JP2008218770A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板1の表面上に、半導体基板1よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層2が形成された基板を準備し、炭化珪素エピタキシャル層2の表層部に、第2導電型のベース領域3a、3bを形成する。ベース領域3a、3bを含む炭化珪素エピタキシャル層2の表面上に、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層4を形成し、ベース領域3a、3b上部に位置する所定領域の表面チャネル層4を除去し、さらに該所定領域におけるベース領域3a、3bを凹状に除去する。その後、ベース領域3a、3bの凹状の側面および底面に、第1導電型のソース領域5a、5bを形成する。
【選択図】図1
Description
(構造)
図1は、本発明の実施の形態1に係る、nチャネルタイプのパワーMOSFETの断面図である。
次に、図1に示すパワーMOSFETの製造工程を、図2〜図6を用いて説明する。
表面チャネルエピ層4のエッチング後にソース領域5a、5bを形成するための不純物のイオン注入を行うことで、表面チャネルエピ層4エッチング時のプロセスばらつきに関係なくソース領域5a、5bの厚みを十分に確保した半導体装置が得られる。それによりソース領域5a、5bの残膜厚みが安定し、ウェハ面内、ウェハ間でのトランジスタのオン抵抗のばらつきが少なく、かつオン抵抗の小さい炭化珪素半導体装置が得られる。
(構造)
図7は、本発明の実施の形態2に係る、nチャネルタイプの縦型パワーMOSFETの断面図である。
次に、図7に示す縦型パワーMOSFETの製造工程を、図8〜図10を用いて説明する。
実施の形態1と同様に、表面チャネルエピ層5のエッチング後にソース領域5a、5bを形成するための不純物のイオン注入を行うことで、ソース領域5a、5bの残膜厚みが安定し、ウェハ面内、ウェハ間でのトランジスタのオン抵抗のばらつきが少なく、かつオン抵抗の小さい炭化珪素半導体装置が得られる。また、表面チャネルエピ層4のエッチングとソース領域5a、5bを形成するための不純物のイオン注入を同じマスクで行うことによって、ソース領域形成の位置ずれを防ぐことができる。
Claims (4)
- (a)炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板の表面上に、前記半導体基板よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層が形成された基板を準備する工程と、
(b)前記炭化珪素エピタキシャル層の表層部の所定領域に、所定深さを有する第2導電型のベース領域を形成する工程と、
(c)前記ベース領域を含む前記炭化珪素エピタキシャル層の表面上に、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層を形成する工程と、
(d)前記ベース領域上部に位置する所定領域の前記表面チャネル層を除去し、さらに該所定領域における前記ベース領域を凹状に除去する工程と、
(e)前記ベース領域の前記凹状の側面および底面に、第1導電型のソース領域を形成する工程と
を備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)を、マスクを用いたエッチング処理にて行い、
前記工程(e)を、前記マスクを残した状態で、前記半導体基板に対して斜め方向に第1導電型の不純物を注入して行う、
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)を、マスクを用いたエッチング処理にて行い、
前記工程(e)を、前記ベース領域上に位置する前記マスクの端部を除去し、前記半導体基板に対して垂直方向に第1導電型の不純物を注入して行う、
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に形成され、前記半導体基板よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層と、
前記炭化珪素エピタキシャル層の表層部の所定領域に配設され、表面が凹状に形成された、第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域の前記凹状の側面および底面に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ベース領域の表面上において前記ソース領域と前記炭化珪素エピタキシャル層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層とを備える、
炭化珪素半導体装置。
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