JP2008147259A - 撮像素子及び撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】低損失かつ高集光効率の撮像素子及びこれを用いた撮像装置を実現すること。
【解決手段】撮像素子100は、光電変換部16、17と光電変換部16、17へ光を導く導光部とを有し、前記導光部は、周囲よりも屈折率の低い物質からなる構造体21aを複数備える。撮像素子100内において構造体21aが占有する領域は、撮像素子100内において不均一である。
【選択図】図1

Description

本発明は、デジタルスチルカメラ等に用いる撮像素子及びこれを用いた撮像装置に関する。
従来、光電変換を用いて、入射した光量に応じて電気信号を出力するCCDイメージセンサやCMOSイメージセンサに代表される撮像素子が2次元に配列された撮像部を有する撮像装置が知られている。近年では、鮮明な画像を撮像するために、撮像素子の高画素化が進められ、デジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラなどで用いられる撮像素子の画素数が数百万以上に及ぶものも登場している。
図17は、従来の撮像素子1700の概略構成を示す図である。図17において、11はマイクロレンズ、12はカラーフィルタ、13は平坦化層、14は電気信号転送用の電極、15は平坦化層、16及び17は光電変換を行う領域である。入射した光は、導光部を通過して光電変換部16、17に到達する。
光電変換を用いた撮像素子1700においては、光電変換部16、17に到達した光に対応した電気信号が得られる。そのため、入射した光を効率よく対応する光電変換部16、17へ導くことが重要である。
すなわち、入射した光量と対応した光電変換部16、17に到達した光量との比を光利用効率とすると、光利用効率を向上させることが撮像素子1700の性能向上に大きく寄与することが知られている。特に、入射した光の角度が大きくなる撮像素子1700の周辺部にある画素において、光利用効率の低下による画像の悪化が大きな問題となっている。
撮像素子の光利用効率を向上させる技術として、撮像素子の導光部にマイクロレンズを単層又は多層設ける構造(特許文献1を参照)や撮像素子の導光部に屈折率の異なる物質からなる導光路を設ける構造(特許文献2を参照)が開示されている。
また、近年では、導光手段としてフォトニック結晶と呼ばれる構造を用いて導光性能を改善する構造が開示されている(特許文献3を参照)。
特開2005−072364号公報 特開2002−246579号公報 特開2005−26567号公報 特開平6−224398号公報
しかしながら、近年では撮像装置の小型化に伴い、入射角の大きな光をも利用することが求められており、広範囲の入射角において、光利用効率の更なる向上が求められている。
また、撮像素子の縮小化及び画素の微細化に伴い、画素あたりの入射光量の減少、導光領域の構造物による迷光、隣接素子への光の漏れこみなど、対応する光電変換部へ到達する光量の低下による画像の悪化が知られている。そのため、光利用効率の更なる向上が求められている。
上述したような従来の技術では、入射光の光電変換部への導光は十分ではなく、更なる改善が求められている。
また、フォトニック結晶を用いた構造については、撮像素子における画素の位置による入射光の角度の違いが考慮されていないという問題点があった。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、低損失かつ高集光効率の撮像素子及びこれを用いた撮像装置を実現することを目的とする。
本発明の第1の側面は、光電変換部と前記光電変換部へ光を導く導光部とを有する撮像素子に係り、前記導光部は、周囲と屈折率が異なる物質からなる構造体を複数備え、前記撮像素子内において前記構造体が占有する領域は、前記撮像素子内において不均一であることを特徴とする。
本発明の第2の側面は、撮像装置に係り、上記の複数の撮像素子が2次元に配列された撮像部を備え、前記撮像部の積層方向における前記複数の構造体の各々の長さが、前記撮像素子の面内方向の幅と同じ間隔で繰り返し段階的に長くなっており、かつ、前記複数の構造体の少なくとも1つは、他の前記構造体とは異なる撮像素子内に配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、低損失かつ高集光効率の撮像素子及びこれを用いた撮像装置を実現することを目的とする。
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態に係る撮像部について詳細に説明する。本発明の好適な実施の形態に係るデジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラなどの撮像装置は、以下の各実施形態に係る撮像部を備える。ただし、例示される構成部品の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更することができ、本発明がこれらの実施の形態のみに限定されない。
また、以下で例示する実施の形態においては、マイクロレンズなどの既知の技術と本発明とを組み合わせた例を示しているが、本発明はそれらの構造との組み合わせのみに限定されない。すなわち、本発明のみが用いられてもよいし、本発明と他の構造との組み合わせが用いられてもよい。
本願発明の好適な実施の形態では、撮像部に配置された撮像素子内に周囲よりも屈折率の低い物質からなる複数の構造体が配置されている。そして、このような複数の構造体の各構造体が占める領域が、撮像素子内で不均一であることを特徴としている。例えば、撮像素子内の各構造体の長さ、幅、形状、分布などが撮像素子内の積層方向及び面内方向の少なくとも一方において異なっている。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の好適な第1の実施形態に係る撮像部における撮像素子の概略的な構成を示す断面図である。図1に示す撮像素子100は、撮像部の右側に配置された周辺部の撮像素子である。図15を参照すると、撮像部1500の左側を(a)、中央を(b)、右側を(c)とすれば、図1の撮像素子100は、図15の撮像部1500の右側(c)に位置する周辺部の撮像素子に対応する。また、入射角は、図15において撮像部1500の中心上方から右側(c)に入射する光、すなわち図1の撮像素子100において左側から入射する光を負にとることとする。ここで、入射角とは、図16に示すように、撮像部1500の表面(以下「撮像面」という。)に垂直な線1601と入射光とがなす角θとする。また、入射角が大きいことは、θの絶対値の大きいことを意味することとする。なお、上述した入射角は、後述する第2〜第11の実施形態についても同様に適用される。
図1は、撮像部の中心と撮像素子の中心を結ぶ直線を通り、撮像面に垂直な面における撮像素子の断面図である。上述したように、図1において左側が撮像部の中心側に対応している。
11はマイクロレンズ、12はカラーフィルタ、13は平坦化層、14は電気信号転送用の配線、15は平坦化層、16及び17は光電変換を行う領域である。21は周囲よりも屈折率の低い物質からなる低屈折率層である。
マイクロレンズ11、カラーフィルタ12、平坦化層13及び平坦化層15は、対応する波長に対してほぼ透明であり、例えば、屈折率が約1.45の誘電体材料である酸化シリコン(SiO)や樹脂材料などを用いることができる。配線14は、例えば、アルミニウムや銅を用いることができる。光電変換部としては、例えば、半導体素子を用いることができ、例えば、17としてp型Si基板、16としてp型Si基板にイオン注入をすることによって形成されたn型領域を用いることができる。
構造21aは、対応する波長に対してほぼ透明で、周囲よりも屈折率の低い物質からなる複数の構造体により構成されている。各構造体は、例えば、空気や窒素等の不活性ガスにより形成された中空層や樹脂層を用いることができる。このような構造体の製造方法としては、周知の技術を適用すればよく、例えば、中空層の製造方法を開示した特許文献4の技術を適用することができる。また、構造21aは、入射光の波長程度又はそれ以下の長さの周期で各構造体が周期的に配置されている。
構造21aは、その屈折率が周囲の物質と異なればよい。例えば、構造21の周囲を屈折率2.0程度の窒化シリコン(SiN)で形成し、構造21を屈折率1.4程度の酸化シリコン(SiO)で形成してもよい。
構造21aは、面内方向に幅0.1μm、構造体間隔0.1μmをもつ周期構造となっており、屈折率は1.1である。左端での積層方向の構造体の長さは0.1μmであり、図の左側から順に積層方向の長さが0.1μmずつ長くなっている。構造体の上端は積層方向についてほぼ同じ位置にある。
図13は、FDTD法を用いた数値計算シミュレーションによる光利用効率の測定結果である。横軸は入射光の角度を示し、縦軸は光電変換部に入射した光の量、すなわち光利用効率を示している。
破線は、従来の撮像素子を用いたものであり、実線は、第1の実施形態に係る撮像素子を用いたものである。上述したように、撮像素子の位置によって左側から入射する光、すなわち負の入射角をもつ入射光が多くなる。第1の実施形態に係る撮像部は、負の入射角をもつほぼ全角度の入射光に対して、従来の撮像部よりも光利用効率が向上していることが分かる。特に、入射光の角度がマイナス20度の場合においては、光利用効率が約50パーセント増加していることが分かる。
(第2の実施形態)
第1の実施形態では、周囲に対して屈折率の低い構造体を挿入した例を示したが、第2の実施形態では、周囲に対して屈折率の高い構造体を挿入する。
第1の実施形態と同様に、図2において撮像部の右側、すなわち負の入射角を持つ光が多く入射する周辺部の撮像素子200を例に示す。図2に示した構造21bは、面内方向に幅0.2μm、構造体間隔0.2μmをもつ周期構造となっており、屈折率は1.8である。左端での積層方向の構造体の長さは1.4μmであり、図の左側から順に積層方向の長さが0.1μmずつ短くなっている。構造体の上端は積層方向についてほぼ同じ位置にある。
図14は、FDTD法を用いた数値計算シミュレーションによる光利用効率の測定結果である。横軸は入射光の角度を示し、縦軸は光電変換部に入射した光の量、すなわち光利用効率を示している。
破線は、従来の撮像素子を用いたものであり、実線は、第2の実施形態に係る撮像素子200を用いたものである。第2の実施形態に係る撮像素子200は、負の入射角をもつほぼ全角度の入射光に対して、従来の撮像部よりも光利用効率が向上していることが分かる。
(第3の実施形態)
第1、第2の実施形態では、撮像素子の導光部に積層方向の幅が変化する周期構造を配置した場合の例を示したが、このような周期構造に代えて準周期構造を配置してもよい。図3は、その一例を示す図であり、撮像素子300の導光部に場所によって面内方向の幅が異なる準周期構造21cを配置した例を示している。準周期構造21cの積層方向における長さはほぼ一定である。
ここで、準周期構造とは、繰り返される構造体の幅及び間隔がそれぞれ適時変化しており、一定ではない構造のことである。なお、積層方向とは撮像部において光軸に平行、撮像面に垂直な方向をさす。また、面内方向とは、積層方向に垂直、撮像面に平行な方向をさす。
(第4の実施形態)
第3の実施形態では、撮像素子の導光部に積層方向における長さがほぼ一定の準周期構造を配置した場合の例を示したが、準周期構造の積層方向における長さが変化してもよい。図4は、その一例を示す図であり、撮像素子400の導光部に面内方向には左側から長さが長くなり、積層方向の長さも長くなるように形成された準周期構造21cを配置した例を示している。なお、図4では、準周期構造21cの構造体の長さが左側から2つの構造体ごとに長くなっているが、これに限定されず、準周期構造21cの構造体の長さが左側から1つの構造体ごとに段階的に長くなってもよいし、3つ以上の構造体ごとに長くなってもよい。
(第5の実施形態)
第1〜第4の実施形態では、周期構造及び準周期構造が撮像素子のほぼ全体にわたって配置されている。これに対し、第5の実施形態では、導光部の構造及び入射光に応じて、周期構造又は準周期構造が、撮像素子の面内方向において局所的に配置されている。例えば、図5に示すように、撮像素子500の面内方向において右側に局所的に周期構造又は準周期構造21eが配置されている。図5では、入射角に対応して撮像素子500の右側に局所的に周期構造又は準周期構造21eを配置した例を示したが、撮像素子500の左側や中央に局所的に配置してもよい。
(第6の実施形態)
第1〜第5の実施形態では、周期構造又は準周期構造の積層方向の長さがほぼ一定の割合で変化した。これに対し、第6の実施形態では、周期構造又は準周期構造の積層方向の長さが一定の割合で変化しておらず、導光部の構造及び入射光に応じて適時変化している。図6は、その一例を示す図であり、撮像素子600内に周期構造又は準周期構造21gが全体としてアーチ状の形状となるように配置されている。本実施形態では、一例として周期構造又は準周期構造21gの形状が全体としてアーチ状となるものを示したが、本発明はこれに限定されず、周期構造又は準周期構造21gが形状が全体として多角形、楕円形、放物線形状などとなってもよい。
(第7の実施形態)
第1〜第6の実施形態では、光電変換部の直上に周期構造又は準周期構造を配置した例を示した。これに対し、第7の実施形態では、導光部の構造及び入射光の構造に応じて、撮像素子内に周期構造又は準周期構造21gが面内方向に偏心して配置されている。図7はその一例を示す図であり、撮像素子700、701内に負の入射角で入射した光に対して周期構造又は準周期構造21gが偏心して配置された例を示す。
(第8の実施形態)
第7の実施形態では、周期構造又は準周期構造21gの上端の積層方向における位置が同一であった。これに対し、第8の実施形態では、周期構造又は準周期構造の積層方向における位置が同一ではなく、導光部の構造や入射光によって適時変化している。図8及び図9はその実施形態の一例を示す。図8は、撮像素子800内で周期構造又は準周期構造21hの積層方向の下端の位置が同一となるように配置された例を示す。図9は、撮像素子900内で周期構造又は準周期構造21iの積層方向の長さ左側から順に長くなり、その下端が全体としてアーチ状の形状となるように配置した例を示す。
(第9の実施形態)
第1〜第8の実施形態では、本発明の好適な実施の形態に係る周期構造又は準周期構造が平坦化層に配置されているが、カラーフィルタ層に配置されてもよい。また、例えば、図10に示すように、撮像素子1000内の下部の平坦化層15やカラーフィルタよりも上層の部分など、周期構造又は準周期構造21jを撮像素子1000内の積層方向に移動させて、導光部の任意の層に配置してもよい。図10では、下部の平坦化層15に周期構造又は準周期構造21jを配置しているが、第7の実施形態と組み合わせた構造を用いてもよい。
(第10の実施形態)
周期構造又は準周期構造は、入射光の角度に対応した形状を持たせるため、撮像面を光が入射する側から見た場合、図11に示すように、平行線、同心円、楕円、多角形などの形状であってもよい。図11は、撮像部1100の撮像面を光の入射方向から見た場合を示している。図11では、撮像部1100の右上に位置する領域1101において、撮像部1100の中心から領域1101の中心に引いた直線Aに垂直な平行線形状となるように周期構造又は準周期構造21kが配置されている。他の例としては、撮像素子の左下の点を中心とする同心多角形形状となるように配置された周期構造又は準周期構造21lや撮像素子の左下の点を中心とする同心円形状となるように配置された周期構造又は準周期構造21mがある。
また、撮像部1100の右側中段に位置する領域1102において、撮像部1100の中心から領域1102の中心に引いた直線Bに垂直な平行線形状となるように周期構造又は準周期構造21nが配置されてもよい。また、他の例としては、撮像素子の左側中段を中心とする同心多角形形状となるように配置された周期構造又は準周期構造21o撮像素子の左側中段を中心とする同心円形状となるように配置された周期構造又は準周期構造21pがある。
(第11の実施形態)
各撮像素子の周期構造又は準周期構造の積層方向の長さは、撮像部における撮像素子の位置によって変化する入射光により適時変化させてもよい。第11の実施形態では、各撮像素子の積層方向の代表的な長さは、撮像素子の中心から周辺に向かって順に長く又は短くなるように変化している。例えば、図12のような構造を一例として示す。
撮像部1200の周辺の撮像素子1202内の周期構造又は準周期構造21rは、撮像部1200の中心に近い撮像素子1201内の周期構造又は準周期構造21qよりも、撮像素子内の積層方向に長くなっている。また、撮像部1200の更に周辺の撮像素子1203内の周期構造又は準周期構造21sは、撮像部1200のより中心に近い撮像素子1202内の周期構造又は準周期構造21rよりも、撮像素子内の積層方向に長くなっている。
ここで、撮像素子の積層方向の代表的な長さとは、撮像素子ごとの積層方向の構造体の長さを示す特徴的な長さであればよく、例えば、撮像素子ごとの構造体の長さの平均、端の構造体の長さ、中心の構造体の長さなどであってもよい。
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成を取りうる。
本発明の好適な第1の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第2の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第3の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第4の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第5の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第6の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第7の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第8の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第8の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第9の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第10の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第11の実施形態に係る撮像部の概略的な構成を示す断面図である。 本発明の好適な第1の実施形態に係る光利用効率測定の数値シミュレーション結果である。 本発明の好適な第2の実施形態に係る光利用効率測定の数値シミュレーション結果である。 撮像素子の位置における入射光の違いを示す概略図である。 撮像素子面と入射光がなす入射角の定義を示す図である。 従来の撮像素子の形態を示す概略断面図である。
符号の説明
11:マイクロレンズ
12:カラーフィルタ
13:平坦化層
14:電気信号転送用の電極
15:平坦化層
16、17 光電変換部
21:屈折率の異なる構造体

Claims (11)

  1. 光電変換部と前記光電変換部へ光を導く導光部とを有する撮像素子であって、
    前記導光部は、周囲と屈折率が異なる物質からなる構造体を複数備え、
    前記撮像素子内において前記構造体が占有する領域は、前記撮像素子内において不均一であることを特徴とする撮像素子。
  2. 前記撮像素子の積層方向における前記複数の構造体のうち少なくとも1つの構造体の長さは、他の前記構造体の長さと異なることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  3. 前記撮像素子の積層方向における前記複数の構造体の各々の長さは、前記撮像素子の面内方向において段階的に変化していることを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
  4. 前記撮像素子の積層方向における前記複数の構造体の各々の長さは、前記撮像素子の中央に近いほど短くなっていることを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
  5. 前記撮像素子の面内方向における前記複数の構造体のうち少なくとも1つの構造体の幅は、他の前記構造体の幅と異なることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の撮像素子。
  6. 前記撮像素子の積層方向における前記複数の構造体の上端の位置が同一であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の撮像素子。
  7. 前記撮像素子の積層方向における前記複数の構造体の下端の位置が同一であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の撮像素子。
  8. 前記撮像素子の積層方向における前記複数の構造体の下端及び上端の位置の少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の撮像素子。
  9. 前記複数の構造体は、前記撮像素子の面内方向において局所的に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  10. 請求項1に記載の複数の撮像素子が2次元に配列された撮像部を備え、
    前記撮像部の積層方向における前記複数の構造体の各々の長さが、前記撮像素子の面内方向で繰り返し段階的に長くなっており、かつ、前記複数の構造体の少なくとも1つは、他の前記構造体とは異なる前記撮像素子内に配置されていることを特徴とする撮像装置。
  11. 前記撮像素子の面内方向における前記複数の構造体のうち少なくとも1つの構造体の形状は、前記撮像素子の面内方向における他の前記構造体の形状と異なることを特徴とする請求項10に記載の撮像装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011096732A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器
JP2014041921A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004304148A (ja) * 2002-09-27 2004-10-28 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005011969A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
WO2005008781A1 (en) * 2003-07-21 2005-01-27 Optomecha Co. Ltd. Image sensor and method for fabricating the same
JP2005244947A (ja) * 2004-01-26 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびこれを用いたカメラ
WO2005101067A1 (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 集光素子および固体撮像装置
WO2006025496A1 (ja) * 2004-09-01 2006-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 集光素子、固体撮像装置およびその製造方法
JP2006351972A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子、固体撮像装置およびその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004304148A (ja) * 2002-09-27 2004-10-28 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005011969A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
WO2005008781A1 (en) * 2003-07-21 2005-01-27 Optomecha Co. Ltd. Image sensor and method for fabricating the same
JP2005244947A (ja) * 2004-01-26 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびこれを用いたカメラ
WO2005101067A1 (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 集光素子および固体撮像装置
WO2006025496A1 (ja) * 2004-09-01 2006-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 集光素子、固体撮像装置およびその製造方法
JP2006351972A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子、固体撮像装置およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011096732A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器
JP2014041921A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法

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