JP2008147527A - 静電気保護用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SOI基板に形成された双方向型SCR構造の静電気保護用半導体装置において、埋め込み絶縁膜11上に埋め込みn+ 型領域12を形成し、アノードp型領域20、カソードp型領域21は、延長領域20a、21aを備えている。延長領域20a、21aの長さLpと、アノードp型領域20、カソードp型領域21から埋め込みn+ 型領域12までの縦方向の距離Lyを調整することで、所望の保持耐圧特性を得ることができ、アノードp型領域20とカソードp型領域21との間の距離Lを調整することで、所望の動作開始電圧値を得ることができる。
【選択図】図1
Description
11:埋め込み絶縁膜
12:埋め込みn+ 型領域
13:n- 型半導体基板
14:トレンチ絶縁膜
15:ポリシリコン膜
16:アノードp+ 型領域
17:アノードn+ 型領域
18:カソードp+ 型領域
19:カソードn+ 型領域
20:アノードp型領域
21:カソードp型領域
24:アノード電極
25:カソード電極
Claims (12)
- 他の素子に対して電気的に分離され、他の素子の静電気破壊を防止するための静電気保護用半導体装置において、
第1伝導型で高キャリア濃度の埋め込み領域と、
前記埋め込み領域上に形成された、前記埋め込み領域よりも低キャリア濃度である第1伝導型の主半導体領域と、
前記主半導体領域の表面に形成された、第2伝導型の第1の拡散領域と、
前記第1の拡散領域の表面に形成された、第1伝導型の第1の電極形成領域、および第2伝導型の第2の電極形成領域と、
前記第1の電極形成領域および前記第2の電極形成領域と接続する第1の電極と、
前記第1の拡散領域とは離れた領域に形成された、第2伝導型の第2の拡散領域と、
前記第2の拡散領域の表面に形成された第1伝導型の第3の電極形成領域、および第2伝導型の第4の電極形成領域と、
前記第3の電極形成領域および前記第4の電極形成領域と接続する第2の電極と、
を有し、
前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域は、その前記第1の拡散領域と前記第2の拡散領域との対向方向に、延長領域を備えていることを特徴とする静電気保護用半導体装置。 - 前記第1の電極を前記第2の電極に対して正の動作電圧となるよう電圧を印加した時に、前記第2の拡散領域から前記埋め込み領域に至る空乏層が形成され、
前記第2の電極を前記第1電極に対して正の動作電圧とあるよう電圧を印加した時に、前記第1の拡散領域から前記埋め込み領域に至る空乏層が形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の静電気保護用半導体装置。 - 前記第1の電極形成領域と前記第3の電極形成領域とが対向した内側に配置され、前記第2の電極形成領域と前記第4の電極形成領域とがその外側に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域の前記延長領域の対向方向の長さと、前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域と前記埋め込み領域との縦方向の距離により、保持耐圧が決定されることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域の前記延長領域の対向方向の長さは、前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域と前記埋め込み領域との縦方向の距離よりも4μm以上長いことを特徴とする請求項4に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記第1の拡散領域と前記第2の拡散領域との離間距離により、動作開始電圧が決定されることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域の平面パターンは、短冊形状、トラック形状、リング形状、もしくはそれらの複合形状であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記第1の拡散領域および前記第2の拡散領域は複数組に分割され、
前記第1の電極を介して複数の第1の拡散領域同士が、および前記第2の電極を介して複数の第2の拡散領域同士が、電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。 - 前記第1の電極と前記第2の電極のうち、一方は入力端子に接続され、他方は接地電極に接続されていることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記静電気保護用半導体装置は、底面絶縁膜および側面絶縁膜とにより、底面および側面が区画され、前記他の素子に対して電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。
- 前記主半導体領域は、SOI基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の静電気保護用半導体装置。
- 自動車用複合ICに内蔵されていることを特徴とする請求項11に記載の静電気保護用半導体装置。
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---|---|---|---|---|
JP2014517517A (ja) * | 2011-05-11 | 2014-07-17 | アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド | 過電圧および/または静電気放電保護デバイス |
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