールド２０は光学基材１０を成形するためのものである。成型用ガラスモールド２０において、ガラス製の一対のガラスモールド２１，２２は隙間を介して対向配置され、一対のガラスモールド２１，２２の外周面に粘着テープ２３が巻きつけられて、キャビティ２４を形成している。一対のガラスモールド２１，２２および粘着テープ２３により囲まれたキャビティ２４は、度数が約−３Ｄの光学基材１０を形作るように形成されている。
ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）では、図６（Ｂ）に示すように、注入ノズル２５を用いて、キャビティ２４に、原料調合工程において得た基材組成物１１を注入する。そして、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）の後に、熱硬化工程（Ｓ１０３）を行う。
熱硬化工程（Ｓ１０３）では、図６（Ｃ）に示すように、加熱または紫外線照射などで基材組成物１１を硬化させ、光学基材１０を形作る。さらに、熱硬化工程（Ｓ１０３）の後に、離型工程（Ｓ１０４）を行う。
離型工程（Ｓ１０４）では、図６（Ｄ）に示すように、粘着テープ２３を一対のガラスモールド２１，２２および光学基材１０から取り外し、一対のガラスモールド２１，２２を光学基材１０から離間させて、光学基材１０を取り出す。これにより、光学基材１０を形成する。
熱硬化工程（Ｓ１０３）では、図６（Ｃ）に示すように、加熱または紫外線照射などで基材組成物１１を硬化させ、光学基材１０を形作る。さらに、熱硬化工程（Ｓ１０３）の後に、離型工程（Ｓ１０４）を行う。
離型工程（Ｓ１０４）では、図６（Ｄ）に示すように、粘着テープ２３を一対のガラスモールド２１，２２および光学基材１０から取り外し、一対のガラスモールド２１，２２を光学基材１０から離間させて、光学基材１０を取り出す。これにより、光学基材１０を形成する。
［コーティング層形成工程］
図７，８は、光学物品１の製造方法のコーティング層形成工程の例を示す概略図である。
図７は、コーティング層形成工程において、ウェットプロセスの一例として、浸漬法によるコーティング層２の形成に用いる浸漬装置３０の構成を示す概略斜視図である。以下、上述の各実施形態のコーティング層形成工程の一例として、浸漬法によるプライマ層形成工程（Ｓ１０５）について、図７に基づき説明する。
図７，８は、光学物品１の製造方法のコーティング層形成工程の例を示す概略図である。
図７は、コーティング層形成工程において、ウェットプロセスの一例として、浸漬法によるコーティング層２の形成に用いる浸漬装置３０の構成を示す概略斜視図である。以下、上述の各実施形態のコーティング層形成工程の一例として、浸漬法によるプライマ層形成工程（Ｓ１０５）について、図７に基づき説明する。
浸漬装置３０は、タンク３４と昇降部３１とを備えている。タンク３４内には、コーティング組成物Ｌとしてのウレタン樹脂などからなるプライマ組成物が収納されている。
昇降部３１は、把持具３３とロッド３２とを備え、把持具３３はロッド３２に連結されている。昇降部３１は、図７に示す矢印の方向に昇降する構造になっている。把持具３３が光学基材１０の外周面部を把持し、昇降部３１が降下することにより、タンク３４内のコーティング組成物Ｌに、光学基材１０を浸漬させる。浸漬後、昇降部３１を上昇することにより、タンク３４内から光学基材１０を引き上げ、コーティング組成物Ｌが光学基材１０に塗布される。塗布後、光学基材１０に塗布されたコーティング組成物Ｌに、加熱または紫外線照射などで硬化処理を施し、コーティング組成物Ｌを硬化させることにより、プライマ層が形成された光学基材１０を得る。これにより、コーティング組成物Ｌからなるコーティング層２が光学基材１０の表面に形成された光学物品１を得る。なお、引き上げ速度および硬化処理条件などについては、適宜決定することができる。
また、浸漬装置３０を用いたハードコート層形成工程（Ｓ１０６）および反射防止層形成工程（Ｓ１０８）において、ハードコート層および反射防止層を形成する方法は前述と略同じであり、タンク３４内にシリコーン系、アクリル系材料などからなるハードコート組成物を収納するか、または有機物からなる有機層組成物を収納するかが相違するものであり、さらには、引き上げ速度および硬化処理条件も相違するものである。なお、ハードコート組成物や反射防止層用有機層組成物は従来と同じ材料を使用する。
昇降部３１は、把持具３３とロッド３２とを備え、把持具３３はロッド３２に連結されている。昇降部３１は、図７に示す矢印の方向に昇降する構造になっている。把持具３３が光学基材１０の外周面部を把持し、昇降部３１が降下することにより、タンク３４内のコーティング組成物Ｌに、光学基材１０を浸漬させる。浸漬後、昇降部３１を上昇することにより、タンク３４内から光学基材１０を引き上げ、コーティング組成物Ｌが光学基材１０に塗布される。塗布後、光学基材１０に塗布されたコーティング組成物Ｌに、加熱または紫外線照射などで硬化処理を施し、コーティング組成物Ｌを硬化させることにより、プライマ層が形成された光学基材１０を得る。これにより、コーティング組成物Ｌからなるコーティング層２が光学基材１０の表面に形成された光学物品１を得る。なお、引き上げ速度および硬化処理条件などについては、適宜決定することができる。
また、浸漬装置３０を用いたハードコート層形成工程（Ｓ１０６）および反射防止層形成工程（Ｓ１０８）において、ハードコート層および反射防止層を形成する方法は前述と略同じであり、タンク３４内にシリコーン系、アクリル系材料などからなるハードコート組成物を収納するか、または有機物からなる有機層組成物を収納するかが相違するものであり、さらには、引き上げ速度および硬化処理条件も相違するものである。なお、ハードコート組成物や反射防止層用有機層組成物は従来と同じ材料を使用する。
図８は、コーティング層形成工程において、ドライプロセスの一例として、真空蒸着法によるコーティング層の形成に用いる真空蒸着装置４０の構成を示す概略断面図である。
以下、上述の各実施形態のコーティング層形成工程の一例として反射防止層形成工程（Ｓ４０５）に用いる真空蒸着法について、図８に基づき説明する。
以下、上述の各実施形態のコーティング層形成工程の一例として反射防止層形成工程（Ｓ４０５）に用いる真空蒸着法について、図８に基づき説明する。
真空蒸着装置４０は、真空容器４１、および排気装置４２、およびガス供給装置４３、および圧力計４４を備えている。真空蒸着装置４０は、いわゆる電子ビーム真空蒸着装置である。
真空容器４１は、真空容器４１内に蒸着材料がセットされた蒸発源４６，４７、蒸発源４６，４７の蒸着材料を加熱溶解し蒸発させるフィラメント４８、光学基材１０が載置される基材支持台４５、光学基材１０を加熱するための基材加熱用ヒータ４９などを備えている。また、必要に応じて真空容器４１内に残留した水分を除去するためのコールドトラップや、酸素などのガスを導入し、導入したガスをイオン化し加速して光学基材１０に照射する装置、膜厚を管理するための装置などが具備される。蒸着材料としては、無機物であるＳｉＯ２、ＺｒＯ２、またはＴｉＯ２などが挙げられる。
蒸発源４６，４７は、蒸着材料がセットされたるつぼであり、真空容器４１内の下部に配置されている。フィラメント４８が発熱することによって発生する熱電子を、電子銃により加速、偏向して、蒸発源４６，４７にセットされた蒸着材料に照射し蒸発させる。いわゆる電子ビーム蒸着が行われる。電子ビームの電流値に特に制限はないが、当該電流値は蒸着速度との密接な関係があるため必要な蒸着速度に応じて調整できる。また、蒸着材料を蒸発させる他の方法として、タングステンなどの抵抗体に通電し蒸着材料を溶融し気化する方法、いわゆる抵抗加熱蒸着、そして高エネルギーのレーザー光を蒸発させたい材料に照射する方法などがある。
基材支持台４５は、所定数の光学基材１０を載置する支持台であり、蒸発源４６，４７と対向した真空容器４１内の上部に配置されている。基材支持台４５は、光学基材１０に形成されるコーティング層２の均一性を確保し、かつ量産性を高めるために回転機構を有するのが好ましい。
基材加熱用ヒータ４９は、たとえば赤外線ランプからなり、基材支持台４５の上部に配置されている。基材加熱用ヒータ４９は、光学基材１０を加熱することにより光学基材１０のガス出しあるいは水分とばしを行い、光学基材１０の表面に形成される層の密着性を確保する。なお、赤外線ランプの他に抵抗加熱ヒータなどを用いることができるが、光学基材１０の材質がプラスチックまたは樹脂の場合には、赤外線ランプを用いるのが好ましい。
排気装置４２は、真空容器４１内を高真空に排気する装置であり、ターボ分子ポンプと、真空容器４１内の圧力を一定に保つ圧力調節バルブとを備えている。
ガス供給装置４３は、Ａｒ，Ｎ２，Ｏ２などのガスを内蔵するガスシリンダと、ガスの流量を制御する流量制御装置とを備えている。ガスシリンダに内蔵されたガスは、流量制御装置を介して真空容器４１内に導入される。
圧力計４４は、真空容器４１内の圧力を検出する。圧力計４４によって検出された圧力値に基づき、排気装置４２の圧力調節バルブが、制御部（図示せず）からの制御信号により制御されて、真空容器４１内の圧力が所定の圧力値に保たれる。圧力の調整方法としては、排気口のコンダクタンスを変化させる方法とガスを導入して導入量を変化させる方法などがあるがどちらでもかまわない。したがって、真空容器４１内の圧力は、ガス供給装置４３のガスシリンダから供給されるガスの流量を制御する流量制御装置を制御する方法でも可能である。また、特に調整をしないで排気後の残圧で圧力を調整する場合は、屈折率が変化する場合があるので膜厚の調整が必要になる。とくに圧力制御を行わない場合には蒸着中に大きく圧力が変化する場合がある。
ガス供給装置４３は、Ａｒ，Ｎ２，Ｏ２などのガスを内蔵するガスシリンダと、ガスの流量を制御する流量制御装置とを備えている。ガスシリンダに内蔵されたガスは、流量制御装置を介して真空容器４１内に導入される。
圧力計４４は、真空容器４１内の圧力を検出する。圧力計４４によって検出された圧力値に基づき、排気装置４２の圧力調節バルブが、制御部（図示せず）からの制御信号により制御されて、真空容器４１内の圧力が所定の圧力値に保たれる。圧力の調整方法としては、排気口のコンダクタンスを変化させる方法とガスを導入して導入量を変化させる方法などがあるがどちらでもかまわない。したがって、真空容器４１内の圧力は、ガス供給装置４３のガスシリンダから供給されるガスの流量を制御する流量制御装置を制御する方法でも可能である。また、特に調整をしないで排気後の残圧で圧力を調整する場合は、屈折率が変化する場合があるので膜厚の調整が必要になる。とくに圧力制御を行わない場合には蒸着中に大きく圧力が変化する場合がある。
以下に、本実施形態の実施例１〜９について説明する。
［実施例１］
実施例１において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成１に示す二層構成である。
実施例１において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成１に示す二層構成である。
実施例１に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、上述した第１実施形態を示す図２である。
まず、基材形成工程として、原料調合工程（Ｓ１０１）、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）を順順に行う。以下、基材形成工程について、図２および図６を参照して説明する。
原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学物品１を形成する光学基材１０の組成物として、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成する。
光学基材１０の原料としてテトラキス（２，３−エピチオプロピルチオ）スズ（以下、『Ｓｎ−１』と記す。）を３０ｇ、紫外線吸収剤としてＳＥＥＳＯＲＢ７０１（シプロ化成工業製）０．３ｇを添加し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後に、重合触媒としてＮ，Ｎジメチルシクロへキシルアミン０．１ｇを加えて混合した後、１．５ｋＰａ以下に減圧した状態で攪拌しながら１５分間脱気を行うことにより、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を得る。Ｓｎ−１からなる基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇは、１１０℃である。
まず、基材形成工程として、原料調合工程（Ｓ１０１）、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）を順順に行う。以下、基材形成工程について、図２および図６を参照して説明する。
原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学物品１を形成する光学基材１０の組成物として、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成する。
光学基材１０の原料としてテトラキス（２，３−エピチオプロピルチオ）スズ（以下、『Ｓｎ−１』と記す。）を３０ｇ、紫外線吸収剤としてＳＥＥＳＯＲＢ７０１（シプロ化成工業製）０．３ｇを添加し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後に、重合触媒としてＮ，Ｎジメチルシクロへキシルアミン０．１ｇを加えて混合した後、１．５ｋＰａ以下に減圧した状態で攪拌しながら１５分間脱気を行うことにより、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を得る。Ｓｎ−１からなる基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇは、１１０℃である。
原料調合工程（Ｓ１０１）の後に、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）を行う。ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）では、図６（Ａ）に示す成型用ガラスモールド２０に、図６（Ｂ）に示すようにして、基材組成物１１を注入する。
ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）の後に、熱硬化工程（Ｓ１０３）を行う。熱硬化工程（Ｓ１０３）では、図６（Ｃ）に示すように、成型用ガラスモールド２０および成型用ガラスモールド２０に注入された基材組成物１１を、３０℃から１２０℃まで２０時間かけて昇温し、基材組成物１１を重合硬化させることにより、光学基材１０を形作る。
熱硬化工程（Ｓ１０３）の後に、離型工程（Ｓ１０４）を行う。これにより、図６（Ｄ）に示すように、光学基材１０を得る。ここで、光学基材１０は、度数が約−３Ｄであることを確認した。また、２枚の鏡面仕上げされたガラスフラット板を用いて、厚さ２ｍｍのプラスチック板を作成し、ダイヤモンドカッタで光学基材１０を切り出した。切り出された光学基材１０の屈折率を、アッベ屈折率計を用いて、気温２０℃で５８９．３ｎｍのＤ線の屈折率を測定し、ｎｄ＝１．７９４であることを確認した。
離型工程（Ｓ１０４）の後に、コーティング層形成工程として、プライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を順順に行う。まず、プライマ層形成工程（Ｓ１０５）について図７を参照して説明する。
ステンレス製のタンク３４内に、メチルアルコール２２０ｇ、水９１．８ｇを投入し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後、酸化チタン、酸化スズ、および酸化ケイ素を主体とする複合微粒子ゾル（ルチル型結晶構造、メタノール分散、全固形物濃度２０重量％、触媒化成工業株式会社製、商品名「オプトレイク１１２０Ｚ」、以下、「オプトレイク１１２０Ｚ」と記す）を加え、攪拌して混合する。攪拌混合後、水性ポリエステル（伊藤光学株式会社製）７７ｇを加え、攪拌して混合する。シリコーン系界面活性剤（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ｌ−７６０４」）０．１ｇを添加して、２時間攪拌して混合する。これにより、プライマ層を形成するためのコーティング組成物Ｌとして、プライマ組成物を得る。プライマ組成物の中に、離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に、プライマ組成物を塗布する。引き上げ速度は、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。プライマ組成物が塗布された光学基材１０に、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、光学基材１０の表面に形成されたプライマ層を得る。
ステンレス製のタンク３４内に、メチルアルコール２２０ｇ、水９１．８ｇを投入し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後、酸化チタン、酸化スズ、および酸化ケイ素を主体とする複合微粒子ゾル（ルチル型結晶構造、メタノール分散、全固形物濃度２０重量％、触媒化成工業株式会社製、商品名「オプトレイク１１２０Ｚ」、以下、「オプトレイク１１２０Ｚ」と記す）を加え、攪拌して混合する。攪拌混合後、水性ポリエステル（伊藤光学株式会社製）７７ｇを加え、攪拌して混合する。シリコーン系界面活性剤（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ｌ−７６０４」）０．１ｇを添加して、２時間攪拌して混合する。これにより、プライマ層を形成するためのコーティング組成物Ｌとして、プライマ組成物を得る。プライマ組成物の中に、離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に、プライマ組成物を塗布する。引き上げ速度は、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。プライマ組成物が塗布された光学基材１０に、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、光学基材１０の表面に形成されたプライマ層を得る。
プライマ層形成工程（Ｓ１０５）の後に、ハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を行う。以下、ハードコート形成工程（Ｓ１０６）について図７を参照して説明する。
ステンレス製のタンク３４内に、ブチルセロソルブ６２．５ｇおよびγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン６７．１ｇを投入し、十分に攪拌して混合する。その後攪拌しながら、タンク３４内に、０．１モル／リットル塩酸３０．７ｇを滴下し、さらに４時間攪拌する。その後、一昼夜熟成させることにより、シラン加水分解物を得る。このシラン加水分解物の中に、オプトレイク１１２０Ｚを３２５ｇ、ならびにグリセロールジグリシジルエーテル（ナガセ化成株式会社製、商品名「デナコールＥＸ−３１３」）１２．５ｇを添加する。その後、鉄（III）アセチルアセトナート１．３６ｇおよびシリコーン系界面活性剤（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ｌ−７００１」、以下、「Ｌ−７００１」と記す）０．１５ｇ、フェノール系酸化防止剤（川口化学工業株式会社製、商品名「アンテージクリスタル」）０．２６ｇを添加して、４時間攪拌する。その後、一昼夜熟成させることにより、コーティング組成物Ｌとして、ハードコートα層形成用コーティング組成物を得る。
ハードコートα層形成用コーティング組成物の中に、プライマ層形成工程においてプライマ層が形成された光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に形成されたプライマ層の表面に、ハードコートα層形成用コーティング組成物を塗布する。引き上げ速度は、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。ハードコートα層形成用コーティング組成物が塗布された光学基材１０に、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、プライマ層の表面に形成されたハードコートα層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成１に示すコーティング層２を形成する。
ステンレス製のタンク３４内に、ブチルセロソルブ６２．５ｇおよびγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン６７．１ｇを投入し、十分に攪拌して混合する。その後攪拌しながら、タンク３４内に、０．１モル／リットル塩酸３０．７ｇを滴下し、さらに４時間攪拌する。その後、一昼夜熟成させることにより、シラン加水分解物を得る。このシラン加水分解物の中に、オプトレイク１１２０Ｚを３２５ｇ、ならびにグリセロールジグリシジルエーテル（ナガセ化成株式会社製、商品名「デナコールＥＸ−３１３」）１２．５ｇを添加する。その後、鉄（III）アセチルアセトナート１．３６ｇおよびシリコーン系界面活性剤（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ｌ−７００１」、以下、「Ｌ−７００１」と記す）０．１５ｇ、フェノール系酸化防止剤（川口化学工業株式会社製、商品名「アンテージクリスタル」）０．２６ｇを添加して、４時間攪拌する。その後、一昼夜熟成させることにより、コーティング組成物Ｌとして、ハードコートα層形成用コーティング組成物を得る。
ハードコートα層形成用コーティング組成物の中に、プライマ層形成工程においてプライマ層が形成された光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に形成されたプライマ層の表面に、ハードコートα層形成用コーティング組成物を塗布する。引き上げ速度は、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。ハードコートα層形成用コーティング組成物が塗布された光学基材１０に、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、プライマ層の表面に形成されたハードコートα層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成１に示すコーティング層２を形成する。
ハードコート層形成工程（Ｓ１０６）の後に、アニール工程（Ｓ１０７）を行う。アニール工程（Ｓ１０７）において、コーティング層２としてプライマ層およびプライマ層の表面にハードコートα層が形成された光学基材１０に、１２５℃で３時間のアニール処理を施す。これにより、光学物品１が完成する。
アニール工程（Ｓ１０７）の後に、図７に示す浸漬装置３０を用いて、反射防止層形成工程（Ｓ１０８）を行う。アニール処理を施された光学基材１０の表面に形成されたプライマ層、そしてこのプライマ層の表面に形成されたハードコートα層の表面に、２点鎖線で示す層Ｐとして反射防止層を形成する。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例２］
以下に、本発明の実施例２について、図面に基づき説明する。
実施例２において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成２に示す一層構成である。
以下に、本発明の実施例２について、図面に基づき説明する。
実施例２において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成２に示す一層構成である。
実施例２に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、上述した第２実施形態を示す図３である。
図３に示すように、実施例２の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、ハードコート層形成工程（Ｓ２０５）のみを実施することに特徴がある。なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
図３に示すように、実施例２の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、ハードコート層形成工程（Ｓ２０５）のみを実施することに特徴がある。なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
離型工程（Ｓ１０４）の後に、コーティング層形成工程として、実施例２のハードコート層形成工程（Ｓ２０５）を行う。以下、ハードコート層形成工程（Ｓ２０５）について図７を参照して説明する。
コーティング組成物Ｌとして、前述のハードコートα層形成用コーティング組成物の中に、離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に、ハードコートα層形成用コーティング組成物を塗布する。引き上げ速度は、実施例１と同様に、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。ハードコートα層形成用コーティング組成物が塗布された光学基材１０に、実施例１と同様にして、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、光学基材１０の表面にハードコートα層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成２に示すコーティング層２を形成する。
コーティング組成物Ｌとして、前述のハードコートα層形成用コーティング組成物の中に、離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に、ハードコートα層形成用コーティング組成物を塗布する。引き上げ速度は、実施例１と同様に、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。ハードコートα層形成用コーティング組成物が塗布された光学基材１０に、実施例１と同様にして、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、光学基材１０の表面にハードコートα層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成２に示すコーティング層２を形成する。
ハードコート層形成工程（Ｓ２０５）の後に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程（Ｓ２０６）を行う。アニール工程（Ｓ２０６）の後に、実施例１に示す反射防止層形成工程（Ｓ１０８）と同様に反射防止層形成工程（Ｓ２０７）を行う。アニール処理を施された光学基材１０の表面に形成されたハードコートα層の表面に、２点鎖線で示す層Ｐとして反射防止層を形成する。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例３］
以下に、本発明の実施例３について、図面に基づき説明する。
実施例３において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成２に示す一層構成である。
以下に、本発明の実施例３について、図面に基づき説明する。
実施例３において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成２に示す一層構成である。
実施例３に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、実施例２と同じく上述した第２実施形態を示す図３である。
実施例３の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、図３に示すハードコート層形成工程（Ｓ２０５）において、ハードコートβ層を形成することに特徴がある。なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
実施例３の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、図３に示すハードコート層形成工程（Ｓ２０５）において、ハードコートβ層を形成することに特徴がある。なお、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
以下、実施例３のハードコート層形成工程（Ｓ２０５）について図７を参照して説明する。
ステンレス製のタンク３４内にブチルセロソルブ１０００重量部を投入し、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２００重量部を加えて十分攪拌した後、０．１モル／リットル塩酸３００重量部を添加して一昼夜攪拌を続け、シラン加水分解物を得る。このシラン加水分解物中にＬ−７００１を３０重量部、加えて１時間撹拌した後、酸化チタンを主体とする複合微粒子ゾル（オプトレイク１１２０Ｚ）を７３００重量部加え２時間撹拌混合した。次いでエポキシ樹脂（ナガセ化成（株）製、商品名デナコールＥＸ−３１３）２５０重量部を加えて２時間攪拌した後、鉄（III）アセチルアセトナート２０重量部を加えて１時間攪拌し、２μｍのフィルターで濾過を行うことで、コーティング組成物Ｌとして、ハードコートβ層形成用コーティング組成物を得る。
ハードコートβ層形成用コーティング組成物の中に、離型工程の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に、ハードコートβ層形成用コーティング組成物を塗布する。引き上げ速度は、実施例１と同様に、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。ハードコートβ層形成用コーティング組成物が塗布された光学基材１０に、実施例１と同様にして、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、光学基材１０の表面にハードコートβ層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成２に示すコーティング層２を形成する。
ステンレス製のタンク３４内にブチルセロソルブ１０００重量部を投入し、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２００重量部を加えて十分攪拌した後、０．１モル／リットル塩酸３００重量部を添加して一昼夜攪拌を続け、シラン加水分解物を得る。このシラン加水分解物中にＬ−７００１を３０重量部、加えて１時間撹拌した後、酸化チタンを主体とする複合微粒子ゾル（オプトレイク１１２０Ｚ）を７３００重量部加え２時間撹拌混合した。次いでエポキシ樹脂（ナガセ化成（株）製、商品名デナコールＥＸ−３１３）２５０重量部を加えて２時間攪拌した後、鉄（III）アセチルアセトナート２０重量部を加えて１時間攪拌し、２μｍのフィルターで濾過を行うことで、コーティング組成物Ｌとして、ハードコートβ層形成用コーティング組成物を得る。
ハードコートβ層形成用コーティング組成物の中に、離型工程の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面に、ハードコートβ層形成用コーティング組成物を塗布する。引き上げ速度は、実施例１と同様に、２００ｍｍ／ｍｉｎとする。ハードコートβ層形成用コーティング組成物が塗布された光学基材１０に、実施例１と同様にして、８０℃で３０分間の加熱処理を施す。これにより、光学基材１０の表面にハードコートβ層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成２に示すコーティング層２を形成する。
ハードコート層形成工程（Ｓ２０５）の後に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程（Ｓ２０６）を行う。アニール工程（Ｓ２０６）の後に、実施例１に示す反射防止層形成工程（Ｓ１０８）と同様に反射防止層形成工程（Ｓ２０７）を行う。アニール処理を施された光学基材１０の表面に形成されたハードコートβ層の表面に、２点鎖線で示す層Ｐとして反射防止層を形成する。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例４］
以下に、本発明の実施例４について、図面に基づき説明する。
実施例４において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成３に示す三層構成である。
以下に、本発明の実施例４について、図面に基づき説明する。
実施例４において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成３に示す三層構成である。
実施例４に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、上述した第３実施形態を示す図４である。
図４に示すように、実施例４の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ３０６）を行い、引き続いて反射防止層形成工程（Ｓ３０７）を実施することに特徴がある。なお、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート形成工程（Ｓ３０６）は、実施例１と同様であるため、説明を省略する。また、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
図４に示すように、実施例４の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ３０６）を行い、引き続いて反射防止層形成工程（Ｓ３０７）を実施することに特徴がある。なお、プライマ層形成工程（Ｓ３０５）およびハードコート形成工程（Ｓ３０６）は、実施例１と同様であるため、説明を省略する。また、基材形成工程は、図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
以下、ハードコート層形成工程の後に行う、反射防止層形成工程（Ｓ３０７）について、図７を参照して説明する。
ステンレス製のタンク３４内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル４８．６ｇおよびγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１４．１ｇを投入し、十分に攪拌して混合する。その後攪拌しながら、タンク３４内に、０．１モル／リットル塩酸４ｇを滴下し、さらに５時間攪拌する。その後、イソプロパノール分散中空シリカゲル（平均粒径９１ｎｍ、固形濃度３０重量％、触媒化成工業株式会社製）３３．３ｇを添加して十分に攪拌して混合する。そしてＬ−７００１を０．０３ｇ添加し、十分攪拌し、溶解させることにより固形分濃度２０％のコーティング原液を得る。この固形分濃度２０％のコーティング原液に、３００ｐｐｍ濃度のシリコーン系界面活性剤（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ｌ−７６０４」）を含有するプロピレングリコールモノエーテル溶液１１４．７ｇを添加し、十分に攪拌し、コーティング組成物Ｌとして、反射防止層用有機層組成物である固形分濃度約４．７％のコーティング液を得る。
この固形分濃度約４．７％のコーティング液の中に、ハードコート層形成工程（Ｓ３０６）の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面からプライマ層およびハードコートα層の順に形成されたハードコートα層の表面に、固形分濃度約４．７％のコーティング液を塗布する。引き上げ速度は、実施例１と同様に、１００ｍｍ／ｍｉｎとする。固形分濃度約４．７％のコーティング液が塗布された光学基材１０に、実施例１と同様にして、８０℃で３０分間の加熱処理を施し、反射防止層用有機層を得る。これにより、ハードコートα層の表面に形成された反射防止層用有機層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成３に示すコーティング層２を形成する。
ステンレス製のタンク３４内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル４８．６ｇおよびγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１４．１ｇを投入し、十分に攪拌して混合する。その後攪拌しながら、タンク３４内に、０．１モル／リットル塩酸４ｇを滴下し、さらに５時間攪拌する。その後、イソプロパノール分散中空シリカゲル（平均粒径９１ｎｍ、固形濃度３０重量％、触媒化成工業株式会社製）３３．３ｇを添加して十分に攪拌して混合する。そしてＬ−７００１を０．０３ｇ添加し、十分攪拌し、溶解させることにより固形分濃度２０％のコーティング原液を得る。この固形分濃度２０％のコーティング原液に、３００ｐｐｍ濃度のシリコーン系界面活性剤（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ｌ−７６０４」）を含有するプロピレングリコールモノエーテル溶液１１４．７ｇを添加し、十分に攪拌し、コーティング組成物Ｌとして、反射防止層用有機層組成物である固形分濃度約４．７％のコーティング液を得る。
この固形分濃度約４．７％のコーティング液の中に、ハードコート層形成工程（Ｓ３０６）の後の光学基材１０を、図７に示す浸漬装置３０を用いて浸漬する。これにより、光学基材１０の表面からプライマ層およびハードコートα層の順に形成されたハードコートα層の表面に、固形分濃度約４．７％のコーティング液を塗布する。引き上げ速度は、実施例１と同様に、１００ｍｍ／ｍｉｎとする。固形分濃度約４．７％のコーティング液が塗布された光学基材１０に、実施例１と同様にして、８０℃で３０分間の加熱処理を施し、反射防止層用有機層を得る。これにより、ハードコートα層の表面に形成された反射防止層用有機層を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成３に示すコーティング層２を形成する。
反射防止層形成工程（Ｓ３０７）の後に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程（Ｓ３０８）を行う。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例５］
以下に、本発明の実施例５について、図面に基づき説明する。
実施例５において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成４に示す多層構成である。
以下に、本発明の実施例５について、図面に基づき説明する。
実施例５において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成４に示す多層構成である。
実施例５に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、上述した第４実施形態を示す図５である。
図５に示すように、実施例５の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、反射防止層形成工程（Ｓ４０５）のみを実施することに特徴がある。なお、基材形成工程は、実施例１の図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
図５に示すように、実施例５の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、反射防止層形成工程（Ｓ４０５）のみを実施することに特徴がある。なお、基材形成工程は、実施例１の図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
離型工程（Ｓ１０４）の後に、コーティング層形成工程として反射防止層形成工程（Ｓ４０５）を行う。以下、反射防止層形成工程（Ｓ４０５）について図８を参照して説明する。
離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０に、プラズマ処理を施す。プラズマ処理の条件は、アルゴンプラズマ４００Ｗで６０秒間とする。プラズマ処理された光学基材１０の表面から順に、第１層としてのＳｉＯ２、第２層としてのＺｒＯ２、第３層としてのＳｉＯ２、第４層としてのＺｒＯ２、第５層としてのＳｉＯ２を、図８に示す真空蒸着装置４０を用いて、真空蒸着法により形成する。真空蒸着装置４０は、真空器械工業株式会社製、装置名「ＢＭＣ−１０００」を用いる。これにより、コーティング層２として、無機層である第１層、第２層、第３層、第４層、および第５層からなる反射防止多層膜を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成４に示すコーティング層２を形成する。
反射防止多層膜を構成する第１層から第５層のそれぞれの光学的膜厚は、次に示すとおりである。第１層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０８３λ、第２層としてのＺｒＯ２の光学的膜厚は０．１７λ、第３層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０７５λ、第４層としてのＺｒＯ２の光学的膜厚は０．１９５λ、第５層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０２５λとする。そして、第１層、ならびに第２層、第３層、および第４層、ならびに第５層の光学的膜厚は、それぞれλ／４となる。反射防止多層膜の波長λは、設計値５２０ｎｍとする。
離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０に、プラズマ処理を施す。プラズマ処理の条件は、アルゴンプラズマ４００Ｗで６０秒間とする。プラズマ処理された光学基材１０の表面から順に、第１層としてのＳｉＯ２、第２層としてのＺｒＯ２、第３層としてのＳｉＯ２、第４層としてのＺｒＯ２、第５層としてのＳｉＯ２を、図８に示す真空蒸着装置４０を用いて、真空蒸着法により形成する。真空蒸着装置４０は、真空器械工業株式会社製、装置名「ＢＭＣ−１０００」を用いる。これにより、コーティング層２として、無機層である第１層、第２層、第３層、第４層、および第５層からなる反射防止多層膜を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成４に示すコーティング層２を形成する。
反射防止多層膜を構成する第１層から第５層のそれぞれの光学的膜厚は、次に示すとおりである。第１層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０８３λ、第２層としてのＺｒＯ２の光学的膜厚は０．１７λ、第３層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０７５λ、第４層としてのＺｒＯ２の光学的膜厚は０．１９５λ、第５層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０２５λとする。そして、第１層、ならびに第２層、第３層、および第４層、ならびに第５層の光学的膜厚は、それぞれλ／４となる。反射防止多層膜の波長λは、設計値５２０ｎｍとする。
反射防止層形成工程の後に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程（Ｓ４０６）を行う。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例６］
以下に、本発明の実施例６について、図面に基づき説明する。
実施例６において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成４に示す多層構成である。
以下に、本発明の実施例６について、図面に基づき説明する。
実施例６において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、構成４に示す多層構成である。
実施例６に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、実施例５と同じく上述した第４実施形態を示す図５である。
実施例６の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、図５に示す反射防止層形成工程（Ｓ４０５）において、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２からなる７層の反射防止層を形成することに特徴がある。なお、基材形成工程は、実施例１の図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
実施例６の光学物品の製造方法は、コーティング層形成工程として、図５に示す反射防止層形成工程（Ｓ４０５）において、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２からなる７層の反射防止層を形成することに特徴がある。なお、基材形成工程は、実施例１の図２に示す基材形成工程と同様のため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
離型工程（Ｓ１０４）の後に、コーティング層形成工程として、反射防止層形成工程（Ｓ４０５）を行う。以下、実施例６の反射防止層形成工程（Ｓ４０５）について図８を参照して説明する。
離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０に、プラズマ処理を施す。プラズマ処理の条件は、アルゴンプラズマ４００Ｗで６０秒間とする。プラズマ処理された光学基材１０の表面から順に、第１層としてのＳｉＯ２、第２層としてのＴｉＯ２、第３層としてのＳｉＯ２、第４層としてのＴｉＯ２、第５層としてのＳｉＯ２、第６層としてのＴｉＯ２、第７層としてのＳｉＯ２を、図８に示す真空蒸着装置４０を用いて、真空蒸着法により形成する。これにより、コーティング層２として、無機層である第１層、第２層、第３層、第４層、第５層、第６層、および第７層からなる反射防止多層膜を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成４に示すコーティング層２を形成する。
反射防止多層膜を構成する第１層から第７層のそれぞれの光学的膜厚は、次に示すとおりである。第１層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０８３λ、第２層としてのＴｉＯ２の光学的膜厚は０．０７０λ、第３層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．１０λ、第４層としてのＴｉＯ２の光学的膜厚は０．１８λ、第５層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０６５λ、第６層としてのＴｉＯ２の光学膜厚は０．１４λ、第７層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．２６λとする。そして、第１層、ならびに第２層、第３層、第４層、第５層、および第６層、ならびに第７層の光学的膜厚は、それぞれλ／４となる。反射防止多層膜の波長λは、設計値５２０ｎｍとする。
離型工程（Ｓ１０４）の後の光学基材１０に、プラズマ処理を施す。プラズマ処理の条件は、アルゴンプラズマ４００Ｗで６０秒間とする。プラズマ処理された光学基材１０の表面から順に、第１層としてのＳｉＯ２、第２層としてのＴｉＯ２、第３層としてのＳｉＯ２、第４層としてのＴｉＯ２、第５層としてのＳｉＯ２、第６層としてのＴｉＯ２、第７層としてのＳｉＯ２を、図８に示す真空蒸着装置４０を用いて、真空蒸着法により形成する。これにより、コーティング層２として、無機層である第１層、第２層、第３層、第４層、第５層、第６層、および第７層からなる反射防止多層膜を得る。このようにして、光学基材１０の表面に、構成４に示すコーティング層２を形成する。
反射防止多層膜を構成する第１層から第７層のそれぞれの光学的膜厚は、次に示すとおりである。第１層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０８３λ、第２層としてのＴｉＯ２の光学的膜厚は０．０７０λ、第３層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．１０λ、第４層としてのＴｉＯ２の光学的膜厚は０．１８λ、第５層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．０６５λ、第６層としてのＴｉＯ２の光学膜厚は０．１４λ、第７層としてのＳｉＯ２の光学的膜厚は０．２６λとする。そして、第１層、ならびに第２層、第３層、第４層、第５層、および第６層、ならびに第７層の光学的膜厚は、それぞれλ／４となる。反射防止多層膜の波長λは、設計値５２０ｎｍとする。
反射防止層形成工程（Ｓ４０５）の後に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程（Ｓ４０６）を行う。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例７］
以下に、本発明の実施例７について、図面に基づき説明する。
実施例７において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
以下に、本発明の実施例７について、図面に基づき説明する。
実施例７において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
実施例７に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、実施例１と同じく上述した第１実施形態を示す図２である。
実施例７の光学物品の製造方法は、図２に示す原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学基材１０の原料としてＳｎ−１を用いて光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成するとしたことを、光学基材１０の原料としてテトラキス（３−オキセタニルチオ）スズ（以下、『Ｓｎ−２』と記す。）を用いることに特徴を有している。
実施例７の光学物品の製造方法は、図２に示す原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学基材１０の原料としてＳｎ−１を用いて光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成するとしたことを、光学基材１０の原料としてテトラキス（３−オキセタニルチオ）スズ（以下、『Ｓｎ−２』と記す。）を用いることに特徴を有している。
以下、原料調合工程（Ｓ１０１）について説明する。
原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成する。
光学基材１０の原料としてＳｎ−２を３０ｇ、紫外線吸収剤としてＳＥＥＳＯＲＢ７０１（シプロ化成工業製）０．３ｇ、重合触媒としてトリフルオロメタンスルホン酸０．３ｇを添加し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後に、重合触媒としてＮ，Ｎジメチルシクロへキシルアミン０．１ｇを加えて混合した後、１．５ｋＰａ以下に減圧した状態で攪拌しながら１５分間脱気を行うことにより、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を得る。Ｓｎ−２を含む基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇは、１１０℃である。
原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成する。
光学基材１０の原料としてＳｎ−２を３０ｇ、紫外線吸収剤としてＳＥＥＳＯＲＢ７０１（シプロ化成工業製）０．３ｇ、重合触媒としてトリフルオロメタンスルホン酸０．３ｇを添加し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後に、重合触媒としてＮ，Ｎジメチルシクロへキシルアミン０．１ｇを加えて混合した後、１．５ｋＰａ以下に減圧した状態で攪拌しながら１５分間脱気を行うことにより、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を得る。Ｓｎ−２を含む基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇは、１１０℃である。
原料調合工程（Ｓ１０１）の後に、実施例１と同様に、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）を行う。これにより、光学基材１０を得る。ここで、光学基材１０は、度数が約−３Ｄであることを確認した。また、２枚の鏡面仕上げされたガラスフラット板を用いて、厚さ２ｍｍのプラスチック板を作成し、ダイヤモンドカッタで光学基材１０を切り出した。切り出された光学基材１０の屈折率を、アッベ屈折率計を用いて、気温２０℃で５８９．３ｎｍのＤ線の屈折率（ｎｄ）を測定し、ｎｄ＝１．７５４であることを確認した。なお、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）は、実施例１と同様であるため、説明を省略する。
離型工程（Ｓ１０４）の後、実施例１と同様に、コーティング層形成工程として、プライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を順順に行う。このようにして、光学基材１０の表面に、構成１に示すコーティング層２を形成する。コーティング層形成工程の後に、アニール工程（Ｓ１０７）および反射防止層形成工程（Ｓ１０８）を順順に行う。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例８］
以下に、本発明の実施例８について、図面に基づき説明する。
実施例８において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
以下に、本発明の実施例８について、図面に基づき説明する。
実施例８において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
実施例８に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、実施例１と同じく上述した第１実施形態を示す図２である。
実施例８の光学物品の製造方法は、図２に示す原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学基材１０の原料としてＳｎ−１を用いて光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成するとしたことを、光学基材１０の原料としてテトラキス（２，３−エポキシ−１−プロピルチオ）スズ（以下、『Ｓｎ−３』と記す。）を用いることに特徴がある。
実施例８の光学物品の製造方法は、図２に示す原料調合工程（Ｓ１０１）において、光学基材１０の原料としてＳｎ−１を用いて光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成するとしたことを、光学基材１０の原料としてテトラキス（２，３−エポキシ−１−プロピルチオ）スズ（以下、『Ｓｎ−３』と記す。）を用いることに特徴がある。
以下、原料調合工程（Ｓ１０１）について説明する。
原料調合工程において、光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成する。
光学基材１０の原料としてＳｎ−３を３０ｇ、紫外線吸収剤としてＳＥＥＳＯＲＢ７０１（シプロ化成工業製）０．３ｇ、重合触媒としてトリフルオロメタンスルホン酸０．０１５ｇを添加し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後に、重合触媒としてＮ，Ｎジメチルシクロへキシルアミン０．１ｇを加えて混合した後、１．５ｋＰａ以下に減圧した状態で攪拌しながら１５分間脱気を行うことにより、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を得る。Ｓｎ−３を含む基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇは、１１０℃である。
原料調合工程において、光学基材１０を形成する一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を形成する。
光学基材１０の原料としてＳｎ−３を３０ｇ、紫外線吸収剤としてＳＥＥＳＯＲＢ７０１（シプロ化成工業製）０．３ｇ、重合触媒としてトリフルオロメタンスルホン酸０．０１５ｇを添加し、十分に攪拌して混合する。攪拌混合後に、重合触媒としてＮ，Ｎジメチルシクロへキシルアミン０．１ｇを加えて混合した後、１．５ｋＰａ以下に減圧した状態で攪拌しながら１５分間脱気を行うことにより、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を得る。Ｓｎ−３を含む基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇは、１１０℃である。
原料調合工程の後に、実施例１と同様に、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）を行うことにより、光学基材１０を得る。ここで、光学基材１０は、度数が約−３Ｄであることを確認した。また、２枚の鏡面仕上げされたガラスフラット板を用いて、厚さ２ｍｍのプラスチック板を作成し、ダイヤモンドカッタで光学基材１０を切り出した。切り出された光学基材１０の屈折率を、アッベ屈折率計を用いて、気温２０℃で５８９．３ｎｍのＤ線の屈折率（ｎｄ）を測定し、ｎｄ＝１．７５８であることを確認した。なお、ガラスモールド注入工程（Ｓ１０２）、熱硬化工程（Ｓ１０３）、および離型工程（Ｓ１０４）は、実施例１と同様であるため、説明を省略する。
離型工程（Ｓ１０４）の後、実施例１と同様に、コーティング層形成工程として、プライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を順順に行う。このようにして、光学基材１０の表面に、構成１に示すコーティング層２を形成する。コーティング層形成工程の後に、アニール工程（Ｓ１０７）および反射防止層形成工程（Ｓ１０８）を順順に行う。これにより、光学物品１が完成する。
［実施例９］
以下に、本発明の実施例９について、図面に基づき説明する。
実施例９において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
以下に、本発明の実施例９について、図面に基づき説明する。
実施例９において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
実施例９に係る光学物品１の製造方法を示すフローチャート図は、実施例１と同じく上述した第１実施形態を示す図２である。
実施例９の光学物品の製造方法は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）において、プライマ層およびプライマ層の表面に形成されたハードコートα層が形成された光学基材１０の凹面側を下にして、凹面側と対向する台の上または光学基材１０の周縁と同様の形状に形成されたリング状治具の上に配置し、アニール処理を施すとしたことを、図９に示すように、光学基材１０の凹面側を下にして、光学基材１０の凹面側の形状に沿うように凸面形状を有したガラス型２６の凸面形状の上に配置し、アニール処理を施すことを特徴とする。アニール処理は、実施例１と同様に１２５℃で３時間とする。これにより、光学物品１が完成する。実施例９のアニール工程（Ｓ１０７）以外の製造方法は、実施例１の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
実施例９の光学物品の製造方法は、図２に示すアニール工程（Ｓ１０７）において、プライマ層およびプライマ層の表面に形成されたハードコートα層が形成された光学基材１０の凹面側を下にして、凹面側と対向する台の上または光学基材１０の周縁と同様の形状に形成されたリング状治具の上に配置し、アニール処理を施すとしたことを、図９に示すように、光学基材１０の凹面側を下にして、光学基材１０の凹面側の形状に沿うように凸面形状を有したガラス型２６の凸面形状の上に配置し、アニール処理を施すことを特徴とする。アニール処理は、実施例１と同様に１２５℃で３時間とする。これにより、光学物品１が完成する。実施例９のアニール工程（Ｓ１０７）以外の製造方法は、実施例１の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
［実施例１０］
基材形成工程において、市販のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ペレットを射出成形法によりレンズ形状に加工して光学基材１０を得た以外は、実施例１と同様にして光学物品１を製造した。
ＰＭＭＡペレットからフラット板を作成し、ＴＭＡを用いてＴｇを測定したところ、１１０℃であった。
［実施例１１］
基材形成工程において、市販のＰｓｔ（ポリスチレン）ペレットを射出成形法によりレンズ形状に加工して光学基材１０を得た以外は、実施例１と同様にして光学物品１を製造した。
Ｐｓｔペレットからフラット板を作成し、ＴＭＡを用いてＴｇを測定したところ、９５℃であった。
基材形成工程において、市販のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ペレットを射出成形法によりレンズ形状に加工して光学基材１０を得た以外は、実施例１と同様にして光学物品１を製造した。
ＰＭＭＡペレットからフラット板を作成し、ＴＭＡを用いてＴｇを測定したところ、１１０℃であった。
［実施例１１］
基材形成工程において、市販のＰｓｔ（ポリスチレン）ペレットを射出成形法によりレンズ形状に加工して光学基材１０を得た以外は、実施例１と同様にして光学物品１を製造した。
Ｐｓｔペレットからフラット板を作成し、ＴＭＡを用いてＴｇを測定したところ、９５℃であった。
上述の実施例１〜１１において、光学基材１０を構成する基材組成物１１を重合させて得られる樹脂（つまり光学基材）のＴｇは１１０℃または９５℃である。よって、コーティング層２を光学基材１０に形成する加熱処理の温度は、基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇ以下の８０℃で硬化されることにより形成される。また、コーティング層２が形成された光学基材１０に施すアニール処理の温度は、光学基材１０のＴｇを超える１２５℃である。
［比較例１］
比較例１において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、形成されていない無層構成である。
比較例１において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、形成されていない無層構成である。
比較例１の光学物品の製造方法は、実施例１に係る光学物品１の製造方法において、離型工程（Ｓ１０４）の後に、コーティング層形成工程としてプライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を行い、その後にアニール工程（Ｓ１０７）を行うとしたことを、離型工程（Ｓ１０４）の後にアニール工程を行うことを特徴とする。
離型工程（Ｓ１０４）の後、光学基材１０に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程を行う。なお、必要に応じて、アニール工程後に、コーティング層形成工程を行うとしてもよい。
［比較例２］
比較例２において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
比較例２において、図１に示す光学物品１の一層に描画しているコーティング層２は、実施例１と同様に構成１に示す二層構成である。
比較例２の光学物品の製造方法は、実施例１のハードコート形成工程において、鉄（III）アセチルアセトナートを用いるとしたことを、鉄（III）アセチルアセトナートを含まないとすることを特徴とする。
離型工程（Ｓ１０４）の後、実施例１と同様に、コーティング層形成工程として、プライマ層形成工程（Ｓ１０５）およびハードコート層形成工程（Ｓ１０６）を順順に行う。そして、ハードコート層形成工程（Ｓ１０６）の後に、プライマ層およびハードコート層が形成された光学基材１０に、実施例１に示すアニール工程（Ｓ１０７）と同様にアニール工程を行う。
ここで、上述の実施例１〜１１、ならびに比較例１、２の光学基材およびこれを用いた光学物品について、以下に示す評価方法により評価を行った。評価項目は、変形防止用のコーティング層２の硬化具合、ならびに光学基材１０およびこれを用いた光学物品１の変形具合とした。
以下、各評価項目についての評価方法を説明する。
以下、各評価項目についての評価方法を説明する。
（I）硬化具合評価方法。
変形防止用のコーティング層形成工程の後の光学基材を手で触ることにより、硬化具合を観察した。硬化具合を、次の３段階に分けて評価した。
○：変形防止用のコーティング層が、ベタベタしない、あるいは崩れない。
×：変形防止用のコーティング層がベタベタする、あるいは変形防止用のコーティング層の少なくとも一部が光学基材から簡単に取れてしまう。
−：変形防止用のコーティング層を形成していないため、評価不能である。
変形防止用のコーティング層形成工程の後の光学基材を手で触ることにより、硬化具合を観察した。硬化具合を、次の３段階に分けて評価した。
○：変形防止用のコーティング層が、ベタベタしない、あるいは崩れない。
×：変形防止用のコーティング層がベタベタする、あるいは変形防止用のコーティング層の少なくとも一部が光学基材から簡単に取れてしまう。
−：変形防止用のコーティング層を形成していないため、評価不能である。
（II）変形具合評価方法。
アニール工程の後の光学基材またはこれを用いた光学物品の変形具合を、目視により観察した。変形具合を次の３段階に分けて評価した。
◎：光学基材またはこれを用いた光学物品が変形していない。
○：光学基材またはこれを用いた光学物品がほとんど変形していない。
×：光学基材またはこれを用いた光学物品が著しく変形している。
アニール工程の後の光学基材またはこれを用いた光学物品の変形具合を、目視により観察した。変形具合を次の３段階に分けて評価した。
◎：光学基材またはこれを用いた光学物品が変形していない。
○：光学基材またはこれを用いた光学物品がほとんど変形していない。
×：光学基材またはこれを用いた光学物品が著しく変形している。
上述の評価結果を表１に示す。
光学基材の表面に光学基材の変形防止用のコーティング層を形成しない比較例１、ならびに光学基材の表面に光学基材の変形防止用のコーティング層としてプライマ層および鉄（III）アセチルアセトナートを含まないハードコート層を形成した比較例２に対して、光学基材の表面に光学基材の変形防止用のコーティング層を形成した実施例１〜１１は、変形防止用のコーティング層の硬化具合が優れ、ならびに光学基材およびこれを用いた光学物品の変形防止が優れていることを確認することができる。
光学基材の表面に光学基材の変形防止用のコーティング層を形成しない比較例１、ならびに光学基材の表面に光学基材の変形防止用のコーティング層としてプライマ層および鉄（III）アセチルアセトナートを含まないハードコート層を形成した比較例２に対して、光学基材の表面に光学基材の変形防止用のコーティング層を形成した実施例１〜１１は、変形防止用のコーティング層の硬化具合が優れ、ならびに光学基材およびこれを用いた光学物品の変形防止が優れていることを確認することができる。
従って、上述の各実施形態によれば、コーティング層２が、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇ以下の温度で硬化され、光学基材１０の表面に形成されていることにより、コーティング層２が光学基材の形状を維持することから、形状および度数が維持されることが可能となる光学物品１を提供することができる。
また、上述の各実施形態では、光学基材１０の変形防止用のコーティング層２が、光学基材１０の表面に形成されていることにより、変形防止用のコーティング層２が光学基材１０の形状変化を防止することから、形状および度数が維持されることが可能となる光学物品１を提供することができる。
上述の各実施形態では、コーティング層２は、従来の光学物品に備えられているプライマ層、ハードコート層、反射防止層の少なくとも一つを兼ねることができるため、製造工程を増やすことなく製造できる。このため、構成を複雑にすることなく、変形のない光学物品を提供することができる。
上述の各実施形態では、コーティング層形成工程が、光学基材１０の変形防止用のコーティング層２を、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物１１を重合させて得られる樹脂のＴｇ以下の温度で硬化して、光学基材１０の表面に形成することにより、光学基材１０の形状を変わりにくくした後に光学基材１０のＴｇを超える温度でアニール工程を行って光学基材１０の内部応力を緩和させる。このことから、形状および度数を維持する光学物品１の製造方法を提供することができる。
上述の各実施形態では、コーティング層形成工程が、プライマ層形成工程と、ハードコート層形成工程と、反射防止層形成工程との少なくとも一つを兼ねることにより、アニール工程の後の工程が短縮する。このことから、簡略化された光学物品１の製造方法を提供することができる。
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、上述の各実施形態では、光学基材１０は、凹面および凸面を有した形状としていたが、本発明では、平面を２つ有した形状としてもよく、平面、凹面、および凸面の組み合わせにより、凹面または凸面を２つ有した形状としてもよく、凹面と平面と、凸面と平面とを有した形状としてもよい。また、光学基材の形状は、円形状としたが、本発明では、多面体または球体などとしてもよい。
たとえば、上述の各実施形態では、光学基材１０は、凹面および凸面を有した形状としていたが、本発明では、平面を２つ有した形状としてもよく、平面、凹面、および凸面の組み合わせにより、凹面または凸面を２つ有した形状としてもよく、凹面と平面と、凸面と平面とを有した形状としてもよい。また、光学基材の形状は、円形状としたが、本発明では、多面体または球体などとしてもよい。
本発明は、プラスチック製眼鏡レンズに利用できる他、防塵ガラス、防塵水晶、コンデンサレンズ、プリズム、マイクロレンズアレイ、光ディスクの反射防止、ディスプレイの反射防止、太陽電池の反射防止、光アイソレータなどにも利用することができる。
１…光学物品、２…コーティング層、１０…光学基材、１１…基材組成物、２０…成型用ガラスモールド、２１，２２…ガラスモールド、２３…粘着テープ、２４…キャビティ、２５…注入ノズル、２６…ガラス型、３０…浸漬装置、３１…昇降部、３２…ロッド、３３…把持具、３４…タンク、４０…真空蒸着装置、４１…真空容器、４２…排気装置、４３…ガス供給装置、４４…圧力計、４５…基材支持台、４６，４７…蒸発源、４８…フィラメント、４９…基材加熱用ヒータ、Ｌ…コーティング組成物、Ｐ…層
Claims (7)
- 光学基材と、
前記光学基材の表面に設けられたコーティング層と、
を備え、
ＴＭＡ（Thermomechanical Analyzer）を用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、前記光学基材の熱機械分析を実施した場合において、前記光学基材のガラス転移点＋１０℃の測定温度における前記光学基材の厚みの変形量が、前記初期温度における前記光学基材の厚みの１０％以上であり、
前記コーティング層は、前記光学基材のガラス転移点以下の温度で硬化する材料から形成される
ことを特徴とする光学物品。 - 請求項１に記載の光学物品において、
前記光学基材は、
一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から形成される
ことを特徴とする光学物品。
（式（１）中、Ｍは、Ｓｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子、またはＧｅ原子である。Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基であり、Ｘ１は、Ｓ原子またはＯ原子であり、ｎは０〜４の整数を示す。Ｙは、下記の式（１−１）、または式（１−２）、または式（１−３）のいずれかである。）
- 請求項１または請求項２に記載の光学物品において、
前記コーティング層は、前記光学基材の変形防止用のコーティング層である
ことを特徴とする光学物品。 - 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光学物品において、
前記コーティング層は、プライマ層、ハードコート層、反射防止層の少なくとも一つを兼ねる
ことを特徴とする光学物品。 - 光学基材を形成する基材形成工程と、
前記基材形成工程の後に、前記光学基材の表面に前記光学基材の変形防止用のコーティング層を前記光学基材のガラス転移点以下の温度で形成するコーティング層形成工程と、
前記コーティング層形成工程の後に、前記コーティング層および前記光学基材を前記光学基材のガラス転移点を超える温度で加熱するアニ−ル工程と、
を備え、
ＴＭＡ（Thermomechanical Analyzer）を用い、荷重５０ｇ、直径１ｍｍの針入プローブ、初期温度２５℃、昇温スピード１０℃／ｍｉｎの条件で、前記光学基材の熱機械分析を実施した場合において、
前記光学基材のガラス転移点＋１０℃の測定温度における前記光学基材の厚みの変形量が、前記初期温度における前記光学基材の厚みの１０％以上である
ことを特徴とする光学物品の製造方法。 - 請求項１に記載の光学物品の製造方法において、
前記基材形成工程では、一般式（１）で示される化合物を含有する基材組成物から前記光学基材を形成する
ことを特徴とする光学物品の製造方法。
（式（１）中、Ｍは、Ｓｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子、またはＧｅ原子である。Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基であり、Ｘ１は、Ｓ原子またはＯ原子であり、ｎは０〜４の整数を示す。Ｙは、下記の式（１−１）、または式（１−２）、または式（１−３）のいずれかである。）
- 請求項５または請求項６に記載の光学物品の製造方法において、
前記コーティング層形成工程は、
前記光学基材の表面にプライマ層を形成するプライマ層形成工程と、
前記光学基材の表面もしくは前記プライマ層の表面にハードコート層を形成するハードコート層形成工程と、
前記光学基材の表面もしくは前記ハードコート層の表面もしくは前記プライマ層の表面に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
の少なくとも一つを兼ねる
ことを特徴とする光学物品の製造方法。
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