JP2008202072A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アーク放電により、ターゲット1からターゲット材料を蒸発させ、基板2上に堆積させる成膜装置に、ターゲット1からのパーティクル7を捕獲する防着板3のパーティクル付着面5を大気解放することなく取り替える付着面取替機構を設ける。
【選択図】 図1
Description
本手法ではCVD法とは異なり炭素のみを材料とした成膜が可能である上、保護膜を構成する炭素間の結合もダイアモンドと同様のsp3性に富んでいることから高硬度化が比較的容易であるという特長がある。
図1参照
上記の課題を解決するために、本発明は、成膜装置において、アーク放電により、ターゲット1からターゲット材料を蒸発させ、基板2上に堆積させる成膜装置において、ターゲット1からのパーティクル7を捕獲する防着板3のパーティクル付着面5を大気解放することなく取り替える付着面取替機構を備えたことを特徴とする。
なお、パーティクル6は基板2方向へ湾曲されて基板2上に堆積する。
また、防着板3の各パーティクル付着面5はそれぞれ独立して防着板機能を果たすことが可能であるため、付着面数に応じて安定稼動時間は増加する。
この場合のターゲット材料としてはグラファイトが典型的なものであり、その結果、基板2上に堆積する薄膜はカーボン保護膜となる。
図2参照
図2は、本発明の実施例1のFCA装置の概略的構成図であり、このFCA装置は、SUS製の円管状の真空チャンバー10内に形成されるアーク放電部20、アーク放電部20で発生させたパーティクル11を通過させるパーティクル通過部30、パーティクル11を湾曲磁界により湾曲させる湾曲部40、湾曲されたパーティクル11を通過させるパーティクル通過部50、パーティクル通過部50に接続する成膜部60、及び、T型フィルター部70により構成される。
一方、真空チャンバー10の内壁には陽極25が設けられ、ターゲット21と陽極25との間にはアーク電源26が接続され、ターゲット21とトリガー電極24との間には制限用抵抗27が接続される。
なお、パーティクル11と同時に発生するマクロパーティクル12は電気的に中性であるので、湾曲磁界の影響を受けずに直進する。
図3は、本発明の実施例1における防着羽板の概念的構成図であり、上図は概略的正面図であり、下図は上図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図であり、両方に面をブラスト処理することによって、微小な凹凸を有するブラスト処理面74とすることによって、ブラスト処理面74に付着したマクロパーティクル12からなる付着薄膜との密着性を高めて付着薄膜の剥離を防止している。
なお、この場合のブラスト処理は、例えば、粒径が#100のAl2 O3 粒子をブラスト材として、例えば、3.5kg/cm2 の圧力で吹きつけて加工を行うものであり、吹き付け時間は適宜である。
また、このFCA装置の制御部(図示は省略)には、装置の累積稼働時間をモニタするモニタ機構が設けられており、このモニタ機構でモニタした累積稼働時間が予め定めた時間に達した時点で、且つ、その時行われている成膜工程が終了したのち、回転制御機構によって防着板71を120°回転させてパーティクル付着面を取り替える。
なお、パーティクル付着面を取り替えた時点で、モニタ機構をリセットして新たに累積稼働時間のモニタを開始する。
図4参照
図4は、基板が磁気記録媒体である場合の成膜状態を示す概念的断面図であり、まず、基板62として、アルミ合金基板64上にNi−Pメッキ層65を設けたのち、スパッタ法によりCr下地層66及び磁気記録層67を順次堆積させたものを用意する。
次いで、薄膜63の表面にフッ素系潤滑剤68を塗布することによって磁気記録媒体の基本構成が完成する。
図5参照
図5は、10時間毎にパーティクル付着面を変更してメンテナンスを行うことなく連続稼動を行い、30時間経過した時点で上述のように保護膜を形成した磁気記録媒体について、保護膜表面のパーティクル数を光の散乱を利用した表面欠陥評価装置を用いて評価した場合のパーティクル分布図であり、直径1μm以上のパーティクル数は2.5インチのディスク1面当たり約21個であった。
なお、この場合のパーティクル付着面変更時間の10時間は、事前調査より上記成膜条件では、約10時間の連続稼動経過後に防着板からの膜剥離が生じ易いことが判明したためである。
図6及び図7は、パーティクル付着面を変更することなく連続稼働10時間経過時点及び30時間経過時点で保護膜を形成した磁気記録媒体について、保護膜表面のパーティクル数を評価したパーティクル分布図であり、直径1μm以上のパーティクル数は2.5インチのディスク1面当たりそれぞれ、約18個及び約459個であった。
なお、この場合の防着板は、単一面で構成された従来品を利用した。
図8参照
図8は、本発明の実施例2のFCA装置に用いる防着板の概念的構成図であり、上図は概略的正面図であり、下図は上図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
また、上図に示すように、各防着羽板83の表面は上記の実施例1の防着板71と同様にブラスト処理されたブラスト処理面84になっている。
図9参照
図9は、本発明の実施例3のFCA装置に用いる防着板の概念的構成図であり、上図は概略的正面図であり、下図は上図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
また、上図に示すように、各防着羽板87の表面は上記の実施例1の防着板71と同様にブラスト処理されたブラスト処理面88になっている。
なお、この場合、各防着羽板87の端面89にもマクロパーティクル12が付着するので、端面89にもブラスト処理を施すことが望ましい。
図10参照
図10は、本発明の実施例4のFCA装置に用いる防着板の概念的構成図であり、上左図は概略的正面図であり、上右図は1枚の防着羽板の概略的側面図であり、下図は上左図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
例えば、長さが約14mmのリブ94を45°傾斜した状態で12mmピッチで設置する。
再び、図1参照
(付記1) アーク放電により、ターゲット1からターゲット材料を蒸発させ、基板2上に堆積させる成膜装置において、前記ターゲット1からのパーティクル7を捕獲する防着板3のパーティクル付着面5を大気解放することなく取り替える付着面取替機構を備えたことを特徴とする成膜装置。
(付記2) 上記防着板3における上記パーティクル付着面5が複数存在することを特徴とする付記1記載の成膜装置。
(付記3) 上記防着板3は、互いに120°の角度で配置されるとともに、両面が上記パーティクル付着面5となった3枚の防着羽板4から構成されることを特徴とする付記3記載の成膜装置。
(付記4) 上記防着板3の表面にブラスト処理を施したブラスト処理面を設けることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の成膜装置。
(付記5) 上記防着板3の表面にリブを設置することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1に記載の成膜装置。
(付記6) 上記防着板3のパーティクル付着面4を取り替える時期を決定するための稼働時間モニタ機構を備えたことを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載の成膜装置。
(付記7) アーク放電により、ターゲット1からターゲット材料を蒸発させ、基板2上に堆積させる成膜方法において、予め実験的に定めた所定稼働時間毎に前記ターゲット1からのパーティクルを捕獲する防着板3のパーティクル付着面5を大気解放することなく取り替えることを特徴とする成膜方法。
(付記8) 上記ターゲット材料がグラファイトであり、上記基板2上に堆積する薄膜がカーボン保護膜であることを特徴とする付記7記載の成膜方法。
2 基板
3 防着板
4 防着羽板
5 パーティクル付着面
6 パーティクル
7 パーティクル
10 真空チャンバー
11 パーティクル
12 マクロパーティクル
20 アーク放電部
21 ターゲット
22 絶縁導入端子
23 陰極プロテクタ
24 トリガー電極
25 陽極
26 アーク電源
27 制限用抵抗
28 磁界発生器
29 磁界発生器
30 パーティクル通過部
31 磁界発生器
32 磁界発生器
40 湾曲部
41 湾曲磁界発生器
50 パーティクル通過部
51 絞り磁界発生器
52 磁界発生器
53 磁界発生器
54 磁界発生器
60 成膜部
61 基板ホルダ
62 基板
63 薄膜
64 アルミ合金基板
65 Ni−Pメッキ層
66 Cr下地層
67 磁気記録層
68 フッ素系潤滑剤
70 T型フィルター部
71 防着板
72 回転軸
73 防着羽板
74 ブラスト処理面
81 防着板
82 回転軸
83 防着羽板
84 ブラスト処理面
85 防着板
86 回転軸
87 防着羽板
88 ブラスト処理面
89 端面
91 防着板
92 回転軸
93 防着羽板
94 リブ
Claims (5)
- アーク放電により、ターゲットからターゲット材料を蒸発させ、基板上に堆積させる成膜装置において、前記ターゲットからのパーティクルを捕獲する防着板のパーティクル付着面を大気解放することなく取り替える付着面取替機構を備えたことを特徴とする成膜装置。
- 上記防着板における上記パーティクル付着面が複数存在することを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 上記防着板の表面にブラスト処理を施したブラスト処理面を設けることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 上記防着板の表面にリブを設置することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- アーク放電により、ターゲットからターゲット材料を蒸発させ、基板上に堆積させる成膜方法において、予め実験的に定めた所定稼働時間毎に前記ターゲットからのパーティクルを捕獲する防着板のパーティクル付着面を大気解放することなく取り替えることを特徴とする成膜方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020190024A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-11-26 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62142758A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置の使用方法 |
JPH02141575A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Anelva Corp | 薄膜堆積装置 |
JPH03247752A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Hitachi Cable Ltd | 蒸着方法および装置 |
JPH0798862A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-11 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造装置 |
JPH0798863A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-11 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造装置 |
JPH09143736A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-06-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 連続真空蒸着装置における無効蒸着物付着防止装置 |
JP2005281773A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hiroshi Takigawa | 防着カバー、物質生成装置、及び被処理物 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62142758A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置の使用方法 |
JPH02141575A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Anelva Corp | 薄膜堆積装置 |
JPH03247752A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Hitachi Cable Ltd | 蒸着方法および装置 |
JPH0798862A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-11 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造装置 |
JPH0798863A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-11 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造装置 |
JPH09143736A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-06-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 連続真空蒸着装置における無効蒸着物付着防止装置 |
JP2005281773A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hiroshi Takigawa | 防着カバー、物質生成装置、及び被処理物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020190024A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-11-26 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
JP7219160B2 (ja) | 2019-05-24 | 2023-02-07 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
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