JP2008135625A - 有機発光表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子注入層に注入する電子注入量を増加させることにより、発光輝度を向上させたトップエミッション型の有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板SUB上に少なくとも陰極CD,電子注入層EIL,電子輸送層ETL,発光層EML,正孔輸送層HTL及び陽極ADを順次積層して形成し、電子注入層EILが(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)(Alq3)とリチウム(Li)との共蒸着層により形成し、電子輸送層ETLが(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)(Alq3)の蒸着層により形成することにより、Li/Alq3共蒸着層の比率は、1以上、3以下とし、共蒸着層の膜厚は、1nm以上、3nm以下とし、Alq3蒸着層の膜厚は、5nm以上、7.5nm以下とすることにより、抵抗成分が減少し、電流が増加し、発光層に注入される電子注入量が増加(電子移動度が大きくなる)ので、発光輝度が向上する。
【選択図】図1

Description

本発明は、一対の電極間に有機発光層を設け、一対の電極により有機発光層に電界を印加させて発光させる有機発光表示装置に係わり、特に有機発光層に接合される電子輸送層及び電子注入層を構成する有機材料の層構造に関するものである。
近年、有機発光表示装置が次世代平面型表示装置として注目されている。この有機発光表示装置は、自発光、広視野角、高速応答性特性等の優れた特性を有している。この有機発光表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。
ボトムエミッション型の有機発光表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁性基板上に第1の電極または一方の電極としてのITOなどの透明電極、電界の印加により発光する有機発光層(有機多層膜とも言う)、第2の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構により有機発光素子が構成される。この有機発光素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶とも称する他の基板を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。
そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機発光層にキャリア(電子と正孔)が注入され、当該有機発光層が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。
一方、トップエミッション型の有機発光表示装置は、上述した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をITO等の透明電極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機発光層が発光し、この発光を上述した他方の電極側から出射する構成となっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶としてガラス板を好適とする透明板が使用される。
このように構成される有機発光表示装置では、有機発光素子の発光時に一方の電極と他方の電極との間に印加される電界に応じて発光機構の有機発光層にキャリアが注入されて発光する。この有機発光素子の各層の膜厚は、それぞれ数十乃至数百nm程度であり、光干渉効果の影響を受ける。その干渉効果を利用して赤色、緑色、青色の各々の発光効率を高めている。
近年、有機発光表示装置の実用化に向けて発光効率を向上させるための改善例の一つとして下記特許文献1,特許文献2及び特許文献3には、シロールを電子輸送層及び発光層に用いることにより、低電圧にて高輝度発光を実現可能とした有機発光表示装置が開示されている。
また、特許文献4には、アントラセン誘導体を発光層に含有させることにより、発光効率及び耐熱性を向上させた有機発光表示装置が開示されている。
さらに、下記特許文献5には、ジスチリルアリーレン誘導体を発光層に含有させることにより、発光効率及び長寿命を実現可能とした有機発光表示装置が開示されている。
また、下記特許文献6には、a−SiC:H(水素添加アモルファスシリコンカーバイト)を発光層に含有させることにより、青色発光色を実現可能とした有機発光表示装置が開示されている。
特開平09−087616号公報 特開平09−194487号公報 特開平10−017860号公報 国際特許公報WO01/072673号 特開2000−273055号公報 特開平06−204562号公報
しかしながら、このように構成される有機発光表示装置において、トップエミッション型では電子注入を行う一方の電極(反射性を有する金属電極:陰極),電子注入層,電子輸送層の積層構造がその層構成を最適化する中で発光強度及び電流効率に対して大きな影響を与えていることが分かった。つまり、層構成を最適化する中で種々の得失が明らかとなり、高輝度発光及び長寿命化等が得られ難いという課題があった。
したがって、本発明は前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電子注入層に注入する電子注入量を増加させることにより、発光輝度を向上させたトップエミッション型の有機発光表示装置を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による有機発光表示装置は、絶縁性基板上に少なくとも陰極,電子注入層,電子輸送層,発光層,正孔輸送層及び陽極を順次積層して形成され、電子注入層が(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)(Alq3)とリチウム(Li)との共蒸着層により形成し、電子輸送層が(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)(Alq3)の蒸着層により形成することにより、当該共蒸着層の抵抗成分が減少し、電流が増加し、発光層に注入される電子注入量が増加(電子移動度が大きくなる)するので、発光輝度が向上することになり、背景技術の課題を解決することができる。
また、本発明による他の有機発光表示装置は、好ましくは、上記構成において、電子注入層を形成する(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)とリチウムとの共蒸着層の比率は、1以上、3以下とすることを特徴としている。
また、本発明による他の有機発光表示装置は、好ましくは、上記構成において、電子注入層を形成する(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)とリチウムとの共蒸着層の膜厚は、1nm以上、3nm以下とすること特徴としている。
また、本発明による他の有機発光表示装置は、好ましくは、上記構成において、電子輸送層を形成する(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)の蒸着層の膜厚は、5nm以上、7.5nm以下とすることを特徴としている。
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
本発明によれば、発光層に注入される電子注入量が増大するので、発光輝度の高いトップエミッション型の有機発光表示装置が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる。
また、本発明によれば、トップエミッション型の有機発光装置の性能がボトムエミッション型と略同等となり、その構成上、高開口率化により発生する高輝度及び長寿命の有機発光表示装置が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる。
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明による有機発光表示装置の一実施例による有機発光素子の構成を製造プロセスに基づいて説明する要部模式拡大断面図である。まず、図1に示すように例えば板厚約1.1mmの絶縁性無アルカリガラス基板SUB上にアルミニウム(Al)を真空蒸着法により約200nmの厚さに成膜して反射電極CD1を形成した後、引き続き、例えばITO(Indium Tin Oxide)を真空蒸着法により約35nmの厚さに成膜して透光性電極CD2を形成して光反射性も同時に有する陰極CDとする。なお、ITOに代えてIZO(Indium Zinc Oxide)を用いることができる。
続いて、この陰極CD上にリチウム(Li)と(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)(Alq3)とを共蒸着法により約3nmの厚さに成膜して電子注入層EILを形成する。引き続き、この電子注入層EIL上に(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)(Alq3)を真空蒸着法により約7.5nmの厚さに成膜して電子輸送層ETLを形成する。
このような層構成においては、本実施例では電子注入層EILの膜厚を約3nmとしたが、実用的には約1nm〜3nmの範囲とする。また、電子輸送層ETLの膜厚を約7.5nmとしたが、実用的には約5nm〜7.5nmの範囲とする。
次に、この電子輸送層ETL上に例えば緑色発光材料として、トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム(Alq)を真空蒸着法により約40nmの厚さに成膜して有機発光層EMLを形成する。次にこの有機発光層EML上に有機材料としてラジカルアニオン・カチオン安定性に優れ、正孔及び電子移動度の等しいシラシクロペンタジエン誘導体として例えば1−アリル−1,2,3,4,5−ペンタフェニルシラシクロペンタジエン(APS)を真空蒸着法により約20nmの厚さに成膜して正孔輸送層HTLを形成する。
続いて、この正孔輸送層HTL上に五酸化バナジウム(V25)を例えば真空蒸着法により約10nmの厚さに成膜してバッファ層BFを形成した後、このバッファ層BF上に例えばIZOをスパッタリング法により約60nmの厚さに成膜して陽極ADを形成する。また、IZOに代えてITOを用いることができる。
なお、このバッファ層BFとしてV25を用いた場合、V25は正孔輸送層の機能も有するため、正孔注入層及び正孔輸送層HTLを形成しなくても直接発光層EMLに正孔を注入することが可能となる。また、このV25は、有機発光層EMLのスパッタリングからの保護層及び酸化防止機能も同時に兼ね備えている。
このようにして作製された有機発光表示装置は、有機発光素子を構成する陽極ADと陰極CDとの間に陽極ADにプラス、陰極CDにマイナスとなる直流電圧を印加することにより、正孔輸送層HTLから発光層EMLへの正孔の移送と、電子輸送層ETLから発光層EMLへ注入される電子の移送とにより、有機発光層EMLを発光させ、陽極AD側から外部上方に向かって発光光Lとして出射する。
図2は、陽極ADと陰極CDとの間に約8Vの直流電圧を印加したときの電子注入層EILを構成するLiとAlq3との共蒸着層の膜厚と発光輝度との関係を測定した結果を示す図である。図中、黒の菱形(◆)印はLi/Alq3比率=3、黒の四角(■)印はLi/Alq3比率=1の場合を示している。図2から明らかなようにLiとAlq3との共蒸着層の膜厚範囲としては、膜厚が薄くなるほど抵抗成分が少なくなり、電流が増えて輝度が高くなる傾向がある。しかし、膜厚が約1nm程度まで薄くなると、発光層EMLの発光輝度が極端に低下して有機発光素子の発光寿命が短くなる。
この輝度低下は、陰極CDを構成する反射電極CD1及び透光性電極CD2の構成材料(AL,ITO)と、電子注入層EIL内のLiとがその界面で反応してLiが酸化して失われる。したがって、電子注入層EILの膜厚は、約1nm以上、好ましくは約3nm以下の範囲が好適である。
図3は、陽極ADと陰極CDとの間に約8Vの直流電圧を印加したときの電子輸送層ETLを構成するAlq3蒸着層の膜厚に対する発光輝度の関係を測定した結果を示す図である。図3から明らかようにAlq3蒸着層の膜厚が薄くなるほど抵抗成分が少なくなり、電流が増え、輝度が向上する傾向にあるが、その膜厚が約5nm以下では輝度の低下を招き、Alq3蒸着層の膜厚が約7.5nm近傍では輝度が極大となっている。
発明者等は、電子輸送層ETLとして、膜厚約10nmのAlq3蒸着層のサンプルを複数個作製し、これらのサンプルについてSIMS(二次イオン質量分析計)を用いて元素分析を行い、Al層とLi層との深さ方向のプロファイルを測定した結果、LiがAlq3蒸着層中に約7nm程度拡散していることが分かった。Alq3蒸着層は、Liの拡散に対してバリア性を有し、比較的薄膜で拡散を防ぐ効果がある。当初Alにキレート結合しているが、その片方がLiと結合し直し、トラップすると思われる。
SIMS分析の結果、約7nm程度でLiの拡散が留まっており、有機発光層EML中へのLi拡散としは少ない。Liが発光層EMLに侵入すると、消光させてしまうので、輝度は低下する。Liは約0.1atm%以下、有機発光素子の発光寿命も考慮すると、約10ppm以下が好ましい。発光層EML内にLiが浸入しない条件としては、電子輸送層ETLを構成するAlq3蒸着層の膜厚は約7.5nm以上である。
また、電子輸送層ETLとして、膜厚約5nmのAlq3蒸着層のサンプルを複数個作製し、SIMS分析を行ったところ、Alよりも先にLiが検出され、膜厚約5nm以上で拡散することが分かった。さらに、膜厚約7nmのAlq3蒸着層のサンプルでは、AlとLiとが同時に検出され、Alq3蒸着層の膜厚約10nmのサンプルの結果と一致した。
図4は、陽極ADと陰極CDとの間に約8Vの直流電圧を印加したときの電子輸送層ETLを構成するAlq3蒸着層の膜厚に対する電流密度の関係を測定した結果を示す図である。図4に示すようにAlq3蒸着層の膜厚が薄くなるほど抵抗値が小さくなるので、電流密度が大きくなる。したがって、Alq3蒸着層の膜厚は約7.5nm以上であることが好ましい。
図5は、上記同様の駆動条件において、Alq3蒸着層の膜厚に対する電流輝度効率の関係を測定した結果を示す図である。図5に示すようにAlq3蒸着層の膜厚が約7.5nmよりも薄くすると、電子注入層EIL内のLiが発光層EML内に拡散して侵入することにより電流輝度効率が急激に低下することになる。したがって、Alq3蒸着層の膜厚が約7.5nm以上であることが好ましい。
図6は、上記同様の駆動条件において、Alq3蒸着層の膜厚に対する電力効率の関係を測定した結果を示す図である。図6に示すようにAlq3蒸着層の膜厚が約7.5μm以下となると、電力効率は電流輝度効率を反映して急激に低下することになる。
したがって、総合すると、電子輸送層ETLを構成するAlq3蒸着層の膜厚は、約5nm以上、約7.5nm以下の範囲が好適であることが明らかとなった。
本発明による有機EL表示装置の一実施例による有機発光素子の構成を示す要部断面図である。 電子注入層を構成するLiとAlq3との共蒸着層の膜厚に対する発光輝度の関係を示す図である。 電子輸送層を構成するAlq3の膜厚に対する発光輝度の関係を示す図である。 電子輸送層を構成するAlq3の膜厚に対する電流密度の関係を示す図である。 電子輸送層を構成するAlq3の膜厚に対する電流輝度効率の関係を示す図である。 電子輸送層を構成するAlq3の膜厚に対する電力効率の関係を示す図である。
符号の説明
SUB・・・絶縁性基板、CD1・・・反射電極、CD2・・・透光性電極、CD・・・陰極、EIL・・・電子注入層、ETL・・・電子輸送層、EML・・・有機発光層、HTL・・・正孔輸送層、BF・・・バッファ層、AD・・・陽極。

Claims (4)

  1. 絶縁性基板上に少なくとも陰極,電子注入層,電子輸送層,発光層及び正孔輸送層を順次積層して形成された有機発光表示装置において、
    前記電子注入層は、(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)とリチウムとの共蒸着層により形成され、前記電子輸送層は、(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)の蒸着層により形成されたことを特徴とする有機発光表示装置。
  2. 前記電子注入層を形成する(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)とリチウムとの共蒸着層の比率は、1以上、3以下とすることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記電子注入層を形成する(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)とリチウムとの共蒸着層の膜厚は、1nm以上、3nm以下とすること特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記電子輸送層を形成する(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)の蒸着層の膜厚は、5nm以上、7.5nm以下とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の有機発光表示装置。
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