JP2008283212A - 半導体集積回路用インダクタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダマシン法により形成された多層配線層の最上層配線層18上に、スパイラルインダクタ40が形成されている。このインダクタ40は、最上層配線29が形成された絶縁膜17a上に、この最上層配線29に接触するようにしてバリアメタル層をパターン形成し、その後、全面に保護絶縁膜を形成した後、この保護絶縁膜におけるバリアメタル層上の部分を開口し、その上に更にバリアメタル層を全面に形成し、このバリアメタル層をメッキ電極としてCu膜をメッキにより厚く形成し、このCu膜を湿式エッチングすることにより、形成する。このため、膜厚が厚く、線幅が広いインダクタ40を形成することができる。
【選択図】図1
Description
基板と、
この基板上にダマシン法により形成された配線層と、
この配線層上に配置された導電体層をパターニングすることにより形成されたインダクタと、
を有し、
前記インダクタの断面の幅が厚さ方向で変化する、
ことを特徴とする。
基板上にダマシン法により配線層を形成し、
この配線層上に導電体層を配置し、
該導体層をパターニングすることにより、断面の幅が厚さ方向で変化するインダクタを形成する、
ことを特徴とする。
膜厚及び線幅については実質的に制約がなく、極めて広大な断面積を有するインダクタを形成することができる。これにより、インダクタの抵抗値を低減することができ、Q値を高めることができる。また、本実施例においては、Cu膜44を湿式エッチングにより形成するので、得られたインダクタ40の配線側面は、図3(c)に示すように、鼓型に凹む。これにより、インダクタ40の表面積を側面が平面の場合に比して増大させることができ、高周波信号による表皮効果を低減することができる。これによっても、インダクタのQ値が向上する。なお、このインダクタの配線の側面が凹むことは、従来のディッシングと異なり、膜の平坦性に悪影響を与えることはない。
9:ゲート電極
11,13,15,17:層間絶縁膜
12,14,16,18:配線層
11a、13a、15a、17a:(配線層用)絶縁膜
22,25,27,29:配線
21,24,26,28:コンタクトホール
30:(ダマシン法により形成された)インダクタ
40、50:インダクタ
41,43,45:バリアメタル層
43:絶縁膜
44:Cu膜
46:カバー膜
Claims (4)
- 基板と、
この基板上にダマシン法により形成された配線層と、
この配線層上に配置された導電体層をパターニングすることにより形成されたインダクタと、
を有し、
前記インダクタの断面の幅が厚さ方向で変化する、
ことを特徴とする半導体集積回路用インダクタ。 - 前記導電体層はメッキにより形成されたものである、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路用インダクタ。 - 前記インダクタの外に、前記導電体層をパターニングすることにより形成されたボンディングパッドを有する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路用インダクタ。 - 基板上にダマシン法により配線層を形成し、
この配線層上に導電体層を配置し、
該導体層をパターニングすることにより、断面の幅が厚さ方向で変化するインダクタを形成する、
ことを特徴とする半導体集積回路用インダクタの製造方法。
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