JP2008209644A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents

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勉 徳永
Mitsuyoshi Makino
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Abstract

【課題】経年変化に伴う画質劣化を抑制させつつも、暗コントラストの更なる向上を図ることができるプラズマディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】各放電セル内に二次電子放出材料を含む蛍光体層を備えたプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置の累積使用時間に応じて、このプラズマディスプレイパネルに印加する各種駆動パルスのパルス電圧及び/又はパルス幅を調整する。
【選択図】図1

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置に関する。
現在、薄型で大画面の表示デバイスとして、画素に対応した放電セルがマトリクス状に配列されているプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)を搭載したプラズマディスプレイ装置が製品化されている。
又、各放電セル内において電極を被覆すべく設けられている酸化マグネシウム層内に、電子線照射によって200〜300nmにピークを有するCL発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体を含ませることにより、放電確率を高めるようにしたPDPが提案されている(例えば、特許文献1参照)。このようなPDPによれば、放電遅れが大幅に短縮されるので、微弱な放電を短時間に安定して生起させることが可能となる。よって、表示画像には関与しない放電(リセット放電等)に伴う発光を抑制させて、暗い画像を表示している際のコントラスト、いわゆる暗コントラストを向上させることが可能となる。
ところが、かかるPDPにおいては、経年変化によって誤放電の確率が高くなり、表示画質が劣化するという問題があった。
特開2006−91437号公報
本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、経年変化に伴う画質劣化を抑制させつつも、暗コントラストの更なる向上を図ることができるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
請求項1記載によるプラズマディスプレイ装置は、放電ガスが封入された放電空間を挟んで第1基板及び第2基板が対向配置されており前記第1基板に形成されている複数の行電極対と前記第2基板に形成されている複数の列電極との各交叉部に放電セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて駆動するプラズマディスプレイ装置であって、前記放電セル各々の前記放電空間に接する面に形成されており、二次電子放出材料を含む蛍光体層と、前記映像信号における単位表示期間毎に複数のサブフィールド各々において前記行電極対及び前記列電極各々に駆動パルスを印加することにより前記放電セル内で放電を生起させる駆動部と、前記プラズマディスプレイパネルの累積使用時間又は階調表示に寄与する駆動パルスの累積印加数に応じて前記駆動パルスの形状を調整する制御部と、を有する。
各放電セル内に二次電子放出材料を含む蛍光体層を備えたプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置の累積使用時間、又はプラズマディスプレイパネルを階調駆動すべく印加される駆動パルスの累積印加数に応じて、この駆動パルスのパルス形状を調整する。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
図1に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとしてのPDP50、X電極ドライバ51、Y電極ドライバ53、アドレスドライバ55、駆動制御回路56、累積使用時間タイマ57及び経時変化データメモリ58から構成される。
PDP50には、2次元表示画面の縦方向(垂直方向)に夫々伸張して配列された列電極D〜D、横方向(水平方向)に夫々伸張して配列された行電極X〜X及び行電極Y〜Yが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対(Y,X)、(Y,X)、(Y,X)、・・・、(Y,X)が夫々、PDP50における第1表示ライン〜第n表示ラインを担う。各表示ラインと列電極D〜D各々との交叉部(図1中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う放電セル(表示セル)PCが形成されている。すなわち、PDP50には、第1表示ラインに属する放電セルPC1,1〜PC1,m、第2表示ラインに属する放電セルPC2,1〜PC2,m、・・・・、第n表示ラインに属する放電セルPCn,1〜PCn,mの各々がマトリクス状に配列されているのである。
図2は、表示面側から眺めたPDP50の内部構造を模式的に示す正面図である。尚、図2においては、夫々隣接する3つの列電極Dと、互いに隣接する2つの表示ラインとの各交叉部を抜粋して示すものである。又、図3は、図2のV−V線におけるPDP50の断面を示す図であり、図4は、図2のW−W線におけるPDP50の断面を示す図である。
図2に示すように、各行電極Xは、2次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Xbと、かかるバス電極Xb上の各放電セルPCに対応した位置に夫々接触して設けられたT字形状の透明電極Xaと、から構成される。各行電極Yは、2次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ybと、かかるバス電極Yb上の各放電セルPCに対応した位置に夫々接触して設けられたT字形状の透明電極Yaと、から構成される。透明電極Xa及びYaは例えばITO等の透明導電膜からなり、バス電極Xb及びYbは例えば金属膜からなる。透明電極Xa及バス電極Xbからなる行電極X、並びに透明電極Ya及バス電極Ybからなる行電極Yは、図3に示す如く、その前面側がPDP50の表示面となる前面透明基板10の背面側に形成されている。この際、各行電極対(X、Y)における透明電極Xa及びYaは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップg1を介して互いに対向している。又、前面透明基板10の背面側には、行電極対(X、Y)とこの行電極対に隣接する行電極対(X、Y)との間に、2次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層(遮光層)11が形成されている。さらに、前面透明基板10の背面側には、行電極対(X,Y)を被覆するように誘電体層12が形成されている。この誘電体層12の背面側(行電極対が接触する面とは反対側の面)には、図3に示す如く、光吸収層11とこの光吸収層11に隣接するバス電極Xb及びYbとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層12Aが形成されている。
誘電体層12及び嵩上げ誘電体層12Aの表面上には、酸化マグネシウム層13が形成されている。尚、酸化マグネシウム層13は、電子線の照射によって励起されて波長200〜300nm内、特に、230〜250nm内にピークを有するCL(カソードルミネッセンス)発光を行う二次電子放出材としての酸化マグネシウム結晶体(以下、CL発光MgO結晶体と称する)を含むものである。このCL発光MgO結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるものであり、例えば立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは立方体の単結晶構造を有する。CL発光MgO結晶体の平均粒径は、2000オングストローム以上(BET法による測定結果)である。
平均粒径が2000オングストローム以上の大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要がある。このため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど、上述した如きCL発光のピーク波長(例えば、235nm付近、230〜250nm内)に対応したエネルギー準位を有するものが多く形成されることになる。
また、一般的な気相酸化法に比べ、単位時間当たりに蒸発させるマグネシウムの量を増加させてマグネシウムと酸素との反応領域をより増大させ、より多くの酸素と反応することによって生成された気相法酸化マグネシウム単結晶体は、上述したCL発光のピーク波長に対応したエネルギー準位を有するものとなる。
このようなCL発光MgO結晶体を、スプレー法や静電塗布法等によって、誘電体層12の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層13が形成されている。尚、誘電体層12の表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上にCL発光MgO結晶体を付着させて酸化マグネシウム層13を形成するようにしても良い。
一方、前面透明基板10と平行に配置された背面基板14上には、各行電極対(X,Y)における透明電極Xa及びYaに対向する位置において、列電極Dの各々が行電極対(X,Y)と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板14上には、更に列電極Dを被覆する白色の列電極保護層15が形成されている。この列電極保護層15上には隔壁16が形成されている。隔壁16は、各行電極対(X,Y)のバス電極Xb及びYbに対応した位置において夫々2次元表示画面の横方向に伸張している横壁16Aと、互いに隣接する列電極D間の各中間位置において2次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁16Bとによって梯子形状に形成されている。更に、図2に示す如き梯子形状の隔壁16がPDP50の各表示ライン毎に形成されている。互いに隣接する隔壁16の間には、図2に示す如き隙間SLが存在する。又、梯子状の隔壁16により、夫々独立した放電空間S、透明電極Xa及びYaを含む放電セルPCが区画されている。放電空間S内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各放電セルPC内における横壁16Aの側面、縦壁16Bの側面、及び列電極保護層15の表面には、これらの面を全て覆うように蛍光体層17が形成されている。この蛍光体層17は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の3種類からなる。
尚、蛍光体層17内には、例えば図5に示す如き形態にて、二次電子放出材としてのMgO結晶体(CL発光MgO結晶体を含む)が含まれている。この際、蛍光体層17の表面上における放電空間Sを覆う面上、つまり放電空間Sと接する面上には、放電ガスと接触するようにMgO結晶体が蛍光体層17から露出している。
ここで、各放電セルPCの放電空間Sと隙間SLとの間は、図3に示す如く酸化マグネシウム層13が横壁16Aに当接されることによって互いに閉じられている。又、図4に示す如く、縦壁16Bは酸化マグネシウム層13に当接されていないので、その間に隙間rが存在する。すなわち、2次元表示画面の横方向において互いに隣接する放電セルPC各々の放電空間Sは、この隙間rを介して互いに連通しているのである。
X電極ドライバ51は、リセットパルス発生回路、及びサスティンパルス発生回路からなる。X電極ドライバ51のリセットパルス発生回路は、駆動制御回路56から供給されたリセットパルス生成信号によって示されるピーク電位(パルス電圧)を有するリセットパルス(後述する)を発生し、これをPDP50の行電極Xに印加する。X電極ドライバ51のサスティンパルス発生回路は、駆動制御回路56から供給されたサスティンパルス生成信号によって示されるピーク電位(パルス電圧)を有するサスティンパルス(後述する)を発生し、これをPDP50の行電極Xに印加する。Y電極ドライバ53は、リセットパルス発生回路、スキャンパルス発生回路及びサスティンパルス発生回路からなる。Y電極ドライバ53のリセットパルス発生回路は、駆動制御回路56から供給されたリセットパルス生成信号によって示されるピーク電位(パルス電圧)を有するリセットパルス(後述する)を発生し、これをPDP50の行電極Yに印加する。Y電極ドライバ53のスキャンパルス発生回路は、駆動制御回路56から供給された走査パルス生成信号によって示されるピーク電位(パルス電圧)を有する走査パルス(後述する)を発生し、これをPDP50の行電極Y〜Yに順次印加する。Y電極ドライバ53のサスティンパルス発生回路は、駆動制御回路56から供給されたサスティンパルス生成信号によって示されるピーク電位(パルス電圧)を有するサスティンパルス(後述する)を発生し、これをPDP50の行電極Yに印加する。アドレスドライバ55は、駆動制御回路56から供給された画素データパルス生成信号に応じてPDP50の列電極Dに印加すべき画素データパルスを発生する。
累積使用時間タイマ57は、このプラズマディスプレイ装置が電源オン状態となった期間の累積、つまり累積使用時間を計測し、この累積使用時間を示す累積使用時間情報を駆動制御回路56及び経時変化データメモリ58に供給する。
経時変化データメモリ58には、後述する各種放電(リセット放電、アドレス放電、サスティン放電)毎に、PDP50の累積使用時間と、その放電を生起させるべく印加される各種駆動パルス(リセットパルス、走査パルス、サスティンパルス)の最適ピーク電位(最適パルス電圧)と、を対応づけして示す経時変化データが予め記憶されている。すなわち、PDP50の各放電セルは、その累積使用時間が長くなるほど放電開始電圧が高くなる。そこで、予め、PDP50の累積使用時間毎(例えば10時間毎)に、その累積使用時間の段階で確実に放電を生起し得る駆動パルスの最適ピーク電位を測定しておき、両者を対応付けして経時変化データメモリ58に記憶しておくのである。例えば図6(a)はリセットパルスの最適ピーク電位と累積使用時間との対応関係を示す図であり、図6(b)は走査パルスの最適ピーク電位と累積使用時間との対応関係を示す図であり、図6(c)はサスティンパルスの最適ピーク電位と累積使用時間との対応関係を示す図である。尚、図6(b)では、後述する選択書込アドレス行程WWにおいて印加される書込走査パルスの最適ピーク電位を示している。又、図6(b)及び図6(c)中の波線はそのピーク電位として取り得る上限の電圧値を示すものであり、図6(a)〜図6(c)中の一点鎖線は下限の電圧値を示すものである。図6(a)〜図6(c)に示すように、累積使用時間が長くなるほど、走査パルスの最適ピーク電位はサスティンパルスの最適ピーク電位よりも大となり、リセットパルスの最適ピーク電位は、走査パルスの最適ピーク電位よりも大となる。
経時変化データメモリ58は、駆動制御回路56から供給された読み出し指令に応じて、上記累積使用時間情報によって示される累積使用時間に対応した最適パルス値を各駆動パルス毎に示す経時変化データを読み出して駆動制御回路56に供給する。
駆動制御回路56は、先ず、入力映像信号を各画素毎にその全ての輝度レベルを256階調にて表現する8ビットの画素データに変換し、この画素データに対して誤差拡散処理及びディザ処理からなる多階調化処理を施す。すなわち、先ず、誤差拡散処理では、上記画素データの上位6ビット分を表示データ、残りの下位2ビット分を誤差データとし、周辺画素各々に対応した画素データにおける誤差データを重み付け加算したものを、上記表示データに反映させることにより6ビットの誤差拡散処理画素データを得る。かかる誤差拡散処理によれば、原画素における下位2ビット分の輝度が周辺画素によって擬似的に表現され、それ故に8ビットよりも少ない6ビット分の表示データにて、上記8ビット分の画素データと同等の輝度階調表現が可能になる。次に、駆動制御回路56は、この誤差拡散処理によって得られた6ビットの誤差拡散処理画素データに対してディザ処理を施す。ディザ処理では、互いに隣接する複数の画素を1画素単位とし、この1画素単位内の各画素に対応した上記誤差拡散処理画素データに夫々、互いに異なる係数値からなるディザ係数を夫々割り当てて加算することによりディザ加算画素データを得る。かかるディザ係数の加算によれば、上記の如き画素単位で眺めた場合には、ディザ加算画素データの上位4ビット分だけでも8ビットに相当する輝度を表現することが可能となる。そこで、駆動制御回路56は、上記ディザ加算画素データの上位4ビット分を、図7に示す如き、全輝度レベルを15階調にて表す4ビットの多階調化画素データPDに変換する。そして、駆動制御回路56は、多階調化画素データPDを図7に示す如きデータ変換テーブルに従って14ビットの画素駆動データGDに変換する。駆動制御回路56は、かかる画素駆動データGDにおける第1〜第14ビットを夫々サブフィールドSF1〜SF14(後述する)の各々に対応させ、そのサブフィールドSFに対応したビット桁を画素駆動データビットとして1表示ライン分(m個)ずつアドレスドライバ55に供給する。
更に、駆動制御回路56は、上記構造を有するPDP50を図8に示す如きサブフィールド法(サブフレーム法)を採用した発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号をX電極ドライバ51、Y電極ドライバ53、及びアドレスドライバ55の各々に供給する。すなわち、駆動制御回路56は、図8に示す如き先頭のサブフィールドSF1では、リセット行程R、選択書込アドレス行程W及びサスティン行程I各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、サブフィールドSF2〜SF14各々では、選択消去アドレス行程W及びサスティン行程I各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。尚、1フィールド表示期間内の最後尾のサブフィールドSF14に限り、サスティン行程Iの実行後、駆動制御回路56は、消去行程Eに従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
パネルドライバ、すなわち、X電極ドライバ51、Y電極ドライバ53及びアドレスドライバ55は、駆動制御回路56から供給された各種制御信号に応じて、図9に示す如き各種駆動パルスを生成してPDP50の列電極D、行電極X及びYに供給する。
図9においては、図8に示されるサブフィールドSF1〜SF14の内の、先頭のサブフィールドSF1と、それに続くサブフィールドSF2、並びに最後尾のサブフィールドSF14での動作のみを抜粋して示すものである。
先ず、サブフィールドSF1のリセット行程Rの前半部では、Y電極ドライバ53が、後述するサスティンパルスに比して時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな波形を有する正極性のリセットパルスRPY1を全ての行電極Y〜Yに印加する。尚、図9に示す如く、リセットパルスRPY1におけるピーク電位Vr1は、サスティンパルスのピーク電位よりも高い。又、この間、アドレスドライバ55は、列電極D〜Dを接地電位(0ボルト)の状態に設定する。上記リセットパルスRPY1の印加に応じて、全ての放電セルPC各々内の行電極Y及び列電極D間において第1リセット放電が生起される。すなわち、リセット行程Rの前半部では、行電極Yが陽極側、列電極Dが陰極側となるように両電極間に電圧を印加することにより、行電極Yから列電極Dに向けて電流が流れる放電(以下、列側陰極放電と称する)を上記第1リセット放電として生起させるのである。かかる第1リセット放電に応じて、全ての放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、列電極D近傍には正極性の壁電荷が形成される。
又、リセット行程Rの前半部では、X電極ドライバ51が、かかるリセットパルスRPY1と同一極性であり、且つ、上記リセットパルスRPY1の印加に伴う行電極X及びY間での面放電を防止し得るピーク電位を有するリセットパルスRPを全ての行電極X〜X各々に印加する。
次に、サブフィールドSF1のリセット行程Rの後半部では、Y電極ドライバ53が、図9に示す如く時間経過に伴い緩やかに電位が下降して負極性のピーク電位Vr2に到るパルス波形を有するリセットパルスRPY2を発生し、これを全ての行電極Y〜Yに印加する。更に、リセット行程Rの後半部では、X電極ドライバ51が、正極性の所定のベース電位を有するベースパルスBPを全ての行電極X〜X各々に印加する。この際、これら負極性のリセットパルスRPY2及び正極性のベースパルスBPの印加に応じて、全ての放電セルPC内の行電極X及びY間において第2リセット放電が生起される。尚、リセットパルスRPY2及びベースパルスBP各々のピーク電位は、上記第1リセット放電に応じて行電極X及びY各々の近傍に形成された壁電荷を考慮した上で、行電極X及びY間において確実に上記第2リセット放電を生起させることができる最低の電位である。又、リセットパルスRPY2における負のピーク電位は、後述する負極性の書込走査パルスSPのピーク電位よりも高い電位、つまり0ボルトに近い電位に設定されている。すなわち、リセットパルスRPY2のピーク電位を書込走査パルスSPのピーク電位よりも低くしてしまうと、行電極Y及び列電極D間において強い放電が生起され、列電極D近傍に形成されていた壁電荷が大幅に消去されてしまい、選択書込アドレス行程Wでのアドレス放電が不安定となるからである。リセット行程Rの後半部において生起された第2リセット放電により、各放電セルPC内の行電極X及びY各々の近傍に形成されていた壁電荷が消去され、全ての放電セルPCが消灯モードに初期化される。更に、上記リセットパルスRPY2の印加に応じて、全ての放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間においても微弱な放電が生起され、かかる放電により、列電極D近傍に形成されていた正極性の壁電荷の一部が消去され、後述する選択書込アドレス行程Wにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
次に、サブフィールドSF1の選択書込アドレス行程Wでは、Y電極ドライバ53が、図9に示す如き負極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを行電極Y〜Yに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位Vsel1及びパルス幅Waを有する書込走査パルスSPを行電極Y〜Y各々に順次択一的に印加して行く。X電極ドライバ51は、リセット行程Rの後半部で行電極X〜Xに印加したベースパルスBPをこの選択書込アドレス行程Wにおいても引き続き行電極X〜X各々に印加する。尚、上記ベースパルスBP及びベースパルスBP各々の電位は、書込走査パルスSPの非印加期間中における行電極X及びY間の電圧が放電セルPCの放電開始電圧よりも低くなるような電位に設定されている。
更に、この選択書込アドレス行程Wでは、アドレスドライバ55が、先ず、サブフィールドSF1に対応した画素駆動データビットの論理レベルに応じた画素データパルスDPを生成する。例えば、アドレスドライバ55は、放電セルPCを点灯モードに設定させるべき論理レベル1の画素駆動データビットが供給された場合には正極性のピーク電位を有するパルス幅Waの画素データパルスDPを生成する。一方、放電セルPCを消灯モードに設定させるべき論理レベル0の画素駆動データビットに応じて、低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPを生成する。そして、アドレスドライバ55は、かかる画素データパルスDPを1表示ライン分(m個)ずつ、各書込走査パルスSPの印加タイミングに同期して列電極D〜Dに印加して行く。この際、上記書込走査パルスSPと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には選択書込アドレス放電が生起される。更に、かかる選択書込アドレス放電の直後、この放電セルPC内の行電極X及びY間にも微弱な放電が生起される。つまり、書込走査パルスSPが印加された後、行電極X及びY間にはベースパルスBP及びベースパルスBPに応じた電圧が印加されるが、この電圧は各放電セルPCの放電開始電圧よりも低い電圧に設定されている為、かかる電圧の印加だけでは放電セルPC内で放電が生起されることはない。ところが、上記選択書込アドレス放電が生起されると、この選択書込アドレス放電に誘発されて、ベースパルスBP及びベースパルスBPに基づく電圧印加だけで、行電極X及びY間に放電が生起されるのである。かかる放電並びに上記選択書込アドレス放電により、この放電セルPCは、その行電極Y近傍に正極性の壁電荷、行電極X近傍に負極性の壁電荷、列電極D近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、点灯モードに設定される。一方、上記書込走査パルスSPと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されず、それ故に行電極X及びY間にも放電が生じることはない。よって、この放電セルPCは、その直前までの状態、すなわち、リセット行程Rにおいて初期化された消灯モードの状態を維持する。
次に、サブフィールドSF1のサスティン行程Iでは、Y電極ドライバ53が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスIPを1パルス分だけ発生しこれを行電極Y〜Y各々に同時に印加する。この間、X電極ドライバ51は、行電極X〜Xを接地電位(0ボルト)の状態に設定し、アドレスドライバ55は、列電極D〜Dを接地電位(0ボルト)の状態に設定する。上記サスティンパルスIPの印加に応じて、上述した如き点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドSF1の輝度重みに対応した1回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスIPの印加に応じて、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。そして、かかるサスティンパルスIPの印加後、Y電極ドライバ53は、図9に示す如く時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のピーク電位を有する壁電荷調整パルスCPを行電極Y〜Yに印加する。かかる壁電荷調整パルスCPの印加に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された放電セルPC内で微弱な消去放電が生起され、その内部に形成されていた壁電荷の一部が消去される。これにより、放電セルPC内の壁電荷の量が、次の選択消去アドレス行程Wにおいて正しく選択消去アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
次に、サブフィールドSF2〜SF14各々の選択消去アドレス行程WOでは、Y電極ドライバ53が、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを行電極Y〜Y各々に印加しつつ、図9に示す如き負極性のピーク電位Vsel2及びパルス幅Waを有する消去走査パルスSPを行電極Y〜Y各々に順次択一的に印加して行く。尚、ベースパルスBPのピーク電位は、この選択消去アドレス行程WOの実行期間中に亘り、行電極X及びY間での誤った放電を防止し得る電位に設定されている。又、選択消去アドレス行程WOの実行期間中に亘り、X電極ドライバ51は、行電極X〜X各々を接地電位(0ボルト)に設定する。又、この選択消去アドレス行程Wにおいて、アドレスドライバ55は、先ず、そのサブフィールドSFに対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じた画素データパルスDPに変換する。例えば、アドレスドライバ55は、放電セルPCを点灯モードから消灯モードに遷移させるべき論理レベル1の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位、及びパルス幅Waを有する画素データパルスDPに変換する。一方、放電セルPCの現状態を維持させるべき論理レベル0の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPに変換する。そして、アドレスドライバ55は、かかる画素データパルスDPを1表示ライン分(m個)ずつ、各消去走査パルスSPの印加タイミングに同期して列電極D〜Dに印加して行く。この際、上記消去走査パルスSPと同時に、高電圧の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間に選択消去アドレス放電が生起される。かかる選択消去アドレス放電により、この放電セルPCは、その行電極Y及びX各々の近傍に正極性の壁電荷、列電極D近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、消灯モードに設定される。一方、上記消去走査パルスSPと同時に、低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には上述した如き選択消去アドレス放電は生起されない。よって、この放電セルPCは、その直前までの状態(点灯モード、消灯モード)を維持する。
次に、サブフィールドSF2〜SF14各々のサスティン行程Iでは、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53が、図9に示す如く、行電極X及びY交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数(偶数回数)分だけ繰り返し、正極性のピーク電位Vsus及びパルス幅Wbを有するサスティンパルスIPを行電極X〜X及びY〜Y各々に印加する。かかるサスティンパルスIPが印加される度に、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドSFの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。この際、サブフィールドSF2〜SF14各々のサスティン行程Iにおいて最終に印加されるサスティンパルスIPに応じてサスティン放電が生起された放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には正極性の壁電荷が形成される。そして、かかる最終サスティンパルスIPの印加後、Y電極ドライバ53は、図9に示す如く時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のピーク電位を有する壁電荷調整パルスCPを行電極Y〜Yに印加する。かかる壁電荷調整パルスCPの印加に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された放電セルPC内で微弱な消去放電が生起され、その内部に形成されていた壁電荷の一部が消去される。これにより、放電セルPC内の壁電荷の量が、次の選択消去アドレス行程Wにおいて正しく選択消去アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
そして、最終のサブフィールドSF14の最後尾において、Y電極ドライバ53は、負極性のピーク電位を有する消去パルスEPを全ての行電極Y〜Yに印加する。かかる消去パルスEPの印加に応じて、点灯モード状態にある放電セルPCのみに消去放電が生起される。かかる消去放電によって点灯モード状態にあった放電セルPCは消灯モードの状態に遷移する。
以上の如き駆動を、図7に示す如き15通りの画素駆動データGDに基づいて実行する。かかる駆動によると、図7に示すように、輝度レベル0を表現する場合(第1階調)を除き、先ず、先頭のサブフィールドSF1において各放電セルPC内で書込アドレス放電が生起され(二重丸にて示す)、この放電セルPCは点灯モードに設定される。その後、サブフィールドSF2〜SF14各々の内の1のサブフィールドの選択消去アドレス行程WOのみで選択消去アドレス放電が生起され(黒丸にて示す)、放電セルPCは消灯モードに設定される。つまり、各放電セルPCは、表現すべき中間輝度に対応した分だけ連続したサブフィールド各々で点灯モードに設定され、これらサブフィールドの各々に割り当てられている回数分だけサスティン放電に伴う発光を繰り返し生起する(白丸にて示す)。この際、1フィールド(又は1フレーム)表示期間内において生起されたサスティン放電の総数に対応した輝度が視覚される。よって、図7に示す如き第1〜第15階調駆動による15種類の発光パターンによれば、白丸にて示すサブフィールド各々で生起されたサスティン放電の合計回数に対応した15階調分の中間輝度が表現される。
かかる駆動によれば、1フィールド表示期間内において、その発光パターン(点灯状態、消灯状態)が互いに反転する領域が1画面内に混在することは無いので、このような状態で生じる疑似輪郭が防止される。
又、かかる駆動によると、先ず、先頭のサブフィールドSF1において、全放電セルPCを消灯モード状態に初期化すべきリセット放電を生起させた後、この消灯モード状態にある放電セルPCを点灯モード状態に遷移させるべき選択書込アドレス放電を生起させる。そして、SF1に後続するサブフィールドSF2〜SF14各々の内の1のサブフィールドにおいて、点灯モード状態にある放電セルPCを消灯モード状態に遷移させるべき選択消去アドレス放電を生起させるという選択消去アドレス法を採用した駆動を実施するようにしている。よって、かかる駆動によって黒表示(輝度レベル0)を行うと、1フィールド表示期間を通して生起される放電は、先頭サブフィールドSF1でのリセット放電だけとなる。つまり、先頭のサブフィールドSF1で全放電セルPCを点灯モード状態に初期化するリセット放電を生起させてから、これを消灯モード状態に遷移させるべき選択消去アドレス放電を生起させる駆動を実施する場合に比して、1フィールド表示期間を通して生起される放電回数が少なくなる。従って、かかる駆動によれば、暗い画像を表示する際のコントラスト、いわゆる暗コントラストを向上させることができる。
尚、PDP50を駆動するにあたり、図8に示す如き選択消去アドレス法に代わり図10に示す如き選択書込アドレス法に基づく発光駆動シーケンスを採用しても良い。
この際、駆動制御回路56は、図10に示す如きサブフィールドSF1〜SF14各々において、選択書込アドレス行程W、サスティン行程I及び消去行程E各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。尚、駆動制御回路56は、先頭のサブフィールドSF1に限り、選択書込アドレス行程Wに先立ち、リセット行程Rに従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
パネルドライバ(X電極ドライバ51、Y電極ドライバ53及びアドレスドライバ55)は、駆動制御回路56から供給された各種制御信号に応じて、図11に示す如き各種駆動パルスを生成してPDP50の列電極D、行電極X及びYに供給する。
尚、図11においては、図10に示されるサブフィールドSF1〜SF14の内の、先頭のサブフィールドSF1と、それに続くサブフィールドSF2、並びに最後尾のサブフィールドSF14での動作のみを抜粋して示すものである。又、図11において、サブフィールドSF1のリセット行程R及び選択書込アドレス行程W各々での動作は図9に示されるものと同一であるのでその説明は省略する。
先ず、先頭のサブフィールドSF1のサスティン行程Iでは、Y電極ドライバ53が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスIPを1パルス分だけ発生しこれを行電極Y〜Y各々に同時に印加する。この間、X電極ドライバ51は、行電極X〜Xを接地電位(0ボルト)の状態に設定し、アドレスドライバ55は、列電極D〜Dを接地電位(0ボルト)の状態に設定する。上記サスティンパルスIPの印加に応じて、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドSF1の輝度重みに対応した1回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスIPの印加に応じて、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。
次に、サブフィールドSF1〜SF14各々の消去行程Eでは、Y電極ドライバ53は、リセット行程Rの後半部において印加したリセットパルスRPY2と同一波形を有する負極性の消去パルスEPを行電極Y〜Yに印加する。この間、X電極ドライバ51は、リセット行程Rの後半部と同様に、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを全ての行電極X〜X各々に印加する。かかる消去パルスEP及びベースパルスBPに応じて、上記の如きサスティン放電の生起された放電セルPC内で微弱な消去放電が生起される。かかる消去放電により、放電セルPC内に形成されていた壁電荷の一部が消去され、この放電セルPCは消灯モード状態に遷移する。更に、消去パルスEPの印加に応じて、放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間でも微弱な放電が生起される。かかる放電により、列電極D近傍に形成されている正極性の壁電荷は、次の選択書込アドレス行程Wにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
次に、サブフィールドSF2〜SF14各々のサスティン行程Iでは、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53が、図11に示す如く、行電極Y及びX交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数分だけ繰り返し、正極性のピーク電位Vsus及びパルス幅Wbを有するサスティンパルスIPを行電極Y〜Y及びX〜Xに印加する。かかるサスティンパルスIPが印加される度に、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドSFの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。尚、各サスティン行程I内において印加されるサスティンパルスIPの総数は奇数である。すなわち、各サスティン行程I内において、先頭のサスティンパルスIP及び最終のサスティンパルスIPは共に、行電極Yに印加されることになる。よって、各サスティン行程Iの終了直後、サスティン放電の生起された放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。これにより、各放電セルPC内の壁電荷形成状態は、リセット行程Rでの第1リセット放電終了直後と同一となる。従って、その直後に実施される消去行程Eにおいて、リセット行程Rの後半部において印加されるリセットパルスRPY2と同一波形を有する消去パルスEPを行電極Yに印加することにより、全ての放電セルPCの状態を消灯モードの状態に遷移させることができるのである。
そして、図7に示される駆動と同様に、先頭から連続したサブフィールド各々の選択書込アドレス行程Wにおいて選択書込アドレス放電を生起させることにより、(N+1)階調分(N:1フィールド表示期間内のサブフィールド数)の中間輝度表示を行う。すなわち、14個のサブフィールドSF1〜SF14により図7と同様に15階調分の中間輝度表示を行うのである。
この際、かかる駆動を採用した場合には、1フィールド表示期間内の全サブフィールドの内で、選択書込アドレス放電を生起させるサブフィールドの組み合わせ方により、2階調分(N:1フィールド表示期間内のサブフィールド数)の中間輝度を表現することができる。すなわち、14個のサブフィールドSF1〜SF14において、選択書込アドレス放電を生起させるサブフィールドの組み合わせパターンは、214通り存在するので16384階調分の中間輝度表示が可能となる。
又、図10に示す如き選択書込アドレス法を採用した駆動によれば、図11に示されるように、リセット行程Rにおいて行電極Yに印加されるリセットパルスRPY2と、消去行程Eにおいて行電極Yに印加される消去パルスEPとが同一波形であるので、両者を共通の回路で生成することが可能となる。更に、サブフィールドSF1〜SF14各々では一貫して選択書込アドレス行程Wが実施されるので、走査パルスを生成する回路は1系統だけで済み、且つ各選択書込アドレス行程Wでは、列電極側を陽極とした一般的な列側陽極放電を生起させるものであれば良い。
よって、PDP50を駆動するにあたり、図10及び図11に示されるが如き選択書込アドレス法に基づく駆動を採用した場合には、図8及び図9に示されるが如き選択消去アドレス法に基づく駆動を採用した場合に比して、各種駆動パルスを生成する為のパネルドライバを安価に構築することが可能となる。
尚、図9又は図11に示される駆動では、先頭のサブフィールドSF1のリセット行程Rにおいて、列電極Dを陰極側、行電極Yを陽極側とした電圧を両電極間に印加することにより、行電極Yから列電極Dに向けて電流が流れる列側陰極放電を第1リセット放電として生起させるようにしている。よって、かかる第1リセット放電時には、放電ガス内の陽イオンが列電極Dへ向かう際に、図5に示す如き蛍光体層17内に含まれている二次電子放出材料としてのMgO結晶体に衝突して、このMgO結晶体から二次電子を放出させる。特に、PDP50では、MgO結晶体を図5に示す如く放電空間に露出させることにより、陽イオンとの衝突の確率を高め、二次電子を効率よく放電空間に放出させるようにしている。すると、かかる二次電子によるプライミング作用により放電セルPCの放電開始電圧が低くなるので、比較的弱いリセット放電を生起させることが可能となる。よって、リセット放電の微弱化によりその放電に伴う発光輝度が低下するので、暗コントラストを向上させた表示が可能となる。
更に、図9又は図11に示される駆動では、図3に示す如き前面透明基板10側に形成されている行電極Y、及び背面基板14側に形成されている列電極D間で第1リセット放電を生起させている。よって、共に前面透明基板10側に形成されている行電極X及びY間でリセット放電を生起させる場合に比して、前面透明基板10側から外部に放出される放電光が少なくなるので、更なる暗コントラストの向上を図ることができる。
又、図9又は図11に示される駆動においては、輝度重みが最も小なるサブフィールドSF1のサスティン行程Iでは、サスティン放電を1回だけ生起させるようにして、低輝度を表現する低階調時の表示再現性を高めている。更に、サブフィールドSF1のサスティン行程Iでは、サスティン放電を生起させるべく印加されるサスティンパルスIPが1回だけである。よって、この1回分のサスティンパルスIPに応じて生起されたサスティン放電の終息後、行電極Y近傍には負極性の壁電荷、列電極D近傍には正極性の壁電荷が夫々形成された状態となる。これにより、次のサブフィールドSF2の選択消去アドレス行程Wでは、列電極D及び行電極Y間において列電極Dを陽極側とした放電(以降、列側陽極放電と称する)を選択消去アドレス放電として生起させることが可能となる。一方、後続するサブフィールドSF2〜SF14各々のサスティン行程Iでは、サスティンパルスIPの印加回数を偶数としている。よって、各サスティン行程Iの終了直後は、行電極Y近傍に負極性の壁電荷、列電極D近傍には正極性の壁電荷が形成された状態となるので、各サスティン行程Iに引き続き実施される選択消去アドレス行程Wでは、列側陽極放電が可能となる。従って、列電極Dに対しては正極性のパルスが印加されるだけとなり、アドレスドライバ55の高コスト化を防げる。
又、図1に示されるPDP50においては、各放電セルPC内の前面透明基板10側に形成されている酸化マグネシウム層13内のみならず、背面基板14側に形成されている蛍光体層17内にも、二次電子放出材料としてのCL発光MgO結晶体を含ませるようにしている。
以下に、かかる構成を採用したことによる作用効果について図12及び図13を参照しつつ説明する。
尚、図12は、上述した如き酸化マグネシウム層13及び蛍光体層17各々の内の酸化マグネシウム層13のみにCL発光MgO結晶体を含ませた、いわゆる従来のPDPに図9又は図11に示す如きリセットパルスRPY1を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。
一方、図13は、酸化マグネシウム層13及び蛍光体層17の双方にCL発光MgO結晶体を含ませた、本発明によるPDP50に対して、リセットパルスRPY1を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。
図12に示されるように、従来のPDPによると、リセットパルスRPY1の印加に応じて比較的強い列側陰極放電が1[ms]以上に亘って継続してしまうが、本発明によるPDP50によると、図13に示す如く列側陰極放電が約0.04[ms]以内に終息する。すなわち、従来のPDPに比して列側陰極放電における放電遅れ時間を大幅に短縮できるのである。
従って、図9又は図11の如き、立ち上がり区間での電位推移が緩やかな波形を有するリセットパルスRPY1をPDP50の行電極Yに印加することによって列側陰極放電を生起させると、リセットパルスRPY1の電位がピーク電位に到る前にその放電が終息する。よって、行電極及び列電極間に印加される電圧が低い段階で、列側陰極放電が終息することになるので、図13に示す如く、その放電強度も図12の場合よりも大幅に低下する。
すなわち、立ち上がり時の電位推移が緩やかな波形を有する例えば図9に示す如きリセットパルスRPY1を、酸化マグネシウム層13のみならず蛍光体層17にもCL発光MgO結晶体が含まれているPDP50に印加することにより、放電強度が弱い列側陰極放電を生起させるようにしたのである。従って、本発明によれば、このように放電強度が極めて弱い列側陰極放電をリセット放電として生起させることができるので、画像のコントラスト、特に暗い画像を表示する際の暗コントラストを高めることが可能となる。
ところで、上述した如きCL発光MgO結晶体を酸化マグネシウム層13のみならず蛍光体層17にも含ませることにより、各放電セル内での放電確率を高めることができるようになるが、経時変化により、各放電セル内の放電開始電圧が上昇して誤放電が生じ易くなる。
そこで、図1に示されるプラズマディスプレイ装置においては、経時変化に伴う放電開始電圧の推移に追従させて、リセットパルス、走査パルス、サスティンパルス各々のピーク電位を個別に調整するようにしている。
すなわち、図9又は図11に示す駆動を実施するにあたり、駆動制御回路56は、経時変化データメモリ58から読み出された経時変化データに基づき、所定期間又は各フィールド(又はフレーム)毎に、以下の如く、各駆動パルスにおけるピーク電位の制御を行う。
先ず、図9又は図11に示されるリセット行程Rにおいて、駆動制御回路56は、かかる経時変化データによって示されるリセットパルスの最適ピーク電位をそのパルスのピーク電位とするリセットパルスを生成させるべきリセットパルス生成信号をY電極ドライバ53に供給する。これにより、Y電極ドライバ53は、現時点での累積使用時間において最適なピーク電位(図6(a)の実線にて示す)をピーク電位Vr1とする、図9又は図11に示す如き波形を有するリセットパルスRPY1を生成する。又、図9又は図11に示される選択書込アドレス行程Wでは、駆動制御回路56は、上記経時変化データによって示される走査パルスの最適ピーク電位をそのパルスのピーク電位とする走査パルスを生成させるべき走査パルス生成信号をY電極ドライバ53に供給する。これにより、Y電極ドライバ53は、現時点での累積使用時間において最適なピーク電位(図6(b)の実線にて示す)をピーク電位Vsel1とする、図9又は図11に示す如き波形を有する書込走査パルスSPを生成する。又、図9又は図11に示されるサスティン行程Iにおいて、駆動制御回路56は、上記経時変化データによって示されるサスティンパルスの最適ピーク電位をそのパルスのピーク電位とするサスティンパルスを生成させるべきサスティンパルス生成信号をX電極ドライバ51及びY電極ドライバ53に供給する。これにより、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々は、現時点での累積使用時間において最適なピーク電位(図6(c)の実線にて示す)をピーク電位Vsusとする、図9又は図11に示す如き波形を有するサスティンパルスIPを生成する。
このように、図1に示されるプラズマディスプレイ装置では、各駆動パルス(リセットパルス、走査パルス、サスティンパルス)毎に、予め、PDP50の累積使用時間に対応した最適ピーク電位を求めておき、両者を対応づけして示す経時変化データを記憶しておく。そして、かかる経時変化データによって示される現時点での累積使用時間に対応した最適ピーク電位と一致させるように、リセットパルス、走査パルス、及びサスティンパルス各々のピーク電位を個別に調整するのである。
よって、かかるピーク電位調整によれば、例え経時変化に伴い放電開始電圧が上昇しても、それに追従して駆動パルスのピーク電位も高くなるので放電が確実に生起されるようになり、長期間に亘り誤放電の抑制された良好な表示品質を維持させることが可能になる。
尚、上記実施例では、図9又は図11に示される各種駆動パルスの内で、リセットパルスRPY1、書込走査パルスSP及びサスティンパルスIPに対してのみ、そのピーク電位の調整を行うようにしているが、リセットパルスRPY2及び消去走査パルスSPに対しても同様に実施するようにしても良い。すなわち、リセットパルスRPY2及び消去走査パルスSP各々毎に、予め累積使用時間に対応した最適なピーク電位を求めておき、これら駆動パルス(RPY2、SP)各々と累積使用時間とを対応付けして示す経時変化データを経時変化データメモリ58に記憶させておく。そして、駆動制御回路56により、かかる経時変化データによって示される現時点での累積使用時間に対応した最適ピーク電位と一致させるように、リセットパルスRPY2のピーク電位Vr2及び消去走査パルスSPのピーク電位Vsel2を夫々個別に調整するのである。
又、上記実施例においては、累積使用時間に追従させて書込走査パルスSPのピーク電位Vsel1(又は消去走査パルスSPのピーク電位Vsel2)及びサスティンパルスIPのピーク電位Vsusを調整するようにしているが、ピーク電位を調整する代わりにそのパルス幅を調整するようにしても良い。すなわち、PDP50の累積使用時間が長くなるほど放電開始電圧が高くなり、それに伴い放電遅れが大となる。そこで、その放電遅れに追従させて確実に放電を生起させ得るパルス幅となるように、書込走査パルスSP(又は消去走査パルスSP)のパルス幅Wa及びサスティンパルスIPのパルス幅Wbを広げるべき調整を行うのである。かかる調整を実施するにあたり、先ず、PDP50の累積使用時間に対応した最適なパルス幅を各駆動パルス毎に予め求めておき、この累積使用時間と最適パルス幅とを対応づけして示す経時変化データを経時変化データメモリ58に記憶させておく。そして、かかる経時変化データメモリ58から読み出された経時変化データに基づき、駆動制御回路56は、所定期間又は各フィールド(又はフレーム)毎に、以下の如く、走査パルス及びサスティンパルス各々のパルス幅の制御を行う。
つまり、図9又は図11に示される選択書込アドレス行程W(又は選択消去アドレス行程W)では、駆動制御回路56は、上記経時変化データによって示される走査パルスの最適パルス幅と同一パルス幅を有する書込走査パルス(又は消去走査パルス)を生成させるべき走査パルス生成信号をY電極ドライバ53に供給する。これにより、Y電極ドライバ53は、現時点での累積使用時間において最適なパルス幅Waを有する書込走査パルスSP(又は消去走査パルスSP)を生成する。又、図9又は図11に示されるサスティン行程Iにおいて、駆動制御回路56は、上記経時変化データによって示されるサスティンパルスの最適パルス幅と同一パルス幅を有するサスティンパルスを生成させるべきサスティンパルス生成信号をX電極ドライバ51及びY電極ドライバ53に供給する。これにより、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々は、現時点での累積使用時間において最適なパルス幅Wbを有するサスティンパルスIPを生成する。
よって、かかるパルス幅調整によれば、経時変化に伴い放電開始電圧が上昇して放電遅れが大となっても、それに追従して駆動パルスのパルス幅も長くなるので放電が確実に生起されるようになり、長期間に亘り誤放電の抑制された良好な表示品質を維持させることが可能になる。尚、サスティンパルスIPのパルス幅を調整するにあたり、各サブフィールドSF毎にその先頭のサスティンパルスIPのみを対象として上記の如きパルス幅の調整を行うようにしても良い。これにより、サスティンパルスIPのパルス幅の増大に伴う各サブフィールド毎のサスティン行程Iの実行期間の増加を抑えることが可能となる。
又、上記実施例においては、PDP50の累積使用時間に応じて各駆動パルスのピーク電位及びパルス幅の内の一方を調整するようにしているが、両者を共に調整するようにしても良い。
又、上記リセットパルスRPY1及びRPr2の波形としては、図9又は図11に示されるが如き波形に限定されるものではなく、例えば図14に示す如き、時間経過に伴い徐々にその電圧推移時の傾きが変化するものであっても良い。更に、図9及び図11に示されるように、リセット行程Rでは、全ての放電セルに対して一斉にリセット放電を生起させるようにしているが、夫々が複数の放電セルからなる放電セルブロック毎に、リセット放電を時間的に分散させて実施するようにしても良い。
又、図5に示す実施例においては、PDP50の背面基板14側に設けられている蛍光体層17内にMgO結晶体を含ませるようにしているが、図15に示す如く、蛍光体粒子からなる蛍光体粒子層17aと、二次電子放出材からなる二次電子放出層18とを積層したもので蛍光体層17を形成するようにしても良い。この際、二次電子放出層18としては、蛍光体粒子層17aの表面上に、二次電子放出材からなる結晶(例えば、CL発光MgO結晶体を含んだMgO結晶)を敷き詰めて形成するようにしてもよく、或いは二次電子放出材を薄膜成膜して形成させるようにしても良い。
図16は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の他の構成を示す図である。
尚、図16に示されるプラズマディスプレイ装置のPDP50は、図1に示されるプラズマディスプレイ装置のPDP50と同一であり、図2〜図5、図15に示す如き構成を有するものである。更に、図16に示されるプラズマディスプレイ装置のX電極ドライバ51、Y電極ドライバ53、アドレスドライバ55、累積使用時間タイマ57及び経時変化データメモリ58各々も、図1に示されるものと同一動作を為すものである。ただし、図16に示されるプラズマディスプレイ装置は、PDP50の駆動方法が図1に示されるものとは異なる。
すなわち、図16に示される駆動制御回路560は、各画素毎の8ビットの画素データに対して前述した如き誤差拡散処理及びディザ処理を施して得られた4ビットの多階調化画素データPDを、図17に示す如きデータ変換テーブルに従って14ビットの画素駆動データGDに変換する。駆動制御回路560は、かかる画素駆動データGDにおける第1〜第14ビットを夫々サブフィールドSF1〜SF14各々に対応させ、そのサブフィールドSFに対応したビット桁を画素駆動データビットとして1表示ライン分(m個)ずつアドレスドライバ55に供給する。
更に、駆動制御回路560は、上記構造を有するPDP50を図18に示す如き発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号を、X電極ドライバ51、Y電極ドライバ53、及びアドレスドライバ55の各々に供給する。すなわち、駆動制御回路560は、1フィールド(1フレーム)表示期間内の先頭のサブフィールドSF1では、第1リセット行程R1、第1選択書込アドレス行程W1及び微小発光行程LL各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。かかるサブフィールドSF1に後続するSF2では、第2リセット行程R2、第2選択書込アドレス行程W2及びサスティン行程I各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、サブフィールドSF3〜SF14各々では、選択消去アドレス行程W及びサスティン行程I各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。尚、1フィールド表示期間内の最後尾のサブフィールドSF14に限り、サスティン行程Iの実行後、駆動制御回路560は、消去行程Eに従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
パネルドライバ、すなわち、X電極ドライバ51、Y電極ドライバ53及びアドレスドライバ55は、駆動制御回路560から供給された各種制御信号に応じて、図19に示す如き各種駆動パルスを生成してPDP50の列電極D、行電極X及びYに供給する。
尚、図19においては、図18に示されるサブフィールドSF1〜SF14の内のSF1〜SF3、並びに最後尾のサブフィールドSF14での動作のみを抜粋して示すものである。
先ず、サブフィールドSF1の第1リセット行程R1の前半部では、Y電極ドライバ53が、サスティンパルスに比して時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな波形を有する正極性のリセットパルスRP1Y1を全ての行電極Y〜Yに印加する。尚、図19に示す如く、リセットパルスRP1Y1におけるピーク電位Vr3は、サスティンパルスのピーク電位よりも高い。又、この間、アドレスドライバ55は、列電極D〜Dを接地電位(0ボルト)の状態に設定する。上記リセットパルスRP1Y1の印加に応じて、全ての放電セルPC各々内の行電極Y及び列電極D間において第1リセット放電が生起される。すなわち、第1リセット行程R1の前半部では、行電極Yが陽極側、列電極Dが陰極側となるように両電極間に電圧を印加することにより、行電極Yから列電極Dに向けて電流が流れる放電(以下、列側陰極放電と称する)を上記第1リセット放電として生起させるのである。かかる第1リセット放電に応じて、全ての放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、列電極D近傍には正極性の壁電荷が形成される。
次に、第1リセット行程R1の前半部では、X電極ドライバ51が、かかるリセットパルスRP1Y1と同一極性であり、且つ、このリセットパルスRP1Y1の印加に伴う行電極X及びY間での面放電を防止し得るピーク電位を有するリセットパルスRPを全ての行電極X〜X各々に印加する。
そして、第1リセット行程R1の後半部では、Y電極ドライバ53が、図19に示す如く時間経過に伴い緩やかに電位が下降して負極性のピーク電位Vr4に到るパルス波形を有するリセットパルスRP1Y2を発生し、これを全ての行電極Y〜Yに印加する。この際、かかるリセットパルスRP1Y2の印加に応じて、全ての放電セルPC内の行電極X及びY間において第2リセット放電が生起される。尚、リセットパルスRP1Y2のピーク電位Vr4は、上記第1リセット放電に応じて行電極X及びY各々の近傍に形成された壁電荷を考慮した上で、行電極X及びY間において確実に上記第2リセット放電を生起させることができる最低の電位である。又、リセットパルスRP1Y2のピーク電位Vr4は、後述する負極性の書込走査パルスSPのピーク電位よりも高い電位、つまり0ボルトに近い電位に設定されている。すなわち、リセットパルスRP1Y2のピーク電位Vr4を書込走査パルスSPのピーク電位よりも低くしてしまうと、行電極Y及び列電極D間において強い放電が生起され、列電極D近傍に形成されていた壁電荷が大幅に消去されてしまい、後述する第1選択書込アドレス行程W1でのアドレス放電が不安定となるからである。第1リセット行程R1の後半部において生起された第2リセット放電により、各放電セルPC内の行電極X及びY各々の近傍に形成されていた壁電荷が消去され、全ての放電セルPCが消灯モードに初期化される。更に、上記リセットパルスRP1Y2の印加に応じて、全ての放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間においても微弱な放電が生起され、かかる放電により、列電極D近傍に形成されていた正極性の壁電荷の一部が消去され、第1選択書込アドレス行程W1において正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
次に、サブフィールドSF1の第1選択書込アドレス行程W1では、Y電極ドライバ53が、図19に示す如き負極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを行電極Y〜Yに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位Vsel1及びパルス幅Waを有する書込走査パルスSPを行電極Y〜Y各々に順次択一的に印加して行く。この間、X電極ドライバ51は、0ボルトの電圧を行電極X〜X各々に印加する。更に、第1選択書込アドレス行程W1では、アドレスドライバ55が、先ず、サブフィールドSF1に対応した画素駆動データビットの論理レベルに応じた画素データパルスDPを生成する。例えば、アドレスドライバ55は、放電セルPCを点灯モードに設定させるべき論理レベル1の画素駆動データビットが供給された場合には正極性のピーク電位を有するパルス幅Waの画素データパルスDPを生成する。一方、放電セルPCを消灯モードに設定させるべき論理レベル0の画素駆動データビットに応じて、低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPを生成する。そして、アドレスドライバ55は、かかる画素データパルスDPを1表示ライン分(m個)ずつ、各書込走査パルスSPの印加タイミングに同期して列電極D〜Dに印加して行く。この際、上記書込走査パルスSPと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には選択書込アドレス放電が生起される。更に、かかる選択書込アドレス放電の直後、この放電セルPC内の行電極X及びY間にも微弱な放電が生起される。つまり、書込走査パルスSPが印加された後、行電極X及びY間にはベースパルスBPに応じた電圧が印加されるが、この電圧は各放電セルPCの放電開始電圧よりも低い電圧に設定されている為、かかる電圧の印加だけでは放電セルPC内で放電が生起されることはない。ところが、上記選択書込アドレス放電が生起されると、この選択書込アドレス放電に誘発されて、ベースパルスBPによる電圧印加だけで、行電極X及びY間に放電が生起されるのである。かかる放電並びに上記選択書込アドレス放電により、この放電セルPCは、その行電極Y近傍に正極性の壁電荷、行電極X近傍に負極性の壁電荷、列電極D近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、点灯モードに設定される。一方、上記書込走査パルスSPと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されず、それ故に行電極X及びY間にも放電が生じることはない。よって、この放電セルPCは、その直前までの状態、すなわち、第1リセット行程R1において初期化された消灯モードの状態を維持する。
次に、サブフィールドSF1の微小発光行程LLでは、Y電極ドライバ53が、図19に示す如き正極性の所定のピーク電位を有する微小発光パルスLPを行電極Y〜Yに同時に印加する。かかる微小発光パルスLPの印加に応じて、点灯モードに設定されている放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間において放電(以下、微小発光放電と称する)が生起される。つまり、微小発光行程LLでは、放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間では放電が生起されるものの、行電極X及びY間には放電が生起させることのない電位を行電極Yに印加することにより、点灯モードに設定されている放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間のみで微小発光放電を生起させるのである。この際、微小発光パルスLPのピーク電位は、後述するサブフィールドSF2以降のサスティン行程Iにて印加するサスティンパルスIPのピーク電位よりも低い電位であり、例えば、後述する選択消去アドレス行程Wにおいて行電極Yに印加されるベース電位と同一である。又、図19に示す如く、微小発光パルスLPにおける電位の立ち上がり区間での時間経過に伴う変化率は、リセットパルス(RP1Y1,RP2Y1)における立ち上がり区間での変化率よりも高い。つまり、微小発光パルスLPの前縁部における電位推移をリセットパルスの前縁部における電位推移よりも急峻にすることにより、第1リセット行程R1で生起される第1リセット放電よりも強い放電を生起させるのである。ここで、かかる放電は、前述した如き列側陰極放電であり且つ、サスティンパルスIPよりもそのピーク電位が低い微小発光パルスLPによって生起された放電である為、行電極X及びY間で生起されるサスティン放電(後述する)よりもその放電に伴う発光輝度が低い。すなわち、微小発光行程LLでは、第1リセット放電よりも高い輝度レベルの発光を伴う放電であるものの、サスティン放電よりもその放電に伴う輝度レベルが低い放電、つまり表示用に利用できる程度の微小な発光を伴う放電を微小発光放電として生起させるのである。この際、微小発光行程LLの直前において実施される第1選択書込アドレス行程W1では、放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間で選択書込アドレス放電が生起される。よって、サブフィールドSF1では、かかる選択書込アドレス放電に伴う発光と上記微小発光放電に伴う発光とによって、輝度レベル0よりも1段階だけ高輝度な階調に対応した輝度が表現されるのである。
尚、上記微小発光放電後、行電極Y近傍には負極性の壁電荷、列電極D近傍には正極性の壁電荷が夫々形成される。
次に、サブフィールドSF2の第2リセット行程R2の前半部では、Y電極ドライバ53が、後述するサスティンパルスに比して時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな波形を有する正極性のリセットパルスRP2Y1を全ての行電極Y〜Yに印加する。尚、図19に示す如く、リセットパルスRP2Y1のピーク電位Vr1は、リセットパルスRP1Y1のピーク電位Vr3よりも高い。又、この間、アドレスドライバ55は、列電極D〜Dを接地電位(0ボルト)の状態に設定し、X電極ドライバ51は、上記リセットパルスRP2Y1の印加に伴う行電極X及びY間での面放電を防止し得るピーク電位を有する正極性のリセットパルスRP2を全ての行電極X〜X各々に印加する。尚、行電極X及びY間で面放電が生じないのであれば、X電極ドライバ51は、上記リセットパルスRP2を印加する代わりに、全ての行電極X〜Xを接地電位(0ボルト)に設定するようにしても良い。上記リセットパルスRP2Y1の印加に応じて、放電セルPC各々の内で上記微小発光行程LLにて列側陰極放電が生起されなかった放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間において、かかる微小発光行程LLでの列側陰極放電よりも弱い第1リセット放電が生起される。すなわち、第2リセット行程R2の前半部では、行電極Yが陽極側、列電極Dが陰極側となるように両電極間に電圧を印加することにより、行電極Yから列電極Dに向けて電流が流れる列側陰極放電を上記第1リセット放電として生起させるのである。一方、上記微小発光行程LLにおいて既に微小発光放電が生起された放電セルPC内では、上記リセットパルスRP2Y1の印加が為されても放電は生起されない。従って、第2リセット行程R2の前半部の終了直後、全ての放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、列電極D近傍には正極性の壁電荷が形成された状態となる。そして、サブフィールドSF2の第2リセット行程R2の後半部では、Y電極ドライバ53が、図19に示す如く時間経過に伴い緩やかに電位が下降して負極性のピーク電位Vr2に到るパルス波形を有するリセットパルスRP2Y2を行電極Y〜Yに印加する。更に、第2リセット行程R2の後半部では、X電極ドライバ51が、正極性の所定のベース電位を有するベースパルスBPを行電極X〜X各々に印加する。この際、これら負極性のリセットパルスRP2Y2及び正極性のベースパルスBPの印加に応じて、全ての放電セルPC内の行電極X及びY間において第2リセット放電が生起される。尚、リセットパルスRP2Y2及びベースパルスBP各々のピーク電位は、上記第1リセット放電によって行電極X及びY各々の近傍に形成された壁電荷を考慮した上で、行電極X及びY間において確実に上記第2リセット放電を生起させることができる最低の電圧である。又、リセットパルスRP2Y2における負のピーク電位Vr2は、負極性の書込走査パルスSPのピーク電位よりも高い電圧、つまり0ボルトに近い電位に設定されている。すなわち、リセットパルスRP2Y2のピーク電位Vr2を書込走査パルスSPのピーク電位よりも低くしてしまうと、行電極Y及び列電極D間において強い放電が生起され、列電極D近傍に形成されていた壁電荷が大幅に消去されてしまい、第2選択書込アドレス行程W2でのアドレス放電が不安定となるからである。ここで、第2リセット行程R2の後半部において生起された第2リセット放電により、各放電セルPC内の行電極X及びY各々の近傍に形成されていた壁電荷が消去され、全ての放電セルPCが消灯モードに初期化される。更に、上記リセットパルスRP2Y2の印加に応じて、全ての放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間においても微弱な放電が生起され、かかる放電により、列電極D近傍に形成されていた正極性の壁電荷の一部が消去され、第2選択書込アドレス行程W2において正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
次に、サブフィールドSF2の第2選択書込アドレス行程W2では、Y電極ドライバ53が、図19に示す如き負極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを行電極Y〜Yに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位Vsel1及びパルス幅Waを有する書込走査パルスSPを行電極Y〜Y各々に順次択一的に印加して行く。この間、X電極ドライバ51は、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを行電極X〜X各々に印加する。更に、第2選択書込アドレス行程W2では、アドレスドライバ55が、先ず、サブフィールドSF2に対応した画素駆動データビットの論理レベルに応じたピーク電位を有する、パルス幅Waの画素データパルスDPを生成する。例えば、アドレスドライバ55は、放電セルPCを点灯モードに設定させるべき論理レベル1の画素駆動データビットが供給された場合には正極性のピーク電位を有するパルス幅Waの画素データパルスDPを生成する。一方、放電セルPCを消灯モードに設定させるべき論理レベル0の画素駆動データビットに応じて、低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPを生成する。そして、アドレスドライバ55は、かかる画素データパルスDPを1表示ライン分(m個)ずつ、各書込走査パルスSPの印加タイミングに同期して列電極D〜Dに印加して行く。この際、上記書込走査パルスSPと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には選択書込アドレス放電が生起される。更に、かかる選択書込アドレス放電の直後、この放電セルPC内の行電極X及びY間にも微弱な放電が生起される。つまり、書込走査パルスSPが印加された後、行電極X及びY間にはベースパルスBP及びBPに応じた電圧が印加されるが、この電圧は各放電セルPCの放電開始電圧よりも低い電圧に設定されている為、かかる電圧の印加だけでは放電セルPC内で放電が生起されることはない。ところが、上記選択書込アドレス放電が生起されると、この選択書込アドレス放電に誘発されて、ベースパルスBP及びBPによる電圧印加だけで、行電極X及びY間に放電が生起されるのである。かかる放電並びに上記選択書込アドレス放電により、この放電セルPCは、その行電極Y近傍に正極性の壁電荷、行電極X近傍に負極性の壁電荷、列電極D近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、点灯モードに設定される。一方、上記書込走査パルスSPと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されず、それ故に行電極X及びY間にも放電が生じることはない。よって、この放電セルPCは、その直前までの状態、すなわち、第2リセット行程R2において初期化された消灯モードの状態を維持する。
次に、サブフィールドSF2のサスティン行程Iでは、Y電極ドライバ53が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスIPを1パルス分だけ発生しこれを行電極Y〜Y各々に同時に印加する。この間、X電極ドライバ51は、行電極X〜Xを接地電位(0ボルト)の状態に設定し、アドレスドライバ55は、列電極D〜Dを接地電位(0ボルト)の状態に設定する。上記サスティンパルスIPの印加に応じて、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドSF1の輝度重みに対応した1回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスIPの印加に応じて、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極Y及び列電極D間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。
次に、サブフィールドSF3〜SF14各々の選択消去アドレス行程WOでは、Y電極ドライバ53が、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを行電極Y〜Y各々に印加しつつ、図19に示す如き負極性のピーク電位Vsel2及びパルス幅Waを有する消去走査パルスSPを行電極Y〜Y各々に順次択一的に印加して行く。尚、ベースパルスBPのピーク電位は、この選択消去アドレス行程WOの実行期間中に亘り、行電極X及びY間での誤った放電を防止し得る電位に設定されている。又、選択消去アドレス行程WOの実行期間中に亘り、X電極ドライバ51は、行電極X〜X各々を接地電位(0ボルト)に設定する。又、この選択消去アドレス行程Wにおいて、アドレスドライバ55は、先ず、そのサブフィールドSFに対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたピーク電位を有する画素データパルスDPに変換する。例えば、アドレスドライバ55は、放電セルPCを点灯モードから消灯モードに遷移させるべき論理レベル1の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位及びパルス幅Waを有する画素データパルスDPに変換する。一方、放電セルPCの現状態を維持させるべき論理レベル0の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPに変換する。そして、アドレスドライバ55は、かかる画素データパルスDPを1表示ライン分(m個)ずつ、各消去走査パルスSPの印加タイミングに同期して列電極D〜Dに印加して行く。この際、上記消去走査パルスSPと同時に、高電圧の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間に選択消去アドレス放電が生起される。かかる選択消去アドレス放電により、この放電セルPCは、その行電極Y及びX各々の近傍に正極性の壁電荷、列電極D近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、消灯モードに設定される。一方、上記消去走査パルスSPと同時に、低電圧(0ボルト)の画素データパルスDPが印加された放電セルPC内の列電極D及び行電極Y間には上述した如き選択消去アドレス放電は生起されない。よって、この放電セルPCは、その直前までの状態(点灯モード、消灯モード)を維持する。
又、サブフィールドSF3〜SF14各々のサスティン行程Iでは、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53が、図19に示す如く、行電極Y及びX交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数分だけ繰り返し、正極性のピーク電位Vsus及びパルス幅Wbを有するサスティンパルスIPを行電極Y〜Y及びX〜Xに印加する。かかるサスティンパルスIPが印加される度に、点灯モードに設定されている放電セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドSFの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。尚、各サスティン行程I内において印加されるサスティンパルスIPの総数は奇数である。すなわち、各サスティン行程I内において、先頭のサスティンパルスIP及び最終のサスティンパルスIPは共に、行電極Yに印加されることになる。よって、各サスティン行程Iの終了直後、サスティン放電の生起された放電セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。これにより、各放電セルPC内の壁電荷形成状態は、リセット行程Rでの第1リセット放電終了直後と同一となる。従って、その直後に実施される消去行程Eにおいて、リセット行程Rの後半部において印加されるリセットパルスRPY2と同一波形を有する消去パルスEPを行電極Yに印加することにより、全ての放電セルPCの状態を消灯モードの状態に遷移させることができるのである。
そして、最終のサブフィールドSF14のサスティン行程Iの終了後、Y電極ドライバ53は、負極性のピーク電位を有する消去パルスEPを全ての行電極Y〜Yに印加する。かかる消去パルスEPの印加に応じて、点灯モード状態にある放電セルPCのみに消去放電が生起される。かかる消去放電によって点灯モード状態にあった放電セルPCは消灯モードの状態に遷移する。
以上の如き駆動を、図17に示す如き16通りの画素駆動データGDに基づいて実行する。
先ず、黒表示(輝度レベル0)を表現する第1階調よりも1段階だけ高輝度を表す第2階調では、図17に示す如く、サブフィールドSF1〜SF14の内のSF1のみで放電セルPCを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ、この点灯モードに設定された放電セルPCを微小発光放電させる(□にて示す)。この際、これら選択書込アドレス放電及び微小発光放電に伴う発光時の輝度レベルは、1回分のサスティン放電に伴う発光時の輝度レベルよりも低い。よって、サスティン放電によって視覚される輝度レベルを「1」とした場合、第2階調では、輝度レベル「1」よりも低い輝度レベル「α」に対応した輝度が表現される。
次に、かかる第2階調よりも1段階だけ高輝度を表す第3階調では、サブフィールドSF1〜SF14の内のSF2のみで放電セルPCを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ(二重丸にて示す)、次のサブフィールドSF3で放電セルPCを消灯モードに遷移させる為の選択消去アドレス放電を生起させる(黒丸にて示す)。よって、第3階調では、サブフィールドSF1〜SF14の内のSF2のサスティン行程Iのみで1回分のサスティン放電に伴う発光が為され、輝度レベル「1」に対応した輝度が表現される。
次に、かかる第3階調よりも1段階だけ高輝度を表す第4階調では、先ず、サブフィールドSF1において、放電セルPCを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ、この点灯モードに設定された放電セルPCを微小発光放電させる(□にて示す)。更に、かかる第4階調では、サブフィールドSF1〜SF14の内のSF2のみで放電セルPCを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ(二重丸にて示す)、次のサブフィールドSF3で放電セルPCを消灯モードに遷移させる為の選択消去アドレス放電を生起させる(黒丸にて示す)。よって、第4階調では、サブフィールドSF1にて輝度レベル「α」の発光が為され、SF2にて輝度レベル「1」の発光を伴うサスティン放電が1回分だけ実施されるので、輝度レベル「α」+「1」に対応した輝度が表現される。
又、第5階調〜第16階調各々では、サブフィールドSF1において放電セルPCを点灯モードに設定させる選択書込アドレス放電を生起させ、この点灯モードに設定された放電セルPCを微小発光放電させる(□にて示す)。そして、その階調に対応した1のサブフィールドのみで放電セルPCを消灯モードに遷移させる為の選択消去アドレス放電を生起させる(黒丸にて示す)。よって、第5階調〜第16階調各々では、サブフィールドSF1にて上記微小発光放電が生起され、SF2にて1回分のサスティン放電を生起された後、その階調に対応した数だけ連続したサブフィールド各々(白丸にて示す)でそのサブフィールドに割り当てられている回数分だけサスティン放電が生起される。これにより、第5階調〜第16階調各々では、輝度レベル「α」+「1フィールド(又は1フレーム)表示期間内において生起されたサスティン放電の総数」に対応した輝度が視覚される。従って、図17〜図19に示される駆動によれば、輝度レベル「0」〜「255+α」なる輝度範囲を図17に示す如き16段階にて表すことが可能となるのである。
この際、図17〜図19に示される駆動では、最も輝度重みが小なるサブフィールドSF1において表示画像に寄与する放電として、サスティン放電ではなく微小発光放電を生起させるようにしている。かかる微小発光放電は、列電極D及び行電極Y間で生起される放電である為、行電極X及びY間で生起されるサスティン放電に比べてその放電に伴う発光時の輝度レベルが低い。よって、かかる微小発光放電によって黒表示(輝度レベル0)よりも1段階だけ高輝度を表す(第2階調)場合には、サスティン放電によってこれを表す場合に比して輝度レベル0との輝度差が小となる。従って、低輝度画像を表現する際の階調表現能力が高まる。又、第2階調においては、サブフィールドSF1に後続するSF2の第2リセット行程R2ではリセット放電が生起されないので、このリセット放電に伴う暗コントラストの低下が抑制される。尚、図17に示される駆動では、第4階調以降の各階調においてもサブフィールドSF1において輝度レベルαの発光を伴う微小発光放電を生起させるようにしているが、第3階調以降の階調では、この微小発光放電を生起させないようにしても良い。要するに、微小発光放電に伴う発光は極めて低輝度(輝度レベルα)である為、これよりも高輝度な発光を伴うサスティン放電との併用が為される第4階調以降の階調では、輝度レベルαの輝度増加分を視覚することができなくなる場合があり、この際、微小発光放電を生起させる意義がなくなるからである。
ここで、PDP50を駆動するにあたり、図18に示す如き選択消去アドレス法に代わり図20に示す如き選択書込アドレス法に基づく発光駆動シーケンスを採用しても良い。
この際、駆動制御回路560は、図20に示す如き1フィールド(フレーム)表示期間の先頭のサブフィールドSF1において、第1リセット行程R1、第1選択書込アドレス行程W1、及び微小発光行程LL各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、駆動制御回路560は、サブフィールドSF2〜SF14各々において、第2選択書込アドレス行程W2、サスティン行程I及び消去行程E各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、駆動制御回路560は、サブフィールドSF2において、第2選択書込アドレス行程W2に先立ち、第2リセット行程R2に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
パネルドライバ、すなわち、X電極ドライバ51、Y電極ドライバ53及びアドレスドライバ55は、駆動制御回路560から供給された各種制御信号に応じて、図21に示す如き各種駆動パルスを生成してPDP50の列電極D、行電極X及びYに供給する。
尚、図21においては、図20に示されるサブフィールドSF1〜SF14の内の、先頭のサブフィールドSF1と、それに続くサブフィールドSF2、並びに最後尾のサブフィールドSF14での動作のみを抜粋して示すものである。又、図21において、サブフィールドSF1の第1リセット行程R1及び第1選択書込アドレス行程W1及び微小発光行程LL各々での動作、並びにSF2の第2リセット行程R2、第2選択書込アドレス行程W2及びサスティン行程Iでの動作は図19に示されるものと同一であるのでその説明は省略する。
先ず、サブフィールドSF2〜SF14各々の消去行程Eでは、Y電極ドライバ53は、第1リセット行程R1又は第2リセット行程R2の後半部において印加したリセットパルスRP1Y2又はRP2Y2と同一波形を有する負極性の消去パルスEPを行電極Y〜Yに印加する。この間、X電極ドライバ51は、第2リセット行程R2の後半部と同様に、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスBPを全ての行電極X〜X各々に印加する。かかる消去パルスEP及びベースパルスBPに応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルPC内で微弱な消去放電が生起される。かかる消去放電により、画素セルPC内に形成されていた壁電荷の一部が消去され、この画素セルPCは消灯モード状態に遷移する。更に、消去パルスEPの印加に応じて、画素セルPC内の列電極D及び行電極Y間でも微弱な放電が生起される。かかる放電により、列電極D近傍に形成されている正極性の壁電荷は、次の第2選択書込アドレス行程W2において正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。尚、サブフィールドSF3〜SF14各々では、選択消去アドレス行程Wに代わり第2選択書込アドレス行程W2が実施される。
次に、サブフィールドSF3〜SF14各々のサスティン行程Iでは、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53が、図21に示す如く、行電極Y及びX交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数分だけ繰り返し、正極性のピーク電位Vsus及びパルス幅Wbを有するサスティンパルスIPを行電極Y〜Y及びX〜Xに印加する。かかるサスティンパルスIPが印加される度に、点灯モードに設定されている画素セルPC内の行電極X及びY間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層17から照射される光が前面透明基板10を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドSFの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。尚、各サスティン行程I内において印加されるサスティンパルスIPの総数は奇数である。すなわち、各サスティン行程I内において、先頭のサスティンパルスIP及び最終のサスティンパルスIPは共に、行電極Yに印加されることになる。よって、各サスティン行程Iの終了直後、サスティン放電の生起された画素セルPC内の行電極Y近傍には負極性の壁電荷、行電極X及び列電極D各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。これにより、各画素セルPC内の壁電荷形成状態は、第1リセット行程R1又は第2リセット行程R2での第1リセット放電終了直後と同一となる。従って、その直後に実施される消去行程Eにおいて、第1リセット行程R1又は第2リセット行程R2の後半部において印加されるリセットパルスRP1Y2又はRP2Y2と同一波形を有する消去パルスEPを行電極Yに印加することにより、全ての画素セルPCの状態を消灯モードの状態に遷移させることができるのである。
ここで、図20及び図21に示す駆動により、黒表示(輝度レベル0)を表す第1階調よりも1段階だけ高輝度な第2階調を表す場合には、サブフィールドSF1〜SF14の内のSF1のみで選択書込アドレス放電を生起させる。これによりSF1〜SF14各々の内のSF1のみで表示画像に関与する放電として微小発光放電が生起される。又、かかる第2階調よりも1段階だけ高輝度な第3階調を表す場合には、サブフィールドSF1〜SF14の内のSF2のみで選択書込アドレス放電を生起させる。これによりサブフィールドSF1〜SF14各々の内のSF2のみで表示画像に関与する放電とし1回分のサスティン放電が生起される。そして、第4階調以降では、サブフィールドSF1及びSF2各々で選択書込アドレスを生起させ、更に、その階調に対応した数だけ連続したサブフィールド各々で選択書込アドレスを生起させる。これにより、表示画像に関与する放電として、先ず、サブフィールドSF1にて微小発光放電が生起された後、その階調に対応した数だけ連続したサブフィールド各々でサスティン放電が生起される。かかる駆動によれば、図17と同様な16階調分の中間輝度表示が可能となる。
この際、図20及び図21に示される駆動によれば、第1リセット行程R1又は第2リセット行程R2にて行電極Yに印加されるリセットパルスRP1Y2又はRP2Y2と、消去行程Eにおいて行電極Yに印加される消去パルスEPとが同一波形であるので、両者を共通の回路で生成することが可能となる。更に、サブフィールドSF1〜SF14各々では、画素セルPCの状態(点灯モード、消灯モード)を設定する方法として、選択書込アドレス行程(W1、W2)のみを採用したので、走査パルスを生成する回路は1系統だけで済む。尚、かかる選択書込アドレス行程では、列電極側を陽極とした一般的な列側陽極放電を生起させいる。
よって、PDP50を駆動するにあたり、図20及び図21に示されるが如き選択書込アドレス法を採用した場合には、図18及び図19に示されるが如き選択消去アドレス法を採用した場合に比して、各種駆動パルスを生成する為のパネルドライバを安価に構築することが可能となる。
又、図19又は図21に示される駆動では、先頭のサブフィールドSF1の第1リセット行程R1において、列電極Dを陰極側、行電極Yを陽極側とした電圧を両電極間に印加することにより、行電極Yから列電極Dに向けて電流が流れる列側陰極放電を第1リセット放電として生起させるようにしている。よって、かかる第1リセット放電時には、放電ガス内の陽イオンが列電極Dへ向かう際に、図5に示す如き蛍光体層17内に含まれている二次電子放出材料としてのMgO結晶体に衝突して、このMgO結晶体から二次電子を放出させる。特に、PDP50では、MgO結晶体を図5に示す如く放電空間に露出させることにより、陽イオンとの衝突の確率を高め、二次電子を効率よく放電空間に放出させるようにしている。すると、かかる二次電子によるプライミング作用により放電セルPCの放電開始電圧が低くなるので、比較的弱いリセット放電を生起させることが可能となる。よって、リセット放電の微弱化によりその放電に伴う発光輝度が低下するので、暗コントラストを向上させた表示が可能となる。
更に、図19又は図21に示される駆動では、図3に示す如き前面透明基板10側に形成されている行電極Y、及び背面基板14側に形成されている列電極D間で第1リセット放電を生起させている。よって、共に前面透明基板10側に形成されている行電極X及びY間でリセット放電を生起させる場合に比して、前面透明基板10側から外部に放出される放電光が少なくなるので、更なる暗コントラストの向上を図ることができる。
又、図16に示されるPDP50においては、各放電セルPC内の前面透明基板10側に形成されている酸化マグネシウム層13内のみならず、背面基板14側に形成されている蛍光体層17内にも、図5又は図15に示すように、二次電子放出材料としてのCL発光MgO結晶体を含ませるようにしている。
よって、酸化マグネシウム層13のみにCL発光MgO結晶体を含ませた放電セルでの列側陰極放電(図12に示す)に比して、弱い放電を短期間内に終息させることが可能となる(図13に示す)。従って、放電強度が極めて弱い列側陰極放電をリセット放電として生起させることができるので、画像のコントラスト、特に暗い画像を表示する際の暗コントラストを高めることが可能となる。
ところで、上述した如きCL発光MgO結晶体を酸化マグネシウム層13のみならず蛍光体層17にも含ませることにより、各放電セル内での放電確率を高めることができるようになるが、経時変化により、各放電セル内の放電開始電圧が上昇して誤放電が生じ易くなる。
そこで、図16に示されるプラズマディスプレイ装置においては、経時変化に伴う放電開始電圧の推移に追従させて、リセットパルス、走査パルス、サスティンパルス各々のピーク電位を個別に調整するようにしている。
すなわち、図19又は図21に示す駆動を実施するにあたり、駆動制御回路560は、経時変化データメモリ58から読み出された経時変化データに基づき、所定期間又は各フィールド(又はフレーム)毎に、以下の如く、各駆動パルスにおけるピーク電位の制御を行う。
例えば、図19又は図21に示される第2リセット行程R2において、駆動制御回路560は、かかる経時変化データによって示されるリセットパルスの最適ピーク電位をそのパルスのピーク電位とするリセットパルスを生成させるべきリセットパルス生成信号をY電極ドライバ53に供給する。これにより、Y電極ドライバ53は、現時点での累積使用時間において最適なピーク電位(図6(a)の実線にて示す)をピーク電位Vr1とする、図19又は図21に示す如き波形を有するリセットパルスRP2Y1を生成する。
又、図19又は図21に示される第2選択書込アドレス行程W2では、駆動制御回路560は、上記経時変化データによって示される走査パルスの最適ピーク電位をそのパルスのピーク電位とする走査パルスを生成させるべき走査パルス生成信号をY電極ドライバ53に供給する。これにより、Y電極ドライバ53は、現時点での累積使用時間において最適なピーク電位(図6(b)の実線にて示す)をピーク電位Vsel1とする、図19又は図21に示す如き波形を有する書込走査パルスSPを生成する。又、図19又は図21に示されるサスティン行程Iにおいて、駆動制御回路560は、上記経時変化データによって示されるサスティンパルスの最適ピーク電位をそのパルスのピーク電位とするサスティンパルスを生成させるべきサスティンパルス生成信号をX電極ドライバ51及びY電極ドライバ53に供給する。これにより、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々は、現時点での累積使用時間において最適なピーク電位(図6(c)の実線にて示す)をピーク電位Vsusとする、図19又は図21に示す如き波形を有するサスティンパルスIPを生成する。
このように、図16に示されるプラズマディスプレイ装置では、各駆動パルス(リセットパルス、走査パルス、サスティンパルス)毎に、予め、PDP50の累積使用時間に対応した最適ピーク電位を求めておき、両者を対応づけして示す経時変化データを記憶しておく。そして、かかる経時変化データによって示される現時点での累積使用時間に対応した最適ピーク電位と一致させるように、リセットパルス、走査パルス、及びサスティンパルス各々のピーク電位を個別に調整するのである。
よって、かかるピーク電位調整によれば、例え経時変化に伴い放電開始電圧が上昇しても、それに追従して駆動パルスのピーク電位も高くなるので放電が確実に生起されるようになり、長期間に亘り誤放電の抑制された良好な表示品質を維持させることが可能になる。
尚、上記実施例では、図19又は図21に示される各種駆動パルスの内で、第2リセットパルスRP2Y1、書込走査パルスSP及びサスティンパルスIPに対してのみ、そのピーク電位の調整を行うようにしているが、その他のリセットパルス及び消去走査パルスSPに対しても同様に実施するようにしても良い。すなわち、リセットパルスRP1Y1、RP1Y2、RP2Y2及び消去走査パルスSP各々毎に、予め累積使用時間に対応した最適なピーク電位を求めておき、これら駆動パルス(RP1Y1、RP1Y2、RP2Y2、SP)各々と累積使用時間とを対応付けして示す経時変化データを経時変化データメモリ58に記憶させておく。そして、駆動制御回路560により、かかる経時変化データによって示される現時点での累積使用時間に対応した最適ピーク電位と一致させるように、リセットパルスRP2Y2、RP1Y1、RP1Y2、各々のピーク電位Vr2〜Vr4及び消去走査パルスSPのピーク電位Vsel2を夫々個別に調整するのである。
又、上記実施例においては、累積使用時間に追従させて書込走査パルスSPのピーク電位Vsel1(又は消去走査パルスSPのピーク電位Vsel2)及びサスティンパルスIPのピーク電位Vsusを調整するようにしているが、ピーク電位を調整する代わりにそのパルス幅を調整するようにしても良い。すなわち、PDP50の累積使用時間が長くなるほど放電開始電圧が高くなり、それに伴い放電遅れが大となる。そこで、その放電遅れに追従させて確実に放電を生起させ得るパルス幅となるように、書込走査パルスSP(又は消去走査パルスSP)のパルス幅Wa及びサスティンパルスIPのパルス幅Wbを広げるべき調整を行うのである。かかる調整を実施するにあたり、先ず、PDP50の累積使用時間に対応した最適なパルス幅を各駆動パルス毎に予め求めておき、この累積使用時間と最適パルス幅とを対応づけして示す経時変化データを経時変化データメモリ58に記憶させておく。そして、かかる経時変化データメモリ58から読み出された経時変化データに基づき、駆動制御回路560は、所定期間又は各フィールド(又はフレーム)毎に、以下の如く、走査パルス及びサスティンパルス各々のパルス幅の制御を行う。
つまり、図19又は図21に示される選択書込アドレス行程W(又は選択消去アドレス行程W)では、駆動制御回路560は、上記経時変化データによって示される走査パルスの最適パルス幅と同一パルス幅を有する書込走査パルス(又は消去走査パルス)を生成させるべき走査パルス生成信号をY電極ドライバ53に供給する。これにより、Y電極ドライバ53は、現時点での累積使用時間において最適なパルス幅Waを有する書込走査パルスSP(又は消去走査パルスSP)を生成する。又、図19又は図21に示されるサスティン行程Iにおいて、駆動制御回路560は、上記経時変化データによって示されるサスティンパルスの最適パルス幅と同一パルス幅を有するサスティンパルスを生成させるべきサスティンパルス生成信号をX電極ドライバ51及びY電極ドライバ53に供給する。これにより、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々は、現時点での累積使用時間において最適なパルス幅Wbを有するサスティンパルスIPを生成する。
よって、かかるパルス幅調整によれば、経時変化に伴い放電開始電圧が上昇して放電遅れが大となっても、それに追従して駆動パルスのパルス幅も長くなるので放電が確実に生起されるようになり、長期間に亘り誤放電の抑制された良好な表示品質を維持させることが可能になる。尚、サスティンパルスIPのパルス幅を調整するにあたり、各サブフィールドSF毎にその先頭のサスティンパルスIPのみを対象として上記の如きパルス幅の調整を行うようにしても良い。これにより、サスティンパルスIPのパルス幅の増大に伴う各サブフィールド毎のサスティン行程Iの実行期間の増加を抑えることが可能となる。
又、上記実施例においては、PDP50の累積使用時間に応じて各駆動パルスのピーク電位及びパルス幅の内の一方を調整するようにしているが、両者を共に調整するようにしても良い。
尚、図1又は図16に示されるPDP50の累積使用時間が長期に到ると、上述した如き放電開始電圧の上昇と共に、蛍光体層17の劣化に伴う輝度の低下が生じる。この際、図22(a)に示すように、蛍光体層17として緑色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルPCの累積使用時間に対する輝度低下度(実線にて示す)は、赤色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルPCの輝度低下度(一点鎖線にて示す)に比して大である。又、青色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルPCの累積使用時間に対する輝度低下度(波線にて示す)は、緑色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルPCの輝度低下度(一点鎖線にて示す)に比して大である。従って、経年変化に伴い、赤色発光を為す放電セルPC、緑色発光を為す放電セルPC、青色発光を為す放電セルPC各々の輝度レベルにバラツキが生じ、ホワイトバランスが適正値からズレてしまうという問題が生じる。
そこで、このようなホワイトバランスのズレを補正すべく、図22(b)に示す如き累積使用時間に対応した各色(R,G,B)毎のレベルシフト量を示す情報を、図6(a)〜図6(c)に示す情報と共に経時変化データメモリ58に予め記憶しておく。経時変化データメモリ58は、現時点でのPDP50の累積使用時間に対応した図22(b)に示す如き青色信号成分に対するレベルシフト量(波線にて示す)、緑色信号成分に対するレベルシフト量(実線にて示す)、赤色信号成分に対するレベルシフト量(一点鎖線にて示す)を示す情報を読み出し、駆動制御回路56(又は56)に供給する。駆動制御回路560(又は56)は、経時変化データメモリ58から読み出された各色毎のレベルシフト量にて、入力映像信号における赤色信号成分、緑色信号成分、青色信号成分各々のレベルを個別に調整する。この際、図22(b)に示す如く、PDP50の累積使用時間が長くなるほど、赤色信号成分に対するレベル低下量(一点鎖線にて示す)が、緑色信号成分に対するレベル低下量(実線にて示す)よりも大になる。又、緑色信号成分に対するレベル低下量が青色信号成分に対するレベル低下量(波線にて示す)よりも大になる。
よって、例え経年変化により赤色発光を為す放電セルPC、緑色発光を為す放電セルPC、青色発光を為す放電セルPC各々の輝度レベルにバラツキが生じても、入力映像信号段階での各色毎のレベル調整により、かかるバラツキを相殺した適切なホワイトバランスを長期間に亘り維持させることが可能となる。
ところで、図23に示す如く、PDP50の累積使用時間が長くなり所定の累積時間t1を経過すると、行電極Y及び列電極D間で生起されるアドレス放電に放電遅れが生じ始める。
そこで、図1に示されるプラズマディスプレイ装置では、駆動制御回路56が、現時点でのPDP50の累積使用時間が所定の累積時間t1を越えるまでは図24(a)、累積時間t1を越えた場合には図24(b)に示す如き発光駆動シーケンスに従った駆動を実行する。この際、図24(a)に示す発光駆動シーケンスは図8に示される発光駆動シーケンスと同一である。一方、図24(b)に示す発光駆動シーケンスは、図24(a)に示す発光駆動シーケンスから最終のサブフィールドSF14を省いたものである。更に、図24(b)に示す発光駆動シーケンスでは、このSF14を削除して得られた時間分だけ、各サブフィールドのアドレス行程(W、W)にて印加される走査パルス(又は画素データパルス)のパルス幅Wa、及び各サブフィールドのサスティン行程Iにおいて第1番目に印加されるサスティンパルスのパルス幅Wbを夫々広げている。
一方、図16に示されるプラズマディスプレイ装置では、駆動制御回路560が、現時点でのPDP50の累積使用時間が所定の累積時間t1を越えるまでは図25(a)、累積時間t1を越えた場合には図25(b)に示す如き発光駆動シーケンスに従った駆動を実行する。この際、図25(a)に示す発光駆動シーケンスは図18に示される発光駆動シーケンスと同一である。一方、図25(b)に示す発光駆動シーケンスは、図25(a)に示す発光駆動シーケンスから最終のサブフィールドSF14を省いたものである。更に、図25(b)に示す発光駆動シーケンスでは、このSF14を削除して得られた時間分だけ、各サブフィールドのアドレス行程(W1、W2、W)にて印加される走査パルス(又は画素データパルス)のパルス幅Wa、及び各サブフィールドのサスティン行程Iにおいて第1番目に印加されるサスティンパルスのパルス幅Wbを夫々広げている。
このように、図24(a)及び(b)、或いは図25(a)及び(b)に示す駆動では、PDP50の累積使用時間が所定期間を超えた場合には、1フィールド(又はフレーム)表示期間内のサブフィールド数を減らし、その分だけ各サブフィールドにおいて印加する各種駆動パルスのパルス幅を広げるようにしたのである。
これにより、例え経年変化によって放電遅れが生じた場合にも確実に放電を生起させることが可能となる。
尚、図1又は図16に示されるプラズマディスプレイ装置では、このプラズマディスプレイ装置が電源オン状態となった期間を累積使用時間タイマ57によって実際に計ることにより、累積使用時間情報を生成するようにしているが、その他の方法で累積使用時間情報を生成するようにしても良い。
図26は、かかる点に鑑みて為されたプラズマディスプレイ装置の他の構成を示す図である。
尚、図26に示されるプラズマディスプレイ装置は、上記累積使用時間タイマ57に代わり、サスティンパルスカウンタ570及び累積使用時間変換回路571を採用したものであり、その他の構成及びその駆動動作については、図1又は図16に示されるプラズマディスプレイ装置と同一である。
図26において、サスティンパルスカウンタ570は、このプラズマディスプレイ装置に最初に電源が投入された時点から現時点までの間に、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々によってPDP50の1表示ライン上に印加されたサスティンパルスの累積数を計数する。そして、サスティンパルスカウンタ570は、このサスティンパルスの累積数を示すサスティンパルス累積数信号SSを累積使用時間変換回路571に供給する。累積使用時間変換回路571は、例えば、サスティンパルスの累積数に対応した累積使用時間を示すルックアップテーブルメモリからなる。累積使用時間変換回路571は、かかるサスティンパルス累積数信号SSにて示される現時点でのサスティンパルス累積数を、かかるルックアップテーブルに基づきその累積数に対応した累積使用時間を示す情報に変換しこれを駆動制御回路56(560)及び経時変化データメモリ58に供給する。
すなわち、1フィールド(フレーム)表示期間内で各表示ライン(行電極X及びY)に印加されるサスティンパルスの総数は所定の一定数であるから、実際に印加されたサスティンパルス数の累積数をもって累積使用時間を求めるようにしたのである。
又、上記実施例では、放電セルの状態(点灯モード、消灯モード)に拘わらずに、現時点までに印加されたサスティンパルスの累積数を計数しているが、サスティン放電に寄与したもの、つまり点灯モードの状態にある放電セルに印加されたサスティンパルスのみを対象として、その累積数を計数するようにしても良い。
図27は、かかる点に鑑みて為されたプラズマディスプレイ装置の他の構成を示す図である。
尚、図27に示されるプラズマディスプレイ装置は、図26に示される累積使用時間変換回路571、経時変化データメモリ58及びサスティンパルスカウンタ570を、経時変化データメモリ580及び点灯サスティンパルスカウンタ581に置き換えたものである。この際、図27に示されるプラズマディスプレイ装置において、かかる点を除くその他の構成及びその駆動動作については、図26に示されるプラズマディスプレイ装置と同一である。
図27において、点灯サスティンパルスカウンタ581は、先ず、各SF毎に、アドレスドライバ55にて点灯モードに設定させるべく放電セルに印加された画素データパルスDPの数、及びX電極ドライバ51及びY電極ドライバ53によって印加されたサスティンパルス数を夫々計数する。そして、点灯サスティンパルスカウンタ581は、各SF毎に両者を乗算し、その乗算結果を累算して行くことにより、サスティンパルスの印加によって実際にサスティン放電する、いわゆる表示に寄与するサスティンパルスのみを対象としてその累積印加回数を求める。経時変化データメモリ580には、累積印加回数に対応させて、予め、各パルスのピーク電位、パルス幅等のパルス波形を決定する為のパルス波形情報が記憶されている。この際、経時変化データメモリ580には、累積印加回数が多くなるほど、パルスのピーク電位が高くなる、又はパルス幅が広がる、或いはパルスのピーク電位が高くなると共にそのパルス幅が広がるようなパルス波形情報が記憶されている。経時変化データメモリ580は、かかる累積印加回数に対応したパルス波形情報を読み出し、これを駆動制御回路56(560)に供給する。駆動制御回路56(560)は、かかるパルス波形情報に従った駆動パルスを発生させるべく、アドレスドライバ55、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々を制御する。アドレスドライバ55、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々は、パルス波形情報に従ったパルス波形(パルスのピーク電位、パルス幅)を有する駆動パルスを生成する。かかる動作によれば、上記累積印加回数が多くなるほど、パルスのピーク電位を高くした駆動パルス、又はパルス幅を広げた駆動パルス、或いはパルスのピーク電位を高くすると共にパルス幅を広げた各種駆動パルスがアドレスドライバ55、X電極ドライバ51及びY電極ドライバ53各々にて生成される。
例えば、Y電極ドライバ53は、リセット行程Rの前半期間において印加すべきリセットパルスRPYを生成するにあたり、図28(A)に示す如く、先ず、上記累積印加回数に対応した期間aに亘り正極性の所定の電源電位を行電極Yに印加する。これにより、PDP50の行電極X及びY間に寄生する負荷容量が充電され、行電極Yの電位が時間経過に伴い徐々に高くなる。そして、期間aが経過すると、Y電極ドライバ53は、リセット行程Rの前半期間内での残りの期間bに亘り、行電極Yをハイインピーダンス状態に設定する。これにより、行電極Yは、上記期間aの経過時点での電位状態を維持することになり、これが図28(A)に示す如きリセットパルスRPYのピーク電位VPとなる。この際、Y電極ドライバ53は、上記累積印加回数が多い場合には少ない場合に比して上記期間aを長くする。例えば、Y電極ドライバ53は、上記累積印加回数が小なる場合には図28(B)に示す如き期間a1、大なる場合には図28(C)に示す如き期間a1よりも大なる期間a2に亘り所定の電源電位を行電極Yに印加し、かかる期間a1又はa2の経過後、行電極Yをハイインピーダンス状態に設定する。よって、図28(B)に示す如き期間a1に亘り電源電位を行電極Yに印加した場合に得られるピーク電位V1に比して、期間a2に亘り電源電位を行電極Yに印加した場合に得られるピーク電位V2は大となる。このように、Y電極ドライバ53は、リセットパルスRPYを生成するにあたり、そのパルスの立ち上がり期間aを、上記累積印加回数が大なるほど大きくすることにより、パルスのピーク電位を調整するのである。尚、パルスのピーク電位を調整するにあたり、図28(D)に示す如くそのパルスの立ち上がり期間aを固定したまま、行電極に印加すべき電源電位V3自体を変更するようにしても良い。すなわち、上記累積印加回数が大なるほど大なる電位を行電極に印加するのである。この際、累積印加回数が多くなるほど、パルスのピーク電位が高くなるように、行電極に印加すべき電源電位及びパルスの立ち上がり期間aの双方を調整するようにしても良い。
又、図19及び図21に示される実施例では、サブフィールドSF1の第1リセット行程R1の前半部にて行電極Y〜Yへ正極性のパルスRP1Y1を印加することにより列側陰極放電として、第1リセット放電を生起させるようにしているが、これを省略しても良い。
この際、図29に示す如く、第1リセット行程R1の前半部では行電極Y〜Yを接地電位に設定する。
すなわち、第1リセット行程R1の前半部における、行電極Yから列電極Dへの列側陰極放電の目的は、第1選択書込アドレス行程W1での書込放電を安定化させる為、プライミング粒子を放出される点が主目的である。しかしながら、例えば図5や図15に記載の様なCL発光MgO結晶を含むMgO結晶体を蛍光体層内に含ませる構成を用いた場合にはそのような構成を用いない場合に比べて書込放電が安定化する。従って、第1リセット行程R1の前半部では行電極Y及び列電極D共に接地電位として列側陰極放電を生起させない構成を採用することが可能となる。この場合には行電極Xについても図29の如く接地電位レベルとする。
なお、この場合も第1リセット行程R1の終了後、その直前のフィールドの消去行程Eでの消去パルスEPによる放電及びリセットパルスRP1Y2の印加による放電によって全放電セルは消灯モード状態になる。
また、図19及び図21における、第2リセット行程R2の前半部におけるリセットパルスRP2Y1の印加による列側陰極放電についてであるが、このリセット放電によるプライミング粒子は主に第2選択書込アドレス行程W2での書込放電を安定化させる為に作用する。この際、第2リセット行程R2の前半部でのリセットパルスRP2Y1の印加による列側陰極放電を省略すると、第2選択書込アドレス行程W2で書込ミスが発生した場合には、サブフィールドSF2以降の全サブフィールドにおいてサスティン放電を生起させることができなくなる。そこで、第2リセット行程R2の前半部については、リセットパルスRP2Y1の印加による列側陰極放電を実施する方が好ましい。第2リセット行程R2の前半部では上記の如き列側陰極放電を省略しない方が好ましいという点については、図9及び図11のリセットパルスRPY1による放電の場合にも同様である。
本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。 表示面側から眺めたPDP50の内部構造を模式的に示す正面図である。 図2に示されるV−V線上での断面を示す図である。 図2に示されるW−W線上での断面を示す図である。 蛍光体層17内に含まれるMgO結晶体を模式的に表す図である。 PDP50の累積使用時間に対応したリセットパルス、走査パルス、及びサスティンパルス各々の最適ピーク電位の遷移を示す図である。 図1に示されるプラズマディスプレイ装置における各階調毎の発光パターンの一例を示す図である。 図1に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。 図8に示される発光駆動シーケンスに従ってPDP50に印加される各種駆動パルスを示す図である。 図1に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。 図10に示される発光駆動シーケンスに従ってPDP50に印加される各種駆動パルスを示す図である。 酸化マグネシウム層13のみにCL発光MgO結晶体を含ませた従来のPDPに対してリセットパルスRPY1を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。 酸化マグネシウム層13及び蛍光体層17の双方にCL発光MgO結晶体を含ませたPDP50に対してリセットパルスRPY1を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。 リセットパルスRPY1の他の波形を表す図である。 蛍光体粒子層17aの表面に二次電子放出層18を積層して蛍光体層17を構築させた場合の形態を模式的に表す図である。 本発明によるプラズマディスプレイ装置の他の構成を示す図である。 図16に示されるプラズマディスプレイ装置における各階調毎の発光パターンの一例を示す図である。 図16に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。 図18に示される発光駆動シーケンスに従ってPDP50に印加される各種駆動パルスを示す図である。 図16に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。 図20に示される発光駆動シーケンスに従ってPDP50に印加される各種駆動パルスを示す図である。 PDP50の累積使用時間に対応した各色毎の輝度低下の推移と、累積使用時間に対応した各色毎の映像信号に対するレベルシフト量を示す情報とを示す図である。 PDP50の累積使用時間に対応したアドレス放電の放電遅れ時間の推移を表す図である。 図1に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。 図16に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。 本発明の他の実施例によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。 プラズマディスプレイ装置の他の構成を示す図である。 駆動パルスの波形調整動作の一例を示す図である。 第1リセット行程R1において第1リセット放電を省略した場合の発光駆動シーケンスを示す図である。
符号の説明
13 酸化マグネシウム層
17 蛍光体層
50 PDP
51 X電極ドライバ
53 Y電極ドライバ
55 アドレスドライバ
56,560 駆動制御回路
57 累積使用時間タイマ
58 経時変化データメモリ
570 サスティンパルスカウンタ
571 累積使用時間変換回路

Claims (32)

  1. 放電ガスが封入された放電空間を挟んで第1基板及び第2基板が対向配置されており前記第1基板に形成されている複数の行電極対と前記第2基板に形成されている複数の列電極との各交叉部に放電セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
    前記放電セル各々の前記放電空間に接する面に形成されており、二次電子放出材料を含む蛍光体層と、
    前記映像信号における単位表示期間毎に複数のサブフィールド各々において前記行電極対及び前記列電極各々に駆動パルスを印加することにより前記放電セル内で放電を生起させる駆動部と、
    前記プラズマディスプレイパネルの累積使用時間又は階調表示に寄与する駆動パルスの累積印加数に応じて前記駆動パルスの形状を調整する制御部と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
  2. 前記制御部は、前記プラズマディスプレイパネルの累積使用時間又は階調表示に寄与する駆動パルスの累積印加数に応じて前記駆動パルスのパルス電圧及び/又はパルス幅を調整することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
  3. 前記駆動部は、前記複数のサブフィールド各々の内の少なくとも1のサブフィールドにおいて前記行電極対にリセットパルスを印加することにより前記放電セル内にリセット放電を生起せしめるリセット手段と、
    前記サブフィールド各々において前記行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に前記画素データに応じた画素データパルスを前記列電極に印加することにより前記放電セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて前記放電セルを点灯モード状態及び消灯モード状態の内のいすれか一方に設定するアドレス手段と、
    前記サブフィールド各々において前記行電極対各々にサスティンパルスを印加することにより前記点灯モード状態に設定されている前記放電セルのみをサスティン放電させるサスティン手段と、を含み、
    前記制御部は、前記累積使用時間を計時する累積使用時間計時手段又は前記累積印加数を計数する累積印加数計数手段とを含み、前記累積使用時間又は前記累積印加数に応じて前記リセットパルス、前記走査パルス、及び前記サスティンパルスの内の少なくとも1つの形状を調整するパルス調整手段と、を含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
  4. 前記パルス調整手段は、前記サスティンパルスに対しては前記サブフィールド各々毎に第1番目に印加される前記サスティンパルスのみにおいてパルス幅の調整を行うことを特徴とする請求項3記載のプラズマディスプレイ装置。
  5. 前記制御部は、前記累積使用時間又は前記累積印加数に応じて前記単位表示期間内での前記サブフィールドの数を変更することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
  6. 前記制御部は、前記累積使用時間又は前記累積印加数に応じて前記映像信号における各色毎の信号レベルを調整することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
  7. 前記二次電子放出材料は酸化マグネシウムからなることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置
  8. 前記酸化マグネシウムは、電子線によって励起されて波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含むことを特徴とする請求項7記載のプラズマディスプレイ装置。
  9. 前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体であることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプレイ装置。
  10. 前記放電空間内において前記二次電子放出材料が前記放電ガスに接触していることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。
  11. 前記駆動部は、前記単位表示期間内の先頭の前記サブフィールドにて前記放電セルを前記消灯モード状態に初期化するリセット手段と、前記画素データに応じて選択的に前記放電セルをアドレス放電せしめることにより前記放電セルを前記点灯モードに設定するアドレス手段と、を備え、
    前記リセット手段は、前記行電極対の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記前記一方の行電極及び前記列電極間においてリセット放電を生起させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。
  12. 前記リセット手段は、前記リセット放電が生起されている間に亘り、前記行電極対の他方の行電極及び前記一方の行電極間での放電を防止させる電位を前記他方の行電極に印加することを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  13. 前記先頭のサブフィールドにおいて、前記一方の行電極のみに1回だけサスティンパルスを印加することにより前記点灯モードに設定されている前記放電セルのみを1回分だけサスティン放電せしめる低輝度サスティン手段を更に備えたことを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  14. 前記リセット手段は、前記単位表示期間内の前記サブフィールド各々の内の前記先頭のサブフィールドのみで前記放電セルをリセット放電させることを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  15. 前記アドレス手段は、前記先頭のサブフィールドに後続するサブフィールド各々において、前記画素データに応じて選択的に前記放電セルを前記アドレス放電させることによりこの放電セルを前記消灯モードの状態に設定することを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  16. 前記アドレス手段は、前記先頭のサブフィールドに後続するサブフィールド各々において、前記画素データに応じて選択的に前記放電セルを前記アドレス放電させることによりこの放電セルを前記点灯モードの状態に設定することを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  17. 前記リセット手段は、前記一方の行電極に印加する電位を時間経過に伴い徐々に増加することにより前記リセット放電を生起させる電圧を前記列電極及び前記一方の行電極間に生じさせることを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  18. 前記アドレス手段は、前記一方の行電極に負極性のベース電位を印加すると共に、前記行電極対の他方の行電極に正極性のベース電位を印加することを特徴とする請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
  19. 前記駆動部は、前記単位表示期間内の少なくとも先頭のサブフィールド及び当該先頭のサブフィールドの直後の第2番目のサブフィールド各々において前記放電セルを点灯モード及び消灯モードの内の一方の状態に初期化するリセット手段と、前記先頭のサブフィールド及び前記第2番目のサブフィールド各々において前記画素データに応じて選択的に前記放電セルをアドレス放電させることによりこの放電セルを前記点灯モード及び前記消灯モードの内の他方の状態に遷移させるアドレス手段と、を含み、
    前記リセット手段は、前記第2番目のサブフィールドにおいて前記行電極対の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記一方の行電極及び前記列電極間においてリセット放電を生起させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。
  20. 前記リセット手段は、前記先頭のサブフィールドにおいて前記行電極対の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記一方の行電極及び前記列電極間においてリセット放電を生起させることを特徴とする請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。
  21. 前記リセット手段は、前記放電セルを前記消灯モードの状態に初期化し、
    前記アドレス手段は、前記画素データに応じて選択的に前記放電セルをアドレス放電させることによりこの放電セルを前記点灯モードの状態に遷移させることを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  22. 前記リセット手段は、前記リセット放電が生起されている間に亘り、前記行電極対の他方の行電極及び前記一方の行電極間での放電を防止させる電位を前記他方の行電極に印加することを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  23. 前記リセット手段は、前記一方の行電極及び前記他方の行電極各々に正極性の電位を印加することを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  24. 前記先頭のサブフィールドにおいて、前記行電極対の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより、前記点灯モードの状態に設定されている前記放電セル内の前記列電極及び前記一方の行電極間にて微小発光放電を生起させる微小発光手段を更に備えたことを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  25. 前記微小発光放電は、輝度レベル0よりも1段階だけ高輝度な階調に対応した発光を伴う放電であることを特徴とする請求項24記載のプラズマディスプレイ装置。
  26. 前記リセット手段は、前記第2番目のサブフィールドでは、前記微小発光放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加した電位を時間経過に伴って徐々に増加させることにより前記リセット放電を生起させることを特徴とする請求項24記載のプラズマディスプレイ装置。
  27. 前記微小発光放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加される電位の立ち上がり区間での時間経過に伴う変化率が、前記リセット放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加される電位の立ち上がり区間での時間経過に伴う変化率よりも高いことを特徴とする請求項24記載のプラズマディスプレイ装置。
  28. 前記第2番目のサブフィールドに後続するサブフィールド各々において前記一方の行電極及び前記他方の行電極各々に交互にサスティンパルスを印加することにより前記点灯モードの状態にある前記放電セルのみをサスティン放電せしめるサスティン手段を更に備え、
    前記微小発光放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加する電位が前記サスティンパルスのピーク電位よりも低いことを特徴とする請求項24記載のプラズマディスプレイ装置。
  29. 前記第2番目のサブフィールドにおいて前記一方の行電極のみに1回だけサスティンパルスを印加することにより前記点灯モードの状態にある前記放電セルのみをサスティン放電せしめる低輝度サスティン手段を更に備えたことを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  30. 前記アドレス手段は、前記第2番目のサブフィールドに後続するサブフィールド各々において、前記画素データに応じて選択的に前記放電セルを前記アドレス放電させることによりこの放電セルを前記点灯モードの状態から前記消灯モードの状態に遷移させることを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  31. 前記アドレス手段は、前記第2番目のサブフィールドに後続するサブフィールド各々において、前記画素データに応じて選択的に前記放電セルを前記アドレス放電させることによりこの放電セルを前記消灯モードの状態から前記点灯モードの状態に遷移させることを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
  32. 前記リセット手段は、前記一方の行電極に印加する電位を時間経過に伴い徐々に増加させることにより前記一方の行電極及び前記列電極間の電圧を徐々に増加させることを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。
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