JP2008198775A - 半導体装置のヒューズトリミング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 トランジスタや抵抗などの回路素子が半導体ウェハー上に形成され、前記抵抗素子の抵抗値をレーザートリミングによって調整することのできるヒューズ素子を備えている半導体装置のヒューズカット方法において、前記半導体ウェハーの特定の領域において、前記抵抗素子の抵抗値の狙い値からのずれに基づいて補正する抵抗補正工程を含むことを特徴とする半導体装置のヒューズトリミング方法とした。
【選択図】 図1
Description
(1)半導体ウェハーに、トランジスタや抵抗などの回路素子が形成され、前記抵抗素子の抵抗値をレーザートリミングによって調整することのできるヒューズ素子を備えている半導体集積回路を有する半導体装置のヒューズカット方法であって、前記抵抗素子の抵抗値情報に基づいて補正する抵抗補正工程を含むことを特徴とする半導体装置のヒューズトリミング方法とする。
(2)前記抵抗補正工程は、第一の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置の第一の電気特性検査を行う工程と、前記第一の電気特性検査データよりトリミングデータを算出する工程と、前記トリミングデータを用いて第一の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置のヒューズカットを行う工程と、ヒューズカットした半導体装置の第二の電気特性検査を行う工程と、前記第二の電気特性検査データより比精度を算出する工程と、前記比精度が近い半導体装置を同じ領域とし、前記比精度が大きく異なる領域を別の領域に区分し、前記領域毎の平均比精度を算出する工程と、前記領域毎の平均比精度より領域毎の補正係数を算出する工程と、第二の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置の第一の電気特性検査を行う工程と、前記第二の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置の第一の電気特性検査データに、前記領域毎の補正係数を加味してトリミングデータを算出する工程と、前記領域毎の補正係数を加味してトリミングデータを用いて、前記第二の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置のヒューズカットを行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置のヒューズトリミング方法とする。
(3)前記第一の半導体ウェハーは構成ロットの一枚目であって、前記第二の半導体ウェハーは二枚目以降の半導体ウェハーであることを特徴とする半導体装置のヒューズトリミング方法とする。
(4)前記第一の半導体ウェハーは構成ロットの最初の複数枚であって、前記第二の半導体ウェハーは第一の半導体ウェハーに続く半導体ウェハーであることを特徴とする半導体体装置のヒューズトリミング方法とする。
(5)前記第一の半導体ウェハーと前記第二の半導体ウェハーは異なる構成ロットであることを特徴とする半導体装置のヒューズトリミング方法とする。
202 多結晶シリコンヒューズ素子
203 抵抗群
301 比精度がずれている特定の箇所(領域)以外の部分
302 比精度がずれている特定の箇所(領域)
401 比精度がずれている特定の箇所(領域)以外の部分
402 比精度がずれている特定の箇所(領域)
403 補正係数がaである特定の箇所(領域)
404 補正係数がbである特定の箇所(領域)
405 補正係数がcである特定の箇所(領域)
Claims (5)
- トランジスタや抵抗などの回路素子が半導体ウェハー上に形成され、前記抵抗素子の抵抗値をレーザートリミングによって調整することのできるヒューズ素子を備えている半導体装置のヒューズカット方法であって、前記半導体ウェハーの特定の領域において、前記抵抗素子の抵抗値の狙い値からのずれに基づいて補正する抵抗補正工程を含むことを特徴とする半導体装置のヒューズトリミング方法。
- 前記抵抗補正工程は、
第一の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置の第一の電気特性検査を行う工程と、
前記第一の電気特性検査データより第一のトリミングデータを算出する工程と、
前記第一のトリミングデータを用いて第一の半導体ウェハー上に形成されている前記半導体装置のヒューズカットを行う工程と、
ヒューズカットした前記半導体装置の第二の電気特性検査を行う工程と、
前記第二の電気特性検査データより比精度を算出する工程と、
前記比精度が許容範囲内である半導体装置がある領域を第一の領域とし、前記比精度が許容範囲外である領域を半導体装置がある領域を第二の領域と区分し、前記領域毎の平均比精度を算出する工程と、
前記領域毎の平均比精度より領域毎の補正係数を算出する工程と、
第二の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置の第一の電気特性検査を行う工程と、
前記第二の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置の第一の電気特性検査データに、前記領域毎の補正係数を加味して第二のトリミングデータを算出する工程と、
前記第二のトリミングデータを用いて、前記第二の半導体ウェハー上に形成されている半導体装置のヒューズカットを行う工程とからなる請求項1記載の半導体装置のヒューズトリミング方法。 - 前記第一の半導体ウェハーは構成ロットの一枚目であって、前記第二の半導体ウェハーは二枚目以降の半導体ウェハーであることを特徴とする請求項2記載の半導体装置のヒューズトリミング方法。
- 前記第一の半導体ウェハーは構成ロットの最初の複数枚であって、前記第二の半導体ウェハーは第一の半導体ウェハーに続く半導体ウェハーであることを特徴とする請求項2記載の半導体装置のヒューズトリミング方法。
- 前記第一の半導体ウェハーと前記第二の半導体ウェハーは異なる構成ロットであることを特徴とする請求項2記載の半導体装置のヒューズトリミング方法。
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