JP5698921B2 - Organic el light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

Organic el light emitting device and manufacturing method thereof

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本発明は、一対の電極層に有機発光ユニットが挟持された有機EL発光素子の複数が集積され電気的に直列に接続された有機EL発光装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a plurality of integrated electrically connected to the organic EL light emitting device and a manufacturing method thereof in series of organic EL device wherein an organic light emitting unit is sandwiched by the pair of electrode layers.

有機EL装置を構成する有機EL素子は電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子である。 The organic EL element constituting the organic EL device is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy. 近年、有機EL素子を用いた研究が加速的に行われ、有機EL素子を構成する有機材料等の改良により、素子の駆動電圧が格段に下げられると共に、発光効率が高められている。 Recently, studies using organic EL elements is performed accelerated, by improving the organic materials constituting the organic EL device, the driving voltage of the device is remarkably reduced, emission efficiency is enhanced.

有機EL素子は、電圧を印加するための陽極および陰極を備えているが、少なくとも一方の電極は、素子内で発生する光を外部に取り出すために、透光性の導電材料が用いられる。 The organic EL element is provided with the anode and cathode for applying a voltage, at least one of the electrodes, in order to extract the light generated in the device to the outside, light-transmitting conductive material is used. 透光性の導電材料としては、例えば、AgやAu等の金属の極薄膜や、インジウム等をドープした酸化錫やアルミニウム等をドープした酸化亜鉛等の金属酸化物が用いられるが、これらの透光性の導電材料は、一般的に透光性が求められない金属電極層を構成する材料と比較して高抵抗である。 As the light-transmitting conductive material, for example, very thin film of metal such as Ag and Au, a metal oxide such as zinc oxide doped with tin oxide or aluminum-doped indium or the like is used, these magnetic light conductive material is generally compared to a high resistance material constituting the metal electrode layer translucent is not required. そのため、通電時には透光性の導電性電極層の電気抵抗に起因して発熱が生じ、素子の劣化を生じるばかりか、発光効率低下や、輝度分布の拡大等の問題を生じる傾向がある。 Therefore, when the energization heat generation occurs due to the electrical resistance of the transparent conductive electrode layer, not only results in a deterioration of the device, reduction in luminous efficiency and tends to cause problems of expansion of the luminance distribution.

特に、大面積の面発光のEL装置においては、その面積に比例して透光性の導電性電極層の抵抗値が大きくなるために、上記の問題はより深刻となる。 In particular, in the EL device with plane light emission having a large area, in proportion to the area in the resistance value of the transparent conductive electrode layer is increased, the above problem becomes more serious. この問題を解決するための有効な手段として、素子を膜面方向に分割し、分割された各単位素子を電気的に直列に接続する方法が提案されている。 As an effective means for solving this problem, by dividing the element to the film plane direction, a method of electrically connecting in series the respective unit elements divided has been proposed. 例えば、特許文献1および特許文献2には、パターン化された下部電極とパターン化された上部電極とを電気的に直列に接続させる有機EL装置の製造方法が示されている。 For example, Patent Document 1 and Patent Document 2, there is shown a method of manufacturing an organic EL device which is connected electrically in series and an upper electrode which is the lower electrode and the patterned a patterned is. しかしながら、特許文献1,2の方法においては、マスクプロセスにより素子のパターン化が行われるために、大面積化にも限界がある。 However, in the method of Patent Documents 1 and 2, for patterning of the elements is performed by a mask process, there is a limit to a large area. また、工程が複雑であり、有効面積のロスが大きいとの課題がある。 Further, process is complicated, there is a problem with the loss of the effective area is large.

特開2006−511073号公報 JP 2006-511073 JP 特開2007−227232号公報 JP 2007-227232 JP

上記のようなマスクプロセスによるパターン化方法における問題を解決する手段として、レーザービームの照射により層の一部を除去してパターン化を行う方法が想定される。 As means for solving the problems in the patterning process according to above-described mask process, a method of performing patterning by removing part of the layer by the irradiation of the laser beam is assumed. すなわち、レーザービームを用いる場合は、マスク交換等が不要であるため、工程が簡略化されるとともに、パターン化部分の線幅を小さくすることが可能であるために、有効面積も拡大し得る。 That is, the case of using a laser beam, since the mask replacement or the like is not necessary, along with process is simplified, since it is possible to reduce the line width of the patterned portion may be enlarged effective area. しかしながら、実際にレーザービームを用いて素子のパターン化を試みたところ、所定の駆動電圧を印加しても発光を生じない素子不良が存在することが判明した。 However, when actually attempted patterned element using a laser beam, it was found that defective element that does not cause light emission even by applying a predetermined drive voltage is present.

かかる観点に鑑み、本発明は、膜面方向に分割された複数の素子が直列接続された有機EL発光装置の製造方法に関し、簡易なプロセスによって、発光を生じない素子不良が解消され、信頼性に優れる有機EL発光装置の提供を目的とする。 In view of such aspect, the present invention relates to a method for manufacturing an organic EL light emitting device in which a plurality of elements divided into membrane surface direction are connected in series, by a simple process, device does not cause light emission failure is eliminated, reliability and to provide an organic EL light emitting device with excellent.

上記課題に鑑みて本発明者らが検討した結果、発光を生じない素子不良は、レーザービームによるパターン化(レーザースクライブ)が行われた際のスクライブ線加工端部のバリや、飛沫に起因して、同一単位素子や隣接する単位素子の電極間で電気的な短絡(非切断部)が生じていることが原因であることが判明した。 The present inventors have in view of the above problems have been studied, the element failure does not cause light emission, the laser beam and burrs of the scribe line processing ends when patterning (laser scribing) is performed by, due to splash Te, it has been found to be responsible for electrical short-circuit between electrodes of the same unit element and adjacent unit element (uncut portion) occurs. そして、発光素子に電圧を印加することによって、この短絡部分が除去され、正常に発光することを見出し本発明に至った。 Then, by applying a voltage to a light-emitting element, the short-circuit portion is removed, leading to found the present invention to normally emit light.

すなわち、本発明は、透光性基板1上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子が形成された有機EL発光装置およびその製造方法に関する。 That is, the present invention is, on a transparent substrate 1, for a plurality of electrically series-connected unit light emitting element is an organic EL light emitting device is formed and a manufacturing method thereof. 各単位発光素子は、透光性基板1側から透光性の第1の導電性電極層2、有機発光ユニット層3および第2の導電性電極層4を有している。 Each unit light-emitting element has a transparent substrate 1 side first conductive electrode layer 2 of the light-organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4.

本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法は、下記(a)〜(f)の各工程を順に有することが好ましい。 Method for manufacturing an organic EL light-emitting device according to the present invention preferably has the steps below (a) ~ (f) in this order.
(a)透光性基板上に、複数の第1種分割溝により複数領域に分割された透光性の第1導電性電極層を形成する工程 (b)前記第1導電性電極層上に、第2種分割溝により複数領域に分割された有機発光ユニット層を形成する工程 (c)前記有機発光ユニット層上に第2の導電性電極層を形成する工程 (d)前記各層が形成された基板にレーザービームを照射して、少なくとも前記第2の導電性電極層を除去して、第3種分割溝を形成する工程 (e)前記複数の単位発光素子の少なくとも1つに電圧を印加する工程 (f)前記第2の導電性電極層側の主面に封止基板を貼り合せて発光素子を封止する工程 (A) on a transparent substrate, a plurality of first kind dividing grooves by forming the first conductive electrode layer of the divided light-transmitting multiple regions step (b) the first conductive electrode layer , the second conductive electrode layer to form (d) is the respective layers are formed on the second kind dividing grooves by forming the organic light emitting unit layer divided into a plurality of regions step (c) the organic light emitting unit layer It was then irradiated with a laser beam to the substrate, applying at least said second conductive electrode layer is removed, at least one of the voltage of the three division step of forming a groove (e) the plurality of unit light-emitting element step of sealing the light emitting element by bonding a sealing substrate to the main surface of the step (f) said second conductive electrode layer side to

前記(e)の電圧を印加する工程において、非発光の単位発光素子が発光するまで段階的に印加電圧が上昇されることが好ましい。 In the step of applying a voltage of the (e), it is preferable that the unit light-emitting element of the non-emission stepwise applied voltage until the light emission is increased. また、電圧を印加するために交流電源が用いられることが好ましい。 Further, it is preferable that the alternating-current power supply is used to apply a voltage.

また、前記製造方法において、(d)第3種分割溝を形成する工程、(e)電圧を印加する工程、(f)発光素子を封止する工程、の少なくとも1つの工程が、水分が遮断された状況下で行なわれることが好ましい。 Further, in the above production method, (d) forming a third kind dividing grooves, applying a (e) voltage, the step (f) of the light-emitting element is sealed, at least one step, moisture is blocked it is preferably carried out under the circumstances. より好ましくは、これらの工程の全てが、水分が遮断された状況下で行われる。 More preferably, all of these steps are carried out under conditions where the water is shut off.

本発明の有機EL発光装置は、各層がパターン化され、複数の単位発光素子が電気的に直列接続されているため、面光源等に好適に用いることができる。 The organic EL light-emitting device of the present invention, each layer is patterned, a plurality of unit light-emitting elements are electrically connected in series, can be suitably used for a surface light source or the like. また、本発明の製造方法によれば、素子の封止が行われる前に直列接続された複数の単位素子間に電圧が印加されることで、電極間の短絡部分が除去される。 According to the production method of the present invention, a voltage is applied between the plurality of unit elements connected in series before the sealing element is made, a short circuit part between the electrodes are removed. そのため、簡易なプロセスにより非発光部を正常に発光させることが可能であり、大面積で信頼性の高い高性能の有機EL発光装置を得ることができる。 Therefore, it is possible to properly emit non-light emitting portion by a simple process, it is possible to obtain an organic EL light-emitting device of high reliability performance in a large area.

有機EL発光装置の製造プロセスを表す模式的平面図である。 It is a schematic plan view showing a manufacturing process of the organic EL light-emitting device. 有機EL発光装置の製造プロセスを表す模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing a manufacturing process of the organic EL light-emitting device. 時間に対する出力電圧の波形の例を模式的に表す図である。 An example of the waveform of the output voltage with respect to time is a diagram schematically showing. (A)〜(E)のそれぞれにおいて、横軸tは時間、縦軸Vは電圧を表す。 (A) ~ in each (E), the horizontal axis t represents time, the vertical axis V represents the voltage.

本発明は、例えばガラスや高分子フィルム等に代表される透光性基板1上に、透光性の第1の導電性電極層2が形成され、その上に有機発光層を含む有機発光ユニット層3と第2の導電性電極層4が形成され、透光性基板1側から光が取り出される、いわゆるボトムエミッション型の有機EL発光装置を主な対象としている。 The present invention is, for example, on the transparent substrate 1 which is represented by a glass or a polymer film or the like, the first conductive electrode layer of the light-transmitting 2 is formed, the organic light emitting unit including an organic light-emitting layer is formed thereon It is formed with the layer 3 and the second conductive electrode layer 4, light is extracted from the transparent substrate 1 side, the so-called bottom emission type organic EL light emitting device is primarily intended. 一方、第2の導電性電極層4として透光性の導電性材料を用いることで、両面光取出し型の発光装置へ適用することもできる。 On the other hand, by using a light-transmitting conductive material as the second conductive electrode layer 4 can be applied to both sides emission type emitting device.

図2(D)の模式的断面図に示されるように、本発明にかかる有機EL発光装置は、透光性基板1上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子201〜204が形成されている。 As shown in the schematic cross sectional view of FIG. 2 (D), the organic EL light-emitting device according to the present invention, on a transparent substrate 1, the unit light-emitting elements 201 to 204 which are a plurality of electrically connected in series It is formed. 各単位発光素子は、透光性基板1側から透光性の第1の導電性電極層2、有機発光ユニット層3および第2の導電性電極層4を有する。 Each unit light emitting element has a first conductive electrode layer 2, the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 of the light transmitting a light-transmitting substrate 1 side. また、図2(F2)に示されるように、第2の導電性電極層4側の主面に、樹脂層5等を介して封止基板6が配置されることで、発光素子が封止されていることが好ましい。 Further, as shown in FIG. 2 (F2), the main surface of the second conductive electrode layer 4 side, by sealing the substrate 6 through the resin layer 5 or the like is disposed, the light emitting element is sealed it is preferable to have been.

以下、図面を参照しながら、有機EL発光装置の製造方法における各工程を順に説明する。 Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, illustrating each step in the production method of the organic EL light-emitting device in this order. 図1(A)〜(F2)は、本発明の一実施形態にかかる有機EL発光装置の製造プロセスを表す模式的平面図である。 Figure 1 (A) ~ (F2) is a schematic plan view showing a manufacturing process of the organic EL light-emitting device according to an embodiment of the present invention. 図2(A)〜(F2)は、図1(A)〜(F2)のII-II断面における模式的断面図である。 Figure 2 (A) ~ (F2) is a schematic cross-sectional view taken along the II-II cross section in FIG. 1 (A) ~ (F2).

ボトムエミッション型有機EL装置において、発生した光を外部に取り出すために透光性基板1が用いられる。 In the bottom emission type organic EL device, the light-transmitting substrate 1 is used to extract generated light to the outside. 透光性基板1の上に形成される第1の導電性電極層2も透光性であることが求められる。 First conductive electrode layer 2 formed on the transparent substrate 1 also is required to have a light-transmitting property. ただし、これらは全面にわたって透光性である必要はない。 However, these do not have to be translucent over the entire surface. 例えば、特定の形状の領域を発光させてサイネージに適用される場合には、所望の形状の部分だけが透光性であれば足りる。 For example, when applied to signage by emitting region of a specific shape, only the portion of the desired shape is sufficient if a light-transmitting property. 「透光性」とは光を透過する性質を有することを意味し、具体的には、可視光域(350nm〜780nm)における透過率がおおむね50%を超えていればよい。 Means having a property of transmitting light as "translucent", specifically, it is sufficient that greater than 50% transmittance substantially in the visible light region (350nm~780nm).

透光性の第1の導電性電極層2(以下、「透光性導電層」と称する場合がある)を構成する透光性導電性材料としては、例えば、インジウムドープの酸化錫(ITO)、インジウムドープの酸化亜鉛(IZO)、酸化錫、酸化亜鉛等が例示される。 First conductive electrode layer 2 of the light-transmitting as the light-transmitting conductive material constituting the (hereinafter sometimes referred to as "transparent conductive layer"), for example, indium-doped tin oxide (ITO) , zinc oxide, indium-doped (IZO), tin oxide, zinc oxide and the like. 表面抵抗の低さの観点からは、透光性導電性材料としてはインジウムドープの酸化錫が好適に用いられる。 From the viewpoint of low surface resistance, as the translucent conductive material of tin oxide indium-doped are suitably used. 透光性の第1の導電性電極層の形成方法としては、例えばスパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法等が好適に採用される。 As a method for forming the light-transmissive first conductive electrode layer, for example, a sputtering method, an evaporation method, a pulse laser deposition method, or the like is preferably adopted.

図2(A)に示されるように、本発明の(a)工程では、透光性基板1上に、複数の第1種分割溝111〜114により複数の透光性導電領域21〜25に分割された第1導電性電極層2が形成される。 As shown in FIG. 2 (A), the (a) step of the present invention, on the transparent substrate 1, a plurality of light-transmissive conductive regions 21 to 25 by a plurality of first kind dividing grooves 111 to 114 the first conductive electrode layer is divided 2 is formed. 第1種分割溝を形成して透光性導電層を複数領域にパターン化する方法は、例えば、スクリーン印刷、マスクを使った蒸着等のように透光性導電層2をパターン化された状態で透光性基板1上に形成する方法と、透光性基板1上に透光性導電層2を形成後、リフトオフ、RIE(リアクティブイオンエッチング)、フォトリソグラフィー、ウォータージェット、レーザービーム照射等によって、選択的に透光性導電層を除去して分割溝を形成する方法、およびこれらの組み合わせが挙げられる。 State method of patterning the first kind dividing groove is formed by transparent conductive layer into a plurality of regions, for example, a screen printing, a patterned a transparent conductive layer 2 as a vapor deposition using a mask a method of forming on the transparent substrate 1 in, after forming the transparent conductive layer 2 on the transparent substrate 1, lift-off, RIE (reactive ion etching), photolithography, water jet, laser beam irradiation, etc. Accordingly, a method of forming a split groove by selectively removing the transparent conductive layer, and combinations thereof.

後述するように第2の導電性電極層4がレーザービーム照射によりパターン化される場合には、第1導電性電極層2のパターン化もレーザービーム照射により行われることが好ましい。 When the second conductive electrode layer 4 as described later is patterned by laser beam irradiation, it is preferable that patterning of the first conductive electrode layer 2 is also performed by laser beam irradiation. この場合、第1の導電性電極層2と第2の導電性電極層4の加工精度(第1種分割溝と第3種分割溝の加工精度)を同程度とすることができる。 In this case, the first conductive electrode layer 2 and the second conductive electrode layer 4 of the processing precision (processing precision of the first kind dividing groove and a third kind dividing groove) can be comparable. また、レーザービーム照射はプロセスが簡易である点においても好適である。 Further, the laser beam irradiation is also suitable in that process is simple. 第1種分割溝111〜114の形成において、透光性導電層2に吸収される波長を有するレーザービームが透光性導電層2側から透光性基板1側に照射されれば、透光性基板1の損傷が抑制され得る。 In the formation of the first kind dividing grooves 111 to 114, if the laser beam having a wavelength that is absorbed by the transparent conductive layer 2 is emitted from the transparent conductive layer 2 side transparent substrate 1 side, translucent damage sex substrate 1 can be suppressed.

図2(B1)に示されるように、第1の導電性電極層2上に有機発光ユニット層3が形成されると、第1種分割溝121〜124は、有機発光ユニット層を構成する材料により充填される。 As shown in FIG. 2 (B1), when the organic light emitting unit layer 3 is formed on the first conductive electrode layer 2, the first kind dividing grooves 121 to 124, the material constituting the organic light emitting unit layer It is filled with. したがって、各透光性導電領域21〜25内においては電気抵抗が低く、隣接する透光性導電領域との間は電気抵抗が高く、絶縁された状態となる。 Thus, low electric resistance in each transparent conductive region 21 to 25, between the adjacent light-transmitting conductive region has a high electrical resistance in a state of being insulated.

直列接続される各単位素子(発光部分)の発光面積を均等とする観点からは、各透光性導電領域は、略同じ面積に分割されることが望ましい。 From the viewpoint of the light-emitting area of ​​each unit element (light emitting portion) which is connected in series with the equivalent, each transparent conductive region is desirably divided at substantially the same area. 例えば、矩形の透光性基板上に透光性導電層が形成される場合、図1(A)に示されるように、基板の一辺と平行に複数の第1種分割溝111〜114が形成され、透光性導電層2が複数の短冊状の透光性導電領域21〜25に分割されることが好ましい。 For example, if a rectangular transparent substrate transparent conductive layer is formed, as shown in FIG. 1 (A), first kind dividing grooves 111 to 114 of the plurality in parallel with one side of the substrate is formed is, it is preferable that the light transmitting conductive layer 2 is divided into a plurality of strip-shaped transparent conductive region 21-25. 膜面方向の電気抵抗は、各領域の分割幅が小さいほど、すなわち分割数を増加させるほど低減される。 Electric resistance of the membrane surface direction is higher division width of each region is small, that is reduced enough to increase the number of divisions.

図2(B2)に示されるように、本発明の(b)工程においては、パターン化された第1の導電性電極層2上に、第2種分割溝121〜124により複数の有機発光ユニット領域31〜35に分割された有機発光ユニット層3が形成される。 As shown in FIG. 2 (B2), in step (b) of the present invention, on the first conductive electrode layer 2 patterned into a plurality of organic light emitting unit by the two dividing grooves 121 to 124 the organic light emitting unit layer 3 divided into regions 31 to 35 are formed. 有機発光ユニット層3は、一般の有機EL素子において陰極と陽極とに挟持された部分を指し、例えば、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を含む。 The organic light emitting unit layer 3, in a general organic EL element refers to a clamping portion to the cathode and the anode, for example, in addition to the electron injection layer of the light-emitting layer, an electron transport layer, a hole injection layer, a hole transport layer, etc. including. 有機発光ユニット層は、有機化合物層の他に、薄膜のアルカリ金属層や無機層を有していてもよい。 The organic light emitting unit layer, in addition to the organic compound layer may have an alkali metal layer and the inorganic layer of the thin film. また、有機発光ユニット層は、特開2003−272860号公報等に開示されているように、電荷発生層(Charge Generation Layer)を介して、膜面の法線方向に複数の発光層が直列に接続されたマルチフォトエミッション(MPE)構成を有していてもよい。 The organic light emitting unit layer, as disclosed in JP 2003-272860 Patent Publication, via a charge generation layer (Charge Generation Layer), a plurality of light-emitting layers in the normal direction of the film surface in series connected multi photoemission may have (MPE) structure.

有機発光ユニット層を構成する各層は、目的等に応じて適宜の方法により形成され得る。 Layers constituting the organic light emitting unit layer can be formed by an appropriate method depending on the purpose or the like. 例えば、低分子有機化合物等は蒸着法で形成されてもよいし、高分子有機化合物は印刷法等で形成されてもよい。 For example, low-molecular organic compounds may be formed by vapor deposition, high molecular organic compound may be formed by a printing method or the like. また、有機EL発光装置の製造工程において、吸湿によって有機発光ユニット層を構成する各層が劣化するのを抑止する観点から、有機発光ユニット層の最表面(第2の導電性電極層との界面)に第2の導電性電極層4とは別に、バッファー層として導電性の層を形成してもよい。 In the manufacturing process of the organic EL light emitting device, (the interface between the second conductive electrode layer) from the viewpoint of preventing the deterioration is layers constituting the organic light emitting unit layer by moisture absorption, the outermost surface of the organic light emitting unit layer to separate from the second conductive electrode layer 4 may be formed a conductive layer as a buffer layer.

第2種分割溝を形成して有機発光ユニット層3をパターン化する方法としては、例えば、透光性導電層をパターン化する方法として前述したのと同様の方法を採用することができる。 As a method of patterning an organic light emitting unit layer 3 to form a second kind divided grooves, for example, it can be adopted a method similar to that described above as a method of patterning the transparent conductive layer. 例えば、レーザービーム照射によって第2種分割溝121〜124が形成される場合、図2(B1)に示されるように、パターン化された透光性の第1の導電性電極層2上に有機発光ユニット層3が形成された後、有機発光ユニット層3に吸収される波長を有するレーザービームが有機発光ユニット層3側から透光性基板1側へ照射されれば、第1の導電性電極層2の損傷を抑制し得る。 For example, a laser if the beam by the two dividing grooves 121 to 124 are formed, as shown in FIG. 2 (B1), patterned transparent organic to the first upper conductive electrode layer 2 after the light emitting unit layer 3 is formed, if it is a laser beam having a wavelength that is absorbed by the organic light emitting unit layer 3 is irradiated from the organic light emitting unit layer 3 side to the transparent substrate 1 side, a first conductive electrode capable of suppressing the damage of the layer 2.

一方、有機発光ユニット層3の最表面に導電性の層が形成されている場合、有機発光ユニット層3に吸収される波長を有するレーザービームを透光性基板1側から有機発光ユニット層3側へ照射すれば、透光性基板や透光性導電層によって光エネルギーがほとんど吸収されないため、最表面に導電性の層が形成された有機発光ユニット層が低エネルギー密度で除去され得る。 On the other hand, if the layer of conductive on the outermost surface of the organic light emitting unit layer 3 is formed, the organic light emitting unit layer 3 side laser beam having a wavelength that is absorbed by the organic light emitting unit layer 3 from a transparent substrate 1 side if irradiation to, because the light energy is hardly absorbed by the light-transmitting substrate and the light transmitting conductive layer, the organic light emitting unit layer a layer of electrically conductive on the outermost surface is formed may be removed at a low energy density.

次に、図2(D)に示されるように、パターン化された有機発光ユニット層3上に、複数の第3種分割溝131〜133により複数領域41〜44に分割された第2の導電性電極層が形成される。 Next, as shown in FIG. 2 (D), on the organic light emitting unit layer 3 is patterned, a second conductive divided into a plurality of regions 41 to 44 by a plurality of third kind dividing groove 131-133 sex electrode layer is formed. 第3種分割溝は、少なくとも第2の導電性電極層4を複数領域に分割するものであればよいが、有機EL発光装置の集積を効率的に行う観点からは、図2(D)に示されるように、第3種分割溝131〜133は、第2の導電性電極層4と有機発光ユニット層3とを分割するものであることが好ましい。 The three segmented groove, at least the second conductive electrode layer 4 may be one divided into a plurality of regions, but from the viewpoint of performing accumulation of the organic EL light emitting device efficiently, in FIG. 2 (D) as shown, the three dividing grooves 131 to 133, it is preferable that the dividing and a second conductive electrode layer 4 and the organic light emitting unit layer 3.

第3種分割溝131〜133の形成方法としては、透光性導電層2をパターン化する方法として前述したのと同様の方法を採用することもできが、本発明においては、レーザービームの照射により、第3種分割溝が形成されることが好ましい。 As a method for forming the third kind dividing grooves 131 to 133, the transparent conductive layer 2 can also be employed a method similar to that described above as a method of patterning is, in the present invention, irradiation of the laser beam Accordingly, it is preferable that the three dividing groove is formed. レーザービーム照射によって第3種分割溝を形成すれば、加工精度、大面積化、生産性、コストにおいて優位である。 By forming the third kind dividing grooves by laser beam irradiation, processing accuracy, a large area, productivity is superior in cost. 特に、前述のように、有機発光ユニット層3と第2の導電性電極層4とが同時に除去され得るため、レーザービームの照射による第3種分割溝の形成は、工程を簡略化し得る点において好ましい。 In particular, as mentioned above, since the organic light emitting element layer 3 and the second conductive electrode layer 4 can be removed at the same time, formation of the three split groove by irradiating a laser beam, in that it can simplify the process preferable.

この場合、工程(c)として、パターン化された有機発光ユニット層3上に、第2の導電性電極層4が形成された後、工程(d)として、第1の導電性電極層2、有機発光ユニット層3および第2の導電性電極層4が形成された基板1にレーザービームが照射され、少なくとも第2の導電性電極層が除去されることで、第3種分割溝が形成される。 In this case, as the step (c), on the organic light emitting unit layer 3 patterned, after the second conductive electrode layer 4 is formed, as a step (d), the first conductive electrode layer 2, the substrate 1 in which the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 is formed is a laser beam is irradiated, by at least a second conductive electrode layer is removed, the three split groove is formed that.

工程(c)において、第2の導電性電極層4は、例えば、Al、Agなどを用いて、蒸着、スパッタ等の方法により形成することができる。 In the step (c), the second conductive electrode layer 4 can be, for example, Al, by using a Ag, evaporation, formed by a method such as sputtering. 透光性基板側から光を取り出すボトムエミッション型有機EL装置の場合、第2の導電性電極層は透光性である必要はないが、両面光取出し等へ適用する場合、第2の導電性電極層として透光性のものが用いられる場合がある。 If a light-transmitting substrate side of the bottom emission type organic EL device in which light is extracted, the second conductive electrode layer need not be light transmissive, when applied to a duplex optical extraction, etc., the second conductive there are cases where those light transmitting is used as an electrode layer. この場合、第2の導電性電極層としては、第1の導電性電極層にて前記したのち同様のものを使用できる。 In this case, the second conductive electrode layer can use a similar After the in the first conductive electrode layer.

第2の導電性電極層4と第1の導電性電極層2とは、前記有機発光ユニット層を挟持する一対の電極を構成する。 A second conductive electrode layer 4 and the first conductive electrode layer 2, constituting a pair of electrodes sandwiching the organic light emitting unit layer. また、第2種分割溝121〜124に第2の導電性電極層を構成する材料が充填されることにより、1つの単位素子の第2導電性電極層と、隣接する単位素子の第1の導電性電極層とが電気的に接続される。 Further, the second kind divided grooves 121 to 124 of the second by the material constituting the conductive electrode layer is filled, and a second conductive electrode layer of one unit element, a first adjacent unit elements conductive electrode layer and are electrically connected. 例えば図2(D)の単位素子202と203とを例に取ると、単位素子202の導電性電極層部分42が、第2種分割溝122を介して、単位素子203の第1の導電性電極層部分23と電気的に接続される。 For example, take the unit elements 202 and 203 shown in FIG. 2 (D) as an example, the conductive electrode layer portion 42 of the unit element 202, via a second kind divided grooves 122, the first conductive unit element 203 electrically the electrode layer portion 23 connected.

工程(c)が行われた状態においては、図1(C)および図2(C)に示されるように、第2の導電性電極層4が基板上の全面に形成されている。 In a state in which step (c) is performed, as shown in FIG. 1 (C) and FIG. 2 (C), the second conductive electrode layer 4 is formed on the whole surface of the substrate. その後、工程(d)によって、図2(D)に示されるように少なくとも第2の導電性電極層4を分割する第3種分割溝131〜133が形成される。 Thereafter, the step (d), the third kind dividing grooves 131 to 133 for dividing at least a second conductive electrode layer 4 as shown in FIG. 2 (D) is formed. これによって、第2の導電性電極層4は複数領域41〜44に分割され、各単位素子201〜204が直列接続された有機EL発光素子が形成される。 Thus, the second conductive electrode layer 4 is divided into a plurality of regions 41 to 44, an organic EL device each unit element 201 to 204 are connected in series is formed.

工程(d)において、透光性基板1側から第2の導電性電極層4側に有機発光ユニット層3に吸収される波長を有するレーザービームが入射されれば、有機発光ユニット層3と第2の導電性電極層4とが同時に除去された第3種分割溝が形成される。 In the step (d), the if the laser beam is incident with a wavelength that is absorbed from a transparent substrate 1 side to the organic light emitting element layer 3 to the second conductive electrode layer 4 side, the organic light emitting unit layer 3 a the three split groove and second conductive electrode layer 4 is removed at the same time is formed. この場合、レーザービームの光エネルギーの大部分は、透光性基板1や透光性導電層2では吸収されず、有機発光ユニット層3によって吸収される。 In this case, most of the laser beam of light energy is not absorbed in the light-transmitting substrate 1 and transparent conductive layer 2, it is absorbed by the organic light emitting unit layer 3. そのため、第3種分割溝の形成において、有機発光ユニット層の除去に最低限必要なエネルギー密度のレーザービームを照射すれば、第1の導電性電極層2の損傷を抑止し得る。 Therefore, in the formation of the three split groove, it is irradiated with a laser beam of minimum required energy density for the removal of the organic light emitting unit layer may inhibit damage to the first conductive electrode layer 2. 有機発光ユニット層3のレーザービームが照射された部分は、光エネルギーの吸収によって発熱、蒸発するため、結果として有機発光ユニット層3のみならず、その上に形成された第2の導電性電極層4も同時に除去される。 Portion the laser beam of the organic light emitting unit layer 3 is irradiated, heat generation by absorption of light energy, in order to evaporate, not resulting organic light emitting unit layer 3 only, the second conductive electrode layer formed thereon 4 is also removed at the same time.

第3種分割溝の形成に用いられるレーザー光源は、有機発光ユニット層3に吸収される波長のレーザービームを発振するものであればよく、例えば、ネオジウムを添加したYAGまたはYVO の固体結晶をレーザー媒質とするパルスレーザーの高調波(532nm,355nm)が好適に用いられる。 Laser light source used for forming the third kind dividing groove may be one that emits a laser beam having a wavelength that is absorbed by the organic light emitting unit layer 3, for example, a solid crystal of YAG or YVO 4 was added neodymium harmonics of the pulse laser to the laser medium (532 nm, 355 nm) is preferably used.

第3種分割溝の形成後に、発光素子の形成部を外周部から絶縁するために、図1(D2)に示されるような絶縁溝151、152が形成されてもよい。 After formation of the three dividing grooves, in order to insulate from the outer periphery of the forming portion of the light emitting element, the insulating grooves 151 and 152 may be formed as shown in FIG. 1 (D2). 絶縁溝は、レーザー光の照射等により、第1の導電性電極層2、有機発光ユニット層3および第2の導電性電極層4の全てが除去されるように形成されることが好ましい。 Insulating grooves by laser light irradiation, or the like, the first conductive electrode layer 2, that all of the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 is formed so as to be removed is preferred.

ところで、前記工程(d)のように、レーザー照射によって、第3種分割溝が形成され第2の導電性電極層4が分割される場合、有機EL発光装置中に、正常に発光しない単位素子が存在することがある。 Incidentally, as in the step (d), by laser irradiation, the three divided if grooves are second conductive electrode layer 4 is formed is divided, in the organic EL light emitting device, normally does not emit light unit elements there may be present. このような非発光の素子は、同一単位素子内または隣接単位素子間で電気的な短絡部が生じていることに起因するものと推定される。 Such non-light emission of the element is estimated to be due to the electrical short circuit portion is generated between the same unit element within or adjacent unit elements.

すなわち、レーザーのパワー強度はガウシアン分布をもつため、シングルモードのパルスレーザーが単発で照射され場合、照射対象の層に形成されるレーザー痕は、一般に円錐台形状(断面台形状)の穴となる。 That is, since the power intensity of the laser having a Gaussian distribution, when the pulse laser of a single mode is irradiated with single, laser marks formed in the layer of the irradiation target, the bore generally frustoconical shape (trapezoidal shape) . レーザー光源と透光性基板との位置を任意設定の加工速度で相対的に移動させながら、パルスレーザーが連続照射されると、結果として、形成されるレーザー加工痕は、円錐台形状の穴の集合からなる溝状(以下、スクライブ線ともいう)になり得る。 While the positions of the laser light source and the light-transmitting substrate are relatively moved at a machining speed of any setting, when the pulse laser is continuously irradiated, as a result, laser processing marks formed are holes frustoconical groove (hereinafter, also referred to as scribe lines) consisting of the set may become. このように形成されるスクライブ線は、たいていの場合、加工端部にバリを生じている。 Scribe line formed in this way, in most cases, have burrs on the processed end portion. そして、第2の導電性電極層の加工端部のバリが、同一単位素子あるいは隣接する単位素子の第1の導電性電極層や、隣接する単位素子の第2の導電性電極層と接触すると、電気的な短絡が生じる。 Then, burrs of the processed end portion of the second conductive electrode layer, a first conductive electrode layer and the same unit element or adjacent unit element, in contact with the second conductive electrode layer of the adjacent unit elements , electrical short circuit occurs. また、このような電気的な短絡は、レーザービームによって加工された第2の導電性電極層の飛沫の付着によっても生じ得るものと推定される。 Further, such electrical short circuit is presumed to be caused by splashes deposition of the second conductive electrode layer that is processed by the laser beam.

このように電気的に短絡した部分を多く有する単位素子に所定の駆動電圧が印加されても、短絡した電極間が同電位であるために、有機発光ユニット層には所望の電圧が印加されず、正常に発光しない。 Thus also predetermined driving voltage to the unit element having many electrically shorted portion is applied, for a short circuit between the electrodes at the same potential, no desired voltage is applied to the organic light emitting unit layer , it does not normally emit light. このような非発光の素子を正常に発光させるためには、第3種分割溝が形成された領域内での短絡部分が除去される必要がある。 Such a non-light-emitting elements in order to properly emit light, it is necessary to short-circuit portion of the third kind dividing grooves are formed in the region is removed.

このような短絡部分を除去する方法として、不活性ガスを吹き付ける方法や液体中で超音波処理する方法等も想定されるが、電気的に短絡した部分だけを選択的に除去することは困難である。 As a method for removing such a short circuit portion, but is also envisaged a method in which sonication method or a liquid blowing an inert gas, it is difficult to selectively remove only the electrically short-circuited portion is there. また、このような力学的な方法によると、密着性の弱い蒸着膜の剥がれ等の不具合を招来する場合がある。 Moreover, with such a mechanical way, sometimes it leads to defects peeling weak deposited film adhesion.

本発明においては、このような短絡部分を除去するために、工程(e)として、直列接続された複数の単位発光素子の少なくとも1つに電圧が印加される。 In the present invention, in order to remove such a short circuit portion, a step (e), at least one voltage of the plurality of unit light-emitting elements connected in series it is applied. このように、電圧を印加する方法によれば、短絡部分に生じた熱によって短絡部分が焼き切れて断線されるため、電気的に短絡した部分が選択的に除去され得る。 Thus, according to the method of applying a voltage, since the short-circuit portion by the heat generated in the short-circuited portion is disconnected burned out, electrically short-circuited portion can be selectively removed. すなわち、電気的に短絡した部分は任意の電気抵抗をもち、ダイオード特性を有する発光部とともに並列回路を構成する。 That is, electrically short-circuited portion has an arbitrary electrical resistance, forming a parallel circuit together with the light emitting unit having a diode characteristic. この短絡部による電気抵抗と発光部によるダイオードとが並列接続された回路に電圧が印加されると、ダイオード部分、すなわち発光素子にはほとんど電流が流れないために発光しない。 When the voltage to a circuit and a diode by the electrical resistance and the light emitting portion are connected in parallel by the short-circuit portion is applied, the diode portion, i.e. does not emit light to almost no current flows through the light emitting element. 一方、短絡部分には選択的に電流が流れるため、印加電圧に応じたジュール熱が生じ、最終的には短絡部分が焼き切れて断線する。 On the other hand, the short-circuit portion for flows selectively current, Joule heat is generated in response to the applied voltage, eventually disconnected burned out short circuit portion. 短絡部分が断線すると、発光素子に電流が流れるようになるため、発光素子は正常に発光する。 A short-circuit portion is broken, to become a current to a light emitting element flows, the light emitting element is normally light. このように、工程(e)は、単位素子に電圧を印加することにより、導電性電極層の電気的な分離を補助し、工程(d)における第3種分割溝の形成が充分ではない部分を補うものであるといえる。 Parts Thus, step (e), by applying a voltage to the unit element, and auxiliary electrical isolation of the conductive electrode layer, formation of the three dividing groove is not sufficient in step (d) it can be said that is intended to compensate for.

電圧の印加は、直列接続された複数の素子全体に対して行ってもよいし、1または複数の特定の単位素子に対して行うこともできる。 Application of the voltage may be performed with respect to all of the plurality of elements connected in series, it can also be performed for one or more specific unit element. 電圧の印加は、対象となる素子の両隣の単位素子の第1または第2の導電性電極に電源との接点を設ければよい。 Application of voltage, the first or second conductive electrode of the unit elements on both sides of the element of interest may be provided points of contact with the power supply. 例えば図2(D) において、直列接続された複数の素子全体に電圧を印加する場合は、符号141で示される第1の導電性電極領域と符号142で示される第1の導電性電極領域のそれぞれに接点を設ければよい。 In example FIG. 2 (D), the case of applying a voltage across the plurality of elements connected in series, the first conductive electrode region represented by the first conductive electrode region and the code 142, indicated at 141 it may be provided a contact in each. また、符号203の単位素子に電圧を印加する場合、単位素子202、204の第2の導電性電極領域42、44のそれぞれに接点を設ければよい。 Further, when a voltage is applied to the unit elements of the code 203, it may be provided contacts on each of the second conductive electrode region 42, 44 of the unit element 202.

電圧の印加は、直列接続された複数の素子全体に対して行わることが好ましい。 Application of the voltage is preferably Okonawaru for the entire plurality of elements connected in series. 素子全体に電圧が印加されることにより、正常に発光する単位素子と非発光の単位素子を確認しながら電圧の印加を行うことができる。 By voltage across the element is applied, it is possible to perform the application of voltage while checking the unit element and a non-light emitting unit elements to successfully emission. 印加される電圧は、各単位素子の発光に必要な任意の値まで段階的に上昇されることが好ましく、すべての単位素子が正常に発光するまで、段階的に上昇されることが好ましい。 Voltage applied is arbitrary preferably be stepwise increased to a value necessary for light emission of each unit element, until all the unit elements emit light properly, it is preferable that the stepwise increase. 例えば、電源の出力電圧が、一定の時間間隔ごとに任意の量ずつ増加されれば、時間に対する出力電圧の波形は、図3(A)に示されるような線形状や、図3(B)に示されるような階段状となる。 For example, the output voltage of the power supply, if it is increased by any amount at regular time intervals, the waveform of the output voltage with respect to time, and line shape as shown in FIG. 3 (A), FIG. 3 (B) It becomes to be such stepped shown. この波形は、短絡部分の除去状況に応じて、適宜に選択され得る。 This waveform, depending on the removal condition of short-circuit portion may be selected appropriately.

有機EL素子の熱劣化を防止する観点において、電圧の印加に用いる電源は、交流であることが好ましい。 In view of preventing thermal degradation of the organic EL element, the power supply used for the application of the voltage is preferably an AC. なお、ここでいう交流とは、正弦波のみならず、矩形波、三角波、鋸歯状波のような広義の交流をも包含する。 Note that encompasses here means exchanges and includes not sinusoidal only, square, triangle, and the broad exchange such as sawtooth waves. 交流電圧が印加される場合、電圧の振幅は所定の時間間隔ごとに任意の量ずつ増加させることが好ましい。 If the AC voltage is applied, the amplitude of the voltage is preferably increased by any amount at predetermined time intervals. これにより時間に対する電圧の波形は、各時間間隔での最大電圧の包絡線をみると、図3(C)に示されるような線形状や、図3(D)に示されるような階段状となる。 Waveform of the result, the voltage versus time, looking at the envelope of the maximum voltage at each time interval, the line shape and, as shown in FIG. 3 (C), a stepped, as shown in FIG. 3 (D) Become. また、交流電圧として、図3(E)に示されるような、間欠的なパルス電圧を印加することも好ましい。 Moreover, as the AC voltage, as shown in FIG. 3 (E), it is also preferable to apply an intermittent pulse voltage.

複数の単位素子に電圧が印加される場合において、当初から正常に発光する単位素子、あるいは短絡部分が除去されたことによって正常に発光するようになった単位素子の有機発光ユニット層に電圧が印加されると発熱が生じる。 In the case where the voltage to the plurality of unit elements is applied, the voltage applied to the organic light emitting unit layer unit elements adapted to emit light normally by unit elements normally emit light or short-circuit portion, it is removed from the beginning heat is generated to be. 一般に、有機発光ユニット層は耐熱性に乏しい有機化合物層を含んでいるため、設定電圧よりも高い電圧が長時間印加されると熱劣化を生じ易い。 In general, organic light emitting unit layer because it contains an organic compound layer poor in heat resistance, easily the high voltage is applied longer than the set voltage cause thermal degradation. 特に、直流電圧が印加される場合において、各単位素子に設計駆動電圧の最大値を超える電圧が印加されると、このような素子の加熱による熱劣化を生じ易くなる傾向がある。 In particular, when the DC voltage is applied, a voltage exceeding the maximum value of the design the drive voltage to each unit element is applied, there tends tends to occur thermal deterioration by heating of such devices.

これに対して、図3(C)〜(E)に示されるような交流電圧が印加される場合は、図(A)、(B)に示されるような直流電圧が印加される場合に比して高電圧が印加される時間が短い。 The ratio in the case contrary, if the AC voltage as shown in FIG. 3 (C) ~ (E) is applied, Figure (A), a DC voltage as shown in (B) is applied short time a high voltage is applied to the. そのため、有機発光ユニット層の発熱が抑制され、素子の熱劣化が防止される。 Therefore, heat generation of the organic light emitting unit layer is suppressed, thermal deterioration of the element can be prevented. 一方、交流電圧印加によって短絡部分に一時的に大きな電圧が印加されると、短絡部分には、電力に応じた発熱が瞬時に生じる。 On the other hand, when the temporarily large voltage through the short by the AC voltage application is applied, the short circuit portion, heat is generated instantaneously in accordance with the power. そのため、交流電源を用いた場合でも直流電源を用いた場合と同様に短絡部分が除去されるのに必要な発熱が生じ、短絡部分が除去され得る。 Therefore, required when using a DC power supply even in the case of using an AC power source as well as short-circuit portion is removed exotherm occurred a short circuit portion can be removed. すなわち、交流電源が用いられる場合は、直流電源が用いられる場合に比して素子の加熱による熱劣化が防止される一方で、直流電源が用いられる場合と同様に短絡部分が除去され得る。 That is, if the AC power source is used, while the thermal degradation is prevented by heating the element as compared with the case where the DC power supply is used, as well as short-circuit part and when the DC power source is used can be removed.

短絡部分が除去されるのに必要な電圧は、素子の加工状態によって異なるため、未知である。 Voltage required for shorting portion is removed is different depending on the processing state of the element, is unknown. そのため、全ての単位素子を正常に発光させるためには、素子の設計駆動電圧範囲を上回る電圧を印加する必要が生じる場合がある。 Therefore, in order to properly emit light all the unit elements may need to apply a voltage above the design driving voltage range of the device occurs. 直流電源が用いられる場合は、素子の設計駆動電圧範囲を上回る電圧が印加されることによって熱劣化を生じることが懸念されるが、交流電源が用いられる場合は、このような高電圧が印加されても、素子の加熱が抑制されるため、熱劣化の懸念が小さい。 When the DC power supply is used, but is concerned that cause thermal degradation by voltage above the design driving voltage range of the device is applied, if the AC power source is used, such a high voltage is applied also, since the heating element is suppressed, concerns thermal degradation is small. 中でも、図3(E)に示されるように間欠的なパルス電圧が印加される場合は、素子の発熱も間欠的となり、さらには電圧が印加されていない間に素子が自然冷却され得る。 Above all, when the intermittent pulse voltage as shown in FIG. 3 (E) is applied, the heating element also becomes intermittent, further an element while no voltage is applied may be natural cooling. そのため、工程(e)においては、間欠的なパルス電圧が印加されることが特に好ましい。 Therefore, in the step (e), it is particularly preferred to intermittent pulse voltage is applied.

一般に有機EL素子は水分や酸素との接触によって非発光領域(ダークスポット)が拡大することが知られており、これを防ぐ観点から、発光素子を外部から遮断するための封止が行われる。 In general organic EL element is known to expand a non-emitting region (dark spots) by contact with moisture or oxygen, from the viewpoint of preventing this, sealing for blocking the light-emitting element from outside. 本発明においても工程(f)として、図1(F1)、(F2)および図2(F1)、(F2)に示されるように素子の封止が行われることが好ましいが、電圧印加による短絡部分の除去は封止の前に行われることが好ましい。 As step (f) In the present invention, FIG. 1 (F1), (F2) and FIG. 2 (F1), it is preferable that the sealing element is performed as shown in (F2), a short circuit due to the voltage applied it is preferred that removal of the portion is performed before the sealing. 封止が行われる前に電気的に短絡した部分が除去されれば、発光部の正常な発光を事前に確認することができる。 If electrically shorted portion is removed before the sealing is performed, a normal light emission of the light emitting portion can be confirmed in advance. 一方、工程(e)によって短絡部分が除去される前に封止が行われると、封止層を形成する樹脂等によって短絡部分が被覆されるために、電圧印加による短絡部分の除去が困難となったり、短絡部分が除去された部分において封止層にピンホール等の不良を生じる場合がある。 On the other hand, when the short-circuit portion by the step (e) is sealed before the is removed is performed, in order to short-circuit portion is covered by the resin forming the sealing layer, and difficult to remove the short-circuit portion by the voltage applied is or, there may occur the defects such as pin holes in the sealing layer in a portion where the short-circuit portion is removed.

工程(f)において、第2の導電性電極層4側の主面に封止基板6が貼り合わされて発光素子が封止される。 In step (f), the light emitting element is sealed is combined sealing substrate 6 is bonded to the main surface of the second conductive electrode layer 4 side. 発光素子の封止は、公知の適宜な方法により行うことができる。 Sealing of the light emitting element can be carried out by a known appropriate method. 例えば図1(F1)および図2(F1)に示されるように、発光素子を含む領域の少なくとも一部に硬化性樹脂が塗布されて樹脂層5が形成された後、図1(F2)および図2(F2)に示されるように封止基板6が貼り合わされ、樹脂層5が硬化されることによって封止が行われる。 For example, as shown in FIG. 1 (F1) and FIG. 2 (F1), after the resin layer 5 at least partially cured resin is applied in the region including the light-emitting element is formed, FIG. 1 (F2) and sealing substrate 6 is bonded, as shown in FIG. 2 (F2), sealing is performed by the resin layer 5 is cured.

樹脂を硬化させて封止する方法は、発光素子が形成された基板と中空構造の封止基板とを貼り合せ、その周縁部に塗布された樹脂を硬化させる方法、発光素子が形成された基板と封止基板とを貼り合せ、その周縁部に塗布され樹脂を硬化させる方法、発光素子が形成された基板の全面に樹脂溶液を塗布し、この上に封止基板を貼り合せた後、樹脂を硬化させる方法、および発光素子が形成された基板の全面に無機膜を形成し、この上に樹脂を全面塗布し、この上に封止基板を貼り合せた後、樹脂を硬化させる方法、等が挙げられる。 Substrate method of sealing by curing the resin, the bonding and sealing substrate of the substrate and the hollow light-emitting element is formed, a method of curing the applied resin to its periphery, the light emitting element is formed and bonding the sealing substrate, a method of curing the applied to the peripheral parts of the resin, the resin solution is coated on the entire surface of the substrate on which the light emitting element is formed, after bonding a sealing substrate on the resin method of curing the, and a light-emitting element to form an inorganic film on the entire surface of the substrate formed with the resin entirely coated on this, after bonding a sealing substrate on the method of curing the resin, etc. and the like. 封止基板6としては、ガラスや高分子フィルムが用いられるが、水や酸素の透過率が小さい材料が好適に用いられる。 As the sealing substrate 6, a glass or a polymer film is used, the material permeability of water and oxygen is small is preferably used.

本発明において、レーザービーム照射により第3種分割溝を形成する工程(工程(d))、複数の単位発光素子の少なくとも1つに電圧を印加する工程(工程(e))、発光素子を封止する工程(工程(f))のそれぞれは、乾燥窒素雰囲気下のように、水分が遮断された状態で行われることが好ましい。 In the present invention, the laser beam forming a third kind dividing grooves by irradiation (step (d)), the step of applying at least one voltage of the plurality of unit light emitting devices (step (e)), seal the light emitting element each stop step (step (f)), as a dry nitrogen atmosphere, is preferably carried out in a state where water is interrupted. これらの工程が水分の存在下で行われ、有機発光ユニット層が水分と接触すると、例えば、有機発光ユニット層3と第2の導電性電極層4との界面に絶縁性の高い部分が形成される。 These steps are carried out in the presence of moisture, the organic light emitting unit layer is in contact with moisture, for example, surfactants having a high insulation portion of the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 is formed that. この部分に電圧が印加されても電子の注入が低下し、やがて非発光部分(ダークスポット)となる場合がある。 Even when the voltage on this portion is applied to decrease the electron injection, which may eventually become non-light emitting portion (dark spot).

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の工程(e)、すなわち、直列接続された複数の単位発光素子の少なくとも1つに電圧を印加する工程は、レーザービーム照射によって第2の導電性電極層が分割される場合に限らず、その他の方法によって導電性電極層分割される場合にも適用され得るものである。 Having described embodiments of the present invention, the process of the present invention (e), i.e., applying a voltage to at least one of the plurality of unit light-emitting elements connected in series, the second by the laser beam irradiation not only when the conductive electrode layer is divided, but it can be applied to a case that is divided conductive electrode layer by other methods. 例えば、第2の導電性電極層がマスクにより形成される場合において、マスクの位置ずれやマスクのパターン不良等によって短絡部分が生じている場合にも、工程(e)を適用して、短絡部分を除去することが可能である。 For example, in the case where the second conductive electrode layer is formed by the mask, if the position deviation or a short circuit part by a pattern defect of a mask or the like of the mask occurs also, by applying the step (e), the short circuit portion it is possible to remove.

以上の各工程により製造される有機EL発光装置は、複数の単位素子が直列接続されており、大面積への適用が可能であることから、照明等の面光源に好適に適用される。 Or more organic EL light emitting device manufactured by the process, a plurality of unit elements are connected in series, since it is applicable to a large area, it is suitably applied to a surface light source such as lighting.

以下に、本発明の具体的な実施例と実施例に対する比較例を挙げて本発明を説明する。 The present invention will be described below by way of comparative example with respect to specific examples and embodiments of the present invention.

[製造例] [Production Example]
図1の平面図および図2の断面図に模式的に示される有機EL発光装置が製造された。 The organic EL light-emitting device schematically shown is manufactured in a plan view and a cross-sectional view of FIG. 2 in FIG. 1. なお、図1および図2においては、簡略化のため、4つの単位素子201〜204が直列接続された形態が示されているが、本製造例においては、16個の単位素子が直列接続された有機EL発光装置が製造された。 In FIG. 1 and FIG. 2, for simplicity, four unit elements 201 to 204 are shown connected in series form, in the present production example, 16 pieces of unit elements are connected in series the organic EL light emitting device was produced.

透光性基板1として、外形□200mm×200mm、厚さ0.7mmの無アルカリガラスが用いられた。 As the transparent substrate 1, the outer shape □ 200 mm × 200 mm, the alkali-free glass having a thickness of 0.7mm was used. このガラス基板の一方主面に、スパッタ法により、透光性導電層2としてインジウムドープされた酸化錫(ITO)膜が平均膜厚150nmで形成された。 This on one main surface of the glass substrate, by sputtering, indium-doped tin oxide (ITO) film is formed with an average thickness of 150nm as a transparent conductive layer 2. ITO膜が形成された基板を、ITO膜を上面にしてXYステージ上に設置後、YAGレーザーの基本波が上面から照射され、ITO膜の一部が除去され、図1(A)に示されるように複数の第1種分割溝が形成された。 The substrate on which ITO film was formed, after installation on the XY stage and the ITO film on the upper surface, the fundamental wave of the YAG laser is irradiated from the upper surface, a portion of the ITO film is removed, shown in FIG. 1 (A) a plurality of first kind dividing grooves as formed.

レーザーの発振周波数は15kHz、出力14W、ビーム径は約25μm、加工速度は50mm/秒であった。 Oscillation frequency of the laser is 15 kHz, output 14W, a beam diameter of about 25 [mu] m, the processing speed was 50 mm / sec. この透光性基板は中性洗剤で洗浄後、150℃で20分加熱乾燥された。 After washing the light-transmitting substrate with a neutral detergent, heated drying 20 minutes at 0.99 ° C.. 短冊状に分割された各領域間の電気抵抗が概ね20MΩ以上であることが確認された。 It was confirmed electrical resistance between respective regions divided into strips is approximately 20MΩ or more.

このパターン化されたITO膜上に、図1(B1)に示されるように有機発光ユニット層3が形成された。 The patterned ITO film, an organic light emitting unit layer 3 as shown in FIG. 1 (B1) is formed. 発光ユニットを形成するホール注入層として、酸化モリブデンと4,4'−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(以下、α−NPDと略す)がそれぞれ蒸着速度0.015nm/秒と0.135nm/秒で真空共蒸着法により、10nmの膜厚で形成された。 As the hole injection layer to form a light-emitting unit, molybdenum and 4,4'-bis oxide [N-(2-naphthyl) -N- phenyl - amino] biphenyl (hereinafter, alpha-NPD abbreviated as) respectively deposition rate is zero. by vacuum co-deposition at 015Nm / sec and 0.135Nm / sec, which is formed with a thickness of 10 nm. その上にホール輸送層として、α−NPDが真空蒸着法により50nm(蒸着速度0.08nm〜0.12nm/秒)の膜厚で形成された。 As a hole-transporting layer thereon, alpha-NPD was formed in a thickness of 50 nm (deposition rate 0.08Nm~0.12Nm / sec) by vacuum evaporation. その上に、電子輸送層を兼ねた発光層として、[トリス(8−ハイドロキシキノリナート)]アルミニウム(III)(以下、Alq と略す)が真空蒸着法により70nm(蒸着速度0.25nm〜0.30nm/秒)の膜厚で形成された。 Thereon, as a light-emitting layer also serving as an electron-transporting layer, [tris (8-hydro Kishiki glue diisocyanate) aluminum (III) (hereinafter, abbreviated as Alq 3) 70 nm (deposition rate 0.25nm~ by vacuum deposition method is formed with a thickness of 0.30 nm / sec). その上に、バッファー層として、真空蒸着法により、膜厚1nmのLiF層(蒸着速度0.01nm〜0.05nm/秒)および膜厚150nmのAl層(蒸着速度0.30nm〜0.35nm/秒)が順次形成された。 Thereon as a buffer layer by vacuum evaporation, LiF layer having a thickness of 1 nm (deposition rate 0.01Nm~0.05Nm / sec) and the thickness 150 nm Al layer (deposition rate 0.30Nm~0.35Nm / sec.) are sequentially formed.

有機発光ユニット層が形成された基板を、ガラス基板側を上面にしてXYステージ上に設置後、YAGレーザーの第2高調波が上面から照射され、有機発光ユニット層の一部が除去され、図1(B2)に示されるように第1種分割溝と平行な第2種分割溝が形成された。 The substrate organic light emitting layer is formed, after installation on the XY stage and the glass substrate surface to the upper, second harmonic of a YAG laser is irradiated from the upper surface, a portion of the organic light emitting unit layer is removed, FIG. first kind dividing groove parallel to the second kind divided grooves as shown in 1 (B2) is formed. レーザーの発振周波数は5kHz、出力0.4W、ビーム径は約25μm、加工速度は50mm/秒であり、第1種分割溝と第2種分割溝との間隔は100μmであった。 Oscillation frequency of the laser is 5 kHz, output 0.4 W, the beam diameter is about 25 [mu] m, the machining speed is 50 mm / sec, the distance between the one dividing groove and a second kind divided grooves was 100 [mu] m.

このパターン化された有機発光ユニット層上に、図1(C)に示されるように第2の導電性電極層4として、Alが真空蒸着法により150nm(蒸着速度0.30nm〜0.35nm/秒)の膜厚で形成された。 This patterned organic light emitting layer, a second conductive electrode layer 4 as shown in FIG. 1 (C), Al is 150nm by vacuum evaporation (deposition rate 0.30Nm~0.35Nm / It is formed with a thickness of a second).

このAl層が形成された基板を、ガラス基板側を上面にしてXYステージ上に設置後、YAGレーザーの第2高調波が上面から照射され、有機発光ユニット層およびAl層の一部が同時に除去され、図1(D1)に示されるように第1種分割溝および第2種分割溝と平行な第3種分割溝が形成された。 The substrate, on which the Al layer is formed, after installation on the XY stage and the glass substrate surface to the upper, second harmonic of a YAG laser is irradiated from the upper surface, a portion of the organic light emitting unit layer and Al layer is removed at the same time is, the first kind dividing groove and the two dividing groove parallel to the three dividing grooves as shown in FIG. 1 (D1) is formed. レーザーの発振周波数は5kHz、出力0.4W、ビーム径は約25μm、加工速度は200mm/秒であり、第2種分割溝と第3種分割溝との間隔は100μmであった。 Oscillation frequency of the laser is 5 kHz, output 0.4 W, the beam diameter is about 25 [mu] m, the machining speed is 200 mm / sec, the distance between the two dividing groove and a third kind dividing groove was 100 [mu] m.

さらに、YAGレーザーの第2高調波が上面から照射され、発光素子の形成部を外周部から絶縁するために、ITO膜、有機発光ユニット層およびAl層の一部が除去された絶縁溝151、152が形成された。 Further, the second harmonic of the YAG laser is irradiated from the top, in order to insulate from the outer periphery of the forming portion of the light emitting element, ITO film, the organic light emitting unit layer and Al layer insulating grooves 151 partially removing, 152 are formed. 図1(D2)に示されるように、絶縁溝は、第3種分割溝と直交方向に形成された。 As shown in FIG. 1 (D2), the insulating grooves formed in a direction perpendicular to the first three dividing groove. レーザーの発振周波数は5kHz、出力0.4W、ビーム径は約25μm、加工速度は50mm/秒であった。 Oscillation frequency of the laser is 5 kHz, output 0.4 W, the beam diameter is approximately 25 [mu] m, the processing speed was 50 mm / sec.

上記各工程によって、170mm×170mmの発光部が、16個の短冊状の発光素子に分割され、これらの発光素子が直列接続された有機EL素子が形成された。 The above steps, the light emitting portion of 170 mm × 170 mm is divided into 16 rectangular light emitting element, the light-emitting elements connected in series organic EL element is formed. この有機EL素子における各単位素子の発光開始電圧の設計値は2.5V、設計駆動最大電圧は5Vであり、素子全体の発光開始電圧の設計値は40Vであった。 Design value 2.5V, designed driving maximum voltage of the light-emitting initiation voltage of each unit element in the organic EL device is 5V, the design values ​​of the light emission starting voltage of the entire device was 40V.

[実施例1] [Example 1]
製造例にて得られた有機EL発光装置の直列接続方向両端のITO電極領域(図2(D)の符号141、142)をそれぞれ陽極側、負極側の接点として、直流電源(TR6143 ADVANTEST)に接続して、有機EL素子に電圧を印加した。 Each anode (reference numeral 141 and 142 in FIG. 2 (D)) ITO electrode region of the serial connecting direction ends of the obtained organic EL light-emitting device in Preparation Example as the contact of the negative electrode side, to a DC power source (TR6143 ADVANTEST) connect, a voltage is applied to the organic EL element.

直流電源の出力電圧は、5秒ごとに1Vずつ、0Vから80Vまで、図3(B)に示されるような階段状で上昇された。 The output voltage of the DC power source, by 1V every 5 seconds, from 0V to 80V, is increased stepwise as shown in Figure 3 (B). 表1に示されるように、電圧を8Vとした時に最初の単位素子が正常発光し、その後電圧の上昇に伴って他の単位素子も順次正常な発光が確認された。 As shown in Table 1, the first unit elements normally emit light when the voltage is 8V, then voltage sequentially a normal light emission other unit elements with increasing was observed. なお、表1においては、陽極側から発光部(単位素子)の番号を1〜16とし、既に正常発光した発光部の番号の記載は省略されている。 In Table 1, the light emitting portion from the anode side is 1 to 16 the number of the (unit element), the previously described normal light emission light emission portion of the number is omitted.

表1において、たとえば電圧を15Vから16Vに上昇させた際に、発光部16が発光する一方で、電流は1.12mAから0.5mAに減少している。 In Table 1, for example, when raising the voltage from 15V to 16V, while the light emitting unit 16 emits light, a current is reduced to 0.5mA from 1.12MA. このことから、電圧を印加することによって短絡部分が除去されたために、発光部16が正常に発光するとともに、短絡部分の漏れ電流の減少したために、電圧が上昇したにも関わらず電流が減少したものと考えられる。 Therefore, in order to short-circuit portion is removed by applying a voltage, with the light emitting unit 16 emits light normally, because of a reduction in the leakage current of the short circuit portion, a current despite the voltage rises is reduced it is considered that.

このようにして、全ての単位素子が正常発光を示した有機EL素子の封止を行った。 In this manner, it was sealed in the organic EL device in which all the unit elements exhibited normal emission.
まず、図1(F1)および図2(F1)に模式的に示されるように、有機EL素子のAl層側主面全面を覆うように、紫外線硬化型のエポキシ樹脂をディスペンサー(吐出圧力260kPa)を用いて塗布した。 First, as schematically shown in FIG. 1 (F1) and FIG. 2 (F1), so as to cover the Al layer side entire main surface of the organic EL element, an ultraviolet curable epoxy resin dispenser (discharge pressure 260 kPa) It was applied using a. その上に、封止基板6としてガラス板を配置し、貼り合わせ装置を用いて、圧力4kPaで透光性基板1と封止基板6とを貼り合わせた後、波長365nm、パワー180mW/cm の紫外光を封止基板6側から照射してエポキシ樹脂を硬化させた。 Thereon, the glass plate was placed as a sealing substrate 6, using the bonding apparatus, after bonding the light transmitting substrate 1 and the sealing substrate 6 at a pressure 4 kPa, wavelength 365 nm, power 180 mW / cm 2 to cure the epoxy resin of the ultraviolet light is irradiated from the sealing substrate 6 side. この封止はすべて乾燥窒素雰囲気中(水分濃度4ppm以下)でおこなった。 The sealing was carried out on all dry nitrogen atmosphere (moisture concentration 4ppm or less).

封止後の有機EL素子に駆動電圧80Vを印加すると、16個の発光部すべてが、ほぼ均一に発光することが確認された。 Upon application of a driving voltage 80V to the organic EL element after sealing, all 16 of the light emitting portion, it was confirmed that substantially uniform light emission. このように、本発明によれば、200mm×200mmの大面積照明用の有機EL発光装置において、レーザー照射によるパターン化が行われた場合でも、封止前の電圧印加で短絡部分が除去されることによって、大面積で信頼性の高い有機EL発光装置を提供し得ることがわかる。 Thus, according to the present invention, in the organic EL light-emitting device for large area lighting 200 mm × 200 mm, even when the patterning by laser irradiation is performed, short-circuit portion by the voltage applied before sealing being removed it the seen to be able to provide reliable organic EL light emitting device with large area.

[実施例2] [Example 2]
実施例2においても、製造例にて得られた有機EL発光装置が用いられ、実施例1と同様に直流電圧が印加され、0Vから75Vまで段階的に電圧が上昇されたが、16個の発光素子のうち、1個だけが発光しなかった。 Also in Example 2, the organic EL light-emitting device obtained in Production Example is used, the DC voltage is applied in the same manner as in Example 1, but stepwise voltage from 0V to 75V is increased, the 16 among the light-emitting element, only one did not emit light. この段階において正常に発光した15個の各発光素子に印加される電圧は約5Vであり、これ以上の電圧を印加すると設計駆動最大電圧を超えることから、電圧の印加を中止した。 Voltage applied to the 15 respective light emitting elements normally emitting at this stage is about 5V, because it exceeds the design driving maximum voltage and applies the voltage higher than was discontinued the application of the voltage.

直流電圧の印加を中止後、素子を15分間自然放冷した。 After cease application of the DC voltage, then cooled naturally the element 15 minutes. その後、交流電源(CURVE TRACER5862 KIKUSUI)を用いて、発光部全体に電圧を印加した。 Then, using an AC power source (CURVE TRACER5862 KIKUSUI), a voltage is applied to the entire light emitting portion. 時間に対する交流電圧の波形は、図3(E)に示されるような、包絡線が線形の間欠的なパルス波(三角波)であった。 Waveform of the AC voltage with respect to time, as shown in FIG. 3 (E), the envelope was intermittent pulse wave linear (triangular wave). パルス周期5秒、パルス幅は最大1秒で、0Vから1パルスごとに1Vずつ印加電圧を上昇させたところ、80Vの電圧が印加された段階で、非発光であった素子が正常発光した。 Pulse period 5 seconds, the pulse width is up to 1 second, was to increase the applied voltage by 1V in each pulse from 0V, at the stage where the voltage of 80V is applied, the non-emission in which was elements are normally emitting.

その後は、実施例1と同様にして、素子の封止が行われた。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, the sealing element is performed. このように得られた封止後の有機EL素子に駆動電圧80Vを印加すると、16個の発光部がすべて、ほぼ均一に発光することが確認された。 The application of thus obtained driving voltage 80V to the organic EL element after sealing, 16 light emitting units are all confirmed to be substantially uniform emission.

[比較例1] [Comparative Example 1]
比較例1においても、製造例にて得られた有機EL発光装置が用いられたが、電圧の印加を行うことなく、素子の封止が行われた。 Also in Comparative Example 1, although the organic EL light-emitting device obtained in Production Example was used, without application of a voltage, the sealing element is performed. この封止後の有機EL素子に、駆動電圧80Vが印加されたが、すべての発光部が正常に発光することはなかった。 The organic EL element after the sealing, the driving voltage 80V is applied, all the light-emitting portion was not emit light properly.

上記実施例によれば、素子の封止が行われる前に素子に電圧が印加されることによって、非発光の素子を正常に発光させることができる。 According to the above embodiment, by sealing the element voltage to the device is applied prior to be performed, the non-light-emitting element can be normally emitted. また、実施例2によれば、交流電圧が印加された場合でも直流電圧が印加された場合と同様に非発光素子を正常発光させることができる。 Furthermore, according to the second embodiment, it is possible to normally emit not emit light as in the case of direct voltage even when the AC voltage is applied is applied. 特に全ての非発光素子を正常発光させるために相対的に高い電圧の印加が必要となる場合において、素子の熱劣化を抑制する観点において交流電圧の印加は有用であるといえる。 Particularly in the case where all the non-light-emitting element is relatively high voltage is applied in order to successfully emission required, application of the AC voltage in the standpoint of suppressing thermal deterioration of the element can be said to be useful.

1 透光性基板 2 透光性導電層 2 導電性電極 2 導電性電極層 3 有機発光ユニット層 4 導電性電極層 5 樹脂 6 封止基板 21〜25 透光性導電領域 31〜35 有機発光ユニット領域 41〜44 導電性領域 111〜114、121〜124、131〜133 分割溝 201〜204 単位素子 1 light-transmitting substrate 2 transparent conductive layer 2 conductive electrode 2 conductive electrode layer 3 organic light emitting unit layer 4 conductive electrode layer 5 resin 6 sealing substrate 21 to 25 light-transmitting conductive areas 31 to 35 Organic light-emitting unit regions 41 to 44 conductive regions 111~114,121~124,131~133 dividing grooves 201 to 204 unit devices

Claims (4)

  1. 透光性基板上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子が形成され、各単位発光素子が、透光性基板側から透光性の第1の導電性電極層、有機発光ユニット層および第2の導電性電極層を有する有機EL発光装置の製造方法であって、 On a transparent substrate, a plurality of electrically series-connected unit light emitting elements are formed, each unit light-emitting element, a first conductive electrode layer of a light-transmitting substrate side of the light-organic light-emitting unit a method for manufacturing an organic EL light emitting device having a layer and a second conductive electrode layer,
    (a)透光性基板上に、複数の第1種分割溝により複数領域に分割された透光性の第1導電性電極層を形成する工程、 (A) on a transparent substrate, forming a plurality of first type divided translucent first conductive electrode layer which is divided into a plurality of regions by a groove,
    (b)前記第1導電性電極層上に、第2種分割溝により複数領域に分割された有機発光ユニット層を形成する工程、 (B) the a first conductive electrode layer, forming an organic light emitting unit layer divided into a plurality of regions by the second kind divided grooves,
    (c)前記有機発光ユニット層上に第2の導電性電極層を形成する工程、 (C) forming a second conductive electrode layer on the organic light emitting unit layer,
    (d)前記各層が形成された基板にレーザービームを照射して、少なくとも前記第2の導電性電極層を除去して、第3種分割溝を形成する工程、 And (d) irradiating a laser beam to the substrate on which each layer is formed, by removing at least the second conductive electrode layer, forming a third kind dividing groove,
    (e)前記複数の単位発光素子の少なくとも1つに電圧を印加する工程、および (f)前記第2の導電性電極層側の主面に封止基板を貼り合せて発光素子を封止する工程をこの順に有し、 (E) sealing process, and (f) said by bonding the sealing substrate to the main surface of the second conductive electrode layer-side light-emitting element for applying a voltage to at least one of the plurality of unit light-emitting element and a step in this order,
    前記工程(e)は、前記複数の電気的に直列接続された単位発光素子のうちの両端に位置する単位発光素子の間に順方向電圧を印加して全ての単位発光素子が発光することを確認する工程を含み、 Wherein step (e), that all of the unit light-emitting element by applying a forward voltage between the unit light emitting elements located at both ends of the plurality of electrically series-connected unit light emitting element emits light It includes the step of confirmation,
    前記工程(e)において全ての単位発光素子が発光することが確認された後に、前記工程(f)を実行し、 After all of the unit light-emitting element in the step (e) that emits light is confirmed, executing the step (f),
    前記(e)電圧を印加する工程において、非発光の単位発光素子が発光するまで段階的に印加電圧が上昇される有機EL発光装置の製造方法。 Wherein (e) in the step of applying a voltage, a method of manufacturing an organic EL light emitting device stepwise voltage applied to the unit light-emitting element of the non-light emission emits light is increased.
  2. 前記(e)電圧を印加する工程において、電圧を印加するために交流電源が用いられる、請求項に記載の有機EL発光装置の製造方法。 In the step of applying said (e) voltage, AC power supply is used to apply a voltage, a method of manufacturing an organic EL light-emitting device according to claim 1.
  3. 前記(d)第3種分割溝を形成する工程、(e)電圧を印加する工程、(f)発光素子を封止する工程、のすくなくとも1つの工程が、水分が遮断された状況下で行なわれる、請求項1又は2に記載の有機EL発光装置の製造方法。 The step of forming the (d) third kind dividing grooves, applying a (e) voltage, the step (f) of the light-emitting element is sealed, the at least one step, performed in a situation where water is interrupted the method of manufacturing the organic EL light-emitting device according to claim 1 or 2.
  4. 透光性基板上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子が形成され、各単位発光素子は、透光性基板側から透光性の第1の導電性電極層、有機発光ユニット層および第2の導電性電極層を有する有機EL発光装置であって、 On a transparent substrate, a plurality of electrically series-connected unit light emitting elements are formed, each unit light-emitting element includes a first conductive electrode layer of a light-transmitting substrate side of the light-organic light-emitting unit an organic EL light emitting device having a layer and a second conductive electrode layer,
    請求項1〜 のいずれか1項に記載の方法により製造されたことを特徴とする有機EL発光装置。 The organic EL light-emitting device, characterized in that it is manufactured by the method according to any one of claims 1-3.
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