JP2015046523A - 太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールにおいて、スクライブパターンの構造を制御し、電力を最表面の透明電極から直接取り出し、出力特性の向上を図る。【解決手段】本発明の太陽電池モジュールは、サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールにおいて、ガラス基板２と、ガラス基板２上に形成された裏面金属電極３と、裏面金属電極３の上に形成された吸収層４と、吸収層４の上に形成された透明電極５と、透明電極５又は裏面金属電極３と接続された集電配線材１１，１２とを備え、透明電極５あるいは裏面金属電極３と集電配線材１１，１２との接続は、導電性接着剤１３，１４中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続とし、集電配線材１１，１２の周辺のスクライブパターンを電気回路的に最適化し、集電配線材１１，１２を介して透明電極５あるいは裏面金属電極３より電力を取り出すことを特徴とする。【選択図】 図２

Description

本発明は、例えばサブストレート型の太陽電池モジュール及びその製法方法に係り、特に発電された電力を表面の透明電極から直接取り出すことを可能とし、受光面の開口面積を最大化した、太陽電池モジュール及びその製造方法に関する。

従来、薄膜を用いる薄膜シリコン系太陽電池は、特にバルク結晶を用いる結晶シリコン系太陽電池と比較すると、比較的安価で製造することが可能な為、ワットあたりの単価（￥／Ｗ)が低く、注目を集めている。その一方で、薄膜シリコン系太陽電池は、単位面積当たりの発電効率が低く、大規模発電、或いは限られた面積への設置が要求される市場等への導入には課題も多い。

薄膜シリコン系太陽電池の多くは、大型のガラス基板上に、蒸着あるいはスパッタリング等の方法によりに発電層などを付着させることで製造される。したがって、ガラス面全面を発電面として形成することが可能である。

また、ガラス面への発電層の形成には、基本的に２種類の方法がある。

一つはa-Si系などに代表されるスーパーストレート型と呼ばれる手法で、ガラス面に対し透明電極、バッファ層、光吸収層、裏面金属電極などを順に形成する。従って、この構成では、完成した太陽光パネルはガラス面を透過した光によって発電する。

もう一つはCIGS系などに代表されるサブストレート型と呼ばれる手法で、ガラス面に対し裏面電極、光吸収層、緩衝層、透明電極などを順に形成する。よって、完成した太陽光パネルは、透明電極側から直接光を取り入れて発電することができる。しかし、実際のモジュール化においては、透明封止樹脂により透明電極面とカバーガラスとを接着させることで、これらの部材を透過した光によって発電することとなる。

また、サブストレート型の太陽電池では、太陽電池パネルの発電に寄与する面にて、発電された電力を集電するための配線材を設置する必要がある。さらに、一般的な電極と配線材の接続方法は半田等による溶着法を採用するものが多く、サブストレート型では、発電面の最表面よりレーザーあるいはブラストなどの手法で裏面金属電極を剥き出しにし、該裏面金属電極と配線を超音波半田等により溶着させている。従って、集電配線を取り付けのために、せっかく形成した発電面を削除しなければならない。

その一方、集電配線を最表面の透明電極に取り付ける方法も既に検討されている。例えば、特殊な超音波加振によって、半田付けする手法や（特許文献１参照）、Ａｇリッチな導電ペーストを透明電極上に印刷し、導電ペーストを介して半田付けする手法（特許文献２参照）などがある。即ち、特許文献２に開示された技術では、スクリーン印刷に際してＡｇを主成分とする導電性のペーストに、透明電極層に対する接着性や外部引出し電極にリードを接続する際における半田の接着性を向上させる材料を添加している。

ここで、上記半田付けする手法に替えて、導電性接着剤を用いた圧着型の接続方式についても種々の提案がなされている。例えば、特許文献３では、スクライブパターンを有する薄膜系太陽電池モジュールにおいて、導電性接着剤を介して出力取り出し電極と配線材とを接続する構成が記載されている。

特開２０１１−１９８９５０号公報 特開２００２−３７３９９５号公報 特開２０１１−１７６２８６号公報

しかしながら、特許文献１に開示された超音波を利用した方法は発電層への機械的なダメージを与えやすい。また、特許文献２に開示された導電ペーストを用いる手法では、高価なＡｇを利用しているため、継続的な利用を検討することは難しい。

また、いずれの手法も溶着技術を採用していることから、半田食われや拡散といった現象により、接着、接続部位付近の出力劣化が懸念される。更に電極近傍の発電層の発電能力という点は、あまりケアがなされていない。

また、特許文献３では、後述する本発明のように、詳細にスクライブパターンの位置や幅を規定した構成が記載されているわけではない。

本発明は上述の技術的な課題に鑑みてなされたもので、サブストレート型太陽電池の透明電極と集電配線材との接続材料として、圧着型の接続方式を提案するとともに、接続対象となる透明電極近傍のパネルデザインを最適化し、出力の最大化を図った太陽電池モジュール、及びその製造方法を提供することを目的とする。

上述した技術的な課題を解決するため、本発明の第１の態様に係る太陽電池モジュールは、スクライブパターンを備えた薄膜系太陽電池モジュールにおいて、電力取り出し電極の少なくとも一方側のスクライブパターンと、隣接するスクライブパターンの幅が同一である。

また、本発明の第２の態様に係る太陽電池モジュールは、サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールにおいて、基板と、前記基板上に形成された裏面金属電極と、前記裏面金属電極の上に形成された吸収層と、前記吸収層の上に形成された最表面電極である透明電極と、前記透明電極又は裏面金属電極と接続された集電配線材と、を備え、前記透明電極あるいは前記裏面金属電極と前記集電配線材との接続は、導電性接着剤中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続とし、前記集電配線材の周辺のスクライブパターンを電気回路的に最適化し、前記集電配線材を介して前記透明電極あるいは前記裏面金属電極より電力を取り出す。

さらに、本発明の第３の態様に係る太陽電池モジュールの製造方法は、サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールの製造方法において、基板上に裏面金属電極、吸収層、透明電極を順次積層する工程と、前記透明電極又は裏面金属電極と集電配線材とを接続する工程と、を備え、前記透明電極あるいは前記裏面金属電極と前記集電配線材との接続は、導電性接着剤中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続とし、前記集電配線材の周辺のスクライブパターンを電気回路的に最適化する。

従って、本発明に係る太陽電池モジュール及びその製造方法によれば、サブストレート型太陽電池の透明電極と集電配線材との接続材料として、圧着型の接続方式を提案するとともに、接続対象となる透明電極近傍のパネルデザインを最適化し、出力の最大化を図ることができる。

一般的な太陽電池モジュールのスクライブパターンを示す図である。 本発明の第１、第２実施例に係る太陽電池モジュールの構成図である。 本発明の第３実施例に係る太陽電池モジュールの構成図である。 本発明の第４実施例に係る太陽電池モジュールの構成図である。 半田溶着を用いた比較例１に係る太陽電池モジュールの構成図である。

以下、本発明の太陽電池モジュール及びその製造方法に係る好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の太陽電池モジュール及びその製造方法は、以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜変更可能である。

本発明は、以下の構成を有する薄膜系太陽電池モジュール、及びその製造方法に関するものである。
１） セル表面の電力取り出し電極（セル上に二箇所存在する）とタブ線とは導電性粒子を含有させた導電性接着剤により接続される。
２） 少なくとも一方の電力取り出し電極のスクライブパターンの幅が隣接するスクライブパターンの幅と同一である。
従って、本発明によれば、薄膜系太陽電池モジュールにおいて、そのスクライブパターンの構造を制御し、発電された電力を表面の透明電極から直接取り出し、出力特性の向上が図れる。以下、本発明の実施形態について詳述する。

（基本原理）
先ずは、本発明についての理解を深めるために、図１にはサブストレート型の太陽電池モジュールのスクライブパターンを示し、その基本原理について説明する。

先ずガラス基板１０２の上面にスパッタリング法またはＣＶＤ法などの成膜法によって裏面金属電極１０３が形成される。次いで、レーザー加工法により、裏面金属電極１０３を分離する第１スクライブライン１０６が形成される。その後、第１スクライブライン１０６を形成した裏面金属電極１０３上にスパッタリング法あるいはＣＶＤ法により吸収層１０４が形成され、メカニカルスクライビング法により、吸収層１０４を分離する第２スクライブライン１０７が形成される。この第２スクライブライン１０７は、第１スクライブライン１０６とは重ならない位置に形成される。次いで、第２スクライブライン１０７を形成した吸収層１０４上でスパッタリング法により透明電極１０５が形成される。このとき、透明電極１０５は第２スクライブライン１０７にも埋め込まれる。そして、メカニカルスクライビング法により、透明電極１０５、吸収層１０４を分離する第３スクライブライン１０８が形成される。この第３スクライブライン１０８は所定間隔をおいて形成される。また、この第３スクライブライン１０８は、第１，２スクライブライン１０６，１０７とは重ならない位置に形成される。以上により、複数のセル１１０がマトリクス状に構成される。

このように構成されたサブストレート型の太陽電池モジュール１０１では、太陽光などの光は透明電極１０５を透過後、吸収層１０４にて吸収され発電する。そして、この発電された電力、つまり電流は、吸収層１０４より裏面金属電極１０３、隣接するセル１１０の透明電極１０５などを通り、隣接するセル１１０の吸収層１０４を通る流れとなる。

こうして発電された電力の取り出しのために、セル１１０の幅方向の両末端にて、集電配線材を取り付ける。この図１では不図示であるが、この集電配線材の取り付けには、前述したように、従来は超音波を利用した半田付け手法、導電ペーストを用いた半田付け手法等の溶着技術を採用していた。

以上の基本原理を踏まえて、本発明の第１の実施形態について以下に説明する。

（第１の実施形態）

図２には、本発明の第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの構成を示し説明する。

同図に示されるように、ガラス基板２の上面にスパッタリング法またはＣＶＤ法などの成膜法によって裏面金属電極３が形成される。次いで、レーザー加工法により、裏面金属電極３を分離する第１スクライブライン６が形成される。その後、第１スクライブライン６を形成した裏面金属電極３上にスパッタリング法あるいはＣＶＤ法により吸収層４が形成され、メカニカルスクライビング法により、吸収層４を分離する第２スクライブライン７が形成される。この第２スクライブライン７は、第１スクライブライン６と重ならない位置に形成される。次いで、第２スクライブライン７を形成した吸収層４上でスパッタリング法により透明電極５が形成される。このとき、透明電極５は第２スクライブライン７にも埋め込まれる。そして、メカニカルスクライビング法により、透明電極５、吸収層４を分離する第３スクライブライン８が形成される。この第３スクライブライン８は所定間隔をおいて形成される。また、この第３スクライブライン８は、第１，２スクライブライン６，７とは重ならない位置に形成される。第１乃至第３のスクライブライン６乃至８によりスクライブパターン９が構成され、複数のセル１０に分割される。

そして、集電配線材１１，１２は、導電性接着材１３，１４を介して最表面電極である透明電極５に接続されている。即ち、より詳細には、透明電極５と集電配線材１１，１２との電気的な接続は、導電性接着剤１３，１４中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続となっている。更に特徴的なのは、サブストレート型の太陽電池モジュール１の集電配線材１１，１２周辺のスクライブパターン９を電気回路的に最適化している点にある。この集電配線材１１，１２周辺のスクライブパターン９の最適化についての詳細は、後述する実施例で説明する。

このような構成において、電力を最表面電極である透明電極５あるいは裏面金属電極３より取り出す。導電性接着材１３，１４の接着剤の種類は、熱硬化性あるいは熱可塑性の接着フィルムあるいはペーストであり、導電性粒子として、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、金粒子、あるいはこれらを組み合わせたメッキ粒子、樹脂コアメッキ粒子などで構成されている導電性接着材１３，１４を用い、集電配線材１１，１２と透明電極５あるいは裏面金属電極３との接続材料として利用する。なお、前記導電性接着材１３，１４と前記集電配線材１１，１２が一体型となっていてもよい。

以上説明した本発明の第１の実施形態によれば、サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールにおいて、そのスクライブパターンの構造を制御し、発電された電力を最表面の透明電極から直接取り出し、出力特性の向上を図ることができる。

このような太陽電池モジュールの製造方法は、例えば次のようになる。即ち、サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールの製造方法において、ガラス基板２上に裏面金属電極３、吸収層４、透明電極５を順次積層する工程と、透明電極５又は裏面金属電極３と集電配線材１１，１２とを接続する工程と、を備え、透明電極５あるいは裏面金属電極３と集電配線材１１，１２との接続は、導電性接着剤１３，１４中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続とし、集電配線材１１，１２の周辺のスクライブパターンを電気回路的に最適化する。このとき、少なくとも負極側の集電配線材が接続される透明電極５を含むセルのスクライブパターンと、隣接するセルのスクライブパターンの幅を同一としてもよい。

次に、本発明の実施例について詳述する。尚、図２乃至図４については、同一構成については同一符号を用いて、前述した説明と重複した説明は省略する。

（実施例１）
この実施例１に係る太陽電池モジュール１は、図２に示されるようなスクライブパターン９の薄膜化合物系の太陽電池モジュール１であって、そのセル１０の幅方向の両末端の透明電極５上に導電性接着材１３，１４を貼り付け、さらに集電配線材１１，１２を当該導電性接着材１３，１４上に貼り合せている。特に負極側の集電配線材１１を貼り付ける電力取り出し部のセル１０については、電極を含む発電領域において一切のスクライブラインを入れていない。また、正極側の集電配線材１２を貼り付ける電力取り出し部のセルについては、裏面金属電極３との接続がなされている透明電極５上に導電性接着材１４を介して集電配線材１２を配設している。この導電性接着材１３，１４中には導電性粒子が一様に分散され、この導電性粒子が電極５と集電配線材１１，１２間の双方と接触接続することで、導電性を実現している。集電配線材１１，１２として半田メッキ銅タブ線、導電性接着材１３，１４として熱硬化型接着剤を使用し、圧着にて両者を接着接続している。

後述する比較例１に係る図５の構成との比較からも明らかなように、この実施例１に係る太陽電池モジュール１では、通常の超音波半田工法で製造される太陽電池モジュール２００と比較して、有効となる太陽電池セル１０の数が２個以上程度多い。なお、集電配線材１１，１２を配置した部分直下の発電層は、太陽光などの光を受光することができず発電に寄与しない。

（実施例２）
この実施例２に係る太陽電池モジュールでは、図２に示し、先に説明した実施例１に係る太陽電池モジュール１における導電性接着材１３，１４及び集電配線材１１，１２として、両者が一体型になっているものを採用している点に特徴を有し、その他の点は実施例１と同様である。ゆえにここでは実施例１と重複した説明は省略する。

実施例２についても、後述する比較例１に係る図５の構成との比較からも明らかなように、通常の超音波半田工法で製造される太陽電池モジュール２００と比較して、有効となる太陽電池セル１０の数が２個以上程度多い。なお、集電配線材１１，１２を配置した部分直下の発電層は、太陽光などの光を受光することができず、発電に寄与しない。

（実施例３）
この実施例３に係る太陽電池モジュールでは、図３に示されるように、薄膜化合物系の太陽電池モジュール２０に対して、負極側の電極を含む発電領域の吸収層４にスクライブライン７を入れている点に特徴を有している。そして、太陽電池モジュール２０のセル１０の幅方向の両末端の透明電極５上に導電性接着材１３，１４を貼り付け、さらに集電配線材１１，１２を当該導電性接着材１３，１４上に貼り合せている。それ以外は実施例１と同様である。

実施例３については、後述する比較例１に係る図５の構成との比較からも明らかなように、通常の超音波半田工法で製造される太陽電池モジュール２００と比較して、有効となる太陽電池セル１０の数が１個以上程度多い。なお、負極側、集電配線材１１を配置した部分直下の発電層は、太陽光などの光を受光することができず、発電に寄与しない。

（実施例４）
この実施例４に係る太陽電池モジュールでは、図４に示されるように、薄膜化合物系の太陽電池モジュール３０に対して、正極側のみ裏面金属電極３を剥き出しにし、セル１０の幅方向の両末端にて正極は裏面金属電極３、負極は透明電極５上にそれぞれ導電性接着材１３，１４を貼り付け、さらに集電配線材１１，１５を当該導電性接着材１３，１４上に貼り合せる。また、負極側の電極を含む発電領域の吸収層４にはスクライブラインを入れている。それ以外は実施例１と同様である。

実施例４については、後述する比較例１に係る図５の構成との比較からも明らかなように、通常の超音波半田工法で製造される太陽電池モジュール２００と比較して、有効となる太陽電池セル１０の数が０．５個以上程度多い。なお、負極側、集電配線材１１を配置した部分直下の発電層は、太陽光などの光を受光することができず、発電に寄与しない。

（実施例５）
この実施例５では、図２で示した実施例１における集電配線材に当たる部分が、無垢銅タブ線になっているものを利用している。それ以外は、実施例１と同様とする。

後述する比較例１に係る図５の構成との比較からも明らかなように、この実施例５に係る太陽電池モジュールでは、通常の超音波半田工法で製造される太陽電池モジュール２００と比較して、有効となる太陽電池セル数が２個以上程度多い。

（実施例６）
この実施例６では、実施例１における太陽電池種類がアモルファスシリコン系の太陽電池になっているものを利用している。それ以外は、実施例１と同様とする。アモルファスシリコンは、結晶の規則正しい構造と違って、原子がランダムに結合しており、結晶シリコンと比べて、薄膜でも光吸収でき、温度特性も良好となる。

後述する比較例１に係る図５の構成との比較からも明らかなように、この実施例６に係る太陽電池モジュールでは、通常の超音波半田工法で製造される太陽電池モジュール２００と比較して、有効となる太陽電池セル数が２個以上程度多い。

（比較例１）
一方、比較例１では、図５に示されるようなスクライブパターンの薄膜化合物系の太陽電池モジュール２００に対して、太陽電池モジュールのセル１１０の幅方向の両末端のセル部をブラスト処理し、裏面金属電極１０３を剥き出しにする。そして、この剥き出しにした裏面金属電極１０３に超音波により予備半田を取り付け、その後、集電配線材としての半田メッキ銅タブ線１１１，１１２を半田ごてにて加熱して取り付けることとなる。

以上をまとめると次の表１のようになる。

比較検討の結果、実施例１乃至実施例６は、比較例１との比較で最大で１〜２％程度モジュール効率が改善されたことが明らかになった。

上記検討の結果、サブストレート型太陽電池の透明電極と集電配線材との接続材料として圧着型の接続方式を適用するとともに、接続対象となる透明電極近傍のパネルデザインを最適化することで、従来技術に係るデザインの太陽電池モジュールと比較して１〜２％高い太陽電池モジュールを作製可能であった。これは、透明電極からの集電配線の取り付けが導電性接着材などから行われたことと、この接続方法に適した太陽電池パネルのスクライブパターンを形成したこと等による。特に透明電極上からの集電配線の設置では、発電層に太陽光などの光が届かず、発電に寄与せず、さらに逆バイアスの環境ができる。したがって、特に負極の集電配線の設置については、電流の経路を把握し、太陽電池セルの幅と設置位置を最適化することも重要である。

特に太陽電池における発電効率の改善においては、小数点以下の効率の数字を唱えるものが多く、モジュール化技術のみで、以上のような効率アップが期待できることは、非常に有用であるといえる。

以上説明したように、本発明の実施形態によれば、スクライブパターンを備えた薄膜系太陽電池モジュールにおいて、電力取り出し電極の少なくとも一方側のスクライブパターンと、隣接するスクライブパターンの幅が同一である太陽電池モジュールが提供されることとなる。

このとき、負極側の電力取り出し電極のスクライブパターンと、隣接するスクライブパターンの幅が同一であることとしてよい。あるいは、前記電力取り出し電極には導電性接着剤を介してタブ線が接続されていることとしてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々の改良・変更が可能であることは勿論である。

たとえば、本願発明は、有機薄膜系太陽電池にも採用できる。即ち、酸化チタンナノ粒子上に吸着した色素が太陽光を吸収し、高エネルギー状態の電子を酸化チタンに渡し、透明ガラス電極を介して外部回路に取りだされることを基本原理とする色素増感太陽電池モジュールにも採用できる。また、電子を閉じ込めることで生じる量子効果を用いることを基本原理とする量子ドット型太陽電池モジュールにも採用できる。

１ 太陽電池モジュール
２ ガラス基板
３ 裏面金属電極
４ 吸収層
５ 透明電極
６ 第１スクライブライン
７ 第２スクライブライン
８ 第３スクライブライン
９ スクライブパターン
１０ セル
１１，１２，１５ 集電配線材
１３，１４，１６ 導電性接着材
２０ 太陽電池モジュール
３０ 太陽電池モジュール

Claims (11)

1. スクライブパターンを備えた薄膜系太陽電池モジュールにおいて、
   電力取り出し電極の少なくとも一方側のスクライブパターンと、
   隣接するスクライブパターンの幅が同一である
   太陽電池モジュール。
2. 負極側の電力取り出し電極のスクライブパターンと、
   隣接するスクライブパターンの幅が同一である
   請求項１に記載の太陽電池モジュール。
3. 前記電力取り出し電極には導電性接着剤を介してタブ線が接続されている
   請求項１又は２に記載の太陽電池モジュール。
4. 前記基板上に形成された裏面金属電極と、
   前記裏面金属電極の上に形成された吸収層と、
   前記吸収層の上に形成された最表面電極である透明電極と、
   前記透明電極又は裏面金属電極と接続された集電配線材と、を備えた
   請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
5. 前記太陽電池モジュールはサブストレート型であり、
   基板と、
   前記基板上に形成された裏面金属電極と、
   前記裏面金属電極の上に形成された吸収層と、
   前記吸収層の上に形成された最表面電極である透明電極と、
   前記透明電極又は裏面金属電極と接続されたタブ線と、を備え、
   前記透明電極は前記電力取り出し電極であり、
   前記裏面金属電極、前記吸収層、前記透明電極には、前記スクライブパターンが形成されている
   請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
6. サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールにおいて、
   基板と、
   前記基板上に形成された裏面金属電極と、
   前記裏面金属電極の上に形成された吸収層と、
   前記吸収層の上に形成された最表面電極である透明電極と、
   前記透明電極又は裏面金属電極と接続された集電配線材と、を備え、
   前記透明電極あるいは前記裏面金属電極と前記集電配線材との接続は、導電性接着剤中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続とし、
   前記集電配線材の周辺のスクライブパターンは電気回路的に最適化されており、
   前記集電配線材を介して前記透明電極あるいは前記裏面金属電極より電力を取り出すように構成されている
   太陽電池モジュール。
7. 少なくとも負極側の集電配線材が接続される透明電極を含むセルのスクライブパターンと、隣接するセルのスクライブパターンの幅が同一である
   請求項６に記載の太陽電池モジュール。
8. 前記導電性接着材の接着剤の種類は、熱硬化性あるいは熱可塑性の接着フィルム又はペーストであり、前記導電性粒子として、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、金粒子のいずれか、或いはこれらを組み合わせたメッキ粒子、樹脂コアメッキ粒子の少なくともいずれかで構成されている
   請求項６又は７に記載の太陽電池モジュール。
9. 前記導電性接着材と前記集電配線材とが一体型となっている
   請求項６乃至８のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
10. サブストレート型の薄膜系太陽電池モジュールの製造方法において、
    基板上に裏面金属電極、吸収層、透明電極を順次積層する工程と、
    前記透明電極又は裏面金属電極と集電配線材とを接続する工程と、を備え、
    前記透明電極あるいは前記裏面金属電極と前記集電配線材との接続は、導電性接着剤中に一様あるいは局材的に分散させた導電性粒子による圧着接続とし、
    前記集電配線材の周辺のスクライブパターンを電気回路的に最適化する
    太陽電池モジュールの製造方法。
11. 少なくとも負極側の集電配線材が接続される透明電極を含むセルのスクライブパターンと、隣接するセルのスクライブパターンの幅を同一とする
    請求項１０に記載の太陽電池モジュールの製造方法。