JP5698921B2 - Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Description

本発明は、一対の電極層に有機発光ユニットが挟持された有機ＥＬ発光素子の複数が集積され電気的に直列に接続された有機ＥＬ発光装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL light emitting device in which a plurality of organic EL light emitting elements each having an organic light emitting unit sandwiched between a pair of electrode layers are integrated and electrically connected in series, and a method for manufacturing the same.

有機ＥＬ装置を構成する有機ＥＬ素子は電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子である。近年、有機ＥＬ素子を用いた研究が加速的に行われ、有機ＥＬ素子を構成する有機材料等の改良により、素子の駆動電圧が格段に下げられると共に、発光効率が高められている。   An organic EL element constituting the organic EL device is a semiconductor element that converts electric energy into light energy. In recent years, research using an organic EL element has been accelerated, and the drive voltage of the element has been dramatically reduced and the light emission efficiency has been improved by improving the organic materials constituting the organic EL element.

有機ＥＬ素子は、電圧を印加するための陽極および陰極を備えているが、少なくとも一方の電極は、素子内で発生する光を外部に取り出すために、透光性の導電材料が用いられる。透光性の導電材料としては、例えば、ＡｇやＡｕ等の金属の極薄膜や、インジウム等をドープした酸化錫やアルミニウム等をドープした酸化亜鉛等の金属酸化物が用いられるが、これらの透光性の導電材料は、一般的に透光性が求められない金属電極層を構成する材料と比較して高抵抗である。そのため、通電時には透光性の導電性電極層の電気抵抗に起因して発熱が生じ、素子の劣化を生じるばかりか、発光効率低下や、輝度分布の拡大等の問題を生じる傾向がある。   The organic EL element includes an anode and a cathode for applying a voltage, and at least one electrode is made of a light-transmitting conductive material in order to extract light generated in the element to the outside. As the translucent conductive material, for example, an ultra-thin metal such as Ag or Au, or a metal oxide such as tin oxide doped with indium or zinc oxide doped with aluminum or the like is used. A light conductive material generally has a higher resistance than a material constituting a metal electrode layer that is not generally required to transmit light. For this reason, during energization, heat is generated due to the electric resistance of the light-transmitting conductive electrode layer, which causes deterioration of the element, and tends to cause problems such as a decrease in light emission efficiency and an increase in luminance distribution.

特に、大面積の面発光のＥＬ装置においては、その面積に比例して透光性の導電性電極層の抵抗値が大きくなるために、上記の問題はより深刻となる。この問題を解決するための有効な手段として、素子を膜面方向に分割し、分割された各単位素子を電気的に直列に接続する方法が提案されている。例えば、特許文献１および特許文献２には、パターン化された下部電極とパターン化された上部電極とを電気的に直列に接続させる有機ＥＬ装置の製造方法が示されている。しかしながら、特許文献１，２の方法においては、マスクプロセスにより素子のパターン化が行われるために、大面積化にも限界がある。また、工程が複雑であり、有効面積のロスが大きいとの課題がある。   In particular, in a surface emitting EL device having a large area, the resistance value of the translucent conductive electrode layer increases in proportion to the area, and thus the above problem becomes more serious. As an effective means for solving this problem, there has been proposed a method of dividing an element in the film surface direction and electrically connecting the divided unit elements in series. For example, Patent Literature 1 and Patent Literature 2 show a method for manufacturing an organic EL device in which a patterned lower electrode and a patterned upper electrode are electrically connected in series. However, in the methods of Patent Documents 1 and 2, since the patterning of elements is performed by a mask process, there is a limit to increasing the area. Moreover, there exists a subject that a process is complicated and the loss of an effective area is large.

特開２００６−５１１０７３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2006-511073 特開２００７−２２７２３２号公報JP 2007-227232 A

上記のようなマスクプロセスによるパターン化方法における問題を解決する手段として、レーザービームの照射により層の一部を除去してパターン化を行う方法が想定される。すなわち、レーザービームを用いる場合は、マスク交換等が不要であるため、工程が簡略化されるとともに、パターン化部分の線幅を小さくすることが可能であるために、有効面積も拡大し得る。しかしながら、実際にレーザービームを用いて素子のパターン化を試みたところ、所定の駆動電圧を印加しても発光を生じない素子不良が存在することが判明した。   As a means for solving the problems in the patterning method by the mask process as described above, a method of performing patterning by removing a part of the layer by laser beam irradiation is assumed. That is, in the case of using a laser beam, since mask replacement or the like is not necessary, the process is simplified, and the line width of the patterned portion can be reduced, so that the effective area can be increased. However, when an attempt was made to pattern an element using a laser beam, it was found that there was an element defect that did not emit light even when a predetermined drive voltage was applied.

かかる観点に鑑み、本発明は、膜面方向に分割された複数の素子が直列接続された有機ＥＬ発光装置の製造方法に関し、簡易なプロセスによって、発光を生じない素子不良が解消され、信頼性に優れる有機ＥＬ発光装置の提供を目的とする。   In view of such a point of view, the present invention relates to a method for manufacturing an organic EL light emitting device in which a plurality of elements divided in the film surface direction are connected in series. An object of the present invention is to provide an organic EL light emitting device that is excellent in performance.

上記課題に鑑みて本発明者らが検討した結果、発光を生じない素子不良は、レーザービームによるパターン化(レーザースクライブ)が行われた際のスクライブ線加工端部のバリや、飛沫に起因して、同一単位素子や隣接する単位素子の電極間で電気的な短絡（非切断部）が生じていることが原因であることが判明した。そして、発光素子に電圧を印加することによって、この短絡部分が除去され、正常に発光することを見出し本発明に至った。   As a result of the study by the present inventors in view of the above problems, an element defect that does not emit light is caused by burrs at the end of scribe line processing when laser beam patterning (laser scribing) is performed, or by splashing. Thus, it has been found that the cause is an electrical short circuit (non-cut portion) between electrodes of the same unit element or adjacent unit elements. And by applying a voltage to a light emitting element, this short circuit part was removed and it discovered that it light-emitted normally and came to this invention.

すなわち、本発明は、透光性基板１上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子が形成された有機ＥＬ発光装置およびその製造方法に関する。各単位発光素子は、透光性基板１側から透光性の第１の導電性電極層２、有機発光ユニット層３および第２の導電性電極層４を有している。   That is, the present invention relates to an organic EL light emitting device in which a plurality of electrically connected unit light emitting elements are formed on a translucent substrate 1 and a method for manufacturing the same. Each unit light emitting element has a translucent first conductive electrode layer 2, an organic light emitting unit layer 3, and a second conductive electrode layer 4 from the translucent substrate 1 side.

本発明にかかる有機ＥＬ発光装置の製造方法は、下記（ａ）〜（ｆ）の各工程を順に有することが好ましい。
（ａ）透光性基板上に、複数の第１種分割溝により複数領域に分割された透光性の第１導電性電極層を形成する工程
（ｂ）前記第１導電性電極層上に、第２種分割溝により複数領域に分割された有機発光ユニット層を形成する工程
（ｃ）前記有機発光ユニット層上に第２の導電性電極層を形成する工程
（ｄ）前記各層が形成された基板にレーザービームを照射して、少なくとも前記第２の導電性電極層を除去して、第３種分割溝を形成する工程
（ｅ）前記複数の単位発光素子の少なくとも１つに電圧を印加する工程
（ｆ）前記第２の導電性電極層側の主面に封止基板を貼り合せて発光素子を封止する工程 The method for producing an organic EL light emitting device according to the present invention preferably includes the following steps (a) to (f) in order.
(A) forming a translucent first conductive electrode layer divided into a plurality of regions by a plurality of first type division grooves on the translucent substrate (b) on the first conductive electrode layer; And (c) forming a second conductive electrode layer on the organic light emitting unit layer (d) forming each of the layers. A step of irradiating the substrate with a laser beam to remove at least the second conductive electrode layer to form a third type divided groove; (e) applying a voltage to at least one of the plurality of unit light emitting elements; (F) A step of sealing the light emitting element by attaching a sealing substrate to the main surface on the second conductive electrode layer side.

前記（ｅ）の電圧を印加する工程において、非発光の単位発光素子が発光するまで段階的に印加電圧が上昇されることが好ましい。また、電圧を印加するために交流電源が用いられることが好ましい。   In the step of applying the voltage of (e), it is preferable that the applied voltage is increased stepwise until the non-emitting unit light emitting element emits light. Moreover, it is preferable that an alternating current power supply is used in order to apply a voltage.

また、前記製造方法において、（ｄ）第３種分割溝を形成する工程、（ｅ）電圧を印加する工程、（ｆ）発光素子を封止する工程、の少なくとも１つの工程が、水分が遮断された状況下で行なわれることが好ましい。より好ましくは、これらの工程の全てが、水分が遮断された状況下で行われる。   Further, in the manufacturing method, at least one of (d) a step of forming the third type division groove, (e) a step of applying a voltage, and (f) a step of sealing the light emitting element blocks moisture. It is preferable to be performed under the circumstances. More preferably, all of these steps are performed under conditions where moisture is blocked.

本発明の有機ＥＬ発光装置は、各層がパターン化され、複数の単位発光素子が電気的に直列接続されているため、面光源等に好適に用いることができる。また、本発明の製造方法によれば、素子の封止が行われる前に直列接続された複数の単位素子間に電圧が印加されることで、電極間の短絡部分が除去される。そのため、簡易なプロセスにより非発光部を正常に発光させることが可能であり、大面積で信頼性の高い高性能の有機ＥＬ発光装置を得ることができる。   The organic EL light emitting device of the present invention can be suitably used for a surface light source and the like because each layer is patterned and a plurality of unit light emitting elements are electrically connected in series. Further, according to the manufacturing method of the present invention, the voltage is applied between the plurality of unit elements connected in series before the element is sealed, thereby removing the short-circuit portion between the electrodes. Therefore, it is possible to cause the non-light-emitting portion to emit light normally by a simple process, and a high-performance organic EL light-emitting device having a large area and high reliability can be obtained.

有機ＥＬ発光装置の製造プロセスを表す模式的平面図である。It is a typical top view showing the manufacturing process of an organic electroluminescent light emitting device. 有機ＥＬ発光装置の製造プロセスを表す模式的断面図である。It is typical sectional drawing showing the manufacturing process of an organic electroluminescent light-emitting device. 時間に対する出力電圧の波形の例を模式的に表す図である。（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれにおいて、横軸ｔは時間、縦軸Ｖは電圧を表す。It is a figure which represents typically the example of the waveform of the output voltage with respect to time. In each of (A) to (E), the horizontal axis t represents time, and the vertical axis V represents voltage.

本発明は、例えばガラスや高分子フィルム等に代表される透光性基板１上に、透光性の第１の導電性電極層２が形成され、その上に有機発光層を含む有機発光ユニット層３と第２の導電性電極層４が形成され、透光性基板１側から光が取り出される、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置を主な対象としている。一方、第２の導電性電極層４として透光性の導電性材料を用いることで、両面光取出し型の発光装置へ適用することもできる。   The present invention provides an organic light emitting unit in which a light transmissive first conductive electrode layer 2 is formed on a light transmissive substrate 1 typified by, for example, glass or a polymer film, and an organic light emitting layer is formed thereon. The main target is a so-called bottom emission type organic EL light-emitting device in which the layer 3 and the second conductive electrode layer 4 are formed and light is extracted from the translucent substrate 1 side. On the other hand, by using a translucent conductive material as the second conductive electrode layer 4, it can be applied to a double-sided light extraction type light emitting device.

図２（Ｄ）の模式的断面図に示されるように、本発明にかかる有機ＥＬ発光装置は、透光性基板１上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子２０１〜２０４が形成されている。各単位発光素子は、透光性基板１側から透光性の第１の導電性電極層２、有機発光ユニット層３および第２の導電性電極層４を有する。また、図２（Ｆ２）に示されるように、第２の導電性電極層４側の主面に、樹脂層５等を介して封止基板６が配置されることで、発光素子が封止されていることが好ましい。   As shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2D, the organic EL light emitting device according to the present invention includes a plurality of unit light emitting elements 201 to 204 electrically connected in series on a light transmitting substrate 1. Is formed. Each unit light-emitting element has a translucent first conductive electrode layer 2, an organic light-emitting unit layer 3, and a second conductive electrode layer 4 from the translucent substrate 1 side. Further, as shown in FIG. 2 (F2), the sealing substrate 6 is disposed on the main surface on the second conductive electrode layer 4 side via the resin layer 5 or the like, so that the light emitting element is sealed. It is preferable that

以下、図面を参照しながら、有機ＥＬ発光装置の製造方法における各工程を順に説明する。図１（Ａ）〜（Ｆ２）は、本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ発光装置の製造プロセスを表す模式的平面図である。図２（Ａ）〜（Ｆ２）は、図１（Ａ）〜（Ｆ２）のII-II断面における模式的断面図である。   Hereafter, each process in the manufacturing method of an organic electroluminescent light-emitting device is demonstrated in order, referring drawings. 1A to 1F are schematic plan views showing a manufacturing process of an organic EL light emitting device according to an embodiment of the present invention. 2A to 2F are schematic cross-sectional views taken along the line II-II in FIGS. 1A to 1F2.

ボトムエミッション型有機ＥＬ装置において、発生した光を外部に取り出すために透光性基板１が用いられる。透光性基板１の上に形成される第１の導電性電極層２も透光性であることが求められる。ただし、これらは全面にわたって透光性である必要はない。例えば、特定の形状の領域を発光させてサイネージに適用される場合には、所望の形状の部分だけが透光性であれば足りる。「透光性」とは光を透過する性質を有することを意味し、具体的には、可視光域（３５０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における透過率がおおむね５０％を超えていればよい。   In the bottom emission type organic EL device, a translucent substrate 1 is used to extract generated light to the outside. The first conductive electrode layer 2 formed on the translucent substrate 1 is also required to be translucent. However, they do not need to be translucent over the entire surface. For example, when a region having a specific shape is caused to emit light and applied to signage, it is sufficient that only a portion having a desired shape is translucent. “Translucent” means having the property of transmitting light, and specifically, the transmittance in the visible light region (350 nm to 780 nm) should be generally more than 50%.

透光性の第１の導電性電極層２（以下、「透光性導電層」と称する場合がある）を構成する透光性導電性材料としては、例えば、インジウムドープの酸化錫（ＩＴＯ）、インジウムドープの酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛等が例示される。表面抵抗の低さの観点からは、透光性導電性材料としてはインジウムドープの酸化錫が好適に用いられる。透光性の第１の導電性電極層の形成方法としては、例えばスパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法等が好適に採用される。   As the translucent conductive material constituting the translucent first conductive electrode layer 2 (hereinafter sometimes referred to as “translucent conductive layer”), for example, indium-doped tin oxide (ITO) And indium-doped zinc oxide (IZO), tin oxide, zinc oxide and the like. From the viewpoint of low surface resistance, indium-doped tin oxide is preferably used as the translucent conductive material. As a method for forming the light-transmitting first conductive electrode layer, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, a pulse laser deposition method, or the like is preferably employed.

図２（Ａ）に示されるように、本発明の（ａ）工程では、透光性基板１上に、複数の第１種分割溝１１１〜１１４により複数の透光性導電領域２１〜２５に分割された第１導電性電極層２が形成される。第１種分割溝を形成して透光性導電層を複数領域にパターン化する方法は、例えば、スクリーン印刷、マスクを使った蒸着等のように透光性導電層２をパターン化された状態で透光性基板１上に形成する方法と、透光性基板１上に透光性導電層２を形成後、リフトオフ、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）、フォトリソグラフィー、ウォータージェット、レーザービーム照射等によって、選択的に透光性導電層を除去して分割溝を形成する方法、およびこれらの組み合わせが挙げられる。   As shown in FIG. 2A, in the step (a) of the present invention, a plurality of translucent conductive regions 21 to 25 are formed on the translucent substrate 1 by a plurality of first type division grooves 111 to 114. The divided first conductive electrode layer 2 is formed. The method of patterning the translucent conductive layer into a plurality of regions by forming the first type division grooves is a state where the translucent conductive layer 2 is patterned, for example, by screen printing, vapor deposition using a mask, or the like. And forming the light-transmitting conductive layer 2 on the light-transmitting substrate 1, and then lift-off, RIE (reactive ion etching), photolithography, water jet, laser beam irradiation, etc. Includes a method of selectively removing the translucent conductive layer to form the dividing grooves, and a combination thereof.

後述するように第２の導電性電極層４がレーザービーム照射によりパターン化される場合には、第１導電性電極層２のパターン化もレーザービーム照射により行われることが好ましい。この場合、第１の導電性電極層２と第２の導電性電極層４の加工精度（第１種分割溝と第３種分割溝の加工精度）を同程度とすることができる。また、レーザービーム照射はプロセスが簡易である点においても好適である。第１種分割溝１１１〜１１４の形成において、透光性導電層２に吸収される波長を有するレーザービームが透光性導電層２側から透光性基板１側に照射されれば、透光性基板１の損傷が抑制され得る。   As described later, when the second conductive electrode layer 4 is patterned by laser beam irradiation, the first conductive electrode layer 2 is also preferably patterned by laser beam irradiation. In this case, the processing accuracy of the first conductive electrode layer 2 and the second conductive electrode layer 4 (processing accuracy of the first type division groove and the third type division groove) can be made comparable. Laser beam irradiation is also preferable in that the process is simple. In the formation of the first type division grooves 111 to 114, if a laser beam having a wavelength absorbed by the translucent conductive layer 2 is irradiated from the translucent conductive layer 2 side to the translucent substrate 1 side, the translucency Damage to the conductive substrate 1 can be suppressed.

図２（Ｂ１）に示されるように、第１の導電性電極層２上に有機発光ユニット層３が形成されると、第１種分割溝１２１〜１２４は、有機発光ユニット層を構成する材料により充填される。したがって、各透光性導電領域２１〜２５内においては電気抵抗が低く、隣接する透光性導電領域との間は電気抵抗が高く、絶縁された状態となる。   As shown in FIG. 2 (B1), when the organic light emitting unit layer 3 is formed on the first conductive electrode layer 2, the first type dividing grooves 121 to 124 are materials constituting the organic light emitting unit layer. Is filled. Therefore, the electrical resistance is low in each of the translucent conductive regions 21 to 25, and the electrical resistance is high between the adjacent translucent conductive regions, resulting in an insulated state.

直列接続される各単位素子（発光部分）の発光面積を均等とする観点からは、各透光性導電領域は、略同じ面積に分割されることが望ましい。例えば、矩形の透光性基板上に透光性導電層が形成される場合、図１（Ａ）に示されるように、基板の一辺と平行に複数の第１種分割溝１１１〜１１４が形成され、透光性導電層２が複数の短冊状の透光性導電領域２１〜２５に分割されることが好ましい。膜面方向の電気抵抗は、各領域の分割幅が小さいほど、すなわち分割数を増加させるほど低減される。   From the viewpoint of equalizing the light emitting area of each unit element (light emitting portion) connected in series, it is desirable that each translucent conductive region is divided into substantially the same area. For example, when a translucent conductive layer is formed on a rectangular translucent substrate, as shown in FIG. 1A, a plurality of first type division grooves 111 to 114 are formed in parallel with one side of the substrate. The translucent conductive layer 2 is preferably divided into a plurality of strip-shaped translucent conductive regions 21 to 25. The electrical resistance in the film surface direction decreases as the division width of each region is smaller, that is, as the number of divisions is increased.

図２（Ｂ２）に示されるように、本発明の（ｂ）工程においては、パターン化された第１の導電性電極層２上に、第２種分割溝１２１〜１２４により複数の有機発光ユニット領域３１〜３５に分割された有機発光ユニット層３が形成される。有機発光ユニット層３は、一般の有機ＥＬ素子において陰極と陽極とに挟持された部分を指し、例えば、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を含む。有機発光ユニット層は、有機化合物層の他に、薄膜のアルカリ金属層や無機層を有していてもよい。また、有機発光ユニット層は、特開２００３−２７２８６０号公報等に開示されているように、電荷発生層（Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）を介して、膜面の法線方向に複数の発光層が直列に接続されたマルチフォトエミッション（ＭＰＥ）構成を有していてもよい。   As shown in FIG. 2 (B2), in the step (b) of the present invention, a plurality of organic light emitting units are formed on the patterned first conductive electrode layer 2 by the second type dividing grooves 121-124. The organic light emitting unit layer 3 divided into the regions 31 to 35 is formed. The organic light emitting unit layer 3 refers to a portion sandwiched between a cathode and an anode in a general organic EL element. For example, in addition to the light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, a hole transport layer, etc. including. The organic light emitting unit layer may have a thin alkali metal layer or an inorganic layer in addition to the organic compound layer. In addition, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-272860, the organic light emitting unit layer has a plurality of light emitting layers connected in series in the normal direction of the film surface via a charge generation layer (Charge Generation Layer). It may have a connected multi-photo emission (MPE) configuration.

有機発光ユニット層を構成する各層は、目的等に応じて適宜の方法により形成され得る。例えば、低分子有機化合物等は蒸着法で形成されてもよいし、高分子有機化合物は印刷法等で形成されてもよい。また、有機ＥＬ発光装置の製造工程において、吸湿によって有機発光ユニット層を構成する各層が劣化するのを抑止する観点から、有機発光ユニット層の最表面（第２の導電性電極層との界面）に第２の導電性電極層４とは別に、バッファー層として導電性の層を形成してもよい。   Each layer constituting the organic light emitting unit layer can be formed by an appropriate method according to the purpose or the like. For example, the low molecular organic compound or the like may be formed by a vapor deposition method, and the high molecular organic compound may be formed by a printing method or the like. Moreover, in the manufacturing process of the organic EL light emitting device, from the viewpoint of suppressing deterioration of each layer constituting the organic light emitting unit layer due to moisture absorption, the outermost surface of the organic light emitting unit layer (interface with the second conductive electrode layer) In addition to the second conductive electrode layer 4, a conductive layer may be formed as a buffer layer.

第２種分割溝を形成して有機発光ユニット層３をパターン化する方法としては、例えば、透光性導電層をパターン化する方法として前述したのと同様の方法を採用することができる。例えば、レーザービーム照射によって第２種分割溝１２１〜１２４が形成される場合、図２（Ｂ１）に示されるように、パターン化された透光性の第１の導電性電極層２上に有機発光ユニット層３が形成された後、有機発光ユニット層３に吸収される波長を有するレーザービームが有機発光ユニット層３側から透光性基板１側へ照射されれば、第１の導電性電極層２の損傷を抑制し得る。   As a method of patterning the organic light emitting unit layer 3 by forming the second type division grooves, for example, the same method as described above can be adopted as a method of patterning the translucent conductive layer. For example, when the second type division grooves 121 to 124 are formed by laser beam irradiation, an organic layer is formed on the patterned light-transmitting first conductive electrode layer 2 as shown in FIG. After the light emitting unit layer 3 is formed, if a laser beam having a wavelength absorbed by the organic light emitting unit layer 3 is irradiated from the organic light emitting unit layer 3 side to the translucent substrate 1 side, the first conductive electrode Damage to the layer 2 can be suppressed.

一方、有機発光ユニット層３の最表面に導電性の層が形成されている場合、有機発光ユニット層３に吸収される波長を有するレーザービームを透光性基板１側から有機発光ユニット層３側へ照射すれば、透光性基板や透光性導電層によって光エネルギーがほとんど吸収されないため、最表面に導電性の層が形成された有機発光ユニット層が低エネルギー密度で除去され得る。   On the other hand, when a conductive layer is formed on the outermost surface of the organic light emitting unit layer 3, a laser beam having a wavelength absorbed by the organic light emitting unit layer 3 is transmitted from the translucent substrate 1 side to the organic light emitting unit layer 3 side. , The light-emitting substrate or the light-transmitting conductive layer hardly absorbs light energy, so that the organic light-emitting unit layer having the conductive layer formed on the outermost surface can be removed at a low energy density.

次に、図２（Ｄ）に示されるように、パターン化された有機発光ユニット層３上に、複数の第３種分割溝１３１〜１３３により複数領域４１〜４４に分割された第２の導電性電極層が形成される。第３種分割溝は、少なくとも第２の導電性電極層４を複数領域に分割するものであればよいが、有機ＥＬ発光装置の集積を効率的に行う観点からは、図２（Ｄ）に示されるように、第３種分割溝１３１〜１３３は、第２の導電性電極層４と有機発光ユニット層３とを分割するものであることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2D, the second conductive material divided into the plurality of regions 41 to 44 by the plurality of third kind division grooves 131 to 133 on the patterned organic light emitting unit layer 3. A conductive electrode layer is formed. The third type dividing groove may be any one that divides at least the second conductive electrode layer 4 into a plurality of regions. From the viewpoint of efficiently integrating the organic EL light emitting device, FIG. As shown, it is preferable that the third type division grooves 131 to 133 divide the second conductive electrode layer 4 and the organic light emitting unit layer 3.

第３種分割溝１３１〜１３３の形成方法としては、透光性導電層２をパターン化する方法として前述したのと同様の方法を採用することもできが、本発明においては、レーザービームの照射により、第３種分割溝が形成されることが好ましい。レーザービーム照射によって第３種分割溝を形成すれば、加工精度、大面積化、生産性、コストにおいて優位である。特に、前述のように、有機発光ユニット層３と第２の導電性電極層４とが同時に除去され得るため、レーザービームの照射による第３種分割溝の形成は、工程を簡略化し得る点において好ましい。   As a method for forming the third type division grooves 131 to 133, a method similar to that described above as a method for patterning the translucent conductive layer 2 can be employed, but in the present invention, irradiation with a laser beam is performed. Therefore, it is preferable that the third type division groove is formed. Forming the third-type divided grooves by laser beam irradiation is advantageous in terms of processing accuracy, large area, productivity, and cost. In particular, as described above, since the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 can be removed at the same time, the formation of the third-type divided grooves by laser beam irradiation can simplify the process. preferable.

この場合、工程（ｃ）として、パターン化された有機発光ユニット層３上に、第２の導電性電極層４が形成された後、工程（ｄ）として、第１の導電性電極層２、有機発光ユニット層３および第２の導電性電極層４が形成された基板１にレーザービームが照射され、少なくとも第２の導電性電極層が除去されることで、第３種分割溝が形成される。   In this case, as the step (c), after the second conductive electrode layer 4 is formed on the patterned organic light emitting unit layer 3, as the step (d), the first conductive electrode layer 2, The substrate 1 on which the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 are formed is irradiated with a laser beam, and at least the second conductive electrode layer is removed, so that a third type division groove is formed. The

工程（ｃ）において、第２の導電性電極層４は、例えば、Ａｌ、Ａｇなどを用いて、蒸着、スパッタ等の方法により形成することができる。透光性基板側から光を取り出すボトムエミッション型有機ＥＬ装置の場合、第２の導電性電極層は透光性である必要はないが、両面光取出し等へ適用する場合、第２の導電性電極層として透光性のものが用いられる場合がある。この場合、第２の導電性電極層としては、第１の導電性電極層にて前記したのち同様のものを使用できる。   In the step (c), the second conductive electrode layer 4 can be formed by a method such as vapor deposition or sputtering using Al, Ag, or the like, for example. In the case of a bottom emission type organic EL device that extracts light from the translucent substrate side, the second conductive electrode layer does not need to be translucent, but when applied to double-sided light extraction, the second conductive electrode layer is not necessary. A translucent material may be used as the electrode layer. In this case, the second conductive electrode layer can be the same as that described above for the first conductive electrode layer.

第２の導電性電極層４と第１の導電性電極層２とは、前記有機発光ユニット層を挟持する一対の電極を構成する。また、第２種分割溝１２１〜１２４に第２の導電性電極層を構成する材料が充填されることにより、１つの単位素子の第２導電性電極層と、隣接する単位素子の第１の導電性電極層とが電気的に接続される。例えば図２（Ｄ）の単位素子２０２と２０３とを例に取ると、単位素子２０２の導電性電極層部分４２が、第２種分割溝１２２を介して、単位素子２０３の第１の導電性電極層部分２３と電気的に接続される。   The second conductive electrode layer 4 and the first conductive electrode layer 2 constitute a pair of electrodes that sandwich the organic light emitting unit layer. In addition, the second type division grooves 121 to 124 are filled with the material constituting the second conductive electrode layer, whereby the second conductive electrode layer of one unit element and the first of the adjacent unit elements are filled. The conductive electrode layer is electrically connected. For example, taking the unit elements 202 and 203 of FIG. 2D as an example, the conductive electrode layer portion 42 of the unit element 202 is connected to the first conductivity of the unit element 203 via the second type division groove 122. It is electrically connected to the electrode layer portion 23.

工程（ｃ）が行われた状態においては、図１（Ｃ）および図２（Ｃ）に示されるように、第２の導電性電極層４が基板上の全面に形成されている。その後、工程（ｄ）によって、図２（Ｄ）に示されるように少なくとも第２の導電性電極層４を分割する第３種分割溝１３１〜１３３が形成される。これによって、第２の導電性電極層４は複数領域４１〜４４に分割され、各単位素子２０１〜２０４が直列接続された有機ＥＬ発光素子が形成される。   In the state where the step (c) is performed, as shown in FIGS. 1C and 2C, the second conductive electrode layer 4 is formed on the entire surface of the substrate. After that, by the step (d), as shown in FIG. 2D, third type division grooves 131 to 133 that divide at least the second conductive electrode layer 4 are formed. Thus, the second conductive electrode layer 4 is divided into a plurality of regions 41 to 44, and an organic EL light emitting element in which the unit elements 201 to 204 are connected in series is formed.

工程（ｄ）において、透光性基板１側から第２の導電性電極層４側に有機発光ユニット層３に吸収される波長を有するレーザービームが入射されれば、有機発光ユニット層３と第２の導電性電極層４とが同時に除去された第３種分割溝が形成される。この場合、レーザービームの光エネルギーの大部分は、透光性基板１や透光性導電層２では吸収されず、有機発光ユニット層３によって吸収される。そのため、第３種分割溝の形成において、有機発光ユニット層の除去に最低限必要なエネルギー密度のレーザービームを照射すれば、第１の導電性電極層２の損傷を抑止し得る。有機発光ユニット層３のレーザービームが照射された部分は、光エネルギーの吸収によって発熱、蒸発するため、結果として有機発光ユニット層３のみならず、その上に形成された第２の導電性電極層４も同時に除去される。   In the step (d), if a laser beam having a wavelength that is absorbed by the organic light emitting unit layer 3 is incident from the translucent substrate 1 side to the second conductive electrode layer 4 side, the organic light emitting unit layer 3 and the second light emitting unit layer 3 A third type division groove from which the two conductive electrode layers 4 are simultaneously removed is formed. In this case, most of the light energy of the laser beam is not absorbed by the translucent substrate 1 or the translucent conductive layer 2 but is absorbed by the organic light emitting unit layer 3. Therefore, damage to the first conductive electrode layer 2 can be suppressed by irradiating with a laser beam having a minimum energy density necessary for removing the organic light emitting unit layer in the formation of the third type division groove. The portion of the organic light emitting unit layer 3 irradiated with the laser beam generates heat and evaporates due to absorption of light energy. As a result, not only the organic light emitting unit layer 3 but also the second conductive electrode layer formed thereon. 4 is also removed at the same time.

第３種分割溝の形成に用いられるレーザー光源は、有機発光ユニット層３に吸収される波長のレーザービームを発振するものであればよく、例えば、ネオジウムを添加したＹＡＧまたはＹＶＯ４の固体結晶をレーザー媒質とするパルスレーザーの高調波（５３２ｎｍ,３５５ｎｍ）が好適に用いられる。 Laser light source used for forming the third kind dividing groove may be one that emits a laser beam having a wavelength that is absorbed by the organic light emitting unit layer 3, for example, a solid crystal of YAG or YVO 4 was added neodymium Harmonics (532 nm, 355 nm) of a pulse laser used as a laser medium are preferably used.

第３種分割溝の形成後に、発光素子の形成部を外周部から絶縁するために、図１（Ｄ２）に示されるような絶縁溝１５１、１５２が形成されてもよい。絶縁溝は、レーザー光の照射等により、第１の導電性電極層２、有機発光ユニット層３および第２の導電性電極層４の全てが除去されるように形成されることが好ましい。   Insulating grooves 151 and 152 as shown in FIG. 1 (D2) may be formed after the formation of the third type division grooves in order to insulate the light emitting element forming portion from the outer peripheral portion. The insulating groove is preferably formed such that all of the first conductive electrode layer 2, the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4 are removed by laser light irradiation or the like.

ところで、前記工程（ｄ）のように、レーザー照射によって、第３種分割溝が形成され第２の導電性電極層４が分割される場合、有機ＥＬ発光装置中に、正常に発光しない単位素子が存在することがある。このような非発光の素子は、同一単位素子内または隣接単位素子間で電気的な短絡部が生じていることに起因するものと推定される。   By the way, when the third type division groove is formed and the second conductive electrode layer 4 is divided by laser irradiation as in the step (d), the unit element that does not emit light normally in the organic EL light emitting device. May exist. Such a non-light emitting element is presumed to be caused by the occurrence of an electrical short circuit in the same unit element or between adjacent unit elements.

すなわち、レーザーのパワー強度はガウシアン分布をもつため、シングルモードのパルスレーザーが単発で照射され場合、照射対象の層に形成されるレーザー痕は、一般に円錐台形状（断面台形状）の穴となる。レーザー光源と透光性基板との位置を任意設定の加工速度で相対的に移動させながら、パルスレーザーが連続照射されると、結果として、形成されるレーザー加工痕は、円錐台形状の穴の集合からなる溝状（以下、スクライブ線ともいう）になり得る。このように形成されるスクライブ線は、たいていの場合、加工端部にバリを生じている。そして、第２の導電性電極層の加工端部のバリが、同一単位素子あるいは隣接する単位素子の第１の導電性電極層や、隣接する単位素子の第２の導電性電極層と接触すると、電気的な短絡が生じる。また、このような電気的な短絡は、レーザービームによって加工された第２の導電性電極層の飛沫の付着によっても生じ得るものと推定される。   That is, since the laser power intensity has a Gaussian distribution, when a single-mode pulse laser is irradiated in a single shot, the laser mark formed on the layer to be irradiated is generally a truncated cone-shaped hole (cross-sectional trapezoidal shape). . When the pulsed laser is continuously irradiated while relatively moving the position of the laser light source and the translucent substrate at an arbitrarily set processing speed, as a result, the formed laser processing trace is a frustoconical hole. It can be in the form of a groove consisting of a set (hereinafter also referred to as a scribe line). In most cases, the scribe line formed in this way has burrs at the processed end. And when the burr | flash of the process edge part of a 2nd conductive electrode layer contacts the 1st conductive electrode layer of the same unit element or an adjacent unit element, or the 2nd conductive electrode layer of an adjacent unit element An electrical short circuit occurs. In addition, it is estimated that such an electrical short circuit can also be caused by adhesion of droplets on the second conductive electrode layer processed by the laser beam.

このように電気的に短絡した部分を多く有する単位素子に所定の駆動電圧が印加されても、短絡した電極間が同電位であるために、有機発光ユニット層には所望の電圧が印加されず、正常に発光しない。このような非発光の素子を正常に発光させるためには、第３種分割溝が形成された領域内での短絡部分が除去される必要がある。   Even when a predetermined drive voltage is applied to the unit element having many electrically shorted parts in this manner, the desired voltage is not applied to the organic light emitting unit layer because the shorted electrodes have the same potential. Does not emit light normally. In order to cause such a non-light emitting element to emit light normally, it is necessary to remove the short-circuited portion in the region where the third type dividing groove is formed.

このような短絡部分を除去する方法として、不活性ガスを吹き付ける方法や液体中で超音波処理する方法等も想定されるが、電気的に短絡した部分だけを選択的に除去することは困難である。また、このような力学的な方法によると、密着性の弱い蒸着膜の剥がれ等の不具合を招来する場合がある。   As a method of removing such a short-circuit portion, a method of spraying an inert gas or a method of ultrasonic treatment in a liquid is also assumed, but it is difficult to selectively remove only the electrically short-circuited portion. is there. In addition, such a mechanical method may cause problems such as peeling off of a deposited film having poor adhesion.

本発明においては、このような短絡部分を除去するために、工程（ｅ）として、直列接続された複数の単位発光素子の少なくとも１つに電圧が印加される。このように、電圧を印加する方法によれば、短絡部分に生じた熱によって短絡部分が焼き切れて断線されるため、電気的に短絡した部分が選択的に除去され得る。すなわち、電気的に短絡した部分は任意の電気抵抗をもち、ダイオード特性を有する発光部とともに並列回路を構成する。この短絡部による電気抵抗と発光部によるダイオードとが並列接続された回路に電圧が印加されると、ダイオード部分、すなわち発光素子にはほとんど電流が流れないために発光しない。一方、短絡部分には選択的に電流が流れるため、印加電圧に応じたジュール熱が生じ、最終的には短絡部分が焼き切れて断線する。短絡部分が断線すると、発光素子に電流が流れるようになるため、発光素子は正常に発光する。このように、工程（ｅ）は、単位素子に電圧を印加することにより、導電性電極層の電気的な分離を補助し、工程（ｄ）における第３種分割溝の形成が充分ではない部分を補うものであるといえる。   In the present invention, in order to remove such a short-circuit portion, as step (e), a voltage is applied to at least one of the plurality of unit light emitting elements connected in series. As described above, according to the method of applying a voltage, the short-circuited portion is burned out and disconnected by the heat generated in the short-circuited portion, so that the electrically short-circuited portion can be selectively removed. That is, the electrically shorted portion has an arbitrary electrical resistance and forms a parallel circuit together with the light emitting portion having diode characteristics. When a voltage is applied to a circuit in which the electrical resistance of the short-circuit portion and the diode of the light-emitting portion are connected in parallel, no current flows through the diode portion, that is, the light-emitting element, so that no light is emitted. On the other hand, since a current selectively flows in the short-circuited portion, Joule heat corresponding to the applied voltage is generated, and eventually the short-circuited portion is burned out and disconnected. When the short-circuit portion is disconnected, a current flows through the light emitting element, so that the light emitting element emits light normally. As described above, the step (e) assists the electrical separation of the conductive electrode layer by applying a voltage to the unit element, and the portion where the formation of the third type division groove in the step (d) is not sufficient. It can be said that it supplements.

電圧の印加は、直列接続された複数の素子全体に対して行ってもよいし、１または複数の特定の単位素子に対して行うこともできる。電圧の印加は、対象となる素子の両隣の単位素子の第１または第２の導電性電極に電源との接点を設ければよい。例えば図２（Ｄ） において、直列接続された複数の素子全体に電圧を印加する場合は、符号１４１で示される第１の導電性電極領域と符号１４２で示される第１の導電性電極領域のそれぞれに接点を設ければよい。また、符号２０３の単位素子に電圧を印加する場合、単位素子２０２、２０４の第２の導電性電極領域４２、４４のそれぞれに接点を設ければよい。   The voltage may be applied to the whole of a plurality of elements connected in series, or may be applied to one or a plurality of specific unit elements. The voltage may be applied by providing a contact point with the power source on the first or second conductive electrode of the unit element adjacent to the target element. For example, in FIG. 2D, when a voltage is applied to a plurality of elements connected in series, the first conductive electrode region denoted by reference numeral 141 and the first conductive electrode region denoted by reference numeral 142 What is necessary is just to provide a contact in each. Further, when a voltage is applied to the unit element denoted by reference numeral 203, a contact point may be provided in each of the second conductive electrode regions 42 and 44 of the unit elements 202 and 204.

電圧の印加は、直列接続された複数の素子全体に対して行わることが好ましい。素子全体に電圧が印加されることにより、正常に発光する単位素子と非発光の単位素子を確認しながら電圧の印加を行うことができる。印加される電圧は、各単位素子の発光に必要な任意の値まで段階的に上昇されることが好ましく、すべての単位素子が正常に発光するまで、段階的に上昇されることが好ましい。例えば、電源の出力電圧が、一定の時間間隔ごとに任意の量ずつ増加されれば、時間に対する出力電圧の波形は、図３（Ａ）に示されるような線形状や、図３（Ｂ）に示されるような階段状となる。この波形は、短絡部分の除去状況に応じて、適宜に選択され得る。   It is preferable to apply the voltage to the entire plurality of elements connected in series. By applying a voltage to the entire element, it is possible to apply a voltage while confirming a unit element that normally emits light and a unit element that does not emit light. The applied voltage is preferably raised stepwise to an arbitrary value required for light emission of each unit element, and preferably raised stepwise until all the unit elements normally emit light. For example, if the output voltage of the power supply is increased by an arbitrary amount at regular time intervals, the waveform of the output voltage with respect to time has a linear shape as shown in FIG. It will be stepped as shown in This waveform can be appropriately selected according to the removal status of the short-circuited portion.

有機ＥＬ素子の熱劣化を防止する観点において、電圧の印加に用いる電源は、交流であることが好ましい。なお、ここでいう交流とは、正弦波のみならず、矩形波、三角波、鋸歯状波のような広義の交流をも包含する。交流電圧が印加される場合、電圧の振幅は所定の時間間隔ごとに任意の量ずつ増加させることが好ましい。これにより時間に対する電圧の波形は、各時間間隔での最大電圧の包絡線をみると、図３（Ｃ）に示されるような線形状や、図３（Ｄ）に示されるような階段状となる。また、交流電圧として、図３（Ｅ）に示されるような、間欠的なパルス電圧を印加することも好ましい。   From the viewpoint of preventing thermal degradation of the organic EL element, the power source used for applying the voltage is preferably an alternating current. In addition, the alternating current here includes not only a sine wave but also an alternating current in a broad sense such as a rectangular wave, a triangular wave, and a sawtooth wave. When an AC voltage is applied, the voltage amplitude is preferably increased by an arbitrary amount at predetermined time intervals. As a result, the waveform of the voltage with respect to time, when viewed from the envelope of the maximum voltage at each time interval, has a linear shape as shown in FIG. 3 (C) or a step shape as shown in FIG. 3 (D). Become. It is also preferable to apply an intermittent pulse voltage as shown in FIG.

複数の単位素子に電圧が印加される場合において、当初から正常に発光する単位素子、あるいは短絡部分が除去されたことによって正常に発光するようになった単位素子の有機発光ユニット層に電圧が印加されると発熱が生じる。一般に、有機発光ユニット層は耐熱性に乏しい有機化合物層を含んでいるため、設定電圧よりも高い電圧が長時間印加されると熱劣化を生じ易い。特に、直流電圧が印加される場合において、各単位素子に設計駆動電圧の最大値を超える電圧が印加されると、このような素子の加熱による熱劣化を生じ易くなる傾向がある。   When a voltage is applied to a plurality of unit elements, the voltage is applied to the organic light emitting unit layer of the unit element that normally emits light from the beginning or the unit element that has normally emitted light by removing the short-circuit portion. Will generate heat. In general, since the organic light emitting unit layer includes an organic compound layer having poor heat resistance, thermal degradation is likely to occur when a voltage higher than a set voltage is applied for a long time. In particular, when a DC voltage is applied, if a voltage exceeding the maximum value of the design drive voltage is applied to each unit element, there is a tendency that thermal degradation due to heating of such an element tends to occur.

これに対して、図３（Ｃ）〜（Ｅ）に示されるような交流電圧が印加される場合は、図（Ａ）、（Ｂ）に示されるような直流電圧が印加される場合に比して高電圧が印加される時間が短い。そのため、有機発光ユニット層の発熱が抑制され、素子の熱劣化が防止される。一方、交流電圧印加によって短絡部分に一時的に大きな電圧が印加されると、短絡部分には、電力に応じた発熱が瞬時に生じる。そのため、交流電源を用いた場合でも直流電源を用いた場合と同様に短絡部分が除去されるのに必要な発熱が生じ、短絡部分が除去され得る。すなわち、交流電源が用いられる場合は、直流電源が用いられる場合に比して素子の加熱による熱劣化が防止される一方で、直流電源が用いられる場合と同様に短絡部分が除去され得る。   On the other hand, when an AC voltage as shown in FIGS. 3C to 3E is applied, it is compared with a case where a DC voltage as shown in FIGS. Thus, the time during which the high voltage is applied is short. Therefore, heat generation of the organic light emitting unit layer is suppressed, and thermal deterioration of the element is prevented. On the other hand, when a large voltage is temporarily applied to the short-circuited portion by applying an AC voltage, heat generation according to electric power is instantaneously generated in the short-circuited portion. For this reason, even when an AC power supply is used, heat generation necessary for removing the short-circuited portion occurs as in the case of using the DC power supply, and the short-circuited portion can be removed. That is, when an AC power supply is used, thermal degradation due to heating of the element can be prevented compared to when a DC power supply is used, while a short-circuit portion can be removed as in the case where a DC power supply is used.

短絡部分が除去されるのに必要な電圧は、素子の加工状態によって異なるため、未知である。そのため、全ての単位素子を正常に発光させるためには、素子の設計駆動電圧範囲を上回る電圧を印加する必要が生じる場合がある。直流電源が用いられる場合は、素子の設計駆動電圧範囲を上回る電圧が印加されることによって熱劣化を生じることが懸念されるが、交流電源が用いられる場合は、このような高電圧が印加されても、素子の加熱が抑制されるため、熱劣化の懸念が小さい。中でも、図３（Ｅ）に示されるように間欠的なパルス電圧が印加される場合は、素子の発熱も間欠的となり、さらには電圧が印加されていない間に素子が自然冷却され得る。そのため、工程（ｅ）においては、間欠的なパルス電圧が印加されることが特に好ましい。   The voltage required for removing the short-circuit portion is unknown because it varies depending on the processing state of the element. Therefore, in order to cause all unit elements to emit light normally, it may be necessary to apply a voltage exceeding the design drive voltage range of the elements. When a DC power supply is used, there is a concern that thermal degradation will occur due to application of a voltage exceeding the design drive voltage range of the element. However, when an AC power supply is used, such a high voltage is applied. However, since the heating of the element is suppressed, there is little concern about thermal degradation. In particular, when an intermittent pulse voltage is applied as shown in FIG. 3E, heat generation of the element becomes intermittent, and the element can be naturally cooled while no voltage is applied. Therefore, in the step (e), it is particularly preferable that an intermittent pulse voltage is applied.

一般に有機ＥＬ素子は水分や酸素との接触によって非発光領域（ダークスポット）が拡大することが知られており、これを防ぐ観点から、発光素子を外部から遮断するための封止が行われる。本発明においても工程（ｆ）として、図１（Ｆ１）、（Ｆ２）および図２（Ｆ１）、（Ｆ２）に示されるように素子の封止が行われることが好ましいが、電圧印加による短絡部分の除去は封止の前に行われることが好ましい。封止が行われる前に電気的に短絡した部分が除去されれば、発光部の正常な発光を事前に確認することができる。一方、工程（ｅ）によって短絡部分が除去される前に封止が行われると、封止層を形成する樹脂等によって短絡部分が被覆されるために、電圧印加による短絡部分の除去が困難となったり、短絡部分が除去された部分において封止層にピンホール等の不良を生じる場合がある。   In general, it is known that an organic EL element expands a non-light-emitting region (dark spot) by contact with moisture or oxygen. From the viewpoint of preventing this, sealing for blocking the light-emitting element from the outside is performed. Also in the present invention, as the step (f), the element is preferably sealed as shown in FIGS. 1 (F1) and (F2) and FIGS. 2 (F1) and (F2). The removal of the part is preferably performed before sealing. If the electrically shorted portion is removed before the sealing is performed, normal light emission of the light emitting portion can be confirmed in advance. On the other hand, if the sealing is performed before the short-circuit portion is removed by the step (e), the short-circuit portion is covered with a resin or the like that forms the sealing layer, and thus it is difficult to remove the short-circuit portion by voltage application. Or a defect such as a pinhole may occur in the sealing layer in the portion where the short-circuit portion is removed.

工程（ｆ）において、第２の導電性電極層４側の主面に封止基板６が貼り合わされて発光素子が封止される。発光素子の封止は、公知の適宜な方法により行うことができる。例えば図１（Ｆ１）および図２（Ｆ１）に示されるように、発光素子を含む領域の少なくとも一部に硬化性樹脂が塗布されて樹脂層５が形成された後、図１（Ｆ２）および図２（Ｆ２）に示されるように封止基板６が貼り合わされ、樹脂層５が硬化されることによって封止が行われる。   In the step (f), the sealing substrate 6 is bonded to the main surface on the second conductive electrode layer 4 side to seal the light emitting element. The light-emitting element can be sealed by a known appropriate method. For example, as shown in FIG. 1 (F1) and FIG. 2 (F1), after a curable resin is applied to at least a part of a region including a light emitting element to form a resin layer 5, FIG. 1 (F2) and FIG. As shown in FIG. 2 (F2), the sealing substrate 6 is bonded together, and the resin layer 5 is cured to perform sealing.

樹脂を硬化させて封止する方法は、発光素子が形成された基板と中空構造の封止基板とを貼り合せ、その周縁部に塗布された樹脂を硬化させる方法、発光素子が形成された基板と封止基板とを貼り合せ、その周縁部に塗布され樹脂を硬化させる方法、発光素子が形成された基板の全面に樹脂溶液を塗布し、この上に封止基板を貼り合せた後、樹脂を硬化させる方法、および発光素子が形成された基板の全面に無機膜を形成し、この上に樹脂を全面塗布し、この上に封止基板を貼り合せた後、樹脂を硬化させる方法、等が挙げられる。封止基板６としては、ガラスや高分子フィルムが用いられるが、水や酸素の透過率が小さい材料が好適に用いられる。   The method of sealing the resin by curing the resin is a method in which the substrate on which the light emitting element is formed and the sealing substrate having a hollow structure are bonded together, and the resin applied to the peripheral portion is cured, and the substrate on which the light emitting element is formed And a sealing substrate are bonded to each other, and a resin is applied to the peripheral portion of the substrate to cure the resin. A resin solution is applied to the entire surface of the substrate on which the light-emitting element is formed. And a method of forming an inorganic film on the entire surface of the substrate on which the light emitting element is formed, applying a resin on the entire surface of the substrate, and bonding a sealing substrate thereon, and then curing the resin. Is mentioned. As the sealing substrate 6, glass or a polymer film is used, but a material having a low water or oxygen permeability is preferably used.

本発明において、レーザービーム照射により第３種分割溝を形成する工程（工程（ｄ））、複数の単位発光素子の少なくとも１つに電圧を印加する工程（工程（ｅ））、発光素子を封止する工程（工程（ｆ））のそれぞれは、乾燥窒素雰囲気下のように、水分が遮断された状態で行われることが好ましい。これらの工程が水分の存在下で行われ、有機発光ユニット層が水分と接触すると、例えば、有機発光ユニット層３と第２の導電性電極層４との界面に絶縁性の高い部分が形成される。この部分に電圧が印加されても電子の注入が低下し、やがて非発光部分（ダークスポット）となる場合がある。   In the present invention, the step of forming the third type division grooves by laser beam irradiation (step (d)), the step of applying a voltage to at least one of the plurality of unit light emitting elements (step (e)), and sealing the light emitting element. Each of the stopping steps (step (f)) is preferably performed in a state where moisture is blocked as in a dry nitrogen atmosphere. When these steps are performed in the presence of moisture and the organic light emitting unit layer comes into contact with moisture, for example, a highly insulating portion is formed at the interface between the organic light emitting unit layer 3 and the second conductive electrode layer 4. The Even when a voltage is applied to this portion, the injection of electrons decreases, and eventually a non-light emitting portion (dark spot) may be formed.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の工程（ｅ）、すなわち、直列接続された複数の単位発光素子の少なくとも１つに電圧を印加する工程は、レーザービーム照射によって第２の導電性電極層が分割される場合に限らず、その他の方法によって導電性電極層分割される場合にも適用され得るものである。例えば、第２の導電性電極層がマスクにより形成される場合において、マスクの位置ずれやマスクのパターン不良等によって短絡部分が生じている場合にも、工程（ｅ）を適用して、短絡部分を除去することが可能である。   Although the embodiment of the present invention has been described above, the step (e) of the present invention, that is, the step of applying a voltage to at least one of the plurality of unit light emitting elements connected in series is performed by laser beam irradiation. The present invention is not limited to the case where the conductive electrode layer is divided, but can be applied to the case where the conductive electrode layer is divided by other methods. For example, in the case where the second conductive electrode layer is formed by a mask, the short-circuited portion is applied by applying the step (e) even when a short-circuited portion is generated due to a mask misalignment, a mask pattern defect, or the like. Can be removed.

以上の各工程により製造される有機ＥＬ発光装置は、複数の単位素子が直列接続されており、大面積への適用が可能であることから、照明等の面光源に好適に適用される。   The organic EL light-emitting device manufactured by the above steps is preferably applied to a surface light source such as illumination because a plurality of unit elements are connected in series and can be applied to a large area.

以下に、本発明の具体的な実施例と実施例に対する比較例を挙げて本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples of the present invention and comparative examples for the examples.

[製造例]
図１の平面図および図２の断面図に模式的に示される有機ＥＬ発光装置が製造された。なお、図１および図２においては、簡略化のため、４つの単位素子２０１〜２０４が直列接続された形態が示されているが、本製造例においては、１６個の単位素子が直列接続された有機ＥＬ発光装置が製造された。 [Production example]
The organic EL light emitting device schematically shown in the plan view of FIG. 1 and the cross-sectional view of FIG. 2 was manufactured. In FIGS. 1 and 2, for simplification, four unit elements 201 to 204 are shown connected in series. However, in the present manufacturing example, 16 unit elements are connected in series. An organic EL light emitting device was manufactured.

透光性基板１として、外形□２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスが用いられた。このガラス基板の一方主面に、スパッタ法により、透光性導電層２としてインジウムドープされた酸化錫（ＩＴＯ）膜が平均膜厚１５０ｎｍで形成された。ＩＴＯ膜が形成された基板を、ＩＴＯ膜を上面にしてＸＹステージ上に設置後、ＹＡＧレーザーの基本波が上面から照射され、ＩＴＯ膜の一部が除去され、図１（Ａ）に示されるように複数の第１種分割溝が形成された。   As the translucent substrate 1, an alkali-free glass having an outer shape □ 200 mm × 200 mm and a thickness of 0.7 mm was used. On one main surface of this glass substrate, an indium-doped tin oxide (ITO) film having an average film thickness of 150 nm was formed as the translucent conductive layer 2 by sputtering. After the substrate on which the ITO film is formed is placed on the XY stage with the ITO film as the upper surface, the fundamental wave of the YAG laser is irradiated from the upper surface, and a part of the ITO film is removed, as shown in FIG. Thus, a plurality of first type division grooves were formed.

レーザーの発振周波数は１５ｋＨｚ、出力１４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は５０ｍｍ／秒であった。この透光性基板は中性洗剤で洗浄後、１５０℃で２０分加熱乾燥された。短冊状に分割された各領域間の電気抵抗が概ね２０ＭΩ以上であることが確認された。   The laser oscillation frequency was 15 kHz, the output was 14 W, the beam diameter was about 25 μm, and the processing speed was 50 mm / second. The translucent substrate was washed with a neutral detergent and then heated and dried at 150 ° C. for 20 minutes. It was confirmed that the electrical resistance between the regions divided into strips was approximately 20 MΩ or more.

このパターン化されたＩＴＯ膜上に、図１（Ｂ１）に示されるように有機発光ユニット層３が形成された。発光ユニットを形成するホール注入層として、酸化モリブデンと４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと略す）がそれぞれ蒸着速度０．０１５ｎｍ／秒と０．１３５ｎｍ／秒で真空共蒸着法により、１０ｎｍの膜厚で形成された。その上にホール輸送層として、α−ＮＰＤが真空蒸着法により５０ｎｍ（蒸着速度０．０８ｎｍ〜０．１２ｎｍ／秒）の膜厚で形成された。その上に、電子輸送層を兼ねた発光層として、［トリス（８−ハイドロキシキノリナート）］アルミニウム(III)（以下、Ａｌｑ３と略す）が真空蒸着法により７０ｎｍ（蒸着速度０．２５ｎｍ〜０．３０ｎｍ／秒）の膜厚で形成された。その上に、バッファー層として、真空蒸着法により、膜厚１ｎｍのＬｉＦ層（蒸着速度０．０１ｎｍ〜０．０５ｎｍ／秒）および膜厚１５０ｎｍのＡｌ層（蒸着速度０．３０ｎｍ〜０．３５ｎｍ／秒）が順次形成された。 On this patterned ITO film, an organic light emitting unit layer 3 was formed as shown in FIG. 1 (B1). As the hole injection layer forming the light emitting unit, molybdenum oxide and 4,4′-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (hereinafter, abbreviated as α-NPD) are each deposited at a deposition rate of 0. It was formed with a film thickness of 10 nm by vacuum co-evaporation at 015 nm / second and 0.135 nm / second. As a hole transport layer, α-NPD was formed with a film thickness of 50 nm (deposition rate: 0.08 nm to 0.12 nm / second) by a vacuum evaporation method. On top of that, [tris (8-hydroxyquinolinato)] aluminum (III) (hereinafter abbreviated as Alq 3 ) is 70 nm (deposition rate: 0.25 nm to (0.30 nm / sec). Furthermore, as a buffer layer, a 1 nm-thick LiF layer (deposition rate 0.01 nm to 0.05 nm / second) and a 150 nm-thick Al layer (deposition rate 0.30 nm to 0.35 nm / second) are formed by a vacuum deposition method. Second) was formed sequentially.

有機発光ユニット層が形成された基板を、ガラス基板側を上面にしてＸＹステージ上に設置後、ＹＡＧレーザーの第２高調波が上面から照射され、有機発光ユニット層の一部が除去され、図１（Ｂ２）に示されるように第１種分割溝と平行な第２種分割溝が形成された。レーザーの発振周波数は５ｋＨｚ、出力０．４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は５０ｍｍ／秒であり、第１種分割溝と第２種分割溝との間隔は１００μｍであった。   After the substrate on which the organic light emitting unit layer is formed is placed on the XY stage with the glass substrate side as the upper surface, the second harmonic of the YAG laser is irradiated from the upper surface, and a part of the organic light emitting unit layer is removed. As shown in FIG. 1 (B2), the second type division grooves parallel to the first type division grooves were formed. The oscillation frequency of the laser was 5 kHz, the output was 0.4 W, the beam diameter was about 25 μm, the processing speed was 50 mm / second, and the distance between the first type divided groove and the second type divided groove was 100 μm.

このパターン化された有機発光ユニット層上に、図１（Ｃ）に示されるように第２の導電性電極層４として、Ａｌが真空蒸着法により１５０ｎｍ（蒸着速度０．３０ｎｍ〜０．３５ｎｍ／秒）の膜厚で形成された。   On the patterned organic light emitting unit layer, as shown in FIG. 1 (C), as the second conductive electrode layer 4, Al is deposited by vacuum deposition to 150 nm (deposition rate: 0.30 nm to 0.35 nm / Second).

このＡｌ層が形成された基板を、ガラス基板側を上面にしてＸＹステージ上に設置後、ＹＡＧレーザーの第２高調波が上面から照射され、有機発光ユニット層およびＡｌ層の一部が同時に除去され、図１（Ｄ１）に示されるように第１種分割溝および第２種分割溝と平行な第３種分割溝が形成された。レーザーの発振周波数は５ｋＨｚ、出力０．４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は２００ｍｍ／秒であり、第２種分割溝と第３種分割溝との間隔は１００μｍであった。   After the substrate on which this Al layer is formed is placed on the XY stage with the glass substrate side as the upper surface, the second harmonic of the YAG laser is irradiated from the upper surface, and the organic light emitting unit layer and a part of the Al layer are removed simultaneously. Then, as shown in FIG. 1 (D1), the first type division groove and the third type division groove parallel to the second type division groove were formed. The oscillation frequency of the laser was 5 kHz, the output was 0.4 W, the beam diameter was about 25 μm, the processing speed was 200 mm / second, and the distance between the second type divided groove and the third type divided groove was 100 μm.

さらに、ＹＡＧレーザーの第２高調波が上面から照射され、発光素子の形成部を外周部から絶縁するために、ＩＴＯ膜、有機発光ユニット層およびＡｌ層の一部が除去された絶縁溝１５１、１５２が形成された。図１（Ｄ２）に示されるように、絶縁溝は、第３種分割溝と直交方向に形成された。レーザーの発振周波数は５ｋＨｚ、出力０．４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は５０ｍｍ／秒であった。   Further, the second harmonic of the YAG laser is irradiated from the upper surface, and in order to insulate the light emitting element formation part from the outer peripheral part, the insulating groove 151 from which the ITO film, the organic light emitting unit layer and the Al layer are partially removed 152 was formed. As shown in FIG. 1 (D2), the insulating groove was formed in a direction orthogonal to the third type dividing groove. The laser oscillation frequency was 5 kHz, the output was 0.4 W, the beam diameter was about 25 μm, and the processing speed was 50 mm / second.

上記各工程によって、１７０ｍｍ×１７０ｍｍの発光部が、１６個の短冊状の発光素子に分割され、これらの発光素子が直列接続された有機ＥＬ素子が形成された。この有機ＥＬ素子における各単位素子の発光開始電圧の設計値は２．５Ｖ、設計駆動最大電圧は５Ｖであり、素子全体の発光開始電圧の設計値は４０Ｖであった。   Through the above steps, a 170 mm × 170 mm light-emitting portion was divided into 16 strip-shaped light-emitting elements, and an organic EL element in which these light-emitting elements were connected in series was formed. The design value of the light emission start voltage of each unit element in this organic EL element was 2.5 V, the design drive maximum voltage was 5 V, and the design value of the light emission start voltage of the entire element was 40 V.

[実施例１]
製造例にて得られた有機ＥＬ発光装置の直列接続方向両端のＩＴＯ電極領域（図２（Ｄ）の符号１４１、１４２）をそれぞれ陽極側、負極側の接点として、直流電源（ＴＲ６１４３ ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ）に接続して、有機ＥＬ素子に電圧を印加した。 [Example 1]
To the direct current power supply (TR6143 ADVANTEST), the ITO electrode regions (reference numerals 141 and 142 in FIG. 2D) at both ends in the serial connection direction of the organic EL light-emitting device obtained in the manufacturing example are used as contacts on the anode side and the negative electrode side, respectively. A voltage was applied to the organic EL element after connection.

直流電源の出力電圧は、５秒ごとに１Ｖずつ、０Ｖから８０Ｖまで、図３（Ｂ）に示されるような階段状で上昇された。表１に示されるように、電圧を８Ｖとした時に最初の単位素子が正常発光し、その後電圧の上昇に伴って他の単位素子も順次正常な発光が確認された。なお、表１においては、陽極側から発光部（単位素子）の番号を１〜１６とし、既に正常発光した発光部の番号の記載は省略されている。   The output voltage of the DC power source was increased stepwise from 0V to 80V by 1V every 5 seconds as shown in FIG. As shown in Table 1, when the voltage was set to 8V, the first unit element normally emitted light, and thereafter the other unit elements were confirmed to emit normal light sequentially as the voltage increased. In Table 1, the numbers of the light emitting portions (unit elements) from the anode side are 1 to 16, and the numbers of the light emitting portions that have already normally emitted are omitted.

Figure 0005698921
Figure 0005698921

表１において、たとえば電圧を１５Ｖから１６Ｖに上昇させた際に、発光部１６が発光する一方で、電流は１．１２ｍＡから０．５ｍＡに減少している。このことから、電圧を印加することによって短絡部分が除去されたために、発光部１６が正常に発光するとともに、短絡部分の漏れ電流の減少したために、電圧が上昇したにも関わらず電流が減少したものと考えられる。   In Table 1, for example, when the voltage is increased from 15 V to 16 V, the light emitting unit 16 emits light, while the current decreases from 1.12 mA to 0.5 mA. From this, since the short-circuit portion was removed by applying the voltage, the light-emitting portion 16 emitted light normally, and the leakage current of the short-circuit portion decreased, so the current decreased despite the increase in voltage. It is considered a thing.

このようにして、全ての単位素子が正常発光を示した有機ＥＬ素子の封止を行った。
まず、図１（Ｆ１）および図２（Ｆ１）に模式的に示されるように、有機ＥＬ素子のＡｌ層側主面全面を覆うように、紫外線硬化型のエポキシ樹脂をディスペンサー（吐出圧力２６０ｋＰａ）を用いて塗布した。その上に、封止基板６としてガラス板を配置し、貼り合わせ装置を用いて、圧力４ｋＰａで透光性基板１と封止基板６とを貼り合わせた後、波長３６５ｎｍ、パワー１８０ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を封止基板６側から照射してエポキシ樹脂を硬化させた。この封止はすべて乾燥窒素雰囲気中（水分濃度４ｐｐｍ以下）でおこなった。 Thus, the organic EL element in which all the unit elements showed normal light emission was sealed.
First, as schematically shown in FIG. 1 (F1) and FIG. 2 (F1), an ultraviolet curable epoxy resin is dispensed (discharge pressure 260 kPa) so as to cover the entire surface of the organic EL element side main surface. It applied using. A glass plate is disposed thereon as the sealing substrate 6, and the light-transmitting substrate 1 and the sealing substrate 6 are bonded together at a pressure of 4 kPa using a bonding apparatus, and then have a wavelength of 365 nm and a power of 180 mW / cm 2. Was irradiated from the sealing substrate 6 side to cure the epoxy resin. All the sealing was performed in a dry nitrogen atmosphere (moisture concentration of 4 ppm or less).

封止後の有機ＥＬ素子に駆動電圧８０Ｖを印加すると、１６個の発光部すべてが、ほぼ均一に発光することが確認された。このように、本発明によれば、２００ｍｍ×２００ｍｍの大面積照明用の有機ＥＬ発光装置において、レーザー照射によるパターン化が行われた場合でも、封止前の電圧印加で短絡部分が除去されることによって、大面積で信頼性の高い有機ＥＬ発光装置を提供し得ることがわかる。   It was confirmed that when a driving voltage of 80 V was applied to the sealed organic EL element, all 16 light emitting portions emitted light almost uniformly. As described above, according to the present invention, in the organic EL light emitting device for large area illumination of 200 mm × 200 mm, even when patterning is performed by laser irradiation, the short-circuit portion is removed by voltage application before sealing. Thus, it can be seen that an organic EL light emitting device having a large area and high reliability can be provided.

[実施例２]
実施例２においても、製造例にて得られた有機ＥＬ発光装置が用いられ、実施例１と同様に直流電圧が印加され、０Ｖから７５Ｖまで段階的に電圧が上昇されたが、１６個の発光素子のうち、１個だけが発光しなかった。この段階において正常に発光した１５個の各発光素子に印加される電圧は約５Ｖであり、これ以上の電圧を印加すると設計駆動最大電圧を超えることから、電圧の印加を中止した。 [Example 2]
Also in Example 2, the organic EL light-emitting device obtained in the production example was used, and a DC voltage was applied in the same manner as in Example 1, and the voltage was increased stepwise from 0V to 75V. Of the light emitting elements, only one did not emit light. At this stage, the voltage applied to each of the 15 light emitting elements that normally emitted light was about 5 V. When a voltage higher than this was applied, the design drive maximum voltage was exceeded, so the voltage application was stopped.

直流電圧の印加を中止後、素子を１５分間自然放冷した。その後、交流電源（ＣＵＲＶＥ ＴＲＡＣＥＲ５８６２ ＫＩＫＵＳＵＩ）を用いて、発光部全体に電圧を印加した。時間に対する交流電圧の波形は、図３（Ｅ）に示されるような、包絡線が線形の間欠的なパルス波（三角波）であった。パルス周期５秒、パルス幅は最大１秒で、０Ｖから１パルスごとに１Ｖずつ印加電圧を上昇させたところ、８０Ｖの電圧が印加された段階で、非発光であった素子が正常発光した。   After the application of the DC voltage was stopped, the element was naturally cooled for 15 minutes. Then, the voltage was applied to the whole light emission part using alternating current power supply (CURVE TRACER5862 KIKUSUI). The waveform of the alternating voltage with respect to time was an intermittent pulse wave (triangular wave) with a linear envelope as shown in FIG. When the applied voltage was increased by 1 V per pulse from 0 V with a pulse period of 5 seconds and a maximum pulse width of 1 second, the device that did not emit light emitted normally when the voltage of 80 V was applied.

その後は、実施例１と同様にして、素子の封止が行われた。このように得られた封止後の有機ＥＬ素子に駆動電圧８０Ｖを印加すると、１６個の発光部がすべて、ほぼ均一に発光することが確認された。   Thereafter, the device was sealed in the same manner as in Example 1. When a drive voltage of 80 V was applied to the organic EL element after sealing thus obtained, it was confirmed that all of the 16 light emitting portions emitted light almost uniformly.

[比較例１]
比較例１においても、製造例にて得られた有機ＥＬ発光装置が用いられたが、電圧の印加を行うことなく、素子の封止が行われた。この封止後の有機ＥＬ素子に、駆動電圧８０Ｖが印加されたが、すべての発光部が正常に発光することはなかった。 [Comparative Example 1]
Also in Comparative Example 1, the organic EL light-emitting device obtained in the production example was used, but the element was sealed without applying a voltage. A drive voltage of 80 V was applied to the sealed organic EL element, but all the light emitting portions did not emit light normally.

上記実施例によれば、素子の封止が行われる前に素子に電圧が印加されることによって、非発光の素子を正常に発光させることができる。また、実施例２によれば、交流電圧が印加された場合でも直流電圧が印加された場合と同様に非発光素子を正常発光させることができる。特に全ての非発光素子を正常発光させるために相対的に高い電圧の印加が必要となる場合において、素子の熱劣化を抑制する観点において交流電圧の印加は有用であるといえる。   According to the above embodiment, a voltage is applied to the element before the element is sealed, so that the non-light emitting element can normally emit light. Further, according to the second embodiment, even when an AC voltage is applied, the non-light emitting element can be caused to emit normal light in the same manner as when a DC voltage is applied. In particular, when a relatively high voltage needs to be applied in order to cause all non-light emitting elements to emit light normally, it can be said that application of an alternating voltage is useful in terms of suppressing thermal degradation of the elements.

１ 透光性基板
２ 透光性導電層
２ 導電性電極
２ 導電性電極層
３ 有機発光ユニット層
４ 導電性電極層
５ 樹脂
６ 封止基板
２１〜２５ 透光性導電領域
３１〜３５ 有機発光ユニット領域
４１〜４４ 導電性領域
１１１〜１１４、１２１〜１２４、１３１〜１３３ 分割溝
２０１〜２０４ 単位素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Translucent substrate 2 Translucent conductive layer 2 Conductive electrode 2 Conductive electrode layer 3 Organic light emitting unit layer 4 Conductive electrode layer 5 Resin 6 Sealing substrate 21-25 Translucent conductive region 31-35 Organic light emitting unit Regions 41-44 Conductive regions 111-114, 121-124, 131-133 Dividing grooves 201-204 Unit elements

Claims (4)

透光性基板上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子が形成され、各単位発光素子が、透光性基板側から透光性の第１の導電性電極層、有機発光ユニット層および第２の導電性電極層を有する有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、
（ａ）透光性基板上に、複数の第１種分割溝により複数領域に分割された透光性の第１導電性電極層を形成する工程、
（ｂ）前記第１導電性電極層上に、第２種分割溝により複数領域に分割された有機発光ユニット層を形成する工程、
（ｃ）前記有機発光ユニット層上に第２の導電性電極層を形成する工程、
（ｄ）前記各層が形成された基板にレーザービームを照射して、少なくとも前記第２の導電性電極層を除去して、第３種分割溝を形成する工程、
（ｅ）前記複数の単位発光素子の少なくとも１つに電圧を印加する工程、および
（ｆ）前記第２の導電性電極層側の主面に封止基板を貼り合せて発光素子を封止する工程をこの順に有し、
前記工程（ｅ）は、前記複数の電気的に直列接続された単位発光素子のうちの両端に位置する単位発光素子の間に順方向電圧を印加して全ての単位発光素子が発光することを確認する工程を含み、
前記工程（ｅ）において全ての単位発光素子が発光することが確認された後に、前記工程（ｆ）を実行し、
前記（ｅ）電圧を印加する工程において、非発光の単位発光素子が発光するまで段階的に印加電圧が上昇される有機ＥＬ発光装置の製造方法。 A plurality of electrically connected unit light emitting elements are formed on a light transmitting substrate, and each unit light emitting element includes a light transmitting first conductive electrode layer and an organic light emitting unit from the light transmitting substrate side. A method of manufacturing an organic EL light emitting device having a layer and a second conductive electrode layer,
(A) forming a translucent first conductive electrode layer divided into a plurality of regions by a plurality of first type division grooves on the translucent substrate;
(B) forming an organic light emitting unit layer divided into a plurality of regions by a second type dividing groove on the first conductive electrode layer;
(C) forming a second conductive electrode layer on the organic light emitting unit layer;
(D) irradiating the substrate on which each of the layers is formed with a laser beam, removing at least the second conductive electrode layer, and forming a third type division groove;
(E) applying a voltage to at least one of the plurality of unit light emitting elements, and (f) sealing the light emitting element by attaching a sealing substrate to the main surface on the second conductive electrode layer side. Have the steps in this order,
In the step (e), a forward voltage is applied between unit light emitting elements located at both ends of the plurality of electrically connected unit light emitting elements so that all unit light emitting elements emit light. Including the process of checking,
After confirming that all the unit light emitting elements emit light in the step (e), the step (f) is performed ,
(E) A method of manufacturing an organic EL light emitting device in which, in the step of applying a voltage, the applied voltage is increased stepwise until a non-emitting unit light emitting element emits light . 前記（ｅ）電圧を印加する工程において、電圧を印加するために交流電源が用いられる、請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。 In the step of applying said (e) voltage, AC power supply is used to apply a voltage, a method of manufacturing an organic EL light-emitting device according to claim 1. 前記（ｄ）第３種分割溝を形成する工程、（ｅ）電圧を印加する工程、（ｆ）発光素子を封止する工程、のすくなくとも１つの工程が、水分が遮断された状況下で行なわれる、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。 At least one of the step (d) forming the third type dividing groove, (e) applying a voltage, and (f) sealing the light emitting element is performed in a state where moisture is blocked. The manufacturing method of the organic electroluminescent light-emitting device of Claim 1 or 2 . 透光性基板上に、複数の電気的に直列接続された単位発光素子が形成され、各単位発光素子は、透光性基板側から透光性の第１の導電性電極層、有機発光ユニット層および第２の導電性電極層を有する有機ＥＬ発光装置であって、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ発光装置。 A plurality of electrically connected unit light-emitting elements are formed on a light-transmitting substrate, and each unit light-emitting element includes a light-transmitting first conductive electrode layer and an organic light-emitting unit from the light-transmitting substrate side. An organic EL light emitting device having a layer and a second conductive electrode layer,
The organic EL light-emitting device, characterized in that it is manufactured by the method according to any one of claims 1-3.
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