JP2008171922A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008171922A JP2008171922A JP2007002199A JP2007002199A JP2008171922A JP 2008171922 A JP2008171922 A JP 2008171922A JP 2007002199 A JP2007002199 A JP 2007002199A JP 2007002199 A JP2007002199 A JP 2007002199A JP 2008171922 A JP2008171922 A JP 2008171922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- semiconductor device
- wiring
- film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】配線間の耐圧低下を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ダマシン法により層間膜ILの配線溝TRおよび接続孔VHに埋め込まれた配線WRを有する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を備えている。層間膜IL上に、少なくとも配線溝TRおよび接続孔VHの位置が開口されている第1開口パターンを有する第1マスクが形成される。接続孔VHの位置において第1開口パターンとの重複部分が存在する第2開口パターンを有する第2マスクが形成される。第1および第2マスクをマスクとして層間膜ILがエッチングされることにより、上記重複部分に位置する層間膜ILが基板の厚み方向に少なくとも一部エッチングされる。第2マスクが除去される。第1マスクをマスクとして用いて層間膜ILの一部がエッチングされ、層間膜ILに接続孔VHおよび配線溝TRが形成される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ダマシン法により層間膜ILの配線溝TRおよび接続孔VHに埋め込まれた配線WRを有する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を備えている。層間膜IL上に、少なくとも配線溝TRおよび接続孔VHの位置が開口されている第1開口パターンを有する第1マスクが形成される。接続孔VHの位置において第1開口パターンとの重複部分が存在する第2開口パターンを有する第2マスクが形成される。第1および第2マスクをマスクとして層間膜ILがエッチングされることにより、上記重複部分に位置する層間膜ILが基板の厚み方向に少なくとも一部エッチングされる。第2マスクが除去される。第1マスクをマスクとして用いて層間膜ILの一部がエッチングされ、層間膜ILに接続孔VHおよび配線溝TRが形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、ダマシン(Damascene)法により埋め込まれた配線を有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
半導体装置の多層配線の形成方法のひとつとして、いわゆるデュアルダマシン(Dual-Damascene)法がある。この方法によれば、層間膜に接続孔および配線溝が形成される。そしてこの接続孔および配線溝を覆うように銅などの導体膜が堆積される。次にCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により、接続孔部および配線溝部以外の導体膜が除去される。これにより、層間膜の接続孔および配線溝に埋め込まれた配線が形成される。
デュアルダマシン法による工程として、たとえば非特許文献1では以下の工程(Via First Dual-Damascene Fabrication Process)が行なわれる。
まず基板上に、ストッパー膜(Stopper SiCN)と、層間膜(SiOC)と、キャップ膜(Capping SiO2)とがこの順に堆積される。次に通常のフォトリソグラフィ、エッチングおよびアッシング技術により、層間膜(SiOC)に接続孔(Via-Hole)が形成される。
次に下層レジスト(Bottom Resist)層、SOG(Spin-on-Glass)層および上層レジスト(Top Resist)層がこの順に形成される。次にフォトリソグラフィにより配線溝(Trench)のパターンが上層レジストに形成される。次にエッチングにより上層レジスト(Top Resist)層のパターンがSOG層に転写される。次にエッチングによりSOG層のパターンが下層レジスト(Bottom Resist)層に転写される。次に下層レジスト(Bottom Resist)層をマスクとして、キャップ膜(Capping SiO2)および層間膜(SiOC)の一部がエッチングされ、トレンチ(Trench)が形成される。
次に下層レジスト(Bottom Resist)層がアッシングにより除去される。次にストッパー膜(Stopper SiCN)がエッチングにより除去される。最後に銅膜の堆積とCMPとが行なわれ、埋め込まれた銅配線が得られる。
K. Higashi et al., "A Manufacturable Copper/Low-k SiOC/SiCN Process Technology for 90nm-node High Performance eDRAM", Proceeding of the IEEE 2002 International Interconnect Technology Conference, pp.15−17
K. Higashi et al., "A Manufacturable Copper/Low-k SiOC/SiCN Process Technology for 90nm-node High Performance eDRAM", Proceeding of the IEEE 2002 International Interconnect Technology Conference, pp.15−17
上記の非特許文献1の技術では、層間膜(SiOC)を貫通する接続孔(Via-Hole)が形成された後に、配線溝(Trench)を形成するためのフォトリソグラフィが行なわれる。よって、接続孔(Via-Hole)用のフォトマスクと、配線溝(Trench)用のフォトマスクとの間で重ね合わせズレが生じた場合、接続孔(Via-Hole)の形成位置と配線溝(Trench)の形成位置とにズレが生じる。この場合、互いに隣り合う接続孔(Via-Hole)と配線溝(Trench)との距離が設計寸法よりも近づいてしまい、それぞれに埋め込まれている配線の間の電気的耐圧が低下するという問題が生じることがあった。なお、配線が微細になるほどこの問題はより顕著となる。
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フォトマスクの重ね合わせズレが生じても層間膜に形成された互いに隣り合う接続孔と配線溝との距離が安定であることにより、配線間の電気的耐圧の低下を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
本発明の一実施の形態によれば、ダマシン法により層間膜の配線溝および接続孔に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を備えているものが提供される。
まず、基板上に層間膜が堆積される。この層間膜上に、少なくとも配線溝および接続孔の位置が開口されている第1開口パターンを有する第1マスクが形成される。この第1マスク上に、接続孔の位置において第1開口パターンとの重複部分が存在する第2開口パターンを有する第2マスクが形成される。第1および第2マスクをマスクとして層間膜がエッチングされることにより、上記重複部分に位置する層間膜が基板の厚み方向に少なくとも一部エッチングされる重複部分エッチング工程が行なわれる。第2マスクが除去される。第1マスクをマスクとして用いて層間膜の一部がエッチングされ、層間膜に接続孔および配線溝が形成される溝状エッチング工程が行なわれる。
また、基板と、以下に示される層間膜と、以下に示される配線とを備えている半導体装置が提供される。層間膜は、基板上に配置され、配線溝と接続孔とが形成されている。配線は、層間膜の配線溝および接続孔に埋め込まれている。平面パターンにおいて、接続孔の外縁の一部と配線溝の外縁の一部とが直線状に重複しており、かつ配線溝が直線状である。
この実施の形態によれば、上記第1マスクをマスクとして接続孔と配線溝とが形成される。このため、第1マスクによりマスキングされた領域には接続孔および配線溝のいずれも形成されない。これにより、接続孔と配線溝との距離を、フォトマスクの重ね合わせズレの影響を受けることなく、設計上の距離に保つことができる。
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1〜図3は、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を概略的に示す上面図および断面図である。なお図2および図3は、図1のII−II線およびIII−III線の各々に沿う断面図である。図1〜図3を参照して、本実施の形態の半導体装置は、配線形成部(図2および図3のA−A線の上側)と、半導体素子形成部(図2および図3のA−A線の下側)とを有している。
(実施の形態1)
図1〜図3は、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を概略的に示す上面図および断面図である。なお図2および図3は、図1のII−II線およびIII−III線の各々に沿う断面図である。図1〜図3を参照して、本実施の形態の半導体装置は、配線形成部(図2および図3のA−A線の上側)と、半導体素子形成部(図2および図3のA−A線の下側)とを有している。
配線形成部は、多層配線構造を有しており、上部に配線WRが形成され、下部に下層配線LWが形成されている。配線WRは、ダマシン法により層間膜ILの配線溝TRおよび接続孔VHに埋め込まれている。下層配線LWは、絶縁層10の厚み方向に貫通した溝に埋め込まれている。
配線溝TRは、層間膜ILの上面側に設けられた溝であり、一方向(図1の縦方向)に延在する複数の直線部分を有している。各直線部分は寸法Lの幅を有している。また、互いに隣り合う直線部分は寸法Sだけ隔てられている。
接続孔VHは、この配線溝TRの底面から層間膜ILの下面にかけて設けられた貫通孔である。接続孔の幅方向(図2および図3の横方向)の最大寸法は寸法Lである。この接続孔VHの平面パターンは、直径寸法Dの円が配線溝TRの平面パターン(幅寸法Lの矩形状のパターン)に跨るように配置された場合の、この円と配線溝TRの重複部分に対応するパターンである。このため、寸法Dと寸法Lとの間には、寸法D>寸法Lの関係がある。接続孔VHの外縁の一部と、配線溝TRの外縁の一部とは、互いに重複した直線部Sl,Srを有している。
図3を参照して、接続孔VHの平面パターンと、下層配線LWの平面パターンとは少なくとも一部が重複しており、この重複部分において配線WRと配線LWとが電気的に接続されている。なお、配線WRおよび下層配線LWの材料は導電性が高いことが望ましく、たとえば銅である。なお、層間膜ILの下面側にはストッパー膜STが形成されている。
半導体素子形成部は、主に、基板SB上に形成された半導体素子ELと、基板SBを覆うように形成された絶縁層102と、絶縁層102を貫通するタングステンプラグ130とを有している。半導体素子ELと、上記の下層配線LWとは、タングステンプラグ130により電気的に接続されている。
半導体素子ELは、基板SB上に、1対のソース/ドレイン領域114と、ゲート絶縁層116と、ゲート電極層112とを有している。ゲート電極層112は、基板SB上の1対のソース/ドレイン領域114により挟まれた部分に、ゲート絶縁層116を介して形成されている。上記構成により、半導体素子ELはMOS−FET(Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor)の機能を有している。
なお、ゲート絶縁層116は、底面絶縁層116aおよび側面絶縁層116bから構成されている。また、ソース/ドレイン領域114の上面およびゲート電極層112の上面の各々には、ニッケルシリサイド層114e,112eがそれぞれ形成されている。また、相互に隣り合う半導体素子ELは、素子分離絶縁層120により隔てられている。
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図4〜図16は、本発明の実施の形態1における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図(a)および上面図(b)である。なお、図4(a)〜図16(a)の部分断面図は、図2の断面図における配線形成部(図2のA−A線より上の部分)の範囲を示しており、この範囲の下側には半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)が既に形成されている。
図4〜図16は、本発明の実施の形態1における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図(a)および上面図(b)である。なお、図4(a)〜図16(a)の部分断面図は、図2の断面図における配線形成部(図2のA−A線より上の部分)の範囲を示しており、この範囲の下側には半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)が既に形成されている。
主に図4(a)、(b)を参照して、半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)の上に、絶縁層10および絶縁層10の厚み方向に貫通した溝に埋め込まれた下層配線LWが形成される。次に、この絶縁層10および下層配線LW上に、SiCN膜などのストッパー膜STが形成される。このストッパー膜ST上に、SiOC膜などの絶縁体である層間膜ILが形成される。
次に、この層間膜IL上に、p−TEOS(Plasma-Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜などのキャップ膜CPが形成される。次に、このキャップ膜CP上に、TiN膜などのハードマスク層M1が形成される。次に、このハードマスク層M1上に、レジストP1aと、中間層P1bと、レジストP1cとがこの順に形成される。中間層P1bは、たとえばSOG層である。
主に図5(a)、(b)を参照して、配線溝TR(図1)のパターンに対応した露光工程および現像工程により、レジストP1cに開口部が設けられる。次に、レジストP1cをマスクとしてエッチングが行なわれる。
図6(a)、(b)を参照して、このエッチングにより、中間層P1bおよびレジストP1aがパターニングされる。この中間層P1bおよびレジストP1aをマスクとしてエッチングが行なわれる。なお、エッチング途中で中間層P1bは消失する。
主に図7(a)、(b)を参照して、上記エッチングによりハードマスク層M1は開口部が設けられ、マスク(第1マスク)として用いられることができるようになる。この開口部の開口パターン(第1開口パターン)は配線溝TR(図1)および接続孔VH(図1)の位置が開口されている。すなわち、第1開口パターンは寸法Lの幅を有する複数の直線部分を有している。続いて、エッチング後に残存しているレジストP1aが、アッシングにより除去される。
図8(a)、(b)を参照して、上記アッシングにより、ハードマスク層M1の表面が露出される。
図9(a)、(b)を参照して、キャップ膜CPおよびハードマスク層M1上に、レジストP2aと、中間層P2bと、レジストP2cとがこの順に形成される。中間層P2bは、たとえばSOG層である。
主に図10(a)、(b)を参照して、レジストP2cに、円Cの開口部が形成されるように露光および現像が行なわれる。円Cは直径寸法Dを有し、円Cと配線溝TR(図1)の平面パターンとの重複領域が接続孔VH(図1)の平面パターンと一致するように配置される。続いて、レジストP2cをマスクとしたエッチングが行なわれる。
図11(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより中間層P2bおよびレジストP2aは円Cの開口部が形成され、マスク(第2マスク)として用いられることができるようになる。この第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)である円Cは幅寸法Dを有している。この寸法Dは、ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)の幅寸法Lよりも大きい。第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)は、ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)に対して幅方向に跨るように位置している。ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)の両脇には、第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)の開口部分がマージン寸法MGに渡って存在する。なお、接続孔VH(図1)の位置では第1および第2開口パターンは共に開口されている。
このパターニングされた中間層P2bおよびレジストP2aからなる第2マスクと、既にパターニングされているハードマスク層M1(第1マスク)とをマスクMMとして、キャップ膜CPおよび層間膜ILのエッチング(重複部分エッチング工程)が行なわれる。このエッチングは、キャップ膜CPおよび層間膜ILのエッチング速度が、ハードマスク層M1のエッチング速度よりも速くなる条件でおこなわれる。具体的には、プロセスガスとしてCF4を含むドライエッチングによりこの工程を行なうことができる。なお、エッチング途中で中間層P2bは消失する。
図12(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより、接続孔VHに対応する平面パターンを有し、キャップ膜CPを貫通して層間膜ILの厚み方向の中途に至る凹部が形成される。その後、残存しているP2a(第2マスク)がアッシングにより除去される。
図13(a)、(b)を参照して、上記アッシングによりハードマスク層M1の表面が露出する。続いて、ハードマスク層M1(第1マスク)をマスクとしてエッチング(溝状エッチング工程)が行なわれる。
図14(a)、(b)を参照して、ストッパー膜STが露出するまで層間膜ILがエッチングされて、配線溝TRおよび接続孔VHが形成される。続いて、このストッパー膜STの露出部分がエッチングにより除去される。
図15(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより、接続孔VHにおいて下層配線LWが露出する。
主に図16(a)、(b)を参照して、ハードマスク層M1、接続孔VHおよび配線溝TRを覆うように銅膜MTが形成される。続いて、キャップ膜CPの下面よりも下方であって、配線溝TRの底面よりも上方である面Pに至るまで、銅膜MT、ハードマスク層M1、キャップ膜CPおよび層間膜ILがCMPにより除去される。以上により、本実施の形態における半導体装置が製造される。
なお、図17は、上記第1開口パターンを形成するためのフォトマスクであるレジストP1c(図5(b))と、上記第2開口パターンを形成するためのフォトマスクであるレジストP2c(図10(b))との重ね合わせズレが発生した場合の本発明の実施の形態1における半導体装置の上面図である。図1に示す半導体装置と比して、図17に示す半導体装置は、重ね合わせズレの結果として接続孔VHの形状が変化している。しかし、配線WRの互いに隣り合う直線部分が寸法Sだけ隔てられている点は重ね合わせズレがない場合(図1)とある場合(図17)とで同様である。
続いて、本実施の形態の半導体装置に対する比較例について説明する。
図18は、比較例における半導体装置の構成を概略的に示す上面図である。図18を参照して、本比較例の接続孔VHCの平面パターンは、直径寸法Lの円である。この接続孔VHCの平面パターンの外縁は、配線溝TRの平面パターンの外縁に点Pl,Prで内接している。
図18は、比較例における半導体装置の構成を概略的に示す上面図である。図18を参照して、本比較例の接続孔VHCの平面パターンは、直径寸法Lの円である。この接続孔VHCの平面パターンの外縁は、配線溝TRの平面パターンの外縁に点Pl,Prで内接している。
なお、本比較例のこれ以外の構成は上述した実施の形態1の構成と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、本比較例の半導体装置の製造方法について説明する。
図19〜図30は、比較例における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図(a)および上面図(b)である。なお、図19(a)〜図30(a)の断面位置は図18におけるB−B線に対応している。また、図19(a)〜図30(a)の部分断面図の下側には半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)が既に形成されている。
図19〜図30は、比較例における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図(a)および上面図(b)である。なお、図19(a)〜図30(a)の断面位置は図18におけるB−B線に対応している。また、図19(a)〜図30(a)の部分断面図の下側には半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)が既に形成されている。
主に図19(a)、(b)を参照して、半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)の上に、絶縁層10および絶縁層10の厚み方向に貫通した溝に埋め込まれた下層配線LWを形成する。次に、この絶縁層10および下層配線LW上に、SiCN膜などのストッパー膜STが形成される。このストッパー膜ST上に、SiOC膜などの絶縁体である層間膜ILが形成される。
次に、この層間膜IL上に、p−TEOS膜などのキャップ膜CPが形成される。次に、このキャップ膜CP上に、レジストPVaと、中間層PVbと、レジストPVcとがこの順に形成される。中間層PVbは、たとえばSOG層である。
主に図20(a)、(b)を参照して、接続孔VHC(図18)のパターンに対応した露光工程および現像工程により、レジストPVcに開口部が設けられる。次に、レジストPVcをマスクとしてエッチングが行なわれる。
図21(a)、(b)を参照して、このエッチングにより、中間層PVbおよびレジストPVaがパターニングされる。この中間層PVbおよびレジストPVaをマスクとしてエッチングが行なわれる。なお、エッチング途中で中間層PVbは消失する。
主に図22(a)、(b)を参照して、ストッパー膜ST上面が露出されるまで上記エッチングが行なわれ、層間膜ILを貫通する接続孔VHCが形成される。続いて、エッチング後に残存したレジストPVaが、アッシングにより除去される。
図23(a)、(b)を参照して、上記アッシングにより、キャップ膜CPの表面が露出される。
図24(a)、(b)を参照して、ストッパー膜STおよびキャップ膜CP上に、レジストPTaと、中間層PTbと、レジストPTcとがこの順に形成される。中間層PTbは、たとえばSOG層である。
図25(a)、(b)を参照して、レジストPTcに、配線溝TRの平面パターンに対応した露光および現像が行なわれる。続いて、レジストPTcをマスクとしたエッチングが行なわれる。
主に図26(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより、中間層PTbおよびレジストPTaに配線溝TRの平面パターンが形成される。続いて、中間層PTbおよびレジストPTaをマスクとして、キャップ膜CPおよび層間膜ILのエッチングが行なわれる。なお、図25(a)に示すように接続孔VHCの内部にはレジストPTaが厚く形成されていたため、図26(a)、(b)に示すように接続孔VHCの底部にはレジストPTaが一部残存している。
図27(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより、配線溝TRが形成される。その後、残存しているPTaがアッシングにより除去される。
図28(a)、(b)を参照して、上記アッシングによりキャップ膜CPの表面が露出する。続いて、ストッパー膜STの露出部分がエッチングにより除去される。
図29(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより接続孔VHCにおいて下層配線LWが露出する。
主に図30(a)、(b)を参照して、キャップ膜CP、接続孔VHCおよび配線溝TRを覆うように銅膜MTが形成される。続いて、キャップ膜CPの下面よりも下方であって、配線溝TRの底面よりも上方である面Pに至るまで、銅膜MT、キャップ膜CP、層間膜ILがCMPにより除去される。以上により、本比較例における半導体装置が製造される。
なお、図31(a)、(b)は、接続孔VHCを形成するためのフォトマスクであるレジストPVc(図20)と、配線溝TRを形成するためのフォトマスクであるレジストPTc(図25)との重ね合わせズレが幅方向(図中横方向)に寸法Dだけ発生した場合の、本比較例における半導体装置の上面図(a)および断面図(b)である。重ね合わせズレの影響により、設計上は直線部である配線WRの平面パターンの外縁の一部が曲線部CV(図31(a))になっている。この結果、互いに隣り合う配線WRの最短距離が設計上の寸法Sよりも短くなり、寸法SC=寸法S−寸法Dになっている。なお、この曲線部CVと共に接続孔VHCの平面パターンを挟む位置において、配線溝TRの底面が貫通されずに残存している。
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、接続孔VHの形成領域が決定される重複部分エッチング工程(図11(a)、(b)および図12(a)、(b))のマスクMMの一部として、配線溝TRのパターニング(図13(a)、(b)および図14(a)、(b))に用いられるマスクであるハードマスク層M1が用いられる。よって、ハードマスク層M1により接続孔VHが形成され得る領域を制限することができる。配線溝TRのパターニング(図13(a)、(b)および図14(a)、(b))はハードマスク層M1を用いて行なわれるので、上記制限を受ける領域と配線溝TRの形成される領域との相対的な位置関係は重ね合わせズレの影響を受けない。このため、図17に示すように、重ね合わせズレが生じても互いに隣り合う接続孔VHと配線溝TRとの距離を寸法Sに維持することができる。よって、接続孔VHと配線溝TRとのそれぞれに埋め込まれた配線WR間の絶縁性を確保する層間膜ILの幅も寸法Sに維持される。よって、半導体装置の配線WR間の電気的耐圧の製造ばらつきの発生を防止することができる。
また、図11(a)、(b)に示すように、中間層P2bおよびレジストP2aからなる第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)の幅方向(図中横方向)の最大寸法は寸法Dである。この寸法Dは、ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)の幅方向(図中横方向)の寸法Lよりも大きい。よって、第2開口パターンの円Cを、第1開口パターンの直線部の両脇にマージン寸法MGがともなうように跨らせて形成することができる。このため、第1開口パターンと第2開口パターンとの間の重ね合わせズレがマージン寸法MGの範囲内であれば、マスクMMの開口部の幅は寸法Lに維持される。よって、重ね合わせズレにより接続孔VHの幅寸法が低下することが抑制される。これにより、接続孔VHの幅寸法が過度に小さくなって、接続孔VHにおける電気的接続が不十分になることを防ぐことができる。
また、図11(a)、(b)から図12(a)、(b)にかけておこなわれるエッチングは、キャップ膜CPおよび層間膜ILのエッチング速度が、ハードマスク層M1のエッチング速度よりも速くなる条件でおこなわれる。これにより、エッチング中のハードマスク層M1の消耗を抑制することができる。よって、より薄いハードマスク層M1により半導体装置の製造を行なうことができる。
本実施の形態の半導体装置によれば、図1に示すように、平面パターンにおいて、配線溝TRは直線状に形成されており、かつ接続孔VHの外縁の一部と配線溝TRの外縁の一部とが互いに重複した直線部Sl,Srを有している。このため、接続孔VHと、近傍の配線WRとの最短距離が寸法Sに保たれる。このため、接続孔VHと近傍の配線溝TRとのそれぞれに埋め込まれた配線WR間の電気的耐圧が低下することを抑制することができる。
また、接続孔VHの幅寸法が配線WRの直線部分の幅寸法Lと同一となる。このため、接続孔VHの幅がL未満の場合よりも、接続孔VH部分を幅広に形成することができる。よって接続孔VH部分の電気的抵抗を低減することができる。
なお、本実施の形態に対する比較例の半導体装置においては、レジストPVc(図20(b))と、レジストPTc(図25(b))との重ね合わせズレが生じると、図31(a)に示すように、互いに隣り合う配線WR,WR間の最短距離が近くなる。すなわち、重ね合わせズレが配線溝TRの幅方向(図31(a)の横方向)に寸法Dだけ生じると、配線WR,WR間の最短距離が、寸法SC=寸法S−寸法Dとなる。このため、製造時に重ね合わせズレが生じると、半導体装置の配線WR,WR間の最短距離が近づき、配線WRの接続孔VHCに埋め込まれている部分と、その近傍の部分との間の電気的耐圧が低下する。
(実施の形態2)
本実施の形態の半導体装置は上述した実施の形態1の構成(図1〜図3)と同一であるが、その製造方法が相違する。
本実施の形態の半導体装置は上述した実施の形態1の構成(図1〜図3)と同一であるが、その製造方法が相違する。
図32〜図44は、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略的な部分断面図(a)および上面図(b)である。図32(a)〜図44(a)に示す部分断面図は、図2に示すの断面図における配線形成部(図2のA−A線より上の部分)の範囲を示しており、この範囲の下側には半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)が既に形成されている。
主に図32(a)、(b)を参照して、半導体素子形成部(図2のA−A線より下の部分)の上に、絶縁層10および絶縁層10の厚み方向に貫通した溝に埋め込まれた下層配線LWが形成される。次に、この絶縁層10および下層配線LW上に、SiCN膜などのストッパー膜STが形成される。
このストッパー膜ST上に、SiOC膜などの絶縁性を有する下層膜DEと、p−TEOS膜などの無機膜である上層膜M3とが、この順に形成される。これにより、ストッパー膜ST上に、下層膜DEおよび上層膜M3を有する層間膜ILが形成される。
次に、この上層膜M3上に、TiN膜などのハードマスク層M1が形成される。次に、このハードマスク層M1上に、レジストP1aと、中間層P1bと、レジストP1cとがこの順に形成される。中間層P1bは、たとえばSOG層である。
主に図33(a)、(b)を参照して、配線溝TR(図1)のパターンに対応した露光工程および現像工程により、レジストP1cに開口部が設けられる。次に、レジストP1cをマスクとしてエッチングが行なわれる。
図34(a)、(b)を参照して、このエッチングにより、中間層P1bおよびレジストP1aがパターニングされる。この中間層P1bおよびレジストP1aをマスクとしてエッチングが行なわれる。なお、エッチング途中で中間層P1bは消失する。
主に図35(a)、(b)を参照して、上記エッチングによりハードマスク層M1は開口部が設けられ、マスク(第1マスク)として用いられることができるようになる。この開口部の開口パターン(第1開口パターン)は配線溝TR(図1)および接続孔VH(図1)の位置が開口されている。すなわち、第1開口パターンは寸法Lの幅を有する複数の直線部分を有している。続いて、エッチング後に残存しているレジストP1aが、アッシングにより除去される。
図36(a)、(b)を参照して、上記アッシングにより、ハードマスク層M1の表面が露出される。
図37(a)、(b)を参照して、上層膜M3およびハードマスク層M1上に、レジストP2aと、中間層P2bと、レジストP2cとがこの順に形成される。中間層P2bは、たとえばSOG層である。
主に図38(a)、(b)を参照して、レジストP2cに、円Cの開口部が形成されるように露光および現像が行なわれる。円Cは直径寸法Dを有し、円Cと配線溝TR(図1)の平面パターンとの重複領域が接続孔VH(図1)の平面パターンと一致するように配置される。続いて、レジストP2cをマスクとしたエッチングが行なわれる。
図39(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより中間層P2bおよびレジストP2aは円Cの開口部が形成され、マスク(第2マスク)として用いることができるようになる。この第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)である円Cは幅寸法Dを有している。この寸法Dは、ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)の幅寸法Lよりも大きい。第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)は、ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)に対して幅方向に跨るように位置している。ハードマスク層M1の開口パターン(第1開口パターン)の両脇には、第2マスクの開口パターン(第2開口パターン)の開口部分がマージン寸法MGに渡って存在する。なお、接続孔VH(図1)の位置では第1および第2開口パターンは共に開口されている。
このパターニングされた中間層P2bおよびレジストP2aからなる第2マスクと、既にパターニングされているハードマスク層M1(第1マスク)とをマスクMMとして、上層膜M3のエッチング(重複部分エッチング)が行なわれる。このエッチングは、上層膜M3のエッチング速度が、ハードマスク層M1のエッチング速度よりも速くなる条件でおこなわれる。具体的には、プロセスガスとしてCF4を含むドライエッチングによりこの工程を行なうことができる。なお、エッチング途中で中間層P2bは消失する。
図40(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより、接続孔VHに対応する平面パターンを有し、上層膜M3を貫通する凹部が形成される。その後、残存しているP2a(第2マスク)がアッシングにより除去される。
図41(a)、(b)を参照して、上記アッシングによりハードマスク層M1の表面が露出する。続いて、ハードマスク層M1(第1マスク)をマスクとしてエッチング(溝状エッチング工程)が行なわれる。
図42(a)、(b)を参照して、ストッパー膜STが露出するまで下層膜DEがエッチングされて、配線溝TRおよび接続孔VHが形成される。続いて、このストッパー膜STの露出部分がエッチングにより除去される。
図43(a)、(b)を参照して、上記エッチングにより、接続孔VHにおいて下層配線LWが露出する。
主に図44(a)、(b)を参照して、ハードマスク層M1、接続孔VHおよび配線溝TRを覆うように銅膜MTが形成される。続いて、上層膜M3の下面よりも下方であって、配線溝TRの底面よりも上方である面Pに至るまで、銅膜MT、ハードマスク層M1、上層膜M3および下層膜DEがCMPにより除去される。以上により、本実施の形態における半導体装置が製造される。
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、アッシングによるレジストP2aの除去(図41(b))のとき、接続孔VH(図1)が形成されることになる領域である下層膜DEが露出した領域以外は、ハードマスク層M1または無機膜である上層膜M3により覆われている。このため、下層膜DEがアッシングによりダメージを受けることを防止することができる。
特にSiOC膜からなる下層膜DEはアッシングダメージを受けやすい。本実施の形態の半導体装置の製造方法を用いることにより、このアッシングダメージを効果的に抑制することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、ダマシン法により埋め込まれた配線を有する半導体装置およびその製造方法に特に有利に適用され得る。
CP キャップ膜、DE 下層膜、IL 層間膜、M1 ハードマスク層、M3 上層膜、P1a,P1c,P2a,P2c,PTa,PTc,PVa,PVc レジスト、P1b,P2b,PTb,PVb 中間層、SB 基板、ST ストッパー膜、TR 配線溝、VH 接続孔、WR 配線。
Claims (5)
- ダマシン法により層間膜の配線溝および接続孔に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法であって、
基板上に前記層間膜を堆積する工程と、
少なくとも前記配線溝および前記接続孔の位置が開口されている第1開口パターンを有する第1マスクを前記層間膜上に形成する工程と、
前記接続孔の位置において前記第1開口パターンとの重複部分が存在する第2開口パターンを有する第2マスクを前記第1マスク上に形成する工程と、
前記第1および第2マスクをマスクとして前記層間膜にエッチングすることにより、前記重複部分に位置する前記層間膜を前記基板の厚み方向に少なくとも一部エッチングする重複部分エッチング工程と、
前記第2マスクを除去する工程と、
前記第1マスクをマスクとして用いて前記層間膜の一部をエッチングし、前記層間膜に前記接続孔および前記配線溝を形成する溝状エッチング工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記層間膜は互いに材質の異なる上層膜と下層膜とを有しており、
前記重複部分エッチング工程において前記下層膜の表面が露出するまで前記上層膜がエッチングされ、
前記溝状エッチング工程が、前記第1マスクをマスクとして用いて前記上層膜に前記第1開口パターンを転写すると共に前記重複部分に位置する前記下層膜を前記基板の厚み方向に少なくとも一部エッチングする工程と、前記第1マスクおよび前記転写の行なわれた前記上層膜をマスクとして前記下層膜に前記接続孔および前記配線溝を形成する工程とを有することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記重複部分エッチング工程において、前記層間膜のエッチング速度が前記第1マスクのエッチング速度よりも速くなる条件でエッチングが行なわれることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2開口パターンの幅が前記第1開口パターンの幅よりも広いことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に配置され、配線溝と接続孔とが形成された層間膜と、
前記層間膜の前記配線溝および前記接続孔に埋め込まれた配線とを備え、
平面パターンにおいて、前記接続孔の外縁の一部と前記配線溝の外縁の一部とが直線状に重複しており、かつ前記配線溝が直線状である、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007002199A JP2008171922A (ja) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007002199A JP2008171922A (ja) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008171922A true JP2008171922A (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=39699757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007002199A Withdrawn JP2008171922A (ja) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008171922A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011018857A1 (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2011171705A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014127479A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-01-10 JP JP2007002199A patent/JP2008171922A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011018857A1 (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8703606B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-04-22 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method for manufacturing semiconductor device having a wiring structure |
JP5488603B2 (ja) * | 2009-08-14 | 2014-05-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2011171705A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014127479A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101786222B1 (ko) | 전도성 라인 위의 에칭 중단 층을 갖는 상호 접속 구조체 | |
JP6009152B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9196609B2 (en) | Semiconductor device | |
US10460067B2 (en) | Method of patterning target layer | |
JP5134193B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9165827B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5963384B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9263321B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2010238719A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP4516450B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008277437A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5172069B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008171922A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5388478B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20090046578A (ko) | 반도체 소자의 커패시터 및 이의 제조방법 | |
JP2006294979A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007184347A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007281197A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20100042925A (ko) | 다마신 공정을 이용한 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2015061032A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20080057640A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2010251767A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008283212A (ja) | 半導体集積回路用インダクタ及びその製造方法 | |
KR20080055402A (ko) | 배선 구조물 및 이를 형성하기 위한 방법 | |
JP2009088404A (ja) | 半導体装置、およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100406 |