JP4569194B2 - Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus - Google Patents

Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4569194B2
JP4569194B2 JP2004203039A JP2004203039A JP4569194B2 JP 4569194 B2 JP4569194 B2 JP 4569194B2 JP 2004203039 A JP2004203039 A JP 2004203039A JP 2004203039 A JP2004203039 A JP 2004203039A JP 4569194 B2 JP4569194 B2 JP 4569194B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
repair
signal
cathode
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004203039A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005340149A (en
Inventor
貞一郎 西村
洋 長谷川
哲郎 山本
昌男 西口
ソンヒ ノ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2004203039A priority Critical patent/JP4569194B2/en
Publication of JP2005340149A publication Critical patent/JP2005340149A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4569194B2 publication Critical patent/JP4569194B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

1つの発明は、有機発光素子を含む発光装置に関する。また1つの発明は、発光装置の修復方法に関する。また1つの発明は、発光装置の製造方法に関する。また1つの発明は、発光装置の修復装置に関する。また1つの発明は、発光装置の製造装置に関する。   One invention relates to a light emitting device including an organic light emitting element. Another invention relates to a method for repairing a light emitting device. Another invention relates to a method for manufacturing a light emitting device. Another invention relates to a repair device for a light emitting device. Another aspect of the present invention relates to a light emitting device manufacturing apparatus.

ここで、発光装置は、基板上に形成された有機発光素子を基板と保護部材との間に封入した有機発光ディスプレイの他、有機発光ディスプレイを表示デバイスに使用する電子機器を総称する。   Here, the light emitting device is a generic term for electronic devices that use an organic light emitting display as a display device in addition to an organic light emitting display in which an organic light emitting element formed on a substrate is sealed between a substrate and a protective member.

有機EL(electro
luminescence)ディスプレイの駆動方式には、アクティブ・マトリックス駆動方式と単純マトリクス駆動方式がある。
アクティブ・マトリックス駆動方式は、マトリクス状に配列されたピクセルの点灯と消灯を、各ピクセルに対応するスイッチング素子で制御する方式をいう。
一方、単純マトリクス駆動方式は、マトリクス状に配列されたピクセルの点灯と消灯を、選択線と信号線の交点部分に印加される電圧で制御する方式をいう。
Organic EL (electro
There are two types of drive systems for luminescence display: active matrix drive and simple matrix drive.
The active matrix driving method is a method in which lighting and extinguishing of pixels arranged in a matrix are controlled by switching elements corresponding to each pixel.
On the other hand, the simple matrix driving method is a method in which lighting and extinguishing of pixels arranged in a matrix are controlled by a voltage applied to an intersection of a selection line and a signal line.

このため、アクティブ・マトリックス駆動方式の有機ELディスプレイは、各ピクセルを、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの一方の信号端子に接続される陽極と、陽極上に形成される有機EL層と、有機EL層の上面に形成される陰極とで構成される。   For this reason, an active matrix driving type organic EL display includes a thin film transistor that functions as a switching element, an anode connected to one signal terminal of the thin film transistor, an organic EL layer formed on the anode, The cathode is formed on the upper surface of the organic EL layer.

ここで、陽極と、陰極と、これらで挟まれた有機EL層(有機化合物層)とで有機EL素子が構成される。なお、薄膜トランジスタの他方の信号端子は信号線と接続され、制御端子は選択線に接続される。   Here, an organic EL element is comprised by an anode, a cathode, and the organic EL layer (organic compound layer) pinched | interposed by these. Note that the other signal terminal of the thin film transistor is connected to the signal line, and the control terminal is connected to the selection line.

一方、単純マトリックス駆動方式の有機発光ディスプレイは、各ピクセルを、信号線と選択線で挟まれた有機EL層で構成する。この場合、スイッチング素子としての薄膜トランジスタは、信号線と選択線のそれぞれに配置される。   On the other hand, in a simple matrix driving type organic light emitting display, each pixel is composed of an organic EL layer sandwiched between a signal line and a selection line. In this case, the thin film transistor as the switching element is disposed on each of the signal line and the selection line.

なお、1つのピクセルが、R(赤)、G(緑)、B(青)の3つのサブピクセル、又は、これらに(白)を加えた4つのサブピクセルで構成される場合、前述した各ピクセルの構成は、各単色色に対応するサブピクセルについて適用される。以下、特に断らない限り、最小表示単位をピクセルとして説明する。   In addition, when one pixel is composed of three subpixels of R (red), G (green), and B (blue), or four subpixels obtained by adding (white) to each subpixel, The pixel configuration is applied for the sub-pixel corresponding to each single color. Hereinafter, unless otherwise specified, the minimum display unit will be described as a pixel.

ところで、多数のピクセルを形成する過程では、微小なパーティクルその他により、薄い有機EL層にピンホール等が形成されることがある。
ピンホール等により、有機EL層を挟む2つの層(陽極と陰極)の間に電気的なショート回路が形成されると、有機EL層に流れるべき電流の全部又はその一部がショート回路に流れてしまう。
By the way, in the process of forming a large number of pixels, pinholes or the like may be formed in a thin organic EL layer due to minute particles or the like.
When an electrical short circuit is formed between two layers (anode and cathode) sandwiching the organic EL layer by a pinhole or the like, all or part of the current that should flow through the organic EL layer flows to the short circuit. End up.

この結果、有機EL層が発光しない又は暗くなる現象が発生する。この現象が発生したピクセルを、滅点ピクセルと呼ぶ。
例えば、有機EL層の膜厚が数nm〜数10nmと非常に薄い場合(例えば、上面発光型の有機ELディスプレイの場合)、1μm程度の異物もその影響が非常に大きくなる。
As a result, a phenomenon occurs in which the organic EL layer does not emit light or becomes dark. A pixel in which this phenomenon occurs is called a dark spot pixel.
For example, when the film thickness of the organic EL layer is very thin (several nm to several tens of nm) (for example, in the case of a top emission type organic EL display), the influence of foreign matters of about 1 μm is very large.

因みに、滅点ピクセルに対する対策としては、欠陥部分に逆バイアス電圧を印加して電流を流し、その電流によって生じる発熱現象により、欠陥部分を高抵抗化または絶縁化する技術が特許文献1に提案されている。
特開2003−51384号公報
Incidentally, as a countermeasure against the dark spot pixel, Patent Document 1 proposes a technique in which a reverse bias voltage is applied to a defective portion to cause a current to flow, and the defective portion is increased in resistance or insulated by a heat generation phenomenon caused by the current. ing.
JP 2003-51384 A

図1に、特許文献1に開示されたピクセル部分の回路構成を示す。各ピクセルは、スイッチング用TFT1と、駆動用TFT2と、有機発光素子3と、コンデンサ4で構成されている。   FIG. 1 shows a circuit configuration of a pixel portion disclosed in Patent Document 1. Each pixel includes a switching TFT 1, a driving TFT 2, an organic light emitting element 3, and a capacitor 4.

ここで、スイッチング用TFT1のゲート電極は、ゲート信号線Giに接続されている。また、スイッチング用TFT1のソース領域はソース信号線Siに、ドレイン領域は駆動用TFT2のゲート電極に接続されている。   Here, the gate electrode of the switching TFT 1 is connected to the gate signal line Gi. The source region of the switching TFT 1 is connected to the source signal line Si, and the drain region is connected to the gate electrode of the driving TFT 2.

また、駆動用TFT2のソース領域は電源供給線Viに、ドレイン領域は有機発光素子3の一方の電極に接続されている。なお、有機発光素子3の他方の電極は対向電源5に接続されている。またコンデンサ4は、電極のそれぞれが、駆動用TFT2のゲート電極と電源供給線Viとに接続されるように形成されている。   The source region of the driving TFT 2 is connected to the power supply line Vi, and the drain region is connected to one electrode of the organic light emitting element 3. The other electrode of the organic light emitting element 3 is connected to the counter power source 5. The capacitor 4 is formed such that each electrode is connected to the gate electrode of the driving TFT 2 and the power supply line Vi.

通常動作時における電位関係は、電源供給線Viの方が対向電源5よりも高く設定される。
一方、修復時における電位関係は、その反対に、対向電源5の方が電源供給線Viよりも高く設定される。この電位関係が逆バイアスである。逆バイアスが印加された状態で、駆動用TFT2をオン状態に制御することにより、有機発光素子3に寄生するショート回路に逆バイアス電流を流すことができる。
The potential relationship during normal operation is set so that the power supply line Vi is higher than the counter power supply 5.
On the other hand, the potential relationship at the time of restoration is set so that the counter power supply 5 is higher than the power supply line Vi. This potential relationship is reverse bias. By controlling the driving TFT 2 to be in an ON state in a state in which a reverse bias is applied, a reverse bias current can be supplied to a short circuit parasitic on the organic light emitting element 3.

ところが、特許文献1に開示された修復技術は、限られた構造の有機ELディスプレイにしか適用することができない。すなわち、ピクセルと同じ基体上に水平駆動回路や垂直駆動回路が形成されている場合には、十分な効果を発揮することができない。   However, the repair technique disclosed in Patent Document 1 can be applied only to an organic EL display having a limited structure. That is, when a horizontal drive circuit or a vertical drive circuit is formed on the same substrate as the pixel, a sufficient effect cannot be exhibited.

これは、水平駆動回路や垂直駆動回路が形成されている場合、特定位置のピクセルだけを、継続的にオン状態に制御できないためである。すなわち、水平駆動回路や垂直駆動回路は、駆動パルスをスキャンする構造となっており、特定位置だけに駆動パルスを印加し続けることができないためである。   This is because when a horizontal drive circuit or a vertical drive circuit is formed, only a pixel at a specific position cannot be continuously controlled to be in an on state. That is, the horizontal drive circuit and the vertical drive circuit have a structure for scanning the drive pulse, and the drive pulse cannot be continuously applied only to a specific position.

一方、特許文献1は、修復期間中、修復対象とするピクセルに対応するソース信号線Siとゲート信号線Giに駆動パルスを常時印加し、スイッチング用TFT1と駆動用TFT2を継続的にオン状態に維持することを前提とする。   On the other hand, in Patent Document 1, during the repair period, a driving pulse is always applied to the source signal line Si and the gate signal line Gi corresponding to the pixel to be repaired, and the switching TFT 1 and the driving TFT 2 are continuously turned on. It is assumed that it will be maintained.

加えて、特許文献1に示す回路構成では、逆バイアス電流を流すために、スイッチング用TFT1と駆動用TFT2が同時にオンすることを必要とする。
しかし、水平駆動回路と垂直駆動回路で駆動されるスイッチング用TFT1は、前述の通り継続的にオン状態に制御することはできない。
In addition, the circuit configuration shown in Patent Document 1 requires that the switching TFT 1 and the driving TFT 2 be turned on simultaneously in order to pass a reverse bias current.
However, the switching TFT 1 driven by the horizontal drive circuit and the vertical drive circuit cannot be controlled to be continuously turned on as described above.

本発明者は、かかる認識に基づき、以下の修復技術を提案する。
すなわち、有機発光素子とその駆動回路と、有機発光素子に対応する発光用スイッチング素子と、発光用スイッチング素子に信号データを供給する水平駆動回路とを同一基体上に有する発光装置について、前記水平駆動回路を停止させた状態のまま、特定領域内の発光用スイッチング素子にのみ修復信号を印加すると共に、当該発光用スイッチング素子に対応する有機発光素子の陽極と陰極との間に逆バイアス電圧を印加する技術を提案する。
Based on this recognition, the inventor proposes the following repair technique.
That is, for a light-emitting device having an organic light-emitting element, its drive circuit, a light-emitting switching element corresponding to the organic light-emitting element, and a horizontal drive circuit for supplying signal data to the light-emitting switching element on the same substrate, the horizontal drive While the circuit is stopped, a repair signal is applied only to the light emitting switching element in the specific region, and a reverse bias voltage is applied between the anode and cathode of the organic light emitting element corresponding to the light emitting switching element. Propose technology to do.

このため、発光装置に次の構成を設ける。
すなわち、(a) 陽極と、陰極と、陽極および陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、(b)
有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、(c) 駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、(d) 発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、(e)
発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、(f) 一方の信号端子が信号線に接続される修復用スイッチング素子と、(g) 修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、(h)
修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、(i) 駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、(j)
有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線とを有する発光装置を提案する。
For this reason, the following structure is provided in the light emitting device.
(A) an organic light emitting device having an anode, a cathode, and an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode, and (b)
A driving active element having one signal terminal connected to the anode of the organic light emitting element; (c) a light emitting switching element having one signal terminal connected to the control terminal of the driving active element; and (d) a light emitting element. A signal line connected to the other signal terminal of the switching element, and (e)
A selection line connected to the control terminal of the light emitting switching element; (f) a repair switching element in which one signal terminal is connected to the signal line; and (g) a signal line connected to the other signal terminal of the repair switching element. Repair signal line (h)
A repair element selection line connected to the control terminal of the repair switching element; (i) a power supply line connected to one signal terminal of the drive active element; and (j)
A light emitting device having a cathode voltage supply line connected to a cathode of an organic light emitting element is proposed.

また、その修復装置又は製造装置として、陰極の形成後、(a) 選択線に選択信号を供給し、(b) 選択信号に同期して、修復対象とする有機発光素子に対応する修復素子選択線に対してのみ選択パルスを供給し、(c)
修復対象とする有機発光素子に対応する修復用信号線に修復信号を供給し、(d) 電源供給線と陰極電圧供給線との間に、逆バイアス電圧を供給するものを提案する。
In addition, as the repair device or manufacturing device, after forming the cathode, (a) supply a selection signal to the selection line, and (b) select the repair device corresponding to the organic light emitting device to be repaired in synchronization with the selection signal. Supply selection pulse only to the line (c)
A repair signal is supplied to a repair signal line corresponding to an organic light emitting element to be repaired, and (d) a reverse bias voltage is supplied between a power supply line and a cathode voltage supply line.

すなわち、修復又は製造動作の際、修復用信号線、修復用スイッチング素子及び信号線を順に経由して特定の有機発光素子に修復信号(逆バイアス電圧)を印加する修復装置又は製造装置を提案する。ここで、修復信号の印加は、修復用スイッチング素子が閉制御されている間継続される。
ところで、この修復装置又は製造装置の場合、修復又は製造動作の際に水平駆動回路を動作させる必要がない。従って、水平駆動回路が有機発光素子と同一の基体上に形成されている場合でも、1つ又は複数の特定の有機発光素子に修復信号を継続的に印加することが可能となる。
That is, a repair device or a manufacturing apparatus is proposed that applies a repair signal (reverse bias voltage) to a specific organic light emitting element through a repair signal line, a repair switching element, and a signal line in order during a repair or manufacturing operation. . Here, the application of the repair signal is continued while the repair switching element is controlled to be closed.
By the way, in the case of this repair device or manufacturing device, it is not necessary to operate the horizontal drive circuit during the repair or manufacturing operation. Therefore, even when the horizontal drive circuit is formed on the same substrate as the organic light emitting element, it is possible to continuously apply the repair signal to one or more specific organic light emitting elements.

かかる技術の採用により、発光装置を構成する有機発光素子のうちの特定領域のみを選択的に修復することができる。すなわち、有機化合物層の微小な欠陥を原因とする滅点ピクセルを正常に発光させることができる。   By adopting such a technique, it is possible to selectively repair only a specific region of the organic light emitting elements constituting the light emitting device. That is, a dark spot pixel caused by a minute defect in the organic compound layer can be caused to emit light normally.

以下、発明に係る発光装置の実施形態例を説明する。なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the light emitting device according to the invention will be described. In addition, the well-known or well-known technique of the said technical field is applied about the part which is not illustrated or described in particular in this specification. The embodiment described below is one embodiment of the present invention and is not limited thereto.

(1)ディスプレイパネルの構成
図2に、有機ELディスプレイのシステム構成を概念的に示す。図2では、最小発光単位に対応する回路をピクセル回路11として表す。なお、カラー表示用の有機ELディスプレイのように、1つのピクセルが複数のサブピクセルで構成される場合には、ピクセル回路11をサブピクセル回路と読み替えるものとする。
(1) Configuration of Display Panel FIG. 2 conceptually shows the system configuration of the organic EL display. In FIG. 2, a circuit corresponding to the minimum light emission unit is represented as a pixel circuit 11. In the case where one pixel is composed of a plurality of subpixels as in a color display organic EL display, the pixel circuit 11 is replaced with a subpixel circuit.

この実施形態の場合、ピクセル回路11は、基体となるガラス基板上に形成される。ピクセル回路11は、有機ELディスプレイの解像度に応じ、発光領域内にマトリクス状に配置される。ピクセル回路11の構成は後述する。   In the case of this embodiment, the pixel circuit 11 is formed on a glass substrate serving as a base. The pixel circuits 11 are arranged in a matrix in the light emitting area according to the resolution of the organic EL display. The configuration of the pixel circuit 11 will be described later.

基体上には、ピクセル回路11の他、通常動作用の配線パターンおよび駆動回路と、修復用の配線パターンおよび制御回路とが形成される。これらのパターンおよび回路は、例えば低温ポリシリコンプロセスを用いて形成される。   On the substrate, in addition to the pixel circuit 11, a wiring pattern and a drive circuit for normal operation and a wiring pattern and a control circuit for repair are formed. These patterns and circuits are formed using, for example, a low temperature polysilicon process.

図2のうち既存の構成部分は、選択線13と、信号線15と、水平駆動回路17と、垂直駆動回路19の部分である。ここで、選択線13は、マトリクス状に配列された複数のピクセル回路11を行単位で選択するのに用いられる。各行は、走査ラインに対応する。選択線13は、一般に、水平方向に延長するように形成される。   The existing components in FIG. 2 are the selection line 13, the signal line 15, the horizontal drive circuit 17, and the vertical drive circuit 19. Here, the selection line 13 is used to select a plurality of pixel circuits 11 arranged in a matrix in a row unit. Each row corresponds to a scan line. The selection line 13 is generally formed so as to extend in the horizontal direction.

信号線15は、選択線13で選択されたピクセル回路11に信号データを供給するのに用いられる。信号線15は、選択線13と直交するように形成される。信号線15は、一般に、垂直方向に延長するように形成される。   The signal line 15 is used to supply signal data to the pixel circuit 11 selected by the selection line 13. The signal line 15 is formed to be orthogonal to the selection line 13. The signal line 15 is generally formed to extend in the vertical direction.

水平駆動回路17は、信号線15に供給する信号データを発生するのに用いられる。水平駆動回路17は、通常動作時に使用される。
この水平駆動回路17は、カラー表示を行う場合、有機ELディスプレイパネルを構成する発光色の配列に応じた信号データの並び替えを行う。すなわち、水平駆動回路17は、ピクセルを構成するサブピクセルの配列に応じて信号データの並び替えを行う。
The horizontal drive circuit 17 is used to generate signal data to be supplied to the signal line 15. The horizontal drive circuit 17 is used during normal operation.
When performing color display, the horizontal drive circuit 17 rearranges signal data in accordance with the arrangement of emission colors that constitute the organic EL display panel. That is, the horizontal drive circuit 17 rearranges the signal data in accordance with the arrangement of subpixels constituting the pixel.

なお、水平駆動回路17には、デジタル映像信号に対応するアナログ電圧信号が入力される。このアナログ電圧信号は、不図示の信号ドライバ回路から入力される。アナログ電圧信号は、信号ドライバ回路のデジタル/アナログ変換処理によって生成される。   The horizontal drive circuit 17 receives an analog voltage signal corresponding to the digital video signal. This analog voltage signal is input from a signal driver circuit (not shown). The analog voltage signal is generated by digital / analog conversion processing of the signal driver circuit.

垂直駆動回路19は、選択線13に供給する選択信号を発生するのに用いられる。垂直駆動回路19は、通常動作時だけでなく、修復動作時にも使用される。   The vertical drive circuit 19 is used to generate a selection signal to be supplied to the selection line 13. The vertical drive circuit 19 is used not only during normal operation but also during repair operation.

図2のうち修復用の構成部分は、電源供給線21と、陰極電圧供給線23と、修復素子選択回路25、修復素子選択線27と、修復用信号線29の部分である。
ここで、電源供給線21は、有機EL素子の陽極側に接続される。電源供給線21を通じて供給される電圧を電源電圧Vccという。一方、陰極電圧供給線23は、有機EL素子の陰極側に接続される。陰極電圧供給線23を通じて供給される電圧を陰極線電圧Vcat という。
The repair components in FIG. 2 are a power supply line 21, a cathode voltage supply line 23, a repair element selection circuit 25, a repair element selection line 27, and a repair signal line 29.
Here, the power supply line 21 is connected to the anode side of the organic EL element. A voltage supplied through the power supply line 21 is referred to as a power supply voltage Vcc. On the other hand, the cathode voltage supply line 23 is connected to the cathode side of the organic EL element. The voltage supplied through the cathode voltage supply line 23 is called a cathode line voltage Vcat.

因みに、電源電圧Vccと陰極線電圧Vcat はそれぞれ、外部電圧源から供給される。電源供給線21と陰極電圧供給線23を通じて、通常動作または修復動作に必要なバイアス電圧が供給される。   Incidentally, the power supply voltage Vcc and the cathode line voltage Vcat are respectively supplied from external voltage sources. A bias voltage necessary for normal operation or repair operation is supplied through the power supply line 21 and the cathode voltage supply line 23.

すなわち、通常動作時には、これら供給線を通じて順バイアス電圧(Vcc>Vcat )が供給される。一方、修復動作時には、これら供給線を通じて逆バイアス電圧(Vcc<Vcat )が供給される。   That is, during normal operation, a forward bias voltage (Vcc> Vcat) is supplied through these supply lines. On the other hand, during the repair operation, a reverse bias voltage (Vcc <Vcat) is supplied through these supply lines.

修復素子選択回路25は、修復動作の際、複数の信号線15のうち修復領域に対応する信号線15に修復用の信号データ(修復信号)を供給するのに用いられる。
修復素子選択回路25は、各信号線15に対応する複数のスイッチ25Aでなる。スイッチ25Aには、薄膜トランジスタを使用する。
The repair element selection circuit 25 is used to supply repair signal data (a repair signal) to the signal line 15 corresponding to the repair region among the plurality of signal lines 15 during the repair operation.
The repair element selection circuit 25 includes a plurality of switches 25 </ b> A corresponding to the signal lines 15. A thin film transistor is used for the switch 25A.

修復動作時、修復素子選択回路25は、修復領域に対応する信号線15のスイッチ25Aを閉じ、信号線15と修復用信号線29を接続する。なお、修復素子選択回路25は、非修復領域に対応する信号線15のスイッチ25Aを開き、信号線15と修復用信号線29を非接続の状態にする。   During the repair operation, the repair element selection circuit 25 closes the switch 25A of the signal line 15 corresponding to the repair region, and connects the signal line 15 and the repair signal line 29. Note that the repair element selection circuit 25 opens the switch 25A of the signal line 15 corresponding to the non-restoration region, so that the signal line 15 and the repair signal line 29 are not connected.

これに対し、通常動作時、修復素子選択回路25は、全てのスイッチ25Aを開き、信号線15と修復用信号線29を非接続の状態にする。   On the other hand, at the time of normal operation, the repair element selection circuit 25 opens all the switches 25A so that the signal line 15 and the repair signal line 29 are not connected.

なお、スイッチ25Aが開くことにより、信号線15の修復素子選択回路25側の端部がハイインピーダンスとなる。この結果、水平駆動回路17から信号線15に印加された電圧がピクセル回路11に供給される。   When the switch 25A is opened, the end of the signal line 15 on the repair element selection circuit 25 side becomes high impedance. As a result, the voltage applied from the horizontal drive circuit 17 to the signal line 15 is supplied to the pixel circuit 11.

この実施例では、修復素子選択回路25を構成する個々のスイッチ25Aの開閉制御は、修復素子選択線27を通じて供給される選択信号により実現する。図2は、1本の修復素子選択線27で全てのスイッチ25Aを制御する場合について表している。   In this embodiment, the opening / closing control of the individual switches 25 A constituting the repair element selection circuit 25 is realized by a selection signal supplied through the repair element selection line 27. FIG. 2 shows a case where all the switches 25 </ b> A are controlled by one repair element selection line 27.

もっとも、図3に示すように、修復素子選択線27を個々の信号線15に対して1対1の関係で配置しても良い。また、複数本の信号線15を一組として、各組に対して1対1の関係で修復素子選択線27を配置しても良い。   However, as shown in FIG. 3, the repair element selection lines 27 may be arranged in a one-to-one relationship with the individual signal lines 15. Alternatively, the repair element selection line 27 may be arranged in a one-to-one relationship with each set of a plurality of signal lines 15.

例えば、有機ELディスプレイを左右2つの領域に分割し、各領域に対応して2本の修復素子選択線を配置しても良い。また例えば、1つのピクセルを構成する複数個のサブピクセルを一組として、各組に対応して修復素子選択線27を配置しても良い。これらの場合、ピクセルまたは組単位での修復が可能となる。   For example, the organic EL display may be divided into two left and right regions, and two repair element selection lines may be arranged corresponding to each region. Further, for example, a plurality of sub-pixels constituting one pixel may be set as one set, and the repair element selection line 27 may be arranged corresponding to each set. In these cases, restoration in units of pixels or pairs is possible.

修復用信号線29は、修復動作の際、外部接続された修復装置から修復に必要な信号データ(アナログ電圧)を印加するのに用いられる。
図2は、1本の修復用信号線29を修復素子選択回路25に接続する場合について表している。すなわち、行単位で同じ信号データを印加する場合について表している。もっとも、修復用信号線29は、個々の信号線15に対して1対1の関係で配置しても良い。
The repair signal line 29 is used to apply signal data (analog voltage) necessary for repair from an externally connected repair device during the repair operation.
FIG. 2 shows a case where one repair signal line 29 is connected to the repair element selection circuit 25. That is, the case where the same signal data is applied in units of rows is shown. However, the repair signal lines 29 may be arranged in a one-to-one relationship with the individual signal lines 15.

また、複数本の信号線15を一組として、各組に対して1対1の関係で修復用信号線29を配置しても良い。例えば、有機ELディスプレイがカラー表示に対応する場合(1ピクセルが複数のサブピクセルで構成される場合)、ピクセル単位で修復用信号線29を配置しても良い。   Alternatively, the repair signal lines 29 may be arranged in a one-to-one relationship with each set of a plurality of signal lines 15. For example, when the organic EL display supports color display (when one pixel is composed of a plurality of subpixels), the restoration signal line 29 may be arranged in units of pixels.

また例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応して3本の修復用信号線29を配置しても良い。すなわち、色別に共通の修復用信号線29を配置しても良い。この場合、色単位で修復信号の印加が可能となる。回路例を図4に示す。   Further, for example, three repair signal lines 29 may be arranged corresponding to each color of R (red), G (green), and B (blue). That is, a common repair signal line 29 may be arranged for each color. In this case, the restoration signal can be applied in units of colors. A circuit example is shown in FIG.

なお図4は、1つのピクセルを構成する複数個のサブピクセルを一つの修復素子選択線27で制御する場合である。図4の場合、修復素子選択線27をピクセル毎に配置することにより、各色に応じた修復信号の印加がピクセル単位で可能となる。また図4の場合、修復素子選択線27を一組のピクセル毎に配置することにより、各色に応じた修復信号の印加が一組のピクセル単位で可能となる。   FIG. 4 shows a case where a plurality of subpixels constituting one pixel are controlled by one repair element selection line 27. In the case of FIG. 4, by arranging the repair element selection line 27 for each pixel, it is possible to apply a repair signal corresponding to each color in units of pixels. Further, in the case of FIG. 4, by arranging the repair element selection line 27 for each set of pixels, it is possible to apply a repair signal corresponding to each color in a set of pixels.

修復用信号線29に印加する信号電圧は、例えば直流電圧で良い。直流電圧を印加する場合、ディスプレイ全体に一定の修復信号(電圧)を印加できる。また例えば、垂直駆動回路19と同期させたパルス状の修復信号(電圧)を印加しても良い。この場合、特定の走査ライン(1つの選択線)のみに一定の修復信号(電圧)を印加できる。   The signal voltage applied to the repair signal line 29 may be a DC voltage, for example. When a DC voltage is applied, a fixed repair signal (voltage) can be applied to the entire display. Further, for example, a pulsed repair signal (voltage) synchronized with the vertical drive circuit 19 may be applied. In this case, a fixed repair signal (voltage) can be applied only to a specific scanning line (one selection line).

以上説明した修復素子選択回路25と修復素子選択線27の組み合わせを適切に選択することにより、特定の領域に対してのみ修復条件を満たす電位を印加することが可能になる。すなわち、滅点ピクセル以外のピクセルに対するダメージを低減できる。   By appropriately selecting the combination of the repair element selection circuit 25 and the repair element selection line 27 described above, it is possible to apply a potential that satisfies the repair condition only to a specific region. That is, damage to pixels other than the dark spot pixels can be reduced.

(2)ピクセル回路
図5に、ピクセル回路11の等価回路構成を示す。ピクセル回路11は、スイッチング用の薄膜トランジスタ31と、容量33と、駆動用の薄膜トランジスタ35と、有機EL素子37とを基本構成とする。
(2) Pixel Circuit FIG. 5 shows an equivalent circuit configuration of the pixel circuit 11. The pixel circuit 11 basically includes a switching thin film transistor 31, a capacitor 33, a driving thin film transistor 35, and an organic EL element 37.

この実施例の場合、薄膜トランジスタ31には、Nチャネル型のTFTトランジスタを使用する。薄膜トランジスタ31のゲート端子は選択線13に接続され、ソース端子は信号線15に接続されている。   In this embodiment, an N-channel TFT transistor is used as the thin film transistor 31. The gate terminal of the thin film transistor 31 is connected to the selection line 13, and the source terminal is connected to the signal line 15.

薄膜トランジスタ31は、選択線13を通じてゲート端子に高電位が印加されることで選択状態となる。例えば、通常動作時には7.0〔V〕が印加され、修復動作時には17〔V〕が印加される。この場合、薄膜トランジスタ31は、閉状態のスイッチとして機能する。   The thin film transistor 31 is selected by applying a high potential to the gate terminal through the selection line 13. For example, 7.0 [V] is applied during normal operation, and 17 [V] is applied during repair operation. In this case, the thin film transistor 31 functions as a closed switch.

従って、信号線15を通じてソース端子に印加された電圧が、ドレイン端子側に出力される。因みに、通常動作時、信号線15には黒レベル用に5〔V〕、白レベル用に1.5〔V〕が印加される。また、修復動作時、信号線15には黒レベル用(非修復用)に17〔V〕、白レベル用(修復用)に0〔V〕が印加される。   Therefore, the voltage applied to the source terminal through the signal line 15 is output to the drain terminal side. Incidentally, during normal operation, 5 [V] is applied to the signal line 15 for the black level and 1.5 [V] for the white level. Further, during the restoration operation, 17 [V] is applied to the signal line 15 for the black level (non-repair) and 0 [V] for the white level (repair).

一方、薄膜トランジスタ31は、選択線13を通じてゲート端子に低電位が印加されるとき、非選択状態となる。例えば、通常動作時には−8.0〔V〕が印加され、修復動作時には−3〔V〕が印加される。
この場合、薄膜トランジスタ31は、開状態のスイッチとして作用する。従って、信号線15を通じてソース端子に印加された電圧は、ドレイン端子に出力されない。
On the other hand, the thin film transistor 31 is in a non-selected state when a low potential is applied to the gate terminal through the selection line 13. For example, −8.0 [V] is applied during normal operation, and −3 [V] is applied during repair operation.
In this case, the thin film transistor 31 functions as an open switch. Therefore, the voltage applied to the source terminal through the signal line 15 is not output to the drain terminal.

容量33は、薄膜トランジスタ31を通じて印加された電位を、次の選択期間まで(ゲート端子に高電位が印加されるまで)保持するのに用いられる。
なお、容量33の一方の電極は、薄膜トランジスタ31のドレイン端子と薄膜トランジスタ35のゲート端子との中点に接続される。容量33の他方の電極は、電源供給線21に接続される。
The capacitor 33 is used to hold the potential applied through the thin film transistor 31 until the next selection period (until a high potential is applied to the gate terminal).
Note that one electrode of the capacitor 33 is connected to the midpoint between the drain terminal of the thin film transistor 31 and the gate terminal of the thin film transistor 35. The other electrode of the capacitor 33 is connected to the power supply line 21.

薄膜トランジスタ35は、有機EL素子37を駆動するためのトランジスタである。この実施例の場合、Pチャネル型のTFTトランジスタを使用する。
薄膜トランジスタ35のゲート端子はスイッチング用の薄膜トランジスタ31のドレイン端子に接続される。また、薄膜トランジスタ35のソース端子は電源供給線21に接続され、ドレイン端子は有機EL素子37の陽極に接続される。
The thin film transistor 35 is a transistor for driving the organic EL element 37. In this embodiment, a P-channel TFT transistor is used.
The gate terminal of the thin film transistor 35 is connected to the drain terminal of the switching thin film transistor 31. The source terminal of the thin film transistor 35 is connected to the power supply line 21, and the drain terminal is connected to the anode of the organic EL element 37.

薄膜トランジスタ35は、ゲート端子に印加される電位が低電位のときオン動作し、電源供給線21の電位を有機EL素子37の陽極に印加する。
一方、薄膜トランジスタ35は、ゲート端子に印加される電位が高電位のときオフ動作する。すなわち、薄膜トランジスタ35は開状態のスイッチとして作用する。従って、電源供給線21と有機EL素子37との接続は遮断される。
The thin film transistor 35 is turned on when the potential applied to the gate terminal is low, and applies the potential of the power supply line 21 to the anode of the organic EL element 37.
On the other hand, the thin film transistor 35 is turned off when the potential applied to the gate terminal is high. That is, the thin film transistor 35 functions as an open switch. Accordingly, the connection between the power supply line 21 and the organic EL element 37 is cut off.

有機EL素子37は、陽極と、陰極と、これらに挟まれた有機化合物層でなる。有機化合物層には、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的には、有機EL素子37は、陽極、有機化合物層、陰極が順に積層されてなる。   The organic EL element 37 includes an anode, a cathode, and an organic compound layer sandwiched between them. The organic compound layer includes a light emitting layer, a hole injection layer, an electron injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like. Basically, the organic EL element 37 is formed by laminating an anode, an organic compound layer, and a cathode in this order.

ただし、有機EL素子37として、陽極、正孔注入層、発光層、電子輸送層、陰極を順に積層した積層構造やこれらの積層構造を複数積層した構造(SOLED:transparent
Stacked OLED)もある。なお、陰極は、陰極電圧供給線23に接続される。
However, as the organic EL element 37, a stacked structure in which an anode, a hole injection layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are stacked in order, or a structure in which a plurality of these stacked structures are stacked (SOLED: transparent
There is also Stacked OLED). The cathode is connected to the cathode voltage supply line 23.

(3)修復装置(作成装置)
図6に、修復装置41の実施例を示す。修復装置41は、滅点ピクセルの修復時に、有機ELディスプレイに接続して使用する。この修復作業は、正常動作する有機ELディスプレイを製造するという意味で有機発光素子を有する発光装置の作成装置または製造装置としても動作する。
(3) Repair device (creation device)
FIG. 6 shows an embodiment of the repair device 41. The repair device 41 is used by being connected to an organic EL display when repairing the dark spot pixels. This repair work also operates as a light emitting device creation device or manufacturing device having an organic light emitting element in the sense of manufacturing a normally operating organic EL display.

なお、この実施例では、修復対象とする有機ELディスプレイは、製造工程内の半製品状態にあるものとする。すなわち、信号線ドライバIC等が接続される前の状態とする。
因みに、有機ELディスプレイ上には、水平駆動回路17と垂直駆動回路19が、発光領域と同時に形成されているものとする。
In this embodiment, it is assumed that the organic EL display to be repaired is in a semi-finished product state in the manufacturing process. That is, the state before the signal line driver IC or the like is connected.
Incidentally, it is assumed that the horizontal drive circuit 17 and the vertical drive circuit 19 are formed simultaneously with the light emitting region on the organic EL display.

この実施例の場合、修復装置41を、垂直駆動条件発生回路43と、バイアス電圧発生回路45と、バイアス電圧駆動回路47と、修復素子選択制御回路49と、修復信号電位発生回路51とで構成する。   In this embodiment, the repair device 41 includes a vertical drive condition generation circuit 43, a bias voltage generation circuit 45, a bias voltage drive circuit 47, a repair element selection control circuit 49, and a repair signal potential generation circuit 51. To do.

垂直駆動条件発生回路43は、修復時に必要な駆動条件を満たす2種類の選択信号電位とクロック信号を発生するのに用いられる。
一方の選択信号電位は、ピクセル回路11を選択状態に制御するのに使用する信号電位である。すなわち、高電位である。この実施例では、17〔V〕とする。
他方の選択信号電位は、ピクセル回路11を非選択状態に制御するのに使用する信号電位である。すなわち、低電位である。この実施例では、−3〔V〕とする。
The vertical drive condition generation circuit 43 is used to generate two types of selection signal potentials and clock signals that satisfy the drive conditions necessary for restoration.
One selection signal potential is a signal potential used to control the pixel circuit 11 to a selected state. That is, it is a high potential. In this embodiment, it is 17 [V].
The other selection signal potential is a signal potential used to control the pixel circuit 11 to a non-selected state. That is, the potential is low. In this embodiment, it is −3 [V].

これら2種類の選択信号電位は、垂直駆動回路19を通じて選択線13に印加される。また、選択信号電位と共に発生されるクロック信号は、垂直駆動回路19のスキャン動作のために発生される。
クロック信号は、正常動作時に用いられるものと同じもので良い。もっとも、修復動作専用に、特定の選択線を長く選択状態に制御できるクロック信号を発生しても良い。
These two types of selection signal potentials are applied to the selection line 13 through the vertical drive circuit 19. The clock signal generated together with the selection signal potential is generated for the scanning operation of the vertical drive circuit 19.
The clock signal may be the same as that used during normal operation. However, a clock signal that can control a specific selection line to be in a selected state for a long time may be generated exclusively for the repair operation.

バイアス電圧発生回路45は、電源電圧Vccと陰極線電圧Vcat に印加するバイアス電位を発生するのに使用される。この実施例では、電源電圧Vccとして、5〔V〕の電位を発生する。また、陰極線電圧Vcat
として、0〔V〕と10〔V〕の2種類の電位を発生する。
The bias voltage generating circuit 45 is used to generate a bias potential applied to the power supply voltage Vcc and the cathode line voltage Vcat. In this embodiment, a potential of 5 [V] is generated as the power supply voltage Vcc. The cathode line voltage Vcat
As shown, two types of potentials of 0 [V] and 10 [V] are generated.

ここで、2種類の電位を発生するのは、順バイアス電圧と逆バイアス電圧を交流的に印加するためである。従って、逆バイアス電圧を直流的に印加する場合には、陰極線電圧Vcat として10〔V〕だけを発生する。電源供給線21に5〔V〕、陰極電圧供給線23に10〔V〕を印加することで、有機EL素子37には5〔V〕の逆バイアス電圧を印加することができる。   Here, the two kinds of potentials are generated in order to apply a forward bias voltage and a reverse bias voltage in an alternating manner. Therefore, when the reverse bias voltage is applied in a DC manner, only 10 [V] is generated as the cathode line voltage Vcat. By applying 5 [V] to the power supply line 21 and 10 [V] to the cathode voltage supply line 23, a reverse bias voltage of 5 [V] can be applied to the organic EL element 37.

バイアス電圧駆動回路47は、陰極電圧供給線23に0〔V〕と10〔V〕を交流的に印加するのに使用される。すなわち、有機EL素子37に対して、順バイアス電圧と逆バイアス電圧を交互に印加するのに使用される。
陰極線電圧Vcat を交流駆動するのは、有機EL素子37に寄生する容量成分を充電し、滅点の原因であるショート回路に電流が流れ易くするためである。
The bias voltage drive circuit 47 is used to apply 0 [V] and 10 [V] to the cathode voltage supply line 23 in an alternating manner. That is, it is used for alternately applying a forward bias voltage and a reverse bias voltage to the organic EL element 37.
The reason why the cathode line voltage Vcat is AC driven is to charge a capacitance component parasitic on the organic EL element 37 so that a current easily flows to the short circuit that causes the dark spot.

修復素子選択制御回路49は、修復素子選択回路25を構成するスイッチ25Aの開閉を制御するのに使用される。すなわち、滅点箇所または滅点箇所を含む特定部分のピクセルのみに逆バイアス電圧を印加するのに使用される。
ここでの制御信号は、修復素子選択線27に対応する数だけ発生される。
The repair element selection control circuit 49 is used to control the opening / closing of the switch 25A constituting the repair element selection circuit 25. That is, it is used to apply a reverse bias voltage only to a dark spot or a specific portion of pixels including the dark spot.
The control signals here are generated in a number corresponding to the repair element selection lines 27.

修復信号電位発生回路51は、修復素子選択回路25で選択された信号線15に印加する修復用の信号電位を発生するのに用いられる。
この実施例の場合、黒レベルとして17〔V〕を発生し、白レベルとして0〔V〕を発生するのに使用される。ここでの信号電位は、修復用信号線29に対応する数だけ発生される。
The repair signal potential generation circuit 51 is used to generate a repair signal potential to be applied to the signal line 15 selected by the repair element selection circuit 25.
In this embodiment, it is used to generate 17 [V] as the black level and 0 [V] as the white level. The signal potential here is generated in a number corresponding to the repair signal line 29.

なお、前述した修復装置41は、修復箇所の検査用としても使用できる。この場合、修復装置41は、通常動作に必要な電位を発生する。
例えば、垂直駆動条件発生回路43は、高電位として7.0〔V〕を発生し、低電位として−8.0〔V〕を発生する。
また例えば、バイアス電圧発生回路45は、電源電圧Vccとして5〔V〕を発生し、陰極線電圧Vcat として−8.0〔V〕を固定的に発生する。
The above-described repair device 41 can also be used for inspection of a repaired part. In this case, the repair device 41 generates a potential necessary for normal operation.
For example, the vertical drive condition generation circuit 43 generates 7.0 [V] as a high potential and −8.0 [V] as a low potential.
Further, for example, the bias voltage generation circuit 45 generates 5 [V] as the power supply voltage Vcc and generates −8.0 [V] as the cathode line voltage Vcat.

また、修復装置41は、水平駆動回路17の駆動用として、水平駆動条件発生回路を有することが望ましい。
すなわち、水平駆動回路17の駆動に必要な信号電位とクロック信号を発生する水平駆動条件発生回路を有することが望ましい。
発生する信号電位は、5〔V〕と1.5〔V〕が望ましい。もっとも、同条件の信号電圧を修復用信号線29を通じて供給することもできる。
Further, it is desirable that the repair device 41 has a horizontal drive condition generation circuit for driving the horizontal drive circuit 17.
That is, it is desirable to have a horizontal drive condition generation circuit that generates a signal potential and a clock signal necessary for driving the horizontal drive circuit 17.
The generated signal potential is preferably 5 [V] and 1.5 [V]. However, it is also possible to supply a signal voltage of the same condition through the repair signal line 29.

(4)駆動動作
続いて、有機ELディスプレイの駆動動作および駆動条件について説明する。ここでは、通常動作時と修復動作時のそれぞれについて説明する。なお、通常動作時には順バイアス電圧が印加され、修復動作時には逆バイアス電圧が印加される。
(4) Driving Operation Next, the driving operation and driving conditions of the organic EL display will be described. Here, each of the normal operation and the repair operation will be described. A forward bias voltage is applied during normal operation, and a reverse bias voltage is applied during repair operation.

(4−1)通常動作
通常動作時、水平駆動回路17には、デジタル映像信号に対応するアナログ電圧信号が入力される。このアナログ電圧信号は、黒レベルを5〔V〕、白レベルを1.5〔V〕とする。
水平駆動回路17は、有機ELディスプレイのピクセル配列に合わせて、信号データを切り替え、対応するピクセルに信号データを印加する。すなわち、対応する信号線15に信号データを印加する。
(4-1) Normal Operation During normal operation, an analog voltage signal corresponding to a digital video signal is input to the horizontal drive circuit 17. The analog voltage signal has a black level of 5 [V] and a white level of 1.5 [V].
The horizontal drive circuit 17 switches the signal data in accordance with the pixel arrangement of the organic EL display, and applies the signal data to the corresponding pixel. That is, signal data is applied to the corresponding signal line 15.

一方、垂直駆動回路19は、信号データの書き込み対象である選択線13に7.0〔V〕を印加する。
このとき、選択された選択線13に接続された薄膜トランジスタ31がオン状態に制御される。これにより、駆動用の薄膜トランジスタ35のゲート端子に信号データが印加される。
On the other hand, the vertical drive circuit 19 applies 7.0 [V] to the selection line 13 to which signal data is to be written.
At this time, the thin film transistor 31 connected to the selected selection line 13 is controlled to be on. As a result, signal data is applied to the gate terminal of the driving thin film transistor 35.

またこの際、信号データは容量33に保持される。信号データは、薄膜トランジスタ31がオフ状態に切り替わった後も容量33に保持される。
この結果、薄膜トランジスタ35には、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じたドレイン電流Id が継続的に流れる。このドレイン電流Id が有機EL素子37に供給される。この結果、有機EL素子37が継続的に発光する。
At this time, the signal data is held in the capacitor 33. The signal data is held in the capacitor 33 even after the thin film transistor 31 is switched to the off state.
As a result, the drain current Id corresponding to the gate-source voltage Vgs continuously flows through the thin film transistor 35. This drain current Id is supplied to the organic EL element 37. As a result, the organic EL element 37 emits light continuously.

図7に、この動作状態を示す。この際、電源電圧Vccは5〔V〕であり、陰極線電圧Vcat は−8.0〔V〕である。
図8に、有機EL素子37が正常に発光する場合の等価回路例を示す。図8に示すように、有機EL素子37は、ダイオード接続された薄膜トランジスタ53と寄生容量成分55として表すことができる。
FIG. 7 shows this operating state. At this time, the power supply voltage Vcc is 5 [V], and the cathode line voltage Vcat is -8.0 [V].
FIG. 8 shows an equivalent circuit example when the organic EL element 37 emits light normally. As shown in FIG. 8, the organic EL element 37 can be represented as a diode-connected thin film transistor 53 and a parasitic capacitance component 55.

ところで、現実には正常に発光しない有機EL素子37が存在することがある。
図9に、有機EL素子37が正常に発光しない場合の等価回路例を示す。図9に示すように、有機EL素子37は、ダイオード接続された薄膜トランジスタ53と、寄生容量成分55と、抵抗成分57として表すことができる。
Incidentally, in reality, there may be an organic EL element 37 that does not emit light normally.
FIG. 9 shows an example of an equivalent circuit when the organic EL element 37 does not emit light normally. As shown in FIG. 9, the organic EL element 37 can be expressed as a diode-connected thin film transistor 53, a parasitic capacitance component 55, and a resistance component 57.

かかる等価回路が形成されている場合、ドレイン電流Idsは抵抗成分57に流れ、薄膜トランジスタ53には流れない又は非常に小さくなる。すなわち、発光層にドレイン電流Idsが供給されず、発光現象が生じない。これが滅点ピクセルの発生原理である。   When such an equivalent circuit is formed, the drain current Ids flows through the resistance component 57 and does not flow through the thin film transistor 53 or becomes very small. That is, the drain current Ids is not supplied to the light emitting layer, and no light emission phenomenon occurs. This is the generation principle of the dark spot pixel.

(4−2)直流逆バイアス駆動による修復動作
かかる滅点ピクセルを無くすには、抵抗成分57へのリーク電流を無くせば良い。すなわち、ショート回路を構成する抵抗成分57に物理的及び化学的な外力を作用させ、これを破壊(絶縁化)または高抵抗化すれば良い。
(4-2) Repair Operation by DC Reverse Bias Drive In order to eliminate such a dark spot pixel, it is only necessary to eliminate the leak current to the resistance component 57. That is, a physical and chemical external force may be applied to the resistance component 57 constituting the short circuit to destroy (insulate) or increase the resistance.

ここでは、図10に示すように、逆バイアス電圧を印加して抵抗成分57だけに逆方向電流Id を流すことを考える。
ここでは、有機EL素子37が有するダイオード特性を利用する。すなわち、逆バイアス電圧の印加時、逆方向電流Id は抵抗成分57に流れる性質を利用する。逆方向電流Id を抵抗成分57に流すことで、欠陥部分の温度を上昇させることができる。
Here, as shown in FIG. 10, it is considered that a reverse bias voltage is applied and a reverse current Id is allowed to flow only through the resistance component 57.
Here, the diode characteristic of the organic EL element 37 is used. That is, the reverse current Id utilizes the property of flowing through the resistance component 57 when a reverse bias voltage is applied. By passing the reverse current Id through the resistance component 57, the temperature of the defective portion can be increased.

温度上昇の結果、欠陥部分には焼き切れ、気化その他による蒸発、酸化または炭化が生じる。この結果、欠陥部分に、絶縁化などの物理的又は化学的な変化が生じる。すなわち、組成の変質による、抵抗成分57の高抵抗化が生じる。
これにより、順バイアス電圧の印加時における抵抗成分57へのリーク電流が減少し、有機EL素子37への電流が増加する。すなわち、有機EL素子37を正常な状態に修復することができる。
As a result of the temperature rise, the defective part is burned out, evaporated due to vaporization or the like, oxidized or carbonized. As a result, a physical or chemical change such as insulation occurs in the defective portion. That is, the resistance of the resistance component 57 is increased due to the change in composition.
As a result, the leakage current to the resistance component 57 when the forward bias voltage is applied decreases, and the current to the organic EL element 37 increases. That is, the organic EL element 37 can be restored to a normal state.

この修復動作のため、有機ELディスプレイに修復装置41を接続し、電源電圧Vccと陰極線電圧Vcat との間に逆バイアス電圧を印加する。すなわち、陰極電圧供給線23に10〔V〕を印加し、電源供給線21に5〔V〕を印加する。   For this repair operation, the repair device 41 is connected to the organic EL display, and a reverse bias voltage is applied between the power supply voltage Vcc and the cathode line voltage Vcat. That is, 10 [V] is applied to the cathode voltage supply line 23 and 5 [V] is applied to the power supply line 21.

また、修復するピクセルを含む走査ラインに対応する選択線13に対し、高電位(17〔V〕)を印加する。これにより、走査ライン上の薄膜トランジスタ31がオン状態となる。なおその他の走査ラインに対しては、低電位(−3〔V〕)を印加する。   Further, a high potential (17 [V]) is applied to the selection line 13 corresponding to the scanning line including the pixel to be repaired. As a result, the thin film transistor 31 on the scanning line is turned on. Note that a low potential (−3 [V]) is applied to the other scanning lines.

また、修復対象とするピクセルに接続される信号線15に対しては、低電位(0〔V〕)を印加する。なおその他の信号線には、高電位(17〔V〕)を印加する。この結果、修復対象とするピクセルに対応する薄膜トランジスタ35のみがオン状態に制御される。   Further, a low potential (0 [V]) is applied to the signal line 15 connected to the pixel to be repaired. Note that a high potential (17 [V]) is applied to the other signal lines. As a result, only the thin film transistor 35 corresponding to the pixel to be repaired is controlled to be on.

ところで、この修復動作の場合も、信号データは容量33に保持される。信号データは、薄膜トランジスタ31がオフ状態に切り替わった後も容量33に保持される。
この結果、薄膜トランジスタ35は、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じた逆方向電流Id が継続的に流すことが可能な状態に制御される。
By the way, also in the case of this restoration operation, the signal data is held in the capacitor 33. The signal data is held in the capacitor 33 even after the thin film transistor 31 is switched to the off state.
As a result, the thin film transistor 35 is controlled to a state in which the reverse current Id according to the gate-source voltage Vgs can continuously flow.

かくして、抵抗成分57に逆方向電流Id が流れ続け、抵抗成分57を破壊(絶縁化)または高抵抗化できる。すなわち、有機EL素子37を修復できる。
なお、修復時の駆動条件は、正常動作中のピクセル回路11に影響を及ぼさない範囲で効果が最大になるものを選択するのが望ましい。
Thus, the reverse current Id continues to flow through the resistance component 57, and the resistance component 57 can be destroyed (insulated) or increased in resistance. That is, the organic EL element 37 can be repaired.
It is desirable to select a driving condition at the time of restoration that maximizes the effect within a range that does not affect the pixel circuit 11 that is operating normally.

また、修復用信号線29を通じて薄膜トランジスタ35に印加する信号データは、欠陥の状態に応じて最適な電位に調整するのが望ましい。
すなわち、薄膜トランジスタ35のゲート・ソース間電圧Vgsを調整し、抵抗成分57に流れる逆方向電流Id の電流量を調整するのが望ましい。これにより、他の正常なピクセル回路11への影響を最小限にできる。
Further, it is desirable that the signal data applied to the thin film transistor 35 through the repair signal line 29 is adjusted to an optimum potential according to the state of the defect.
That is, it is desirable to adjust the amount of reverse current Id flowing through the resistance component 57 by adjusting the gate-source voltage Vgs of the thin film transistor 35. Thereby, the influence on other normal pixel circuits 11 can be minimized.

同様に、信号データとして印加する電位は、滅点ピクセルを構成する有機層の膜圧を考慮して定めることもできる。
このようにしても、他の正常なピクセル回路11への影響を最小限に抑えつつ、修復の効果を最大化できる。
Similarly, the potential applied as signal data can be determined in consideration of the film pressure of the organic layer constituting the dark spot pixel.
Even in this case, the effect of restoration can be maximized while minimizing the influence on other normal pixel circuits 11.

(4−3)交流逆バイアス駆動による修復動作
図10に示したように、有機EL素子37を等価回路として考察すると、容量成分55の存在も無視し得ない。容量成分55の大きさによっては、逆方向電流Id を抵抗成分57に効率的に流すことができない。
(4-3) Repair Operation by AC Reverse Bias Drive As shown in FIG. 10, when the organic EL element 37 is considered as an equivalent circuit, the presence of the capacitive component 55 cannot be ignored. Depending on the size of the capacitance component 55, the reverse current Id cannot be efficiently passed through the resistance component 57.

そこで、逆バイアス電圧を交流駆動する場合について説明する。
図11に、この実施例の駆動条件を示す。すなわち、電源電圧Vccを5〔V〕に固定する一方で、陰極線電圧Vcat を0〔V〕と10〔V〕の間で交流的に切り替える方法を提案する。
Therefore, a case where the reverse bias voltage is AC driven will be described.
FIG. 11 shows the driving conditions of this embodiment. That is, a method is proposed in which the power supply voltage Vcc is fixed at 5 [V] while the cathode line voltage Vcat is switched between 0 [V] and 10 [V] in an AC manner.

ここで、陰極線電圧Vcat に0〔V〕が印加されるとき、有機EL素子37に5〔V〕の順バイアス電圧が印加される。
一方、陰極線電圧Vcat に10〔V〕が印加されるとき、有機EL素子37に5〔V〕の逆バイアス電圧が印加される。このバイアス電圧値は、発光層を含む有機層の膜厚の耐圧を考慮した値である。なお、実施例では膜厚を
100〜 200〔nm〕として考えている。
Here, when 0 [V] is applied to the cathode line voltage Vcat, a forward bias voltage of 5 [V] is applied to the organic EL element 37.
On the other hand, when 10 [V] is applied to the cathode line voltage Vcat, a reverse bias voltage of 5 [V] is applied to the organic EL element 37. This bias voltage value is a value considering the breakdown voltage of the film thickness of the organic layer including the light emitting layer. In the examples, the film thickness is
It is considered as 100 to 200 [nm].

次に、駆動周期を考察する。発明者は、以下の条件で良好な結果を得ることができた。すなわち、容量成分55を2〔pF〕とする。また、印加するバイアス電圧を前述のように5〔V〕とする。また、逆バイアス電圧の印加時に流れる逆方向電流Id を6〔μA〕とする。   Next, the driving cycle will be considered. The inventor was able to obtain good results under the following conditions. That is, the capacitance component 55 is 2 [pF]. Further, the bias voltage to be applied is set to 5 [V] as described above. The reverse current Id that flows when the reverse bias voltage is applied is 6 [μA].

この場合、容量成分55を充電するのに必要な時間Tは、次式により求めることができる。
T=( 2 × 10-12 )× 5 / ( 6 × 10-9
=1.6 〔ms〕
In this case, the time T required to charge the capacitive component 55 can be obtained by the following equation.
T = (2 x 10-12 ) x 5 / (6 x 10-9 )
= 1.6 [ms]

すなわち、半周期が1.6 〔ms〕(1周期が3.2〔ms〕)の交流であれば良いことが分かる。従って、逆バイアス電圧を、約 312〔Hz〕程度で交流駆動すれば、抵抗成分57に流れる逆方向電流Id
を最大化することができる。
In other words, it can be understood that the half cycle is 1.6 [ms] (one cycle is 3.2 [ms]). Therefore, if the reverse bias voltage is AC driven at about 312 Hz, the reverse current Id flowing through the resistance component 57
Can be maximized.

実際には、容量値、逆方向電流値、バイアス電圧の大きさに応じて最適な条件を選択することになる。なお、実験の結果、陰極線電圧Vcat を 100〜 600〔Hz〕、好ましくは 300〜 400〔Hz〕で交流駆動するのが望ましい。因みに、交流駆動は 5〜30〔分〕継続すれば良い。   Actually, optimum conditions are selected according to the capacitance value, reverse current value, and bias voltage. As a result of the experiment, it is desirable that the cathode line voltage Vcat be AC driven at 100 to 600 [Hz], preferably 300 to 400 [Hz]. Incidentally, the AC drive should be continued for 5 to 30 minutes.

図12に、交流駆動中に印加するバイアス電圧と信号データの電位の組み合わせ例を示す。図12は、陰極線電圧Vcat が採り得る2種類の電位を横軸に表し、信号データが採り得る2種類の電位を縦軸に表す。すなわち、4種類の組み合わせについて表している。   FIG. 12 shows a combination example of the bias voltage applied during AC driving and the potential of the signal data. In FIG. 12, two types of potentials that can be taken by the cathode ray voltage Vcat are shown on the horizontal axis, and two types of potentials that can be taken by the signal data are shown on the vertical axis. That is, four types of combinations are shown.

図中、左上段に示す動作状態は、駆動用の薄膜トランジスタ35がオン状態に制御されている場合にあって、陰極線電圧Vcat が10〔V〕の場合について表している。この場合、5〔V〕の逆バイアス電圧が有機EL素子37に印加され、逆方向電流Id が流れることが分かる。   In the figure, the operation state shown in the upper left is the case where the driving thin film transistor 35 is controlled to be in the on state and the cathode line voltage Vcat is 10 [V]. In this case, it is understood that a reverse bias voltage of 5 [V] is applied to the organic EL element 37 and a reverse current Id flows.

図中、右上段に示す動作状態は、駆動用の薄膜トランジスタ35がオン状態に制御されている場合にあって、陰極線電圧Vcat が0〔V〕の場合について表している。
この場合、5〔V〕の順バイアス電圧が有機EL素子37に印加され、ドレイン電流Idsが流れることが分かる。
このとき、有機EL素子37が正常な状態であれば発光する。従って、修復動作中に、欠陥の修復は、滅点ピクセルが発光し始めることで分かる。
The operation state shown in the upper right part of the figure represents the case where the driving thin film transistor 35 is controlled to be on and the cathode line voltage Vcat is 0 [V].
In this case, it is understood that a forward bias voltage of 5 [V] is applied to the organic EL element 37 and the drain current Ids flows.
At this time, light is emitted if the organic EL element 37 is in a normal state. Thus, during the repair operation, defect repair can be seen by the dark pixel starting to emit light.

図中、下段に示す動作状態は、駆動用の薄膜トランジスタ35がオフ状態に制御されている場合について表している。なお、下段左側は、陰極線電圧Vcat が10〔V〕の場合について表している。
この場合、薄膜トランジスタ35がオフ状態であるため、修復用の逆バイアス電圧が印加されることはない。すなわち、修復対象以外のピクセル回路11には、何らの影響を与えないことが分かる。
In the drawing, the operation state shown in the lower stage represents the case where the driving thin film transistor 35 is controlled to be in the OFF state. The left side of the lower stage represents the case where the cathode line voltage Vcat is 10 [V].
In this case, since the thin film transistor 35 is in an off state, a reverse bias voltage for repair is not applied. That is, it can be seen that the pixel circuits 11 other than the restoration target are not affected at all.

図13及び図14に実験結果を示す。図13は、逆バイアス電圧の駆動周波数を変化させた場合に修復率(%)がどのように変化したかを複数のサンプルについて求めた図表である。図14は、この関係を折れ線グラフとして表した図である。   The experimental results are shown in FIGS. FIG. 13 is a chart in which how the repair rate (%) is changed for a plurality of samples when the drive frequency of the reverse bias voltage is changed. FIG. 14 is a diagram showing this relationship as a line graph.

因みに、実験には、3色塗り分けの有機ELディスプレイパネルを使用した。図13及び図14は、緑(G)色部分についての修復結果である。勿論、他の色についても同様に修復が可能である。
また、修復率は、次式で与えるものとする。
修復率(%)=(修復された数/修復前の滅点数)×100
Incidentally, an organic EL display panel with three different colors was used in the experiment. 13 and 14 show the restoration results for the green (G) color portion. Of course, other colors can be similarly repaired.
The repair rate is given by the following equation.
Repair rate (%) = (number repaired / number of dark spots before repair) × 100

いずれのサンプルの場合も、駆動周波数を100〔Hz〕から300〔Hz〕まで変化させると、周波数の増加に伴って修復率が改善することが確認された。また、いずれのサンプルの場合も、駆動周波数を300〔Hz〕から500〔Hz〕まで変化させると、周波数の増加に伴って修復率が低下することが確認された。   In any of the samples, it was confirmed that when the driving frequency was changed from 100 [Hz] to 300 [Hz], the repair rate was improved as the frequency increased. Further, in any sample, it was confirmed that when the driving frequency was changed from 300 [Hz] to 500 [Hz], the repair rate decreased with increasing frequency.

すなわち、駆動周波数が300〔Hz〕付近の場合にもっとも効率よく滅点部分を修復することができた。
図より、逆バイアス電圧の駆動周波数は、200〔Hz〕〜500〔Hz〕であるのが好ましいことが分かる。
もっとも、逆バイアス電圧の駆動周波数を250〔Hz〕〜400〔Hz〕に定めるのが更に好ましい。また、逆バイアス電圧の駆動周波数を250〔Hz〕〜350〔Hz〕に定めるのが更に好ましい。
That is, when the driving frequency is around 300 [Hz], the dark spot portion can be restored most efficiently.
From the figure, it is understood that the drive frequency of the reverse bias voltage is preferably 200 [Hz] to 500 [Hz].
However, it is more preferable to set the drive frequency of the reverse bias voltage to 250 [Hz] to 400 [Hz]. More preferably, the drive frequency of the reverse bias voltage is set to 250 [Hz] to 350 [Hz].

実験には、図15に示す構造の有機EL素子を有するサンプルを使用した。サンプルの違いは、有機EL素子を構成する各層の組成の違いである。
なお、この有機EL素子は、陽極61の上面に、正孔注入層63、正孔輸送層65、発光層67、電子輸送層69、陰極71を順に積層した構成を有する。
In the experiment, a sample having an organic EL element having the structure shown in FIG. 15 was used. The difference in the sample is the difference in the composition of each layer constituting the organic EL element.
The organic EL element has a configuration in which a hole injection layer 63, a hole transport layer 65, a light emitting layer 67, an electron transport layer 69, and a cathode 71 are sequentially stacked on the upper surface of the anode 61.

因みに、正孔注入層63は、エッチング加工により絶縁膜73から露出した陽極61の上面に形成されている。また、陽極61と絶縁膜73の下地には平坦化膜75が形成され、さらに下層にはポリシリコン層77が形成されている。ポリシリコン層77に駆動トランジスタが形成される。図15の場合、基体は、ガラス基板79である。また、各EL素子はバッファ層81で被覆され、その表面はガラス封止層83で覆われている。   Incidentally, the hole injection layer 63 is formed on the upper surface of the anode 61 exposed from the insulating film 73 by etching. Further, a planarizing film 75 is formed under the anode 61 and the insulating film 73, and a polysilicon layer 77 is formed under the lower layer. A drive transistor is formed in the polysilicon layer 77. In the case of FIG. 15, the base is a glass substrate 79. Each EL element is covered with a buffer layer 81 and the surface thereof is covered with a glass sealing layer 83.

(4−4)温度の印加による修正動作
次に、滅点部分を加温しながら逆バイアス電圧を印加する場合について説明する。ここでは、逆バイアス電圧を直流電圧とする。
(4-4) Correcting Operation by Applying Temperature Next, a case where a reverse bias voltage is applied while heating the dark spot portion will be described. Here, the reverse bias voltage is a DC voltage.

図16に、この修正動作に使用する装置構成を示す。図16は、有機ELディスプレイ91を、ホットプレート(加温装置)93の加温面に設置した状態を表している。ホットプレート93には、熱源と、温度を設定温度に制御する温度制御装置とが設けられている。   FIG. 16 shows an apparatus configuration used for this correction operation. FIG. 16 shows a state in which the organic EL display 91 is installed on the heating surface of a hot plate (heating device) 93. The hot plate 93 is provided with a heat source and a temperature control device that controls the temperature to a set temperature.

なお、設定温度は、半導体メモリその他の記憶装置に格納されている。また、設定温度は、作業者が任意の値を設定できる他、出荷時点で用意された複数の設定温度の一つを選択的に使用することができる。
また、逆バイアス電圧は、ホットプレート93に接続された修正装置41から供給される。修正装置41の内部構成(図6)は、前述の通りである。
The set temperature is stored in a semiconductor memory or other storage device. The set temperature can be set arbitrarily by the operator, and one of a plurality of set temperatures prepared at the time of shipment can be selectively used.
The reverse bias voltage is supplied from the correction device 41 connected to the hot plate 93. The internal configuration (FIG. 6) of the correction device 41 is as described above.

図17及び図18に、加温状態で逆バイアス電圧を与えた場合の実験結果を示す。なお、加温時間は20〔分〕である。図17は、温度を変化させた場合に修復率(%)がどのように変化したかを複数のサンプルについて求めた図表である。図18は、この関係を折れ線グラフとして表した図である。
なお、実験は、有機EL素子の温度がホットプレート93の設定温度に一致した状態で行った。
また、各サンプルには、有機EL素子を構成する各層の組成を異にするものを使用した。
17 and 18 show experimental results when a reverse bias voltage is applied in a heated state. The heating time is 20 [minutes]. FIG. 17 is a chart in which how the repair rate (%) changes when the temperature is changed is obtained for a plurality of samples. FIG. 18 is a diagram showing this relationship as a line graph.
Note that the experiment was performed in a state where the temperature of the organic EL element coincided with the set temperature of the hot plate 93.
Moreover, what made the composition of each layer which comprises an organic EL element different was used for each sample.

図17及び図18に示すように、いずれのサンプルの場合も、設定温度を25〔℃〕(室温)から60〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が改善することが確認された。また、いずれのサンプルの場合も、設定温度を60〔℃〕から80〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が低下することが確認された。   As shown in FIGS. 17 and 18, in any sample, when the set temperature is changed from 25 [° C.] (room temperature) to 60 [° C.], the repair rate improves as the temperature increases. confirmed. Further, in any sample, it was confirmed that when the set temperature was changed from 60 [° C.] to 80 [° C.], the repair rate decreased with increasing temperature.

すなわち、温度が60〔℃〕付近の場合にもっとも効率よく滅点部分を修復することができた。
図より、温度は、40〔℃〕〜75〔℃〕であるのが好ましいことが分かる。
もっとも、温度は、40〔℃〕〜65〔℃〕に定めるのが更に好ましい。また、温度は、50〔℃〕〜65〔℃〕に定めるのが更に好ましい。
なお、熱拡散等による後発的な滅点の発生を防止する観点からは、修正効果の認められるできるだけ低温域を用いるのが好ましい。もっとも、最適な温度条件は、有機EL素子の組成によっても異なる。
That is, when the temperature was around 60 [° C.], the dark spot portion could be restored most efficiently.
It can be seen from the figure that the temperature is preferably 40 [° C.] to 75 [° C.].
However, the temperature is more preferably set to 40 [° C.] to 65 [° C.]. Further, the temperature is more preferably set to 50 [° C.] to 65 [° C.].
In addition, from the viewpoint of preventing the occurrence of a subsequent dark spot due to thermal diffusion or the like, it is preferable to use a low temperature range where the correction effect is recognized. However, the optimum temperature condition varies depending on the composition of the organic EL element.

(4−5)温度の印加と交流逆バイアス駆動との組み合わせによる修正動作
ここでは、加温した状態で逆バイアス電圧を交流的に印加する場合について説明する。逆バイアス電圧と、交流駆動と、加温の3つを組み合わせることでより効果的な修復動作が可能となる。
(4-5) Correction Operation by Combination of Temperature Application and AC Reverse Bias Drive Here, a case where a reverse bias voltage is applied in an AC manner in a heated state will be described. By combining the reverse bias voltage, AC drive, and heating, a more effective repair operation can be performed.

図19及び図20に、この条件下での実験結果を示す。なお、図19は、1つのサンプルについて、温度と逆バイアス電圧の駆動周波数を変化させた場合の図表である。図20は、この関係を折れ線グラフとして表した図である。
なお、他のサンプルについても修復率こそ異なるものの、同様の実験結果が得られることが確認された。
19 and 20 show the experimental results under these conditions. FIG. 19 is a chart in the case where the temperature and the drive frequency of the reverse bias voltage are changed for one sample. FIG. 20 is a diagram showing this relationship as a line graph.
It was confirmed that similar experimental results could be obtained for other samples, although the repair rates were different.

いずれの駆動周波数の場合も、設定温度を25〔℃〕(室温)から60〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が改善することが確認された。また、いずれの駆動周波数の場合も、設定温度を60〔℃〕から80〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が低下することが確認された。   In any drive frequency, it was confirmed that when the set temperature was changed from 25 [° C.] (room temperature) to 60 [° C.], the repair rate was improved as the temperature increased. Moreover, in any drive frequency, when the set temperature was changed from 60 [° C.] to 80 [° C.], it was confirmed that the repair rate decreased as the temperature increased.

すなわち、温度が60〔℃〕付近の場合にもっとも効率よく滅点部分を修復することができた。
図より、駆動周波数は200〔Hz〕〜400〔Hz〕が好ましく、温度は40〔℃〕〜80〔℃〕であるのが好ましいことが分かる。もっとも、駆動周波数は250〔Hz〕〜400〔Hz〕が好ましく、温度は50〔℃〕〜65〔℃〕に定めるのが好ましい。この場合、修復率は20〔%〕台となる。
That is, when the temperature was around 60 [° C.], the dark spot portion could be restored most efficiently.
From the figure, it is understood that the drive frequency is preferably 200 [Hz] to 400 [Hz], and the temperature is preferably 40 [° C.] to 80 [° C.]. However, the drive frequency is preferably 250 [Hz] to 400 [Hz], and the temperature is preferably set to 50 [° C.] to 65 [° C.]. In this case, the repair rate is 20%.

(4−6)修復の効果
以上のように、前述した修復方法を適用することにより、それぞれ以下のような効果が期待できる。
前述した修復方法は、有機ELディスプレイの表面が外部と完全に遮断(封止)されている場合にも効果的である。これは、外部からレーザー光を照射する必要がなく、電流や温度を通じて内部的に欠陥を修復するためである。
(4-6) Repair Effect As described above, the following effects can be expected by applying the repair method described above.
The repair method described above is also effective when the surface of the organic EL display is completely blocked (sealed) from the outside. This is because there is no need to irradiate laser light from the outside, and defects are repaired internally through current and temperature.

なお、レーザー光を用いる方法の場合、有機ELディスプレイの表面を遮断するガラスやシール材の影響で欠陥箇所を十分修復することができない。また、レーザー光を用いる方法は、有機ELディスプレイの表面にカラーフィルタ等が配置されている場合にフィルターを損傷させる可能性がある。   In the case of a method using laser light, a defective portion cannot be sufficiently repaired due to the influence of glass or a sealing material that blocks the surface of the organic EL display. Further, the method using laser light may damage the filter when a color filter or the like is disposed on the surface of the organic EL display.

これに対し、本明細書で提案する修復方法には、これらの欠点がない。また、本明細書で提案する修復方法では、走査線選択回路やデータ線回路の一部又は全てが有機EL素子と同じパネル上に形成されている場合でも、特定の領域にのみ逆バイアス電圧を印加することができる。こんため、効率的に滅点箇所を修復できる。   In contrast, the repair method proposed in this specification does not have these drawbacks. Further, in the repair method proposed in this specification, even when a part or all of the scanning line selection circuit and the data line circuit are formed on the same panel as the organic EL element, a reverse bias voltage is applied only to a specific region. Can be applied. Therefore, the dark spot can be repaired efficiently.

また、滅点部分に逆バイアス電圧を交流的に印加することにより、励起子を活性化させて、滅点部分をの修復を実現できる。また、温度の印加により分子の運動エネルギーを抑制でき、逆バイアス電圧による有機EL層に対する負荷を緩和させることができる。これにより、滅点部分だけを選択的に修復することができる。すなわち、修復時に、他の正常領域を破壊せずに済む。   In addition, by applying a reverse bias voltage to the dark spot portion in an alternating manner, excitons are activated to restore the dark spot portion. Further, the kinetic energy of molecules can be suppressed by applying temperature, and the load on the organic EL layer due to the reverse bias voltage can be reduced. Thereby, only the dark spot portion can be selectively repaired. That is, it is not necessary to destroy other normal areas at the time of repair.

(5)発光装置
前述した有機ELディスプレイを搭載する発光装置(電子機器)の例を説明する。かかる発光装置としては、例えばビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ノート型のコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(携帯型のコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機、電子書籍等)、時計、画像再生装置、モニタ、テレビジョン受像器が考えられる。
(5) Light-emitting device An example of a light-emitting device (electronic device) on which the above-described organic EL display is mounted will be described. Examples of such a light emitting device include a video camera, a digital camera, a head mounted display, a navigation system, a sound reproducing device, a notebook computer, a game machine, a portable information terminal (a portable computer, a cellular phone, a portable game machine, an electronic device, etc. A book, etc.), a clock, an image reproducing device, a monitor, and a television receiver.

なおいずれの発光装置の場合にも、筐体と、有機ELディスプレイと、信号処理回路と、入力ポートを有する。例えば、テレビジョン受像器であれば、前述の構成に加え、スピーカやチューナが搭載される。また、ノート型のコンピュータや携帯情報端末は、前述の構成に加え、操作キーや操作ボタンを有する。   Note that each light-emitting device has a housing, an organic EL display, a signal processing circuit, and an input port. For example, in the case of a television receiver, a speaker and a tuner are mounted in addition to the above-described configuration. In addition to the above-described configuration, the notebook computer or the portable information terminal has operation keys and operation buttons.

また、ビデオカメラやデジタルカメラであれば、前述の構成に加え、撮像カメラや撮像された映像データを記憶媒体に保存するための書き込み回路を有する。
また、携帯電話機その他の通信機能を有する電子機器であれば、前述の構成に加え、送受信回路や必要に応じてアンテナを有する。
Further, in the case of a video camera or a digital camera, in addition to the above-described configuration, an imaging camera and a writing circuit for storing captured video data in a storage medium are provided.
Further, in the case of an electronic device having a communication function such as a mobile phone, in addition to the above-described configuration, a transmission / reception circuit and an antenna as necessary are provided.

(6)他の実施形態
上述の実施形態においては、有機ELディスプレイをガラス基板上に形成する場合について説明したが、基体としてプラスチックフィルム基板を用いる場合にも適用できる。
(6) Other Embodiments In the above-described embodiments, the case where the organic EL display is formed on the glass substrate has been described. However, the present invention can also be applied to the case where a plastic film substrate is used as the base.

上述の実施形態では、カラー表示用の有機ELディスプレイとして、各色に対応する発光層を用いる場合について説明したが、発光層は白色のみとし、これにカラーフィルタを組み合わせてカラー表示を実現しても良い。
または、発光層は一色のみとし、これに色変換層を組み合わせてカラー表示を実現しても良い。
In the above-described embodiment, the case where the light emitting layer corresponding to each color is used as the organic EL display for color display has been described. However, even if the light emitting layer is only white and a color filter is combined therewith to realize color display. good.
Alternatively, the light emitting layer may have only one color, and a color conversion layer may be combined with this to realize color display.

上述の実施形態では、基本的に滅点部分だけに逆バイアス電圧を印加する場合について説明したが、滅点部分を含む広い領域に逆バイアス電圧を印加しても良い。この印加手法の採用により、修復動作に要する時間を短縮できる。これは、有機ELディスプレイの大量生産時に効果的ある。
この場合、正常部分にも逆バイアス電圧が印加されることになるが、印加条件を適切に制御することにより、修復率の改善効果だけを享受することができる。
In the above-described embodiment, the case where the reverse bias voltage is basically applied only to the dark spot portion has been described. However, the reverse bias voltage may be applied to a wide region including the dark spot portion. By adopting this application method, the time required for the repair operation can be shortened. This is effective during mass production of organic EL displays.
In this case, the reverse bias voltage is also applied to the normal part, but only the effect of improving the repair rate can be enjoyed by appropriately controlling the application condition.

ピクセル回路の従来例を示す図である。It is a figure which shows the prior art example of a pixel circuit. 有機ELディスプレイの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of an organic electroluminescent display. 修復用の信号データをピクセル別に与える場合の接続例を示す図である。It is a figure which shows the example of a connection in the case of giving the signal data for a repair according to a pixel. 修復用の信号データを色別に与える場合の接続例を示す図である。It is a figure which shows the example of a connection in the case of giving the signal data for restoration according to color. ピクセル回路の等価回路例を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit example of a pixel circuit. 修復装置の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of a repair apparatus. 正常動作時の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement at the time of normal operation | movement. 正常ピクセルでのドレイン電流の流路を示す図である。It is a figure which shows the flow path of the drain current in a normal pixel. 滅点ピクセルでのドレイン電流の流路を示す図である。It is a figure which shows the flow path of the drain current in a dark spot pixel. 修復用に流す逆方向電流の流路を示す図である。It is a figure which shows the flow path of the reverse current sent for repair. 交流駆動時における陰極線電圧Vcat と電源電圧Vccとの電位関係を示す図である。It is a figure which shows the electric potential relationship of the cathode-ray voltage Vcat at the time of alternating current drive, and the power supply voltage Vcc. 陰極線電圧を交流駆動する際に印加される電位の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the electric potential applied when carrying out alternating current drive of a cathode ray voltage. 逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図表である。It is a graph which shows the experimental result at the time of carrying out alternating current drive of a reverse bias voltage. 逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図である。It is a figure which shows the experimental result at the time of carrying out alternating current drive of a reverse bias voltage. 有機EL素子の構造例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of an organic EL element. 逆バイアス電圧を加温状態で印加する場合の修復装置例を示す図である。It is a figure which shows the example of a repair apparatus in the case of applying a reverse bias voltage in a heating state. 逆バイアス電圧を加温状態で印加する場合の実験結果を示す図表である。It is a graph which shows the experimental result in the case of applying a reverse bias voltage in a heating state. 逆バイアス電圧を加温状態で印加する場合の実験結果を示す図である。It is a figure which shows the experimental result in the case of applying a reverse bias voltage in a heating state. 加温状態で逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図表である。It is a graph which shows the experimental result at the time of carrying out alternating current drive of the reverse bias voltage in a heating state. 加温状態で逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図である。It is a figure which shows the experimental result at the time of carrying out alternating current drive of the reverse bias voltage in a heating state.

符号の説明Explanation of symbols

11 ピクセル回路
17 水平駆動回路
19 垂直駆動回路
21 電源供給線
23 陰極電圧供給線
25 修復素子選択回路
27 修復素子選択線
29 修復用信号線
37 有機EL素子
41 修復装置
43 垂直駆動条件発生回路
45 バイアス電圧発生回路
47 バイアス電圧駆動回路
49 修復素子選択制御回路
51 修復信号電位発生回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Pixel circuit 17 Horizontal drive circuit 19 Vertical drive circuit 21 Power supply line 23 Cathode voltage supply line 25 Repair element selection circuit 27 Repair element selection line 29 Repair signal line 37 Organic EL element 41 Repair apparatus 43 Vertical drive condition generation circuit 45 Bias Voltage generation circuit 47 Bias voltage drive circuit 49 Repair element selection control circuit 51 Repair signal potential generation circuit

Claims (12)

陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、前記有機発光素子に対応する発光用スイッチング素子と、前記発光用スイッチング素子に信号データを供給する水平駆動回路とを同一基体上に有する発光装置修復するに当たり
前記水平駆動回路を停止させた状態のまま、特定領域内の発光用スイッチング素子にのみ修復信号を印加すると共に、当該発光用スイッチング素子に対応する有機発光素子の前記陽極と前記陰極との間に逆バイアス電圧を交流的に印加する発光装置の修復方法。
An organic light emitting device having an anode, a cathode, and an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode, a light emitting switching device corresponding to the organic light emitting device, and supplying signal data to the light emitting switching device Upon repairing a light emitting device having a horizontal drive circuit on the same substrate,
While the horizontal drive circuit is stopped, a repair signal is applied only to the light emitting switching element in the specific region, and between the anode and the cathode of the organic light emitting element corresponding to the light emitting switching element. repair method for AC applied to that light emission device a reverse bias voltage.
記逆バイアス電圧を100ヘルツ〜600ヘルツで印加する請求項1に記載の発光装置の修復方法。 Repair method for a light emitting device according to claim 1 for applying before the Kigyaku bias voltage at 100 Hz to 600 Hz. 前記逆バイアス電圧の印加に際し、前記特定領域の温度を35゜C〜75゜Cに加温する請求項1に記載の発光装置の修復方法。 Wherein upon applying a reverse bias voltage of the repair method of the light emission device of claim 1, the temperature warmed to 35 ° C to 75 ° C and the specific area. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、前記有機発光素子に対応する発光用スイッチング素子と、前記発光用スイッチング素子に信号データを供給する水平駆動回路とを同一基体上に有する発光装置の製造に当たり
前記水平駆動回路を停止させた状態のまま、特定領域内の発光用スイッチング素子にのみ修復信号を印加すると共に、当該発光用スイッチング素子に対応する有機発光素子の前記陽極と前記陰極との間に逆バイアス電圧を交流的に印加する発光装置の製造方法。
An organic light emitting device having an anode, a cathode, and an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode, a light emitting switching device corresponding to the organic light emitting device, and supplying signal data to the light emitting switching device In manufacturing a light emitting device having a horizontal drive circuit on the same substrate,
While the horizontal drive circuit is stopped, a repair signal is applied only to the light emitting switching element in the specific region, and between the anode and the cathode of the organic light emitting element corresponding to the light emitting switching element. method for producing AC applied to that light emission device a reverse bias voltage.
前記逆バイアス電圧を100ヘルツ〜600ヘルツで印加する請求項4に記載の発光装置の製造方法。The manufacturing method of the light-emitting device according to claim 4, wherein the reverse bias voltage is applied at 100 to 600 hertz. 前記逆バイアス電圧の印加に際し、前記特定領域の温度を35゜C〜75゜Cに加温する請求項4に記載の発光装置の製造方法。The method for manufacturing a light emitting device according to claim 4, wherein the temperature of the specific region is heated to 35 ° C. to 75 ° C. when the reverse bias voltage is applied. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、
前記駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、
前記発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、
前記発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、
一方の信号端子が前記信号線に接続される修復用スイッチング素子と、
前記修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、
前記修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、
前記駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、
前記有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線と
を有する発光装置の修復時、
前記選択線に選択信号を供給し、
前記選択信号に同期して、修復対象とする有機発光素子に対応する修復素子選択線に対してのみ選択パルスを供給し、
修復対象とする有機発光素子に対応する修復用信号線に修復信号を供給し、
前記電源供給線と前記陰極電圧供給線との間に、逆バイアス電圧を交流的に供給する発光装置の修復装置。
An organic light emitting device having an anode, a cathode, and an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode;
A driving active element having one signal terminal connected to the anode of the organic light emitting element;
A light emitting switching element having one signal terminal connected to a control terminal of the driving active element;
A signal line connected to the other signal terminal of the light emitting switching element;
A selection line connected to a control terminal of the light emitting switching element;
A repair switching element having one signal terminal connected to the signal line;
A repair signal line connected to the other signal terminal of the repair switching element;
A repair element selection line connected to the control terminal of the repair switching element;
A power supply line connected to one signal terminal of the driving active element;
When repairing a light emitting device having a cathode voltage supply line connected to the cathode of the organic light emitting element,
Supplying a selection signal to the selection line;
In synchronization with the selection signal, supply a selection pulse only to the repair element selection line corresponding to the organic light emitting element to be repaired,
Supply a repair signal to the repair signal line corresponding to the organic light emitting device to be repaired,
Between the cathode voltage supply line and said power supply line, repair device light emission device you supply a reverse bias voltage alternating current manner.
前記逆バイアス電圧を100ヘルツ〜600ヘルツで印加する請求項7に記載の発光装置の修復装置。The light emitting device repairing device according to claim 7, wherein the reverse bias voltage is applied at 100 to 600 hertz. 前記逆バイアス電圧の印加に際し、前記修復対象とする有機発光素子が存在する特定領域の温度を35゜C〜75゜Cに加温する請求項7に記載の発光装置の修復装置。The light-emitting device repairing device according to claim 7, wherein, when the reverse bias voltage is applied, the temperature of a specific region where the organic light-emitting element to be repaired is heated to 35 ° C. to 75 ° C. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、
前記駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、
前記発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、
前記発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、
一方の信号端子が前記信号線に接続される修復用スイッチング素子と、
前記修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、
前記修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、
前記駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、
前記有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線と
を有する発光装置の作成時、前記陰極を形成した後、
前記選択線に選択信号を供給し、
前記選択信号に同期して、修復対象とする有機発光素子に対応する修復素子選択線に対してのみ選択パルスを供給し、
修復対象とする有機発光素子に対応する修復用信号線に修復信号を供給し、
前記電源供給線と前記陰極電圧供給線との間に、逆バイアス電圧を交流的に供給する発光装置の製造装置。
An organic light emitting device having an anode, a cathode, and an organic compound layer sandwiched between the anode and the cathode;
A driving active element having one signal terminal connected to the anode of the organic light emitting element;
A light emitting switching element having one signal terminal connected to a control terminal of the driving active element;
A signal line connected to the other signal terminal of the light emitting switching element;
A selection line connected to a control terminal of the light emitting switching element;
A repair switching element having one signal terminal connected to the signal line;
A repair signal line connected to the other signal terminal of the repair switching element;
A repair element selection line connected to the control terminal of the repair switching element;
A power supply line connected to one signal terminal of the driving active element;
A cathode voltage supply line connected to the cathode of the organic light emitting device, and after forming the cathode,
Supplying a selection signal to the selection line;
In synchronization with the selection signal, supply a selection pulse only to the repair element selection line corresponding to the organic light emitting element to be repaired,
Supply a repair signal to the repair signal line corresponding to the organic light emitting device to be repaired,
Between the cathode voltage supply line and said power supply line, apparatus for manufacturing a light emission device you supply a reverse bias voltage alternating current manner.
前記逆バイアス電圧を100ヘルツ〜600ヘルツで印加する請求項10に記載の発光装置の製造装置。The light-emitting device manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the reverse bias voltage is applied at 100 to 600 hertz. 前記逆バイアス電圧の印加に際し、前記特定領域の温度を35゜C〜75゜Cに加温する請求項10に記載の発光装置の製造装置。The light emitting device manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the temperature of the specific region is heated to 35 ° C. to 75 ° C. when the reverse bias voltage is applied.
JP2004203039A 2004-04-28 2004-07-09 Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus Expired - Fee Related JP4569194B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004203039A JP4569194B2 (en) 2004-04-28 2004-07-09 Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004132358 2004-04-28
JP2004203039A JP4569194B2 (en) 2004-04-28 2004-07-09 Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005340149A JP2005340149A (en) 2005-12-08
JP4569194B2 true JP4569194B2 (en) 2010-10-27

Family

ID=35493455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004203039A Expired - Fee Related JP4569194B2 (en) 2004-04-28 2004-07-09 Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4569194B2 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317384A (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc Organic electroluminescence display device, its manufacturing method, repair method and repair unit
JP4751359B2 (en) * 2007-03-29 2011-08-17 東芝モバイルディスプレイ株式会社 EL display device
JP5044506B2 (en) * 2008-08-21 2012-10-10 株式会社アイテス Organic EL device repair method
US8845379B2 (en) 2010-06-02 2014-09-30 Nec Lighting, Ltd. Manufacturing method for organic EL lighting device
JP5698921B2 (en) * 2010-06-17 2015-04-08 株式会社カネカ Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same
JP6056082B2 (en) 2013-10-30 2017-01-11 株式会社Joled Display device and electronic device
JP6248288B2 (en) 2014-11-27 2017-12-20 株式会社Joled Display device and manufacturing method of display device
CN107221287B (en) * 2017-07-31 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and its pixel prosthetic device, pixel repairing method and display
JP7048246B2 (en) * 2017-10-05 2022-04-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Luminous system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0414794A (en) * 1990-05-08 1992-01-20 Idemitsu Kosan Co Ltd Manufacture of organic electroluminescence element
JP2003282253A (en) * 2002-01-15 2003-10-03 Denso Corp Manufacturing method of organic el element
JP2005084119A (en) * 2003-09-04 2005-03-31 Nec Corp Driving circuit for light emitting element and current controlled light emission display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0414794A (en) * 1990-05-08 1992-01-20 Idemitsu Kosan Co Ltd Manufacture of organic electroluminescence element
JP2003282253A (en) * 2002-01-15 2003-10-03 Denso Corp Manufacturing method of organic el element
JP2005084119A (en) * 2003-09-04 2005-03-31 Nec Corp Driving circuit for light emitting element and current controlled light emission display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005340149A (en) 2005-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9552756B2 (en) Method for repairing organic light emitting display
US10840319B2 (en) Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus
TWI243351B (en) Electro-optical device, its driving method and electronic machine
US8664671B2 (en) Display device and fabrication method for display device
KR20020077139A (en) Display Module
JP2007317384A (en) Organic electroluminescence display device, its manufacturing method, repair method and repair unit
JP2000267628A (en) Active el display device
US9361820B2 (en) Apparatus and method for inspecting short circuit defects
JP2007316511A (en) Active matrix type display device
JP2009003009A (en) Display device
JP2009116115A (en) Active matrix display device and driving method
US8563993B2 (en) Display device and fabrication method for display device
JP2017194640A (en) Display device and display method
JP4569194B2 (en) Light emitting device repair method and manufacturing method, light emitting device repair device and manufacturing apparatus
JP2002341790A (en) Display pixel circuit
JP2003233329A (en) Method for repairing display device
US7903051B2 (en) Electro-luminescence display device and driving method thereof
JP5899292B2 (en) Pixel drive circuit and display device
JP2008134345A (en) Repair method of active matrix display
JP2007316513A (en) Active matrix type display device
JP2007121424A (en) Active-matrix type display device and repair method of the same
JP2009122196A (en) Active matrix display device and its driving method
JP2009244527A (en) Display device
JP2003280582A (en) Display device and driving method therefor
JP2007114477A (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070626

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20081219

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20081225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20091009

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20091009

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100511

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100610

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100713

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100726

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees