JP2008192754A - 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の上には、相互に分離された複数の第1電極2が熱CVD法などで形成されている。第1電極2の上には、例えばp型、i型、n型の半導体を順次、CVD法などで成膜することにより、光電変換膜層3が積層状に形成される。その後、接続溝17をレーザスクライブにより形成し、第2電極4をスパッタ法などで形成する。これにより、接続溝17を介して分離された光電変換膜層3の第2電極4とその隣の光電変換膜層3の第1電極2とが接続されて、薄膜太陽電池のセルどうしが直列接続される。電極取り出し領域6の光電変換膜層3はダイオードとして保持され、逆流防止ダイオード9として機能する。
【選択図】図4
Description
図4は、本発明の実施の形態1に係る集積型薄膜太陽電池の説明図である。図4は、この太陽電池の構造をより詳しく示すために、同じ実施の形態1に係る図1よりも詳細なものになっている。
図5は、本発明の実施の形態2に係る集積型薄膜太陽電池の説明図である。
図7は、本発明の実施の形態3に係る集積型薄膜太陽電池の説明図である。この図は、図1〜図6とは違って、断面図ではなく、薄膜太陽電池を上方から見た平面図である。
図9および図10は、薄膜ダイオードをチップダイオード20に置き換えた、実施の形態4に係る集積型薄膜太陽電池の説明図である。
図11は、上述しているようなスーパーストレート型の太陽電池ではなく、実施の形態5に係るサブストレート型の太陽電池の説明図である。
2 第1電極(TCO)
3 光電変換膜層
4 第2電極
5 集電電極
6 電極取り出し領域
7 発電領域
8 セル間接続領域
9 逆流防止ダイオード
10 アモルファスシリコンp型膜
11 アモルファスシリコンi型膜
12 アモルファスシリコンn型膜
13 微結晶シリコンp型膜
14 微結晶シリコンi型膜
15 微結晶シリコンn型膜
16 第1電極分離溝
17 接続溝
18 セル分離溝
19 集電電極との接合部
20 チップダイオード
21 第1電極(Metal)
22 第2電極(TCO)
Claims (8)
- 支持基板と、この支持基板の上に形成された第1電極と、少なくとも第1電極の上に形成された光電変換膜層と、少なくとも光電変換膜層の上に形成された第2電極とを備えてなり、光電変換膜層には、少なくともp型領域およびn型領域が備わった電極であって、少なくともp型領域およびn型領域を備えているダイオードにおける型領域と同じ型領域を接続するための接続用電極が設けられ、前記ダイオードの上には、接続用電極を取り出すための取り出し用電極が積層されていることを特徴とする薄膜太陽電池。
- 接続用電極は第1電極であり、取り出し用電極は第2電極と同時に形成された電極である請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- 光電変換膜層は、複数のpn接合またはpin接合から構成されている請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- 光電変換膜層は、微結晶シリコンまたは薄膜多結晶シリコンから構成されている請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- ダイオードを構成する半導体層に含まれる接合数は、光電変換膜層の接合数以下である請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- ダイオードの集積方向に対して垂直な方向におけるダイオードの幅は、光電変換膜層の幅と同じである請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- ダイオードの集積方向に対して垂直な方向におけるダイオードの幅は、光電変換膜層の幅よりも狭い請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- 請求項1に記載の薄膜太陽電池を備えてなる薄膜太陽電池モジュール。
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