JP2008153277A - 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 188
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 169
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 169
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 169
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 49
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H01L31/147—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/153—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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Abstract
【解決手段】素子ユニット46を、発光モールド部48および受光モールド部49が搭載されたリードフレーム50を含んで構成する。また、素子ユニット46を収納する外装ケースを上側ケース45と下側ケース47とに分割可能にして、2部品で構成する。こうして、素子ユニット46を上側ケース45と下側ケース47とで挟み込むことにより、リードフレーム50の一端部でなる外部接続端子43を、上記外装ケースに固定すると共に、コネクタ部42内に位置させることができる。したがって、部品点数を3点と少なくし、溶接や半田付けや熱かしめ等を行うことなく、上側ケース45と下側ケース47との嵌め殺し機構によって、素子ユニット46を上記外装ケースに固定することができ、組み立てが容易になる。
【選択図】図2
Description
透光性樹脂によってモールドされた発光素子および受光素子が搭載されると共に、一端に外部接続用の外部接続端子を有するリードフレームと、
遮光性樹脂によって形成されると共に、コネクタ部を有して、上記リードフレームを内部に収納してそのリードフレームと一体化した外装ケースと
を備え、
上記コネクタ部は、第1分割コネクタハウジングを含む第1分割コネクタ部と、第2分割コネクタハウジングを含む第2分割コネクタ部とに分割可能になっており、
上記外装ケースは、上記第1分割コネクタ部を含む第1分割ケースと上記第2分割コネクタ部を含む第2分割ケースとに分割可能になっていると共に、上記第1分割ケースと上記第2分割ケースとによって上記リードフレームを挟み込むことによって、上記リードフレームを内部に収納するようになっており、
上記外部接続端子は、上記リードフレームが上記外装ケース内に収納された状態で、上記第1分割コネクタ部と上記第2分割コネクタ部とで形成される上記コネクタ部内に収納されると共に、上記第1分割ケースと上記第2分割ケースとによって固定されるようになっている
ことを特徴としている。
上記第1分割コネクタハウジングにおける上記第2分割コネクタハウジングとの接合面と、上記第2分割コネクタハウジングにおける上記第1分割コネクタハウジングとの接合面とには、上記第1分割コネクタ部と上記第2分割コネクタ部とが一体に接合された際に上記外部接続端子が挿通される貫通孔を形成する溝が形成されており、
上記外部接続端子の外径をL1とし、上記溝の幅をC1とした場合に、C1≧L1なる関係を有している。
上記第1分割コネクタハウジングおよび上記第2分割コネクタハウジングの何れか一方に、上記外部接続端子が挿通される貫通孔が形成されており、
上記外部接続端子の外径をL1とし、上記貫通孔の内径をC1とした場合に、C1≧L1なる関係を有している。
上記第1分割コネクタハウジングにおける上記第2分割コネクタハウジングとの接合面と、上記第2分割コネクタハウジングにおける上記第1分割コネクタハウジングとの接合面とには、上記第1分割コネクタ部と上記第2分割コネクタ部とが一体に接合された際に上記外部接続端子が挿通される貫通孔を形成する溝が形成されており、
上記溝の内面には、上記溝の中心軸に直交する面に沿って環状に配列された複数の突起が設けられており、
上記突起は、上記第1分割コネクタハウジングと上記第2分割コネクタハウジングとにおける外端面に位置しないように設けられており、
上記外部接続端子の外径をL1とし、上記溝の幅方向に測った上記突起の間隔をC1とした場合に、C1<L1なる関係を有している。
上記第1分割ケースと上記第2分割ケースとによって固定された上記外部接続端子を収納してなる上記コネクタ部を複数備えている。
上記リードフレームにおける上記発光素子が透光性樹脂によってモールドされてなる発光モールド部および上記受光素子が透光性樹脂によってモールドされてなる受光モールド部の何れか一方に、上記複数のコネクタ部における同一機能を有するピンに接続されている複数のパッドを設け、
上記同一機能を有するピンに接続されている複数のパッド同士を、上記発光モールド部あるいは上記受光モールド部内で電気的に接続している。
配列ピッチが途中で第1配列ピッチから第2配列ピッチに変化する外部接続用の外部接続端子を一端側に有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームの上記外部接続端子における上記第1配列ピッチの領域、あるいは、上記外部接続端子における上記第2配列ピッチの領域、の何れかを含む位置で選択的にリードカットを行い、
上記リードフレームを、上記第1配列ピッチの領域を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記リードフレームにおける上記第1配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第1上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部を有すると共に、上記リードフレームにおける上記第1配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第1下側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記第1下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記外部接続端子の配列ピッチが上記第1配列ピッチのコネクタ部を有する光結合装置を形成する一方、
上記リードフレームを、上記第2配列ピッチの領域を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記リードフレームにおける上記第2配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第2上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部を有すると共に、上記リードフレームにおける上記第2配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第2下側ケースを作成し、
上記第2上側ケースと上記第2下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記外部接続端子の配列ピッチが上記第2配列ピッチのコネクタ部を有する光結合装置を形成する
ことを特徴としている。
一端側に外部接続用の外部接続端子を有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームの上記外部接続端子における第1所定位置、あるいは、上記第1所定位置よりも外側に位置する第2所定位置、の何れかを含む位置で選択的にリードカットを行い、
上記リードフレームを、上記第1所定位置を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有すると共に、上記リードフレームにおける外部接続端子が水平方向に挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第1下側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記リードフレームにおける外部接続端子が水平方向に挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第1上側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記第1下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記外部接続端子の延在方向が水平なコネクタ部を有する光結合装置を形成する一方、
上記リードフレームを、上記第2所定位置を含む位置でリードカットした場合には、上記外部接続端子を上記発光モールド部における光出射側とは反対側に折り曲げ、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部を有すると共に、上記リードフレームにおける上記折り曲げられた外部接続端子が略垂直方向に挿通される貫通孔が形成された下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第2下側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記第2下側ケースにおける上記下側コネクタハウジングに密着する上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第2上側ケースを作成し、
上記第2下側ケースにおける上記下側コネクタハウジングに形成された上記貫通孔に上記折り曲げられた外部接続端子が挿通された上記リードフレームを、上記第2上側ケースと上記第2下側ケースとで挟持することによって、上記外部接続端子の延在方向が本体に対して略垂直なコネクタ部を有する光結合装置を形成する
ことを特徴としている。
一端側に第1外部接続端子を有する一方、他端側に第2外部接続端子を有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームの上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の根元、上記第1外部接続端子の根元および上記第2外部接続端子の先端側、あるいは、上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の先端側、の何れかを含む位置で選択的にリードカットを行い、
上記リードフレームを、上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の根元を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第1上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有すると共に、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第1下側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記第1下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記一端にコネクタ部を有する光結合装置を形成し、
上記リードフレームを、上記第1外部接続端子の根元および上記第2外部接続端子の先端側を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第2上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有すると共に、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第2下側ケースを作成し、
上記第2上側ケースと上記第2下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記他端にコネクタ部を有する光結合装置を形成し、
上記リードフレームを、上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の先端側を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた第1上側コネクタハウジングを有する第1上部コネクタ部が一体に形成される一方、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた第2上側コネクタハウジングを有する第2上部コネクタ部が一体に形成された第3上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有するととともに、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた第1下側コネクタハウジングを有する第1下部コネクタ部が一体に形成される一方、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた第2下側コネクタハウジングを有する第2下部コネクタ部が一体に形成された第3下側ケースを作成し、
上記第3上側ケースと上記第3下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、両端にコネクタ部を有する光結合装置を形成する
ことを特徴としている。
一端側に外部接続用の外部接続端子を有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームに対してリードカットを行い、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部を収納する受光素子収納室とを有して、上記リードフレームにおける上記外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成されると共に、上記発光素子収納室に収納された上記発光モールド部の上記発光素子から出射されて、上記発光素子収納室と上記受光素子収納室との間に設けられて検知対象物が通る空間を通過した光を、上記受光素子収納室に収納された上記受光モールド部の上記受光素子で検知可能な構造を有する第1上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部を収納する受光素子収納室とを有して、上記リードフレームにおける上記外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成されると共に、上記発光素子収納室に収納された上記発光モールド部の上記発光素子から出射されて、上記発光素子収納室と上記受光素子収納室との間を通る検知対象物で反射された光を、上記受光素子収納室に収納された上記受光モールド部の上記受光素子で検知可能な構造を有する第2上側ケースを作成し、
上記リードフレームの下側を収納すると共に、上記リードフレームにおける上記外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された下側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、光遮断型の光結合装置を選択的に形成する一方、上記第2上側ケースと上記下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、光反射型の光結合装置を選択的に形成する
ことを特徴としている。
上記光結合装置を用いたことを特徴としている。
上記光結合装置の製造方法で製造された光結合装置を用いたことを特徴としている。
図1は、本実施の形態の光結合装置における構成を示す図である。但し、図1(a)は前面図、図1(b)は上面図、図1(c)は側面図である。また、図2は、図1に示す光結合装置の断面を示す。
図10は、本実施の形態の光結合装置における構成を示す図である。但し、図10(a)は前面図、図10(b)は上面図、図10(c)は側面図である。また、図11は、図10に示す光結合装置の断面を示す。
図14は、本実施の形態の光結合装置における構成を示す縦断面図である。
本実施の形態は、外部接続端子のコネクタ部への取付構造に関する。
本実施の形態は、2つのコネクタ部を有する光結合装置に関する。
42,72,79,85…コネクタ部(第1コネクタ部)、
42a,72a,79a,85a…上部コネクタ部(第1上部コネクタ部)、
42b,72b,79b,85b…下部コネクタ部(第1下部コネクタ部)、
43,73,80,87…外部接続端子(第1外部接続端子)、
44…取り付け足、
45,76,96,112,119…上側ケース、
46,71,77,97,120…素子ユニット、
47,78,98…下側ケース、
48…発光モールド部、
49…受光モールド部、
50…リードフレーム、
51…第1反射面、
52,114,121…発光素子収納室、
53…第2反射面、
54,117,123…受光素子収納室、
55…固定爪、
56…嵌合穴、
57…発光側凹部、
58…受光側凹部、
59…発光チップ、
60…受光チップ、
63a,86a…上部コネクタハウジング、
63b,81,86b…下部コネクタハウジング、
64a,64b,88,91…溝、
82…貫通孔、
89,92…円筒突起、
90,93…半球突起、
99…第2外部接続端子、
100…第2コネクタ部、
100a…第2上部コネクタ部、
100b…第2下部コネクタ部、
101…基板、
102,103,104,105…パッド、
106,113,125…光路、
107…発光側レンズ、
108,109,126,127…窓、
110…受光側レンズ、
111,116,128…検知対象(物体)、
115…第1プリズム、
118…第2プリズム、
122…発光部固定爪、
124…受光部固定爪。
Claims (12)
- 透光性樹脂によってモールドされた発光素子および受光素子が搭載されると共に、一端に外部接続用の外部接続端子を有するリードフレームと、
遮光性樹脂によって形成されると共に、コネクタ部を有して、上記リードフレームを内部に収納してそのリードフレームと一体化した外装ケースと
を備え、
上記コネクタ部は、第1分割コネクタハウジングを含む第1分割コネクタ部と、第2分割コネクタハウジングを含む第2分割コネクタ部とに分割可能になっており、
上記外装ケースは、上記第1分割コネクタ部を含む第1分割ケースと上記第2分割コネクタ部を含む第2分割ケースとに分割可能になっていると共に、上記第1分割ケースと上記第2分割ケースとによって上記リードフレームを挟み込むことによって、上記リードフレームを内部に収納するようになっており、
上記外部接続端子は、上記リードフレームが上記外装ケース内に収納された状態で、上記第1分割コネクタ部と上記第2分割コネクタ部とで形成される上記コネクタ部内に収納されると共に、上記第1分割ケースと上記第2分割ケースとによって固定されるようになっている
ことを特徴とする光結合装置。 - 請求項1に記載の光結合装置において、
上記第1分割コネクタハウジングにおける上記第2分割コネクタハウジングとの接合面と、上記第2分割コネクタハウジングにおける上記第1分割コネクタハウジングとの接合面とには、上記第1分割コネクタ部と上記第2分割コネクタ部とが一体に接合された際に上記外部接続端子が挿通される貫通孔を形成する溝が形成されており、
上記外部接続端子の外径をL1とし、上記溝の幅をC1とした場合に、C1≧L1なる関係を有している
ことを特徴とする光結合装置。 - 請求項1に記載の光結合装置において、
上記第1分割コネクタハウジングおよび上記第2分割コネクタハウジングの何れか一方に、上記外部接続端子が挿通される貫通孔が形成されており、
上記外部接続端子の外径をL1とし、上記貫通孔の内径をC1とした場合に、C1≧L1なる関係を有している
ことを特徴とする光結合装置。 - 請求項1に記載の光結合装置において、
上記第1分割コネクタハウジングにおける上記第2分割コネクタハウジングとの接合面と、上記第2分割コネクタハウジングにおける上記第1分割コネクタハウジングとの接合面とには、上記第1分割コネクタ部と上記第2分割コネクタ部とが一体に接合された際に上記外部接続端子が挿通される貫通孔を形成する溝が形成されており、
上記溝の内面には、上記溝の中心軸に直交する面に沿って環状に配列された複数の突起が設けられており、
上記突起は、上記第1分割コネクタハウジングと上記第2分割コネクタハウジングとにおける外端面に位置しないように設けられており、
上記外部接続端子の外径をL1とし、上記溝の幅方向に測った上記突起の間隔をC1とした場合に、C1<L1なる関係を有している
ことを特徴とする光結合装置。 - 請求項1に記載の光結合装置において、
上記第1分割ケースと上記第2分割ケースとによって固定された上記外部接続端子を収納してなる上記コネクタ部を複数備えた
ことを特徴とする光結合装置。 - 請求項5に記載の光結合装置において、
上記リードフレームにおける上記発光素子が透光性樹脂によってモールドされてなる発光モールド部および上記受光素子が透光性樹脂によってモールドされてなる受光モールド部の何れか一方に、上記複数のコネクタ部における同一機能を有するピンに接続されている複数のパッドを設け、
上記同一機能を有するピンに接続されている複数のパッド同士を、上記発光モールド部あるいは上記発光モールド部内で電気的に接続している
ことを特徴とする光結合装置。 - 配列ピッチが途中で第1配列ピッチから第2配列ピッチに変化する外部接続用の外部接続端子を一端側に有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームの上記外部接続端子における上記第1配列ピッチの領域、あるいは、上記外部接続端子における上記第2配列ピッチの領域、の何れかを含む位置で選択的にリードカットを行い、
上記リードフレームを、上記第1配列ピッチの領域を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記リードフレームにおける上記第1配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第1上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部を有すると共に、上記リードフレームにおける上記第1配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第1下側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記第1下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記外部接続端子の配列ピッチが上記第1配列ピッチのコネクタ部を有する光結合装置を形成する一方、
上記リードフレームを、上記第2配列ピッチの領域を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記リードフレームにおける上記第2配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第2上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部を有すると共に、上記リードフレームにおける上記第2配列ピッチの外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第2下側ケースを作成し、
上記第2上側ケースと上記第2下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記外部接続端子の配列ピッチが上記第2配列ピッチのコネクタ部を有する光結合装置を形成する
ことを特徴とする光結合装置の製造方法。 - 一端側に外部接続用の外部接続端子を有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームの上記外部接続端子における第1所定位置、あるいは、上記第1所定位置よりも外側に位置する第2所定位置、の何れかを含む位置で選択的にリードカットを行い、
上記リードフレームを、上記第1所定位置を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有すると共に、上記リードフレームにおける外部接続端子が水平方向に挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第1下側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記リードフレームにおける外部接続端子が水平方向に挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第1上側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記第1下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記外部接続端子の延在方向が水平なコネクタ部を有する光結合装置を形成する一方、
上記リードフレームを、上記第2所定位置を含む位置でリードカットした場合には、上記外部接続端子を上記発光モールド部における光出射側とは反対側に折り曲げ、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部を有すると共に、上記リードフレームにおける上記折り曲げられた外部接続端子が略垂直方向に挿通される貫通孔が形成された下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第2下側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、上記第2下側ケースにおける上記下側コネクタハウジングに密着する上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第2上側ケースを作成し、
上記第2下側ケースにおける上記下側コネクタハウジングに形成された上記貫通孔に上記折り曲げられた外部接続端子が挿通された上記リードフレームを、上記第2上側ケースと上記第2下側ケースとで挟持することによって、上記外部接続端子の延在方向が本体に対して略垂直なコネクタ部を有する光結合装置を形成する
ことを特徴とする光結合装置の製造方法。 - 一端側に第1外部接続端子を有する一方、他端側に第2外部接続端子を有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームの上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の根元、上記第1外部接続端子の根元および上記第2外部接続端子の先端側、あるいは、上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の先端側、の何れかを含む位置で選択的にリードカットを行い、
上記リードフレームを、上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の根元を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第1上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有すると共に、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第1下側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記第1下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記一端にコネクタ部を有する光結合装置を形成し、
上記リードフレームを、上記第1外部接続端子の根元および上記第2外部接続端子の先端側を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成された第2上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有すると共に、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された第2下側ケースを作成し、
上記第2上側ケースと上記第2下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、上記他端にコネクタ部を有する光結合装置を形成し、
上記リードフレームを、上記第1外部接続端子の先端側および上記第2外部接続端子の先端側を含む位置でリードカットした場合には、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の光出射側である上側を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部の上側を収納する受光素子収納室とを有すると共に、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた第1上側コネクタハウジングを有する第1上部コネクタ部が一体に形成される一方、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた第2上側コネクタハウジングを有する第2上部コネクタ部が一体に形成された第3上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部の反光出射側である下側が嵌合する発光側凹部と上記受光モールド部の下側が嵌合する受光側凹部とを有するととともに、一端側に上記リードフレームにおける上記第1外部接続端子が挿通される溝が設けられた第1下側コネクタハウジングを有する第1下部コネクタ部が一体に形成される一方、他端側に上記リードフレームにおける上記第2外部接続端子が挿通される溝が設けられた第2下側コネクタハウジングを有する第2下部コネクタ部が一体に形成された第3下側ケースを作成し、
上記第3上側ケースと上記第3下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、両端にコネクタ部を有する光結合装置を形成する
ことを特徴とする光結合装置の製造方法。 - 一端側に外部接続用の外部接続端子を有するリードフレームに発光素子および受光素子を搭載して内部配線を行った後、上記発光素子および上記受光素子に対して透光性樹脂によるモールドを行って発光モールド部および受光モールド部を形成し、
上記発光モールド部および受光モールド部が形成された上記リードフレームに対してリードカットを行い、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部を収納する受光素子収納室とを有して、上記リードフレームにおける上記外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成されると共に、上記発光素子収納室に収納された上記発光モールド部の上記発光素子から出射されて、上記発光素子収納室と上記受光素子収納室との間に設けられて検知対象物が通る空間を通過した光を、上記受光素子収納室に収納された上記受光モールド部の上記受光素子で検知可能な構造を有する第1上側ケースを作成し、
上記リードフレームにおける上記発光モールド部を収納する発光素子収納室と上記受光モールド部を収納する受光素子収納室とを有して、上記リードフレームにおける上記外部接続端子が挿通される溝が設けられた上側コネクタハウジングを有する上部コネクタ部が一体に形成されると共に、上記発光素子収納室に収納された上記発光モールド部の上記発光素子から出射されて、上記発光素子収納室と上記受光素子収納室との間を通る検知対象物で反射された光を、上記受光素子収納室に収納された上記受光モールド部の上記受光素子で検知可能な構造を有する第2上側ケースを作成し、
上記リードフレームの下側を収納すると共に、上記リードフレームにおける上記外部接続端子が挿通される溝が設けられた下側コネクタハウジングを有する下部コネクタ部が一体に形成された下側ケースを作成し、
上記第1上側ケースと上記下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、光遮断型の光結合装置を選択的に形成する一方、上記第2上側ケースと上記下側ケースとで上記リードカットされたリードフレームを挟持することによって、光反射型の光結合装置を選択的に形成する
ことを特徴とする光結合装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項6の何れか一つに記載の光結合装置を用いたことを特徴とする電子機器。
- 請求項7乃至請求項10の何れか一つに記載の光結合装置の製造方法で製造された光結合装置を用いたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006336986A JP4202386B2 (ja) | 2006-12-14 | 2006-12-14 | 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器 |
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US11/955,931 US7635852B2 (en) | 2006-12-14 | 2007-12-13 | Optical coupler with first and second division connector portion |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006336986A JP4202386B2 (ja) | 2006-12-14 | 2006-12-14 | 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008153277A true JP2008153277A (ja) | 2008-07-03 |
JP4202386B2 JP4202386B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=39526029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006336986A Active JP4202386B2 (ja) | 2006-12-14 | 2006-12-14 | 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7635852B2 (ja) |
JP (1) | JP4202386B2 (ja) |
CN (1) | CN100546054C (ja) |
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JP2013211507A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-10-10 | Rohm Co Ltd | フォトインタラプタ、フォトインタラプタの製造方法、およびフォトインタラプタの実装構造 |
JP2016213504A (ja) * | 2011-08-08 | 2016-12-15 | ローム株式会社 | フォトインタラプタおよびフォトインタラプタの実装構造 |
JP2019520711A (ja) * | 2016-07-07 | 2019-07-18 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | 光遮断装置及びその製造方法 |
KR20220085095A (ko) * | 2020-12-14 | 2022-06-22 | 주식회사 에이유이 | 방진형 광센서 및 그 제조 방법 |
KR102643716B1 (ko) * | 2020-12-14 | 2024-03-07 | 주식회사 에이유이 | 방진형 광센서 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4202386B2 (ja) | 2008-12-24 |
US7635852B2 (en) | 2009-12-22 |
CN101207165A (zh) | 2008-06-25 |
US20080142744A1 (en) | 2008-06-19 |
CN100546054C (zh) | 2009-09-30 |
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