JP2008186858A - 化合物半導体積層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る化合物半導体積層体は、GaAs基板上にInAs層を0.3μm以上と厚く形成し、そのInAs層上にInAs層と基板に平行方向の格子定数が等しく、基板に垂直方向の格子定数差が3%以内の化合物半導体保護層を形成することを特徴とする。すなわち、GaAs、InP、Siのバルク単結晶板、またはそれらの薄膜基板上に、直にInxGa1−xAsySb1−y(0≦x≦0.5、0≦y≦1)を活性層として、0.3μm以上3μm以下の厚さで形成する。この活性層には、導電性の小さな半導体層を保護層として直に形成する。
【選択図】図1
Description
直径4インチの(100)GaAs基板上に分子線エピタキシー(MBE)法により、活性層としてInAs層、そのInAs層上に保護層としてGaAsSb層、さらにそのGaAsSb層上に最上層として厚さ7nmのGaAs層を順次形成した。InAs層、GaAsSb層は、下表に示すように複数の厚さを設定した。
直径4インチの(100)GaAs基板上にMBE法により、活性層としてInAs層、そのInAs層上に保護層としてGaAsSb層、さらにそのGaAsSb層上に最上層としてGaAs層を順次形成した。尚、InAs層にSiドープを行った。実施例1と実施例2との違いは、このInAs層にSiドープを行った点にある。
図2に、実施例1、2で作製した積層体の最上層を省いた化合物半導体積層体を用いて作製したホール素子の断面構造模式図を示す。すなわち、直径4インチの(100)GaAs基板1上にMBE法により、活性層2としてInAs層、そのInAs層上に保護層3としてGaAsSb層を順次形成した。GaAsSb層の一部をInAs層が露出するまで除去し、GaAsSb層の除去された位置に真空蒸着法によりTi層を100nm、Au層を900nmと連続蒸着してオーミック電極4を形成した。さらに、プラズマCVD法により厚さ300nmのSiNからなるパッシベーション膜5をGaAsSb層3上に形成した。尚、ここではオーミック電極4として一例を示したが、本発明に係るホール素子一般においては、オーミック電極4はAu/Pt/Ti等の公知の多層電極でも良いし、単層の金属でもよい。
2 活性層
3 保護層
4 オーミック電極
5 パッシベーション膜
Claims (9)
- GaAs、InP、またはSiのいずれかからなるバルク単結晶又は薄膜層を有する基板と、
前記基板上に形成されたInxGa1−xAsySb1−y(0≦x≦0.5、0≦y≦1)からなり、0.3μm以上3μm以下の厚さに形成された活性層と、
前記活性層上に形成された化合物半導体層と
を備え、
前記活性層と前記化合物半導体層のそれらの界面に平行な方向の格子定数が等しく、かつ、前記活性層と前記化合物半導体層のそれらの界面に垂直な方向の格子定数の差が3%以下であることを特徴とする化合物半導体積層体。 - 前記活性層がInxGa1−xAs(0≦x≦0.5)であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体積層体。
- 前記活性層がInAsySb1−y(0≦y≦1)であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体積層体。
- 前記活性層にN型ドーパントがドープされ、当該活性層の室温でのシートキャリア濃度が1×1016/cm3以上2×1017/cm3以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の化合物半導体積層体。
- 前記活性層がInAsであり、前記化合物半導体層がGaAszSb1−z(0.8≦z≦1)であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の化合物半導体積層体。
- 前記活性層は、厚さが0.5μm以上1.5μm以下であり、かつ、シートキャリア濃度が1.9×1016/cm3以上1.4×1017/cm3以下であり、電子移動度が16000cm2/V・s以上であることを特徴とする請求項5に記載の化合物半導体積層体。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の化合物半導体積層体と、
前記活性層と電気的に結合したオーミック電極と
を備えたことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の化合物半導体積層体と、
前記活性層と電気的に結合したオーミック電極と
を備えたことを特徴とする磁気センサ。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の化合物半導体積層体と、
前記活性層と電気的に結合したオーミック電極と
を備えたことを特徴とするホール素子。
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- 2007-01-26 JP JP2007016886A patent/JP5165901B2/ja active Active
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