JP2008134345A - Repair method of active matrix display - Google Patents

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一由 小俣
Makoto Shibusawa
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861Repairing

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix display which can efficiently be repaired with high reliability, and provide its repair method. <P>SOLUTION: This display has display components 16, pixel circuits which include transistors 26 connected to those display components to drive, and pixels arranged in a matrix on the substrate 8. The transistors are formed on the substrate and have semiconductor layers 50 including repair areas 50b. The display components are formed on the substrate with an inter-layer film in between, and have first electrodes 62 connected to the transistors and second electrodes 66 formed overlapping the first electrodes. The first electrodes have openings 63 where they overlap the repair areas of the transistors. When repairing, a laser beam is emitted from the substrate side to the repair area to cut the semiconductor layers. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、アクティブマトリックス型表示装置のリペア方法に関する。   The present invention relates to a repair method for an active matrix display device.

近年、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びている。中でも、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチを各画素に設けたアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されている。   In recent years, the demand for flat display devices typified by liquid crystal display devices has been rapidly increased by taking advantage of the features of thinness, light weight, and low power consumption. In particular, an active matrix display device in which a pixel switch having a function of electrically separating an on pixel and an off pixel and holding a video signal to the on pixel is provided in each pixel has crosstalk between adjacent pixels. Therefore, it is used for various displays including portable information devices.

このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、自己発光素子であるOLED(オーガニック・ライト・エミッティング・ダイオード)を用いた有機エレクトロルミネセンス(EL)表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。有機EL表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。   As such a flat-type active matrix display device, an organic electroluminescence (EL) display device using an organic light emitting diode (OLED), which is a self-luminous element, has attracted attention, and research and development have been actively conducted. Has been done. The organic EL display device does not require a backlight that obstructs the reduction in thickness and weight, is suitable for moving image reproduction because of high-speed response, and further has a feature that it can be used even in a cold region because the luminance does not decrease at low temperatures.

有機EL表示装置はマトリクス状に設けられた複数の画素を備え、各画素は、表示素子としての有機EL素子と、表示素子へ駆動電流を供給する画素回路とを含んでいる。そして、有機EL表示装置は、表示素子の発光輝度を制御することにより表示動作を行なう。画素回路は、例えば、有機EL素子に直列に接続された駆動トランジスタおよび出力スイッチ、映像信号線と画素回路との間に接続され画素回路を選択する画素スイッチ、駆動トランジスタのソース−ゲート間に接続され映像信号に応じたゲート電位を保持する保持容量等を備えている。これらの画素スイッチ、駆動トランジスタ、出力スイッチは、例えば、薄膜トランジスタにより構成されている。   The organic EL display device includes a plurality of pixels provided in a matrix, and each pixel includes an organic EL element as a display element and a pixel circuit that supplies a drive current to the display element. The organic EL display device performs a display operation by controlling the light emission luminance of the display element. The pixel circuit includes, for example, a drive transistor and an output switch connected in series to the organic EL element, a pixel switch connected between the video signal line and the pixel circuit, and connected between the source and gate of the drive transistor. And a storage capacitor for holding a gate potential corresponding to the video signal. These pixel switches, drive transistors, and output switches are constituted by thin film transistors, for example.

このような有機EL表示装置は、製造工程において、配線間ショート、トランジスタのゲートリーク、保持容量のショート等が生じる場合がある。例えば、トランジスタのゲートリークが生じた場合、表示素子に常時電流が流れるため、表示素子が常時発光して輝点となる。また、保持容量のショートが生じた場合、ショートした部分に電流が流れ過ぎてしまい、表示素子に電流が流れず黒点(滅点)となる。保持容量のショートに起因する黒点が生じた場合、この画素と同一の信号線に接続され次行に続く数行の画素もうっすらと暗くなり、黒点から黒い尾を引いた状態となる。   In such an organic EL display device, a short circuit between wirings, a gate leak of a transistor, a short circuit of a storage capacitor, or the like may occur in a manufacturing process. For example, when a gate leak of a transistor occurs, a current always flows through the display element, so that the display element always emits light and becomes a bright spot. In addition, when the storage capacitor is short-circuited, current flows excessively in the short-circuited portion, and current does not flow to the display element, resulting in a black spot (dark spot). When a black spot is generated due to a short-circuit of the storage capacitor, a few lines of pixels connected to the same signal line as this pixel are darkened, and a black tail is drawn from the black spot.

このことから、装置完成後の点灯試験により黒点が検出された際、黒点画素を効率的に修復するリペア方法が要求されるようになっている。有機EL表示装置では、輝点、黒点をリペアする場合、発光素子の陰極と陽極との間に電流が流れないようにする必要がある。例えば、特許文献1には、装置完成後、レーザ光を所望の部位に照射してリペアを行う方法が提案されている。
特開2000−208252号公報
For this reason, when a black spot is detected by a lighting test after completion of the apparatus, a repair method for efficiently repairing the black spot pixel is required. In an organic EL display device, when repairing a bright spot or a black spot, it is necessary to prevent a current from flowing between the cathode and the anode of the light emitting element. For example, Patent Document 1 proposes a method of performing repair by irradiating a desired portion with laser light after completion of the apparatus.
JP 2000-208252 A

例えば、上記のような保持容量のショートに起因する黒点およびこれに続く尾引きが生じた場合、黒点が生じている画素において、信号線と画素スイッチとの接続部、および表示素子の入力側の接続部をレーザによって切断する方法が取られている。   For example, in the case where a black spot due to a short-circuit of the storage capacitor as described above and a tail that follows this occur, in the pixel where the black spot occurs, the connection between the signal line and the pixel switch, and the input side of the display element A method of cutting the connecting portion with a laser is used.

しかしながら、上記のように画素スイッチを信号線から切り離した場合、この画素に書き込む際の信号線の電位は白電位、すなわち、OVに近づくことなる。そのため、この画素と同一の信号線に接続され次行に続く数行の画素の電位も高くなり、所望の輝度よりも明るくなる。これにより、リペア後、黒点から白い尾を引いた状態となる。その結果、表示品位が低下するとい問題がある。   However, when the pixel switch is disconnected from the signal line as described above, the potential of the signal line when writing to the pixel approaches a white potential, that is, OV. For this reason, the potentials of the pixels in the next several rows connected to the same signal line as this pixel also become higher and become brighter than the desired luminance. Thereby, after repair, it will be in the state which pulled the white tail from the black spot. As a result, there is a problem that the display quality is deteriorated.

この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、黒引き黒点を確実にリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a repair method for an active matrix display device capable of reliably repairing a black spot.

上記目的を達成するため、この発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法は、表示素子と、この表示素子を駆動する画素回路と、を含み、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部と、前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号線と、前記映像信号線を介して前記画素回路に第1信号電流を供給した後、前記映像信号線を介して前記画素回路へ第2信号電流を供給する信号線駆動回路と、を具備し、
前記各画素回路は、高電位電源と低電位電源との間に前記表示素子と直列に接続され前記表示素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインに接続されたソースと前記表示素子に接続されたドレインとを有する出力スイッチと、前記信号線に接続されたドレインと前記出力スイッチのソースに接続されたソースとを有する画素スイッチと、前記画素スイッチのソースに接続されたドレインと前記駆動トランジスタのゲートに接続された第1スイッチと、前記駆動トランジスタのゲートに接続された電極および駆動トランジスタのソースに接続された電極を有し、駆動トランジスタのゲートとソースとの電位差を保持する保持容量と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法であって、
前記保持容量のショートにより黒点が生じた際、前記保持容量の電極と前記駆動トランジスタのゲート電極との接続、および前記保持容量の電極と前記駆動トランジスタのソースとの接続の少なくとも一方を切断し、前記出力トランジスタのソースおよびドレインの少なくとも一方の接続を切断することを特徴としている。
In order to achieve the above object, a repair method for an active matrix display device according to an aspect of the present invention includes a display element and a pixel circuit for driving the display element, and is arranged in a matrix on a substrate. A plurality of pixel portions; a plurality of video signal lines connected to each column of the pixel portions; and a first signal current supplied to the pixel circuit via the video signal lines, and then via the video signal lines. A signal line driving circuit for supplying a second signal current to the pixel circuit,
Each of the pixel circuits includes a driving transistor connected in series with the display element between a high potential power source and a low potential power source to supply a driving current to the display element, a source connected to a drain of the driving transistor, An output switch having a drain connected to the display element; a pixel switch having a drain connected to the signal line; and a source connected to a source of the output switch; and a drain connected to the source of the pixel switch. And a first switch connected to the gate of the driving transistor, an electrode connected to the gate of the driving transistor, and an electrode connected to the source of the driving transistor, and holds a potential difference between the gate and source of the driving transistor An active matrix display device having a storage capacitor,
When a black spot occurs due to a short circuit of the storage capacitor, disconnect at least one of the connection between the electrode of the storage capacitor and the gate electrode of the drive transistor and the connection between the electrode of the storage capacitor and the source of the drive transistor, The connection of at least one of the source and drain of the output transistor is cut off.

この発明の態様によれば、保持容量のショートに起因して黒引き黒点が生じた場合でも、確実にリペアすることができ、画像品位の低下を防止することが可能なアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法を提供することができる。   According to an aspect of the present invention, an active matrix display device that can be reliably repaired even when black spots occur due to short-circuiting of a storage capacitor and can prevent deterioration in image quality. A repair method can be provided.

以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る有機EL表示装置およびそのリペア方法について詳細に説明する。
図1は、有機EL装置全体を概略的に示している。図1に示すように、有機EL表示装置は、例えば、10型以上の大型アクティブマトリクス型表示装置として構成され、有機ELパネル10および有機ELパネル10を制御するコントローラ12を備えている。
Hereinafter, an organic EL display device and a repair method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 schematically shows the entire organic EL device. As shown in FIG. 1, the organic EL display device is configured as, for example, a large active matrix display device of 10 type or more, and includes an organic EL panel 10 and a controller 12 that controls the organic EL panel 10.

有機ELパネル10は、ガラス板等の絶縁基板8上にマトリクス状に配列され表示領域11を構成したm×n個の表示画素PX、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してm本ずつ設けられた第1走査線Sga(1〜m)、および第2走査線Sgb(1〜m)、表示画素PXの列毎にそれぞれ接続されたn本の映像信号線X(1〜n)、第1、第2走査線Sga(1〜m)、Sgb(1〜m)を表示画素の行毎に順次駆動する走査線駆動回路(YDR)14、および複数の映像信号線X(1〜n)を駆動する信号線駆動回路(XDR)15を備えている。走査線駆動回路14および信号線駆動回路15は、表示領域11の外側で絶縁基板8上に一体的に形成されている。   The organic EL panel 10 is arranged in the form of a matrix on an insulating substrate 8 such as a glass plate, and is connected to each row of the display pixels, each of which is connected to each row of the display pixels 11 and independently. The first scanning line Sga (1 to m), the second scanning line Sgb (1 to m), and the n video signal lines X (1 to 1) connected to each column of the display pixels PX, respectively. n), a scanning line driving circuit (YDR) 14 for sequentially driving the first and second scanning lines Sga (1 to m), Sgb (1 to m) for each row of display pixels, and a plurality of video signal lines X ( 1 to n) is provided with a signal line drive circuit (XDR) 15. The scanning line driving circuit 14 and the signal line driving circuit 15 are integrally formed on the insulating substrate 8 outside the display area 11.

画素部として機能する各表示画素PXは、対向電極間に光活性層を備えた表示素子と、この表示素子に駆動電流を供給する画素回路18とを含んでいる。表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた有機EL素子16を用いている。   Each display pixel PX that functions as a pixel portion includes a display element having a photoactive layer between opposing electrodes, and a pixel circuit 18 that supplies a drive current to the display element. The display element is, for example, a self-luminous element. In this embodiment, the organic EL element 16 including at least an organic light-emitting layer is used as a photoactive layer.

図2に表示画素PXの等価回路を示す。画素回路18は電流信号からなる映像信号に応じて有機EL素子16の発光を制御する電流駆動方式の画素回路であり、画素スイッチ20、駆動トランジスタ22、第1スイッチ24、出力スイッチ26、および保持容量Csを備えている。画素スイッチ20、駆動トランジスタ22、第1スイッチ24、出力スイッチ26は、ここでは同一導電型、例えばPチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。本実施形態において、画素回路18を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。   FIG. 2 shows an equivalent circuit of the display pixel PX. The pixel circuit 18 is a current-driven pixel circuit that controls light emission of the organic EL element 16 in accordance with a video signal including a current signal. The pixel circuit 18 includes a pixel switch 20, a drive transistor 22, a first switch 24, an output switch 26, and a holding circuit. The capacitor Cs is provided. Here, the pixel switch 20, the drive transistor 22, the first switch 24, and the output switch 26 are configured by the same conductivity type, for example, a P-channel type thin film transistor. In this embodiment, all the thin film transistors constituting the pixel circuit 18 are formed in the same process and the same layer structure, and are top gate thin film transistors using polysilicon as a semiconductor layer.

駆動トランジスタ22、出力スイッチ26、および有機EL素子16は、高電位電源としての電圧電源線Vddと、低電位電源としての基準電圧電源線Vssとの間でこの順で直列に接続されている。基準電圧電源線Vssおよび電圧電源線Vddは、例えば、−9Vおよび+6Vの電位にそれぞれ設定される。駆動トランジスタ22は、その第1端子、ここではソースが電圧電源線Vddに接続されている。有機EL素子16は、一方の電極、ここではカソードが基準電圧電源線Vssに接続されている。出力スイッチ26は、そのソースが駆動トランジスタ22の第2端子、ここではドレインに接続されている。出力スイッチ26は、そのドレインが有機EL素子16のアノードに接続され、更に、ゲートが対応する第2走査線Sgbに接続されている。   The drive transistor 22, the output switch 26, and the organic EL element 16 are connected in series in this order between a voltage power supply line Vdd as a high potential power supply and a reference voltage power supply line Vss as a low potential power supply. The reference voltage power supply line Vss and the voltage power supply line Vdd are set to potentials of −9 V and +6 V, for example. The drive transistor 22 has its first terminal, here the source, connected to the voltage power supply line Vdd. The organic EL element 16 has one electrode, here the cathode, connected to the reference voltage power supply line Vss. The source of the output switch 26 is connected to the second terminal of the driving transistor 22, here the drain. The output switch 26 has a drain connected to the anode of the organic EL element 16 and a gate connected to the corresponding second scanning line Sgb.

駆動トランジスタ22は、映像信号に応じた電流量の発光電流を有機EL素子16に出力する。出力スイッチ26は、第2走査線Sgbからの制御信号Sb(1〜m)によりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)が制御され、駆動トランジスタ22と有機EL素子16との接続、非接続を制御する。   The drive transistor 22 outputs a light emission current having a current amount corresponding to the video signal to the organic EL element 16. The output switch 26 is controlled to be on (conducting state) and off (non-conducting state) by a control signal Sb (1 to m) from the second scanning line Sgb, and the connection between the driving transistor 22 and the organic EL element 16 is not connected. Control the connection.

保持容量Csは、駆動トランジスタ22の第1端子、制御端子間、ここではソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定される駆動トランジスタ22のゲート制御電位を保持する。すなわち、保持容量Csは、絶縁層を挟んで対向配置された一対の電極を有し、一方の電極は、駆動トランジスタ22のゲートに接続され、他方の電極は駆動トランジスタ22のソースに接続されている。   The holding capacitor Cs is connected between the first terminal and the control terminal of the driving transistor 22, here, between the source and the gate, and holds the gate control potential of the driving transistor 22 determined by the video signal. In other words, the storage capacitor Cs has a pair of electrodes arranged opposite to each other with an insulating layer interposed therebetween, one electrode being connected to the gate of the driving transistor 22 and the other electrode being connected to the source of the driving transistor 22. Yes.

画素スイッチ20は、対応する映像信号線X(1〜n)と駆動トランジスタ22のドレインとの間に接続され、そのゲートは対応する第1走査線Sgaに接続されている。すなわち、画素スイッチ20は、映像信号線に接続されたドレインと駆動トランジスタのドレインに接続されたソースとを有している。画素スイッチ20は、第1走査線Sgaから供給される制御信号Sa(1〜m)に応答して対応の映像信号線X(1〜n)から階調電流としての信号電流を取り込む。   The pixel switch 20 is connected between the corresponding video signal line X (1 to n) and the drain of the driving transistor 22, and the gate thereof is connected to the corresponding first scanning line Sga. That is, the pixel switch 20 has a drain connected to the video signal line and a source connected to the drain of the driving transistor. The pixel switch 20 takes in a signal current as a gradation current from the corresponding video signal line X (1 to n) in response to the control signal Sa (1 to m) supplied from the first scanning line Sga.

第1スイッチ24は、駆動トランジスタ22のドレイン、ゲート間に接続され、そのゲートが第1走査線Sgaに接続されている。第1スイッチ24のドレインは、駆動トランジスタ22のドレインと画素スイッチ20のソースとの間に接続されている。第1スイッチ24は、第1走査線Sgaからの制御信号Sa(1〜m)に応じてオン、オフ制御され、駆動トランジスタ22のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御するとともに、保持容量Csからの電流リークを規制する。   The first switch 24 is connected between the drain and gate of the drive transistor 22, and the gate thereof is connected to the first scanning line Sga. The drain of the first switch 24 is connected between the drain of the driving transistor 22 and the source of the pixel switch 20. The first switch 24 is on / off controlled in accordance with a control signal Sa (1 to m) from the first scanning line Sga, controls connection / disconnection between the gate and drain of the drive transistor 22, and holds capacitance. Regulates current leakage from Cs.

次に図3を参照して、駆動トランジスタ22および有機EL素子16の構成を詳細に説明する。図3は、有機EL素子16を含む表示画素Pxの断面を示している。
第1駆動トランジスタ22aを構成したPチャネル型の薄膜トランジスタは、絶縁基板8上に形成されたポリシリコンからなる半導体層50を備え、この半導体層はソース領域50a、ドレイン領域50b、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域50cを有している。半導体層50に重ねてゲート絶縁膜52が形成され、このゲート絶縁膜上にゲート電極Gが設けられチャネル領域50cと対向している。ゲート電極Gに重ねて層間絶縁膜54が形成され、この層間絶縁膜上にソース電極(ソース)Sおよびドレイン電極(ドレイン)Dが設けられている。ソース電極Sおよびドレイン電極Dは、それぞれ層間絶縁膜54およびゲート絶縁膜52に貫通形成されたコンタクトを介して半導体層50のソース領域50aおよびドレイン領域50bにそれぞれ接続されている。第1駆動トランジスタ22aのドレイン電極Dは、層間絶縁膜54上に形成された配線および第1スイッチ24aを介して出力スイッチ26に接続されている。なお、画素スイッチ20、第1保持スイッチ23a、第2保持スイッチ23b、第1スイッチ24a、第2スイッチ24b、出力スイッチ26を構成する各薄膜トランジスタも上記と同一の構造に形成されている。第2駆動トランジスタ22bも上記と同一の構造に形成されるが、さらにLDD領域を追加してもよい。
Next, the configuration of the drive transistor 22 and the organic EL element 16 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 shows a cross section of the display pixel Px including the organic EL element 16.
The P-channel type thin film transistor constituting the first drive transistor 22a includes a semiconductor layer 50 made of polysilicon formed on the insulating substrate 8. The semiconductor layer includes a source region 50a, a drain region 50b, and a source / drain region. It has a channel region 50c located between them. A gate insulating film 52 is formed over the semiconductor layer 50, and a gate electrode G is provided on the gate insulating film so as to face the channel region 50c. An interlayer insulating film 54 is formed over the gate electrode G, and a source electrode (source) S and a drain electrode (drain) D are provided on the interlayer insulating film. The source electrode S and the drain electrode D are respectively connected to the source region 50a and the drain region 50b of the semiconductor layer 50 through contacts formed through the interlayer insulating film 54 and the gate insulating film 52, respectively. The drain electrode D of the first drive transistor 22a is connected to the output switch 26 via a wiring formed on the interlayer insulating film 54 and the first switch 24a. Note that the thin film transistors constituting the pixel switch 20, the first holding switch 23a, the second holding switch 23b, the first switch 24a, the second switch 24b, and the output switch 26 are also formed in the same structure as described above. The second drive transistor 22b is also formed in the same structure as described above, but an LDD region may be further added.

層間絶縁膜54上には映像信号線X(1〜n)を含む複数の配線が設けられている。また、層間絶縁膜54上にはソース電極S、ドレイン電極D、配線を覆って保護膜56が形成されている。保護膜56上には、親水膜58、隔壁膜60が順に積層されている。   A plurality of wirings including the video signal lines X (1 to n) are provided on the interlayer insulating film 54. A protective film 56 is formed on the interlayer insulating film 54 so as to cover the source electrode S, the drain electrode D, and the wiring. On the protective film 56, a hydrophilic film 58 and a partition film 60 are laminated in this order.

有機EL素子16は、ルミネセンス性有機化合物を含む有機発光層64を陽極62および陰極66間に挟持した構造を有している。陽極62は、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)等の透明電極材料から形成され、保護膜56上に設けられている。親水膜58および隔壁膜60の内、陽極62と対向した部分はエッチングにより除去されている。そして、陽極62上に陽極バッファ層63および有機発光層64が形成され、更に、有機発光層64および隔壁膜60に重ねて銀・アルミ合金から成る陰極66が積層されている。   The organic EL element 16 has a structure in which an organic light emitting layer 64 containing a luminescent organic compound is sandwiched between an anode 62 and a cathode 66. The anode 62 is made of a transparent electrode material such as ITO (indium tin oxide) and is provided on the protective film 56. Of the hydrophilic film 58 and the partition wall film 60, the part facing the anode 62 is removed by etching. An anode buffer layer 63 and an organic light emitting layer 64 are formed on the anode 62, and a cathode 66 made of silver / aluminum alloy is laminated on the organic light emitting layer 64 and the partition wall film 60.

このような構造の有機EL素子16では、陽極62から注入されたホールと、陰極66から注入された電子とが有機発光層64の内部で再結合したときに、有機発光層を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が有機発光層64から透明な陽極62および絶縁基板8を介して外部へ放出される。   In the organic EL element 16 having such a structure, when the holes injected from the anode 62 and the electrons injected from the cathode 66 are recombined inside the organic light emitting layer 64, the organic molecules constituting the organic light emitting layer are formed. Is excited to generate excitons. The excitons emit light in the process of radiation deactivation, and the light is emitted from the organic light emitting layer 64 to the outside through the transparent anode 62 and the insulating substrate 8.

出力スイッチ26を介してアノード電極62を駆動トランジスタ22のドレインに接続し、カソード電極66を基準電圧電源線Vssに接続する場合について説明したが、カソード電極66を駆動トランジスタ22のドレインに、アノード電極62を基準電圧電源線Vssに接続してもよい。   The case where the anode electrode 62 is connected to the drain of the driving transistor 22 and the cathode electrode 66 is connected to the reference voltage power supply line Vss through the output switch 26 has been described. However, the cathode electrode 66 is connected to the drain of the driving transistor 22 and the anode electrode is connected. 62 may be connected to the reference voltage power supply line Vss.

陰極66に光透過性をもたせ、絶縁基板8と対向する面から光を外部に取り出してもよい。また、陽極62を陰極66に対して絶縁基板8側に配置した逆積層型を採用してもよい。いずれの場合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、例えば陰極66を光出射面側に配置する場合には、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する程度に薄く形成することで達成できる。   The cathode 66 may be light transmissive, and light may be extracted to the outside from the surface facing the insulating substrate 8. Further, a reverse lamination type in which the anode 62 is disposed on the insulating substrate 8 side with respect to the cathode 66 may be employed. In either case, it is necessary to form the light emitting surface side with a transparent conductive material. For example, when the cathode 66 is disposed on the light emitting surface side, the alkaline earth metal and the rare earth metal are thin enough to have light transmittance. This can be achieved by forming.

一方、図1に示すコントローラ12は有機ELパネル10の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路14および信号線駆動回路15を制御する。コントローラ12は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。コントローラ12は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路14および信号線駆動回路15に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路15に供給する。   On the other hand, the controller 12 shown in FIG. 1 is formed on a printed circuit board disposed outside the organic EL panel 10 and controls the scanning line driving circuit 14 and the signal line driving circuit 15. The controller 12 receives a digital video signal and a synchronization signal supplied from the outside, and generates a vertical scanning control signal for controlling the vertical scanning timing and a horizontal scanning control signal for controlling the horizontal scanning timing based on the synchronizing signal. The controller 12 supplies the vertical scanning control signal and the horizontal scanning control signal to the scanning line driving circuit 14 and the signal line driving circuit 15, respectively, and outputs the digital video signal in synchronization with the horizontal and vertical scanning timings. To supply.

走査線駆動回路14は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素PXに制御信号、すなわち、制御信号Sa(1〜m)、Sb(1〜m)を供給する。これにより、各第1、第2走査線Sga(1〜m)、Sgb(1〜m)は、互いに異なる1水平走査期間において、それぞれ制御信号Sa(1〜m)、制御信号Sb(1〜m)により駆動される。   The scanning line driving circuit 14 includes a shift register, an output buffer, and the like, sequentially transfers a horizontal scanning start pulse supplied from the outside to the next stage, and supplies a control signal, that is, a control signal to the display pixels PX in each row via the output buffer. Signals Sa (1 to m) and Sb (1 to m) are supplied. Accordingly, the first and second scanning lines Sga (1 to m) and Sgb (1 to m) are respectively controlled by the control signal Sa (1 to m) and the control signal Sb (1 to 1) in one horizontal scanning period different from each other. m).

信号線駆動回路15は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換して信号電流Idataとし、複数の映像信号線X(1〜n)に並列的に供給する。   The signal line driving circuit 15 converts the video signal sequentially obtained in each horizontal scanning period into an analog format under the control of the horizontal scanning control signal to obtain a signal current Idata, and in parallel with the plurality of video signal lines X (1 to n). Supply.

画素回路18の動作は、映像信号書込み動作および発光動作に分けられる。図2に示すように、映像信号書込み動作において、画素スイッチ20および第1スイッチ24がオン(導通状態)、出力スイッチ26がオフ(非導通状態)となるような制御信号Sa1、Sb1、ここでは、制御信号Sa1がローレベル、制御信号Sb1がハイレベル、が出力される。これにより、画素スイッチ20および第1スイッチ24がオン(導通状態)、出力スイッチ26がオフ(非導通状態)に切換えられ、映像信号書込み動作が開始される。   The operation of the pixel circuit 18 is divided into a video signal writing operation and a light emission operation. As shown in FIG. 2, in the video signal writing operation, the control signals Sa1 and Sb1, in which the pixel switch 20 and the first switch 24 are turned on (conductive state) and the output switch 26 is turned off (non-conductive state), here The control signal Sa1 is output at a low level and the control signal Sb1 is output at a high level. Thereby, the pixel switch 20 and the first switch 24 are turned on (conductive state), the output switch 26 is turned off (non-conductive state), and the video signal writing operation is started.

映像信号書込み期間において、信号線駆動回路15から対応する映像信号線X(1〜n)に供給された映像信号電流Idataは画素スイッチ20を介して、選択された表示画素PXに供給される。表示画素PXにおいて、画素スイッチ20および第1スイッチ24はオン状態にあり、取り込まれた映像信号電流Idataは駆動トランジスタ22に供給され駆動トランジスタ22を書き込み状態とする。これにより、電圧電源線Vddから駆動トランジスタ22を通して映像信号線X1に書き込み電流が流れ、映像信号電流Idataの電流量に対応した駆動トランジスタ22のゲート、ソース間電位が保持容量Csに書き込まれる。   In the video signal writing period, the video signal current Idata supplied from the signal line driving circuit 15 to the corresponding video signal line X (1 to n) is supplied to the selected display pixel PX via the pixel switch 20. In the display pixel PX, the pixel switch 20 and the first switch 24 are in the on state, and the captured video signal current Idata is supplied to the driving transistor 22 to set the driving transistor 22 in the writing state. As a result, a write current flows from the voltage power supply line Vdd to the video signal line X1 through the drive transistor 22, and the gate-source potential of the drive transistor 22 corresponding to the current amount of the video signal current Idata is written to the storage capacitor Cs.

次に、制御信号Sa1がハイレベル(オフ電位)となり、画素スイッチ20および第1スイッチ24がオフとなる。これにより、映像信号書込み動作が終了する。続いて、制御信号Sb1がローレベルとなり、出力スイッチ26がオンとなる。これにより、発光動作が開始する。図4に示すように、発光期間において、駆動トランジスタ22は、保持容量Csに書き込まれたゲート制御電圧により導通状態に維持され、電圧電源線Vddから映像信号電流Idataに対応した電流量の発光電流を出力スイッチ26側へ供給する。この発光電流は、出力スイッチ26を通った後、有機EL素子16に供給される。これにより有機EL素子16が発光し、発光動作が開始される。そして、有機EL素子16は、1フレーム期間後に、再び制御信号Sb1がオフ電位となるまで発光状態を維持する。   Next, the control signal Sa1 becomes a high level (off potential), and the pixel switch 20 and the first switch 24 are turned off. Thereby, the video signal writing operation is completed. Subsequently, the control signal Sb1 becomes low level, and the output switch 26 is turned on. Thereby, the light emission operation starts. As shown in FIG. 4, in the light emission period, the drive transistor 22 is maintained in a conductive state by the gate control voltage written in the storage capacitor Cs, and the light emission current having a current amount corresponding to the video signal current Idata from the voltage power supply line Vdd. Is supplied to the output switch 26 side. This light emission current is supplied to the organic EL element 16 after passing through the output switch 26. Thereby, the organic EL element 16 emits light, and the light emission operation is started. The organic EL element 16 maintains the light emission state until the control signal Sb1 becomes the off potential again after one frame period.

次に、上記のように構成された有機EL表示装置に欠点、例えば、黒点が生じた場合のリペア方法について説明する。
まず、有機EL表示装置の完成後、点灯試験を行う。この点灯試験により点欠と判定された画素の内、保持容量Csの電極間のショートが生じた画素は、有機EL素子に電流が流れなくなり黒点となる。この場合、図5に示すように、黒点が生じた画素と同一の映像信号線に接続され次行に続く数行の画素もうっすらと暗くなり、黒点から黒い尾を引いた状態となり、黒お引き黒点となる。
Next, a repair method when a defect such as a black spot occurs in the organic EL display device configured as described above will be described.
First, after completion of the organic EL display device, a lighting test is performed. Among the pixels determined to be deficient by this lighting test, the pixel in which a short circuit between the electrodes of the storage capacitor Cs occurs causes no current to flow through the organic EL element, resulting in a black dot. In this case, as shown in FIG. 5, the pixels of the next several lines connected to the same video signal line as the pixel in which the black spot is generated become slightly darker, and the black spot is drawn from the black spot. It becomes a draw sunspot.

この場合、図6に示すように、電源電圧線Vddと映像信号線X1との間で駆動トランジスタ22および画素スイッチ20を通る回路を維持した状態で、ショートが生じた保持容量Csの少なくとも一方の電極の接続、および出力トランジスタ16のソースおよびドレインの少なくとも一方の接続を切断する。すなわち、保持容量Csの電極と駆動トランジスタ22のゲート電極との接続、および保持容量の他方の電極と駆動トランジスタのソースとの接続の少なくとも一方を切断する。また、出力トランジスタ16のドレインと有機EL素子16との間の接続、および出力トランジスタのソースと駆動トランジスタ22のドレインとの接続の少なくとも一方の接続を切断する。有機EL素子をフローティングする。   In this case, as shown in FIG. 6, at least one of the storage capacitors Cs in which a short circuit has occurred while maintaining a circuit passing through the drive transistor 22 and the pixel switch 20 between the power supply voltage line Vdd and the video signal line X1. The connection of the electrode and the connection of at least one of the source and drain of the output transistor 16 are disconnected. That is, at least one of the connection between the electrode of the storage capacitor Cs and the gate electrode of the drive transistor 22 and the connection between the other electrode of the storage capacitor and the source of the drive transistor are disconnected. Further, at least one of the connection between the drain of the output transistor 16 and the organic EL element 16 and the connection between the source of the output transistor and the drain of the drive transistor 22 are disconnected. The organic EL element is floated.

上記接続の切断は、絶縁基板8の発光面側からレーザ光を照射し、配線あるいはトランジスタの半導体層をレーザカットすることにより行う。レーザ光としては、グリーンレーザ、例えば、波長500〜560nmのYAGレーザ、YLFレーザを用いる。グリーンレーザを用いる理由としては、赤外レーザでは、ポリシリコンからなる半導体層50を透過し易く、熱加工による下層膜への損傷が大きいこと、また、紫外領域レーザでは、ガラス基板やアンダーコートへの吸収が大きく、半導体層を切断するためには高エネルギのレーザが必要であることが挙げられる。レーザ光を照射して切断する半導体層を切断する場合、発光層は金属配線と重ならない配置が望ましく、酸化膜や窒化膜等によって覆われた断面構造が望ましい。   The disconnection is performed by irradiating a laser beam from the light emitting surface side of the insulating substrate 8 and laser cutting the wiring or the semiconductor layer of the transistor. As the laser light, a green laser, for example, a YAG laser or a YLF laser having a wavelength of 500 to 560 nm is used. The reason why the green laser is used is that the infrared laser easily transmits through the semiconductor layer 50 made of polysilicon, and the damage to the lower layer film due to thermal processing is large. In the ultraviolet laser, the glass substrate or the undercoat is used. It is mentioned that a high energy laser is necessary to cut the semiconductor layer. In the case of cutting a semiconductor layer that is cut by irradiation with laser light, the light emitting layer is preferably arranged so as not to overlap with the metal wiring, and a cross-sectional structure covered with an oxide film, a nitride film, or the like is desirable.

上記リペアによって、保持容量Csの電極の接続を切断し、有機EL素子をフローティングすることにより、図7に示すように、黒点画素に続く黒お引きを無くし、単独の黒点とすることができる。この際、電源電圧線Vddと映像信号線X1との間で駆動トランジスタ22および画素スイッチ20を通る回路を維持した状態とすることにより、リペアされた画素の電位を白電位よりも低く維持することができる。そのため、黒点画素と同一の映像信号線に接続され次行に続く数行の画素の電位がOVに近づくことがなく、黒点に続く白い尾の発生を防止し、単独の黒点とすることができる。従って、表示品位が低下することなく、黒点を確実にリペアすることが可能となる。   By the above repair, the connection of the electrode of the storage capacitor Cs is disconnected and the organic EL element is floated, so that the black spot following the black spot pixel can be eliminated and a single black spot can be obtained as shown in FIG. At this time, by maintaining a circuit that passes through the drive transistor 22 and the pixel switch 20 between the power supply voltage line Vdd and the video signal line X1, the potential of the repaired pixel is maintained lower than the white potential. Can do. Therefore, the potentials of the pixels in the next several lines connected to the same video signal line as the black spot pixels do not approach OV, and the occurrence of a white tail following the black spot can be prevented and a single black spot can be obtained. . Therefore, it is possible to reliably repair the black spots without deteriorating the display quality.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

例えば、保持容量のショートが生じた場合、保持容量の一方の電極に限らず、両方の電極の接続を切断してもよい。また、使用するレーザは、波長400nm以下の短波長レーザを用いてもよい。   For example, when a short-circuit occurs in the storage capacitor, the connection between both electrodes may be disconnected without being limited to one electrode of the storage capacitor. The laser used may be a short wavelength laser with a wavelength of 400 nm or less.

リペアの対象となる表示装置において、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機EL素子に限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用可能である。   In the display device to be repaired, the semiconductor layer of the thin film transistor is not limited to polysilicon but can be composed of amorphous silicon. The self-luminous elements constituting the display pixels are not limited to organic EL elements, and various display elements capable of self-luminance are applicable.

図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図2は、前記有機EL表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an equivalent circuit of display pixels in the organic EL display device. 図3は、表示画素を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a display pixel. 図4は、発光期間における表示画素の等価回路を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an equivalent circuit of the display pixel in the light emission period. 図5は、保持容量のショートにより黒お引き黒点が発生した表示状態を模式的に示す平面図である。FIG. 5 is a plan view schematically showing a display state in which a black drawing black spot is generated due to a short of the storage capacitor. 図6は、リペア時における前記表示画素の切断位置を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a cutting position of the display pixel at the time of repair. 図7は、リペア後の表示状態を模式的に示す平面図である。FIG. 7 is a plan view schematically showing a display state after repair.

符号の説明Explanation of symbols

8…絶縁基板、 10…有機ELパネル、12…コントローラ、
14…走査線駆動回路、 15…信号線駆動回路、 16…有機EL素子、
18…画素回路、 20…画素スイッチ、 22…駆動トランジスタ、
24…第1スイッチ、 26…出力スイッチ、 50…半導体層、
50a…ソース領域、 50b…ドレイン領域、
8 ... Insulating substrate, 10 ... Organic EL panel, 12 ... Controller,
14 ... scanning line driving circuit, 15 ... signal line driving circuit, 16 ... organic EL element,
18 ... Pixel circuit, 20 ... Pixel switch, 22 ... Drive transistor,
24 ... 1st switch, 26 ... Output switch, 50 ... Semiconductor layer,
50a ... source region, 50b ... drain region,

Claims (3)

表示素子と、この表示素子を駆動する画素回路と、を含み、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部と、前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号線と、前記映像信号線を介して前記画素回路に第1信号電流を供給した後、前記映像信号線を介して前記画素回路へ第2信号電流を供給する信号線駆動回路と、を具備し、
前記各画素回路は、高電位電源と低電位電源との間に前記表示素子と直列に接続され前記表示素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインに接続されたソースと前記表示素子に接続されたドレインとを有する出力スイッチと、前記信号線に接続されたドレインと前記出力スイッチのソースに接続されたソースとを有する画素スイッチと、前記画素スイッチのソースに接続されたドレインと前記駆動トランジスタのゲートに接続された第1スイッチと、前記駆動トランジスタのゲートに接続された電極および駆動トランジスタのソースに接続された電極を有し、駆動トランジスタのゲートとソースとの電位差を保持する保持容量と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法であって、
前記保持容量のショートにより黒点が生じた際、前記保持容量の電極と前記駆動トランジスタのゲート電極との接続、および前記保持容量の電極と前記駆動トランジスタのソースとの接続の少なくとも一方を切断し、
前記出力トランジスタのソースおよびドレインの少なくとも一方の接続を切断するアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。
A display element and a pixel circuit for driving the display element; a plurality of pixel portions arranged in a matrix on a substrate; and a plurality of video signal lines connected to each column of the pixel portion; A signal line driving circuit for supplying a first signal current to the pixel circuit via the video signal line and then supplying a second signal current to the pixel circuit via the video signal line;
Each of the pixel circuits includes a driving transistor connected in series with the display element between a high potential power source and a low potential power source to supply a driving current to the display element, a source connected to a drain of the driving transistor, An output switch having a drain connected to the display element; a pixel switch having a drain connected to the signal line; and a source connected to a source of the output switch; and a drain connected to the source of the pixel switch. And a first switch connected to the gate of the driving transistor, an electrode connected to the gate of the driving transistor, and an electrode connected to the source of the driving transistor, and holds a potential difference between the gate and source of the driving transistor An active matrix display device having a storage capacitor,
When a black spot occurs due to a short circuit of the storage capacitor, disconnect at least one of the connection between the electrode of the storage capacitor and the gate electrode of the drive transistor and the connection between the electrode of the storage capacitor and the source of the drive transistor,
A repair method for an active matrix display device, in which at least one of a source and a drain of the output transistor is disconnected.
電極間に配設された有機発光層を有した表示素子と、この表示素子を駆動する画素回路と、を含み、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部と、前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号線と、前記映像信号線を介して前記画素回路に第1信号電流を供給した後、前記映像信号線を介して前記画素回路へ第2信号電流を供給する信号線駆動回路と、を具備し、
前記各画素回路は、高電位電源と低電位電源との間に前記表示素子と直列に接続され前記表示素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインに接続されたソースと前記表示素子に接続されたドレインとを有する出力スイッチと、前記信号線に接続されたドレインと前記出力スイッチのソースに接続されたソースとを有する画素スイッチと、前記画素スイッチのソースに接続されたドレインと前記駆動トランジスタのゲートに接続された第1スイッチと、前記駆動トランジスタのゲートに接続された電極および駆動トランジスタのソースに接続された電極を有し、駆動トランジスタのゲートとソースとの電位差を保持する保持容量と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法であって、
前記保持容量のショートにより黒点が生じた際、前記高電位電源と信号線との間で前記駆動トランジスタおよび画素スイッチを通る回路を維持した状態で、前記保持容量の少なくとも一方の電極の接続、および前記出力トランジスタのソースおよびドレインの少なくとも一方の接続を切断するアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。
A display element having an organic light emitting layer disposed between the electrodes, and a pixel circuit for driving the display element, and a plurality of pixel portions disposed in a matrix on the substrate; A plurality of video signal lines connected to each column, and a first signal current is supplied to the pixel circuit via the video signal line, and then a second signal current is supplied to the pixel circuit via the video signal line A signal line driving circuit that
Each of the pixel circuits includes a driving transistor connected in series with the display element between a high potential power source and a low potential power source to supply a driving current to the display element, a source connected to a drain of the driving transistor, An output switch having a drain connected to the display element; a pixel switch having a drain connected to the signal line; and a source connected to a source of the output switch; and a drain connected to the source of the pixel switch. And a first switch connected to the gate of the driving transistor, an electrode connected to the gate of the driving transistor, and an electrode connected to the source of the driving transistor, and holds a potential difference between the gate and source of the driving transistor An active matrix display device having a storage capacitor,
A connection between at least one electrode of the storage capacitor while maintaining a circuit passing through the drive transistor and a pixel switch between the high-potential power source and a signal line when a black spot occurs due to a short circuit of the storage capacitor; and A repair method for an active matrix display device, in which at least one of a source and a drain of the output transistor is disconnected.
波長が500〜560nmのレーサ光を照射し上記接続を切断する請求項1又は2に記載のアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。   3. The repair method for an active matrix display device according to claim 1, wherein the connection is cut by irradiating laser light having a wavelength of 500 to 560 nm.
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