JP2008135393A - 磁気によるプラズマの閉じ込め - Google Patents
磁気によるプラズマの閉じ込め Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008135393A JP2008135393A JP2007303948A JP2007303948A JP2008135393A JP 2008135393 A JP2008135393 A JP 2008135393A JP 2007303948 A JP2007303948 A JP 2007303948A JP 2007303948 A JP2007303948 A JP 2007303948A JP 2008135393 A JP2008135393 A JP 2008135393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- region
- magnetic field
- substrate support
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【解決手段】一実施形態において、プラズマを閉じ込めるための装置は、基板支持体と、プラズマが形成されるべき、前記基板支持体の少なくとも上部に設けられた第1の領域と、前記プラズマが選択的に抑制されるべき第2の領域との間の境界線の近傍で磁界を形成するための磁界形成デバイスを含む。この磁界は前記プラズマを形成するために用いられるプロセス条件に依存して、前記第1の領域から前記第2の領域へのプラズマの荷電活性種の動きを選択的に抑制する、プラズマの閉じ込めの方向に垂直な所要の磁界成分を有する。
【選択図】図5
Description
本発明は、一般に、プラズマを利用した基板の処理に関し、より詳細には、プラズマを利用した基板処理チャンバ内のプラズマの磁気的な閉じ込めに関する。
プラズマを利用した処理は、例えば、半導体デバイス及び集積回路の製造において、よく用いられる技術である。一般に、そのような処理は、置かれた半導体ウェハーのような基板を有するチャンバに、プロセスガスを導入し、基板の上部にプラズマを形成するために、プロセスガスに十分なエネルギーを加えることを含む。このプラズマは、基板上で行われる(蒸着、エッチングなどのような)プロセスを支援するために動作する中性の成分と共に、解離した、及び、イオン化した成分を含む。プラズマの構成物は、基板上でのプロセスを支援若しくは遂行するために有益であるが、他のプラズマの構成物が、チャンバの基板支持体、側壁若しくは蓋などのプロセスチャンバ内の他の部品に接触することは、好ましくない。そのように、基板が処理されている上部の領域にのみプラズマを含むように、又は、制限することがしばしば望まれている。
従って、プロセスチャンバ内にプラズマを閉じ込めるための改善された方法及び装置が望まれる。
Claims (16)
- 基板支持体と、
プラズマが形成されるべき、少なくとも前記基板支持体の上部に設けられた第1の領域と、前記プラズマが選択的に抑制される第2の領域との間の境界線の近傍に磁界を形成するための磁界形成デバイスを含み、
前記磁界は前記プラズマを形成するのに用いられるプロセス条件に依存して、前記第1の領域から前記第2の領域へのプラズマの荷電活性種の動きを選択的に抑制するプラズマ閉じ込めの方向に垂直な所要の磁界成分を有するプラズマを閉じ込めるための装置。 - プラズマが形成されるべき第1の領域とプラズマが選択的に抑制されるべき第2の領域とを有するプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に設けられた基板支持体と、
前記第1及び第2の領域の間の境界線の近傍に磁界を形成するための磁界形成デバイスとを含み、
前記磁界は、前記第1及び第2の領域の間において、第1のセットのプロセス条件の下で形成されたプラズマの荷電活性種の動きを抑制し、前記第1及び第2の領域の間において、第2のセットのプロセス条件の下で形成されたプラズマの荷電活性種の動きを抑制しない磁界を閉じ込めるための装置。 - 前記磁界形成デバイスは1つ若しくはそれ以上の電磁磁石を含む請求項1又は2記載の装置。
- 前記磁界形成デバイスは1つ若しくはそれ以上の永久磁石を含む請求項1又は2記載の装置。
- 前記磁界形成デバイスは前記基板支持体の中に、若しくは、前記基板支持体に結合されている請求項1〜4のいずれか1項記載の装置。
- 前記磁界形成デバイスは前記基板支持体の側面の近傍及び前記基板支持体の支持表面の主に下部に磁界を形成する請求項1〜5のいずれか1項記載の装置。
- 前記第1の領域は前記基板支持体の前記基板支持表面の上部に設けられた前記プロセスチャンバの上側領域を含み、前記第2の領域は前記基板支持体の前記支持表面の下側に設けられた前記プロセスチャンバの下側領域を含む請求項2〜6のいずれか1項記載の装置。
- 前記磁界形成デバイスは複数の磁石を含み、この複数の磁石は、少なくとも、前記基板支持体の側面に沿った第1の周辺パス及び前記プロセスチャンバの側壁の側面に沿った第2の周辺パスに沿って設けられている請求項2〜7のいずれか1項記載の装置。
- 前記磁界形成デバイスは複数の磁石を含み、この複数の磁石は前記基板支持体の側面に沿った少なくとも2列の離間した周辺パスに沿って設けられている請求項2〜7のいずれか1項記載の装置。
- 前記周辺パスは0.25及び0.5インチの間離間している請求項9記載の装置。
- 前記磁石の上側部分は前記基板支持体の前記支持表面の下4インチまでのところに設けられている請求項9記載の装置。
- 前記磁界形成デバイスは前記基板支持体の側面と前記プロセスチャンバの壁との間に設けられた領域内に磁界を形成するようになっている請求項2〜11のいずれか1項記載の装置。
- 前記プロセスチャンバの周りに設けられ、前記プラズマの特性を制御するよう構成された1つ以上磁石を更に含む請求項2〜12のいずれか1項記載の装置。
- プラズマが形成されるべき第1の領域とプラズマが選択的に抑制されるべき第2の領域とを有するプロセスチャンバを提供し、
前記第1の領域から前記第2の領域への方向に垂直な磁界成分を有する磁界を生成し、
前記プラズマが、第1のセットのプロセス条件の下で形成されるときに、前記第1の領域から第2の領域へのプラズマの荷電活性種の移動を抑制し、第2のセットのプロセス条件の下でプラズマが形成されるときに、前記第1の領域から前記第2の領域へのプラズマの荷電活性種の移動を制限しないように選択された構成を有するプラズマを閉じ込めるための方法。 - 前記プラズマの荷電活性種の動きが抑制されるように、前記第1のセットのプロセス条件により形成されたプラズマを用いて第1のプロセスを実行することを更に含む請求項14記載の方法。
- 前記プラズマの荷電活性種の動きが抑制されないように、前記第2のセットのプロセス条件により形成されたプラズマを用いて第2のプロセスを実行することを更に含む請求項15記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/564,206 US8092605B2 (en) | 2006-11-28 | 2006-11-28 | Magnetic confinement of a plasma |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135393A true JP2008135393A (ja) | 2008-06-12 |
Family
ID=39052714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007303948A Pending JP2008135393A (ja) | 2006-11-28 | 2007-11-26 | 磁気によるプラズマの閉じ込め |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8092605B2 (ja) |
EP (1) | EP1928010A1 (ja) |
JP (1) | JP2008135393A (ja) |
KR (1) | KR100968996B1 (ja) |
CN (1) | CN101193490B (ja) |
SG (1) | SG143212A1 (ja) |
TW (1) | TWI386111B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8092605B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement of a plasma |
WO2009090994A1 (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Ulvac, Inc. | 基板ステージ、これを備えたスパッタ装置及び成膜方法 |
EP2251452B1 (en) | 2009-05-13 | 2018-07-18 | SiO2 Medical Products, Inc. | Pecvd apparatus for vessel coating |
WO2013170052A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
UA87745U (uk) * | 2010-07-30 | 2014-02-25 | Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины | Плазмовий реактор з магнітною системою |
US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
CN104854257B (zh) | 2012-11-01 | 2018-04-13 | Sio2医药产品公司 | 涂层检查方法 |
JP2014112644A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-06-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
EP2920567B1 (en) | 2012-11-16 | 2020-08-19 | SiO2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
EP2925903B1 (en) | 2012-11-30 | 2022-04-13 | Si02 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
WO2014134577A1 (en) | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
KR102336796B1 (ko) | 2013-03-11 | 2021-12-10 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 코팅된 패키징 |
US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
WO2014144926A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating method |
US20150221481A1 (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Michael D. Willwerth | Electrostatic chuck with magnetic cathode liner for critical dimension (cd) tuning |
EP3122917B1 (en) | 2014-03-28 | 2020-05-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
JP2018523538A (ja) | 2015-08-18 | 2018-08-23 | エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド | 低酸素透過速度を有する薬剤包装及び他の包装 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10259480A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Anelva Corp | イオン化スパッタリング装置 |
JPH10308297A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001093699A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ処理装置 |
WO2001037311A2 (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the volume of a plasma |
WO2001082328A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust |
JP2002110565A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Sony Corp | プラズマ処理装置及び処理方法、並びに半導体装置の製造方法 |
US6562189B1 (en) * | 2000-05-19 | 2003-05-13 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor with a tri-magnet plasma confinement apparatus |
JP2006114767A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2598336B2 (ja) | 1990-09-21 | 1997-04-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
US6042707A (en) * | 1998-05-22 | 2000-03-28 | Cvc Products, Inc. | Multiple-coil electromagnet for magnetically orienting thin films |
US6716302B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
US6664740B2 (en) | 2001-02-01 | 2003-12-16 | The Regents Of The University Of California | Formation of a field reversed configuration for magnetic and electrostatic confinement of plasma |
US7869570B2 (en) * | 2004-12-09 | 2011-01-11 | Larry Canada | Electromagnetic apparatus and methods employing coulomb force oscillators |
US8092605B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement of a plasma |
-
2006
- 2006-11-28 US US11/564,206 patent/US8092605B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-22 EP EP07121277A patent/EP1928010A1/en not_active Withdrawn
- 2007-11-26 JP JP2007303948A patent/JP2008135393A/ja active Pending
- 2007-11-27 KR KR1020070121606A patent/KR100968996B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-11-28 SG SG200718136-5A patent/SG143212A1/en unknown
- 2007-11-28 TW TW096145243A patent/TWI386111B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-28 CN CN200710187196XA patent/CN101193490B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10259480A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Anelva Corp | イオン化スパッタリング装置 |
JPH10308297A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001093699A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ処理装置 |
WO2001037311A2 (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the volume of a plasma |
WO2001082328A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust |
US6562189B1 (en) * | 2000-05-19 | 2003-05-13 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor with a tri-magnet plasma confinement apparatus |
JP2002110565A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Sony Corp | プラズマ処理装置及び処理方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2006114767A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1928010A1 (en) | 2008-06-04 |
CN101193490B (zh) | 2011-07-27 |
KR100968996B1 (ko) | 2010-07-09 |
KR20080048417A (ko) | 2008-06-02 |
US8092605B2 (en) | 2012-01-10 |
SG143212A1 (en) | 2008-06-27 |
US20080121345A1 (en) | 2008-05-29 |
CN101193490A (zh) | 2008-06-04 |
TWI386111B (zh) | 2013-02-11 |
TW200835395A (en) | 2008-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008135393A (ja) | 磁気によるプラズマの閉じ込め | |
JP3691784B2 (ja) | 低周波誘導型高周波プラズマ反応装置 | |
KR101988081B1 (ko) | 플라즈마-강화 기판 처리 방법 및 장치 | |
JP5205378B2 (ja) | Rf変調によって弾道電子ビームの均一性を制御する方法及びシステム | |
KR20190037118A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR102390726B1 (ko) | 유기막을 에칭하는 방법 | |
JP2005045231A (ja) | 誘導性プラズマリアクター | |
WO2003054912A1 (en) | Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece | |
TWI815822B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
US7097716B2 (en) | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect | |
JP4920991B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US10763087B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP7369835B2 (ja) | 中性原子ビームを使用した被加工物処理のためのシステムおよび方法 | |
JP2019061849A5 (ja) | ||
JPH03184335A (ja) | 表面クリーニング装置及びその方法 | |
US10529583B2 (en) | Etching method | |
TW202027161A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
JP2021150510A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
US20120145325A1 (en) | Plasma apparatus | |
JP2006319181A (ja) | プラズマエッチング装置、及び当該装置のクリーニング方法 | |
JP2004165644A (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
KR200475446Y1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 낮은 경사의 엣지 링 | |
JP2023533500A (ja) | 調節可能な形状トリムコイル | |
JP2001185540A (ja) | ポリマー引込み型プラズマ閉込め反応容器 | |
KR20120008822U (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 낮은 경사의 엣지 링 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120829 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120903 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120926 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121001 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121027 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121121 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130611 |