JP2008209873A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008209873A5 JP2008209873A5 JP2007049084A JP2007049084A JP2008209873A5 JP 2008209873 A5 JP2008209873 A5 JP 2008209873A5 JP 2007049084 A JP2007049084 A JP 2007049084A JP 2007049084 A JP2007049084 A JP 2007049084A JP 2008209873 A5 JP2008209873 A5 JP 2008209873A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mask blank
- upper layer
- mask
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007049084A JP5009649B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
| TW097106579A TWI437362B (zh) | 2007-02-28 | 2008-02-26 | 遮罩基底、製造曝光遮罩的方法、製造反射式遮罩基底的方法及製造壓印模板的方法 |
| KR1020080018158A KR101575759B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | 마스크 블랭크, 노광 마스크 제조방법 및 임프린트템플레이트 제조방법 |
| US12/038,826 US7838180B2 (en) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | Mask blank, method of manufacturing an exposure mask, and method of manufacturing an imprint template |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007049084A JP5009649B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008209873A JP2008209873A (ja) | 2008-09-11 |
| JP2008209873A5 true JP2008209873A5 (OSRAM) | 2010-07-08 |
| JP5009649B2 JP5009649B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=39716274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007049084A Active JP5009649B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7838180B2 (OSRAM) |
| JP (1) | JP5009649B2 (OSRAM) |
| KR (1) | KR101575759B1 (OSRAM) |
| TW (1) | TWI437362B (OSRAM) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5161017B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-03-13 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びインプリント用モールドの製造方法 |
| NL1036305A1 (nl) | 2007-12-21 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Grating for EUV-radiation, method for manufacturing the grating and wavefront measurement system. |
| JP2011096686A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Hoya Corp | インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス |
| EP2508492A4 (en) * | 2009-12-04 | 2014-07-30 | Asahi Glass Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING A SILICONE-BASED GLASS SUBSTRATE FOR A MOLDING FORM AND METHOD FOR PRODUCING THE MOLDING SHAPE |
| JP5599213B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-10-01 | Hoya株式会社 | モールドの製造方法 |
| JP5123349B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-01-23 | Hoya株式会社 | 多階調マスクの製造方法 |
| JP5504054B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-05-28 | 株式会社東芝 | インプリントマスク、その製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP5627990B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-11-19 | Hoya株式会社 | インプリント用モールドの製造方法 |
| JP2013058523A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9623590B2 (en) * | 2012-01-27 | 2017-04-18 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold |
| JP6389375B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2018-09-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法 |
| JP5821909B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2015-11-24 | 大日本印刷株式会社 | 光インプリント用モールドおよびその製造方法 |
| US9726972B2 (en) * | 2013-09-10 | 2017-08-08 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, and method for manufacturing transfer mask |
| JP5626613B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2014-11-19 | Hoya株式会社 | インプリントモールド用マスクブランク |
| JP2015146412A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 株式会社東芝 | インプリント用テンプレート及びその製造方法 |
| KR101504557B1 (ko) * | 2014-03-23 | 2015-03-20 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크 |
| JP6440996B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2018-12-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| US9984858B2 (en) * | 2015-09-04 | 2018-05-29 | Lam Research Corporation | ALE smoothness: in and outside semiconductor industry |
| WO2018074512A1 (ja) | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| KR102553992B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 토판 포토마스크 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
| CN109991819B (zh) * | 2018-01-03 | 2021-08-03 | 群创光电股份有限公司 | 曝光系统及其用于制造显示面板的方法 |
| JP7494104B2 (ja) * | 2020-12-24 | 2024-06-03 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法およびテンプレートの製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4686006B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
| JP3818171B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2006-09-06 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
| JP2002258458A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-09-11 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP3806702B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2006-08-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
| US6852454B2 (en) | 2002-06-18 | 2005-02-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-tiered lithographic template and method of formation and use |
| JP2006507547A (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-02 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスク及びその上に保護層を生成する方法 |
| JP4693395B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-06-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2006048033A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2006078825A (ja) | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| US7676088B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
-
2007
- 2007-02-28 JP JP2007049084A patent/JP5009649B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-26 TW TW097106579A patent/TWI437362B/zh active
- 2008-02-28 US US12/038,826 patent/US7838180B2/en active Active
- 2008-02-28 KR KR1020080018158A patent/KR101575759B1/ko active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008209873A5 (OSRAM) | ||
| JP2009098689A5 (OSRAM) | ||
| JP2005345737A5 (OSRAM) | ||
| KR102243419B1 (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2015200883A5 (OSRAM) | ||
| JP2005530338A5 (OSRAM) | ||
| TWI621906B (zh) | 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
| JP2017181571A5 (OSRAM) | ||
| JP2013134435A5 (OSRAM) | ||
| JP2009080421A5 (OSRAM) | ||
| JP2015212826A5 (OSRAM) | ||
| TWI605301B (zh) | 遮罩基底及轉印用遮罩以及該等製造方法 | |
| JP2015191218A5 (OSRAM) | ||
| JP2010206156A5 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP6008991B2 (ja) | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP2011164598A5 (OSRAM) | ||
| JP2022064956A5 (OSRAM) | ||
| JP2009206339A5 (OSRAM) | ||
| JP6311772B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
| JP2006268035A5 (OSRAM) | ||
| JP2014145920A5 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2010276724A5 (OSRAM) | ||
| CN101726990A (zh) | 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法 | |
| JP2010092947A5 (OSRAM) | ||
| JP2010198103A5 (OSRAM) |