JP2015049962A - Method for manufacturing top-emission type organic electroluminescent display device - Google Patents

Method for manufacturing top-emission type organic electroluminescent display device Download PDF

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隆佳 二連木
Takayoshi Nireki
隆佳 二連木
武田 利彦
Toshihiko Takeda
利彦 武田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an organic EL display device capable of improving productivity by efficiently removing an organic layer on an auxiliary electrode by a pulse laser.SOLUTION: A method for manufacturing a top-emission type organic EL display device 10 including a substrate 2, a pixel electrode 3, an auxiliary electrode 4, a spacer part 5, an organic EL layer 6, a contact part 9 which is an opening of the organic layer formed on the auxiliary electrode, and a transparent electrode layer 7 comprises the steps of: preparing an organic EL layer side substrate in which at least one organic layer 6 is formed on the whole surface of the auxiliary electrode (organic EL layer side substrate preparing step); sealing a space V between the organic EL layer side substrate and a lid part 8 under a first pressure (pressure reducing and sealing step); bringing the organic EL layer side substrate and the lid part into close contact by adjusting the spaces in the outer peripheries of the organic EL layer side substrate and the lid part to a second pressure (close contacting step); and forming a contact part by removing the organic layer on the auxiliary electrode by irradiating it with a laser beam P once via the lid part (contact part forming step).

Description

本発明は、生産性の高いトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a top-emission organic electroluminescence display device with high productivity.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点が注目されている。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ELと略す場合がある。   The organic electroluminescence element has high visibility due to self-coloring, is an all-solid-state display unlike a liquid crystal display device, has excellent impact resistance, has a fast response speed, is less affected by temperature changes, and Advantages such as a wide viewing angle are attracting attention. Hereinafter, organic electroluminescence may be abbreviated as organic EL.

有機EL素子の構成は、陽極と陰極との間に有機EL層が狭持された積層構造を基本としている。このような有機EL素子を有する有機EL表示装置の駆動方式には、パッシブマトリクス駆動およびアクティブマトリクス駆動があるが、大型ディスプレイを製造するにあたっては、低電圧による駆動が可能であるという観点から、アクティブマトリクス駆動が有利である。なお、アクティブマトリクス駆動とは、有機EL素子が形成された基板にTFT等の回路を形成し、上記TFT等の回路により駆動する方式をいう。   The configuration of the organic EL element is based on a laminated structure in which an organic EL layer is sandwiched between an anode and a cathode. There are passive matrix driving and active matrix driving as a driving method of an organic EL display device having such an organic EL element. However, when manufacturing a large display, it is active from the viewpoint that driving with a low voltage is possible. Matrix driving is advantageous. Note that active matrix driving refers to a system in which a circuit such as a TFT is formed on a substrate on which an organic EL element is formed and the circuit is driven by the circuit such as the TFT.

このような有機EL表示装置には、有機EL素子が形成された基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、有機EL素子が形成された基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型とがある。ここで、アクティブマトリクス駆動の有機EL表示装置の場合、ボトムエミッション型では、光の取り出し面である基板に形成されたTFT等の回路により開口率が制限され、光取り出し効率が低下してしまうという問題がある。これに対し、トップエミッション型では、基板とは反対側の面から光を取り出すため、ボトムエミッション型に比べて優れた光取り出し効率が得られる。なお、トップエミッション型の場合には、光取り出し面となる側の電極層として透明電極層が用いられる。   Such organic EL display devices include a bottom emission type in which light is extracted from the substrate side on which the organic EL element is formed, and a top emission type in which light is extracted from the side opposite to the substrate on which the organic EL element is formed. . Here, in the case of an organic EL display device driven by an active matrix, in the bottom emission type, the aperture ratio is limited by a circuit such as a TFT formed on a substrate which is a light extraction surface, and the light extraction efficiency is reduced. There's a problem. On the other hand, in the top emission type, since light is extracted from the surface opposite to the substrate, light extraction efficiency superior to that of the bottom emission type is obtained. In the case of the top emission type, a transparent electrode layer is used as the electrode layer on the side that becomes the light extraction surface.

ここで、一般的な透明電極層は、AlやCu等の金属から構成される電極層に比べて抵抗が大きい。そのため、透明電極層を有する有機EL表示装置においては、透明電極層の抵抗によって電圧降下が生じ、結果として有機EL層の輝度の均一性が低下する、いわゆる輝度ムラの発生が問題になっている。また、透明電極層の面積が大きくなるほどその抵抗はより大きくなることから、上述した輝度ムラの問題は大型ディスプレイを製造する場合に顕著になる。   Here, a general transparent electrode layer has a larger resistance than an electrode layer made of a metal such as Al or Cu. Therefore, in an organic EL display device having a transparent electrode layer, a voltage drop occurs due to the resistance of the transparent electrode layer, and as a result, the occurrence of so-called luminance unevenness in which the luminance uniformity of the organic EL layer is lowered is a problem. . In addition, since the resistance increases as the area of the transparent electrode layer increases, the above-described problem of luminance unevenness becomes prominent when a large display is manufactured.

上記課題に対しては、抵抗値の低い補助電極を形成し、これを透明電極層と電気的に接続させることにより電圧降下を抑制する方法が知られている。ここで、補助電極は、通常、金属層を成膜した後にウェットプロセスによるエッチング処理を施し、パターン状に形成される。そのため、トップエミッション型の有機EL表示装置において、有機EL層を形成後に補助電極を形成する場合には、補助電極を形成する際に用いられるエッチング液により有機EL層や透明電極層が侵されるという問題があった。そこで、特許文献1〜4に記載されているように、TFT等の回路が形成された基板上に補助電極を形成する方法が知られている。   In order to solve the above problem, a method is known in which a voltage drop is suppressed by forming an auxiliary electrode having a low resistance value and electrically connecting the auxiliary electrode to a transparent electrode layer. Here, the auxiliary electrode is usually formed in a pattern by performing a wet process etching after forming a metal layer. Therefore, in the top emission type organic EL display device, when the auxiliary electrode is formed after forming the organic EL layer, the organic EL layer and the transparent electrode layer are affected by the etching solution used when forming the auxiliary electrode. There was a problem. Therefore, as described in Patent Documents 1 to 4, a method of forming an auxiliary electrode on a substrate on which a circuit such as a TFT is formed is known.

しかしながら、有機EL層を形成する前に補助電極を形成すると、有機EL層を全面に形成する場合や有機EL層を構成する少なくとも1層の有機層を全面に形成する場合に、補助電極上に有機EL層や少なくとも1層の有機層が形成されることになる。そのため、補助電極と透明電極層との電気的な接続が、補助電極上の有機EL層や有機層によって妨げられてしまうという問題があった。   However, if the auxiliary electrode is formed before the organic EL layer is formed, the organic EL layer is formed on the entire surface when the organic EL layer is formed on the entire surface or when at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed on the entire surface. An organic EL layer and at least one organic layer are formed. Therefore, there has been a problem that the electrical connection between the auxiliary electrode and the transparent electrode layer is hindered by the organic EL layer or the organic layer on the auxiliary electrode.

特許第4959119号Patent No. 4959119 特表2007−103098号公報Special Table 2007-103098 特表2010−538440号公報Special table 2010-538440 gazette 特許第4340982号Japanese Patent No. 4340982

特許文献1では、図10(a)に示すように、基板20上に画素電極30および補助電極40を形成し、上記画素電極30と上記補助電極40との間に隔壁50を形成した後、図10(b)に示すように、有機EL層60を形成する。次いで、図10(c)に示すように、レーザー光Lによって補助電極40上の有機EL層60を除去し、その後、図10(d)に示すように、透明電極層70を形成することにより、補助電極40と透明電極層70とが電気的に接続された有機EL表示装置100を作製する方法が記載されている。しかしながら、この場合、レーザー光によって除去された有機EL層が飛散して有機EL表示装置における画素領域が汚染され、表示特性が低下してしまうという問題がある。特許文献2でも、補助電極上の有機EL層をレーザー光あるいは電子線によって除去する方法が記載されているが、特許文献1と同様に、除去された有機EL層が飛散して、画素領域を汚染し、有機EL表示装置の表示特性を低下させるという問題がある。   In Patent Document 1, as shown in FIG. 10A, the pixel electrode 30 and the auxiliary electrode 40 are formed on the substrate 20, and the partition wall 50 is formed between the pixel electrode 30 and the auxiliary electrode 40. As shown in FIG. 10B, the organic EL layer 60 is formed. Next, as shown in FIG. 10C, the organic EL layer 60 on the auxiliary electrode 40 is removed by the laser light L, and then a transparent electrode layer 70 is formed as shown in FIG. A method of manufacturing the organic EL display device 100 in which the auxiliary electrode 40 and the transparent electrode layer 70 are electrically connected is described. However, in this case, there is a problem that the organic EL layer removed by the laser light is scattered, the pixel region in the organic EL display device is contaminated, and the display characteristics are deteriorated. Patent Document 2 also describes a method of removing the organic EL layer on the auxiliary electrode with a laser beam or an electron beam. However, similarly to Patent Document 1, the removed organic EL layer is scattered and the pixel region is removed. There is a problem that the display characteristics of the organic EL display device are deteriorated due to contamination.

また、上記問題を解決する方法としては、例えば特許文献3に記載されているように、レーザー光による有機EL層の除去を行う前に、有機EL層で被覆された補助電極全面に透光性を有する第1の電極を形成し、その後、第1の電極を介してレーザー光により有機EL層を除去し、最後に第2の電極を形成する方法が提案されている。しかしながら、この場合、上述した表示特性の低下は抑制することができるものの、透明電極層として第1の電極および第2の電極を形成するため、製造工程が増加してしまうという問題がある。   Further, as a method for solving the above problem, for example, as described in Patent Document 3, before the organic EL layer is removed by laser light, the entire surface of the auxiliary electrode covered with the organic EL layer is translucent. There has been proposed a method in which a first electrode having a first electrode is formed, an organic EL layer is removed by laser light through the first electrode, and a second electrode is finally formed. However, in this case, although the above-described deterioration in display characteristics can be suppressed, the first electrode and the second electrode are formed as the transparent electrode layer, so that there is a problem that the manufacturing process increases.

さらに、例えば特許文献4には、次のような有機EL表示装置の製造方法が開示されている。すなわち、図11(a)に示すように、基板20上に画素電極30および補助電極40を形成し、上記画素電極30と上記補助電極40との間に隔壁50を形成した後、図11(b)に示すように、有機EL層60を形成して有機EL層側基板80を形成する。次いで、図11(c)に示すように、有機EL層側基板80に、ガラスや樹脂フィルムからなる蓋部90を対向させて、隔壁50の頂部に蓋部90が接触するように配置して、有機EL層側基板80および蓋部90の間の空間Vを減圧密封する。その後、有機EL層側基板80および蓋部90の外周の空間を加圧することにより、有機EL層側基板80に蓋部90を密着させる。次いで、レーザー光Lにより補助電極40上の有機EL層60を除去して、図11(d)に示すように、蓋部90を剥離する。最後に、図11(e)に示すように、有機EL層側基板上に透明電極層70を形成することにより、補助電極40と透明電極層70とが電気的に接続された有機EL表示装置100を作製する方法が記載されている。しかしながら、上記方法において用いられるレーザー光の波長は赤外域であるため、エネルギーの利用効率が悪く、また補助電極に熱影響によるダメージを与える懸念が残る。さらに、半導体連続波(CW:Continuous Wave)レーザーを用いているため、基板へレーザーを照射する際に、レーザー照射部あるいは有機EL層側基板のいずれかをいったん停止させなければならず、生産性が悪いという問題がある。   Furthermore, for example, Patent Document 4 discloses the following method for manufacturing an organic EL display device. That is, as shown in FIG. 11A, the pixel electrode 30 and the auxiliary electrode 40 are formed on the substrate 20, and the partition wall 50 is formed between the pixel electrode 30 and the auxiliary electrode 40. As shown in b), the organic EL layer 60 is formed and the organic EL layer side substrate 80 is formed. Next, as shown in FIG. 11 (c), the cover 90 made of glass or resin film is opposed to the organic EL layer side substrate 80 so that the cover 90 contacts the top of the partition wall 50. The space V between the organic EL layer side substrate 80 and the lid 90 is sealed under reduced pressure. Thereafter, the lid 90 is brought into close contact with the organic EL layer side substrate 80 by pressurizing the outer peripheral space of the organic EL layer side substrate 80 and the lid portion 90. Next, the organic EL layer 60 on the auxiliary electrode 40 is removed by the laser light L, and the lid 90 is peeled off as shown in FIG. Finally, as shown in FIG. 11E, an organic EL display device in which the auxiliary electrode 40 and the transparent electrode layer 70 are electrically connected by forming the transparent electrode layer 70 on the organic EL layer side substrate. A method of making 100 is described. However, since the wavelength of the laser beam used in the above method is in the infrared region, there is a concern that the energy utilization efficiency is poor and the auxiliary electrode is damaged due to thermal influence. Furthermore, since a semiconductor continuous wave (CW) laser is used, when irradiating the laser to the substrate, either the laser irradiation unit or the organic EL layer side substrate must be stopped once, resulting in productivity. There is a problem that is bad.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、補助電極上の有機層の除去にパルスレーザーを用いることにより、生産性を向上させたトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method for manufacturing a top emission type organic EL display device in which productivity is improved by using a pulse laser for removing an organic layer on an auxiliary electrode. The main purpose.

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機EL層と、上記補助電極上に形成された少なくとも1層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機EL層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機EL表示装置を製造するトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機EL層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも1層の上記有機層が形成された有機EL層側基板を準備する有機EL層側基板準備工程と、第1圧力下で、上記有機EL層側基板準備工程で得られた上記有機EL層側基板に蓋部を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋部が上記有機層を介して接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を密封する減圧密封工程と、上記減圧密封工程で密封された上記有機EL層側基板および上記蓋部の外周の空間を第2圧力に調整して上記有機EL層側基板および上記蓋部を密着させる密着工程と、上記蓋部を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記レーザー光を照射するレーザー照射部と、上記有機EL層側基板とは、相対的に移動を行い、上記接触部を形成する上記レーザー光の照射回数は上記接触部1箇所あたり1回であり、上記レーザー光のパルス幅は上記補助電極上の上記有機層を1回の照射で除去可能となるパルス幅であり、上記レーザー光の波長は紫外光領域の波長であることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法を提供する。   In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and a spacer portion formed on the substrate. And an organic EL layer which is formed on the pixel electrode and is composed of a plurality of organic layers and has at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and the auxiliary electrode A contact portion which is an opening portion of the organic layer formed on the surface, a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion, and the spacer portion includes the contact portion and the contact portion. A top emission type that produces a top emission type organic EL display device that is formed between the pixel electrodes adjacent to each other and the transparent electrode layer is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion. Organic A method for manufacturing an L display device, comprising the substrate, the pixel electrode, the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode. The organic EL layer side substrate preparing step for preparing the organic EL layer side substrate and the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparing step are opposed to the organic EL layer side substrate under a first pressure, A vacuum sealing step of placing the lid portion in contact with the top of the spacer portion via the organic layer, and sealing the space between the organic EL layer side substrate and the lid portion; and the vacuum sealing step An adhesion step in which the space around the organic EL layer side substrate and the lid portion sealed in step 2 is adjusted to a second pressure to bring the organic EL layer side substrate and the lid portion into close contact with each other; and a laser is provided through the lid portion. Irradiate light on the auxiliary electrode A contact part forming step of forming the contact part by removing the formed organic layer, and the laser irradiation part for irradiating the laser beam and the organic EL layer side substrate move relatively. And the number of times of irradiation of the laser light forming the contact portion is one per contact portion, and the pulse width of the laser light is such that the organic layer on the auxiliary electrode can be removed by one irradiation. A method of manufacturing a top emission type organic EL display device, characterized in that the wavelength of the laser beam is a wavelength in the ultraviolet region.

本発明によれば、補助電極上の有機層の除去に用いるレーザー光のパルス幅を、1回のレーザー照射で目的とする有機層の除去が可能となる範囲に定めることで、製造工程中のレーザー照射時間を短くすることが可能となる。そのため、有機EL層側基板とレーザー照射部とを相対的に移動させながらのレーザー照射により、高速かつ高精度での有機層の除去が可能となり、生産性の高いトップエミッション型有機EL表示装置の提供が可能となる。   According to the present invention, by setting the pulse width of the laser light used for removing the organic layer on the auxiliary electrode to a range in which the target organic layer can be removed by one laser irradiation, It becomes possible to shorten the laser irradiation time. Therefore, it is possible to remove the organic layer at high speed and with high accuracy by laser irradiation while relatively moving the organic EL layer side substrate and the laser irradiation unit, and the top emission type organic EL display device with high productivity can be obtained. Provision is possible.

本発明においては、トップエミッション型有機EL表示装置の生産性を向上させることができるという効果を奏する。   In this invention, there exists an effect that the productivity of a top emission type organic electroluminescent display apparatus can be improved.

本発明のトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the top emission type organic electroluminescence display of this invention. 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the spacer part in this invention. 本発明におけるスペーサ部形成工程および絶縁層形成工程の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the spacer part formation process and insulating layer formation process in this invention. 本発明におけるスペーサ部の形成態様の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the formation aspect of the spacer part in this invention. 本発明におけるスペーサ部の形成態様の他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the formation aspect of the spacer part in this invention. 本発明におけるスペーサ部の形成態様の他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the formation aspect of the spacer part in this invention. 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the spacer part in this invention. 本発明における接触部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the contact part in this invention. 本発明における有機EL表示装置の製造装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing apparatus of the organic electroluminescence display in this invention. 従来のトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the conventional top emission type organic electroluminescence display. 従来のトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the conventional top emission type organic electroluminescence display.

以下、本発明のトップエミッション型有機EL表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機EL表示装置について詳細に説明する。なお、以下、トップエミッション型有機EL表示装置を有機EL表示装置と略す場合がある。   Hereinafter, the manufacturing method of the top emission type organic EL display device and the top emission type organic EL display device of the present invention will be described in detail. Hereinafter, the top emission type organic EL display device may be abbreviated as an organic EL display device.

A.有機EL表示装置の製造方法
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機EL層と、上記補助電極上に形成された少なくとも1層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機EL層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機EL層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも1層の上記有機層が形成された有機EL層側基板を準備する有機EL層側基板準備工程と、第1圧力下で、上記有機EL層側基板準備工程で得られた上記有機EL層側基板に蓋部を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋部が上記有機層を介して接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を密封する減圧密封工程と、上記減圧密封工程で密封された上記有機EL層側基板および上記蓋部の外周の空間を第2圧力に調整して上記有機EL層側基板および上記蓋部を密着させる密着工程と、上記蓋部を介してレーザー光を照射して、上記補助電極上に形成された上記有機層を除去して上記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、上記レーザー光を照射するレーザー照射部と、上記有機EL層側基板とは、相対的に移動を行い、上記接触部を形成する上記レーザー光の照射回数は上記接触部1箇所あたり1回であり、上記レーザー光のパルス幅は上記補助電極上の上記有機層を1回の照射で除去可能となるパルス幅であり、上記レーザー光の波長は紫外光領域の波長であることを特徴とするものである。
A. Manufacturing method of organic EL display device The manufacturing method of the organic EL display device of the present invention includes a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and the substrate. The spacer portion formed above, the organic EL layer formed on the pixel electrode and composed of a plurality of organic layers, having at least a light emitting layer, and at least one layer of the above-described auxiliary electrode An organic layer, a contact portion that is an opening of the organic layer formed on the auxiliary electrode, a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion, and the spacer portion includes: An organic EL display device is formed between the contact portion and the pixel electrode adjacent to the contact portion, and the transparent electrode layer is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion. Organic EL display A method of manufacturing an organic material comprising the substrate, the pixel electrode, the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode. An organic EL layer side substrate preparation step for preparing an EL layer side substrate, and a first pressure, the lid portion is opposed to the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparation step, and the spacer portion The lid portion is arranged so as to be in contact with the top of the organic layer through the organic layer, and is sealed in the vacuum sealing step for sealing the space between the organic EL layer side substrate and the lid portion, and in the vacuum sealing step. In addition, the space around the organic EL layer side substrate and the lid portion is adjusted to a second pressure to bring the organic EL layer side substrate and the lid portion into close contact with each other, and laser light is irradiated through the lid portion. Formed on the auxiliary electrode A contact part forming step of forming the contact part by removing the organic layer, the laser irradiation part for irradiating the laser beam and the organic EL layer side substrate relatively moving, The number of times of irradiation of the laser beam for forming the contact portion is one per contact portion, and the pulse width of the laser beam is a pulse width that allows the organic layer on the auxiliary electrode to be removed by one irradiation. The wavelength of the laser light is a wavelength in the ultraviolet region.

ここで、上記「第1圧力」および上記「第2圧力」とは、第1圧力が第2圧力よりも低い圧力であれば特に限定されるものではない。また、有機EL層側基板の表面に蓋部を配置したときの上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間の圧力を第1圧力に調整し、さらに上記有機EL層側基板および上記蓋部の外周の空間の圧力を第2圧力に調整した際に、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の圧力と上記有機EL層側基板および上記蓋部の外周の圧力との差圧により、上記有機EL層側基板および上記蓋部を密着させることができる程度の圧力であれば特に限定されるものではない。なお、通常は、上記「第1圧力」が常圧よりも低い圧力となり、上記「第2圧力」が上記「第1圧力」よりも高い圧力となる。また、具体的な上記「第1圧力」および「第2圧力」については、後述する「2.減圧密封工程」および「3.密着工程」に記載するため、ここでの説明は省略する。   Here, the “first pressure” and the “second pressure” are not particularly limited as long as the first pressure is lower than the second pressure. Further, the pressure of the space between the organic EL layer side substrate and the lid when the lid is arranged on the surface of the organic EL layer side substrate is adjusted to a first pressure, and further the organic EL layer side substrate and the above The difference between the pressure between the organic EL layer side substrate and the lid and the pressure at the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid when the pressure in the outer space of the lid is adjusted to the second pressure The pressure is not particularly limited as long as the organic EL layer side substrate and the lid can be brought into close contact with each other. Normally, the “first pressure” is lower than the normal pressure, and the “second pressure” is higher than the “first pressure”. Further, the specific “first pressure” and “second pressure” will be described in “2. Depressurization sealing step” and “3. Adhesion step”, which will be described later.

図1(a)〜(f)は本発明の有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図1(a)に例示するように、基板2上に画素電極3および上記画素電極3間に補助電極4を形成する画素電極および補助電極形成工程を行う。次に、図1(b)に例示するように、基板2上に、スペーサ部5を形成するスペーサ部形成工程を行う。その後、図1(c)に例示するように、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機EL層6を全面に形成する有機EL層形成工程を行う。このようにして、有機EL層側基板1を準備する有機EL層側基板準備工程を行う。次いで、図1(d)に例示するように、第1圧力下で、有機EL層側基板に蓋部8を対向させ、上記スペーサ部5の頂部に上記蓋部8が上記有機層を介して接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部8の間の空間Vを密封する減圧密封工程を行う。その後、減圧密封工程で密封された上記有機EL層側基板および上記蓋部8の外周の空間を第2圧力に調整して上記有機EL層側基板および上記蓋部8を密着させる密着工程を行う。次に、上記蓋部8側から、補助電極4上に形成された有機EL層6にパルスレーザーPを1回照射して、上記補助電極4上の上記有機EL層6を除去し、図1(e)に例示するように、補助電極4を露出させて接触部9を形成する接触部形成工程を行う。最後に、図1(f)に例示するように、接触部9において補助電極4と電気的に接続されるように、有機EL層側基板上に透明電極層7を形成する透明電極層形成工程を行う。これにより、本発明における有機EL表示装置10が得られる。   1A to 1F are process diagrams showing an example of a method for manufacturing an organic EL display device of the present invention. First, as illustrated in FIG. 1A, a pixel electrode and auxiliary electrode forming step for forming the pixel electrode 3 on the substrate 2 and the auxiliary electrode 4 between the pixel electrodes 3 is performed. Next, as illustrated in FIG. 1B, a spacer part forming step for forming the spacer part 5 on the substrate 2 is performed. Thereafter, as illustrated in FIG. 1C, an organic EL layer forming step is performed in which an organic EL layer 6 including a plurality of organic layers and having at least a light emitting layer is formed on the entire surface. In this way, an organic EL layer side substrate preparation step for preparing the organic EL layer side substrate 1 is performed. Next, as illustrated in FIG. 1D, the lid portion 8 is opposed to the organic EL layer side substrate under the first pressure, and the lid portion 8 is placed on the top of the spacer portion 5 via the organic layer. It arrange | positions so that it may contact, and the pressure reduction sealing process which seals the space V between the said organic electroluminescent layer side board | substrate and the said cover part 8 is performed. Then, the adhesion process which adjusts the space of the perimeter of the above-mentioned organic EL layer side substrate sealed by the decompression sealing process and the above-mentioned lid part 8 to the 2nd pressure, and makes the above-mentioned organic EL layer side board and the above-mentioned lid part 8 contact closely is performed. . Next, the organic EL layer 6 formed on the auxiliary electrode 4 is irradiated once with the pulse laser P from the lid 8 side, and the organic EL layer 6 on the auxiliary electrode 4 is removed. As illustrated in (e), a contact part forming step of exposing the auxiliary electrode 4 to form the contact part 9 is performed. Finally, as illustrated in FIG. 1 (f), a transparent electrode layer forming step of forming the transparent electrode layer 7 on the organic EL layer side substrate so as to be electrically connected to the auxiliary electrode 4 at the contact portion 9. I do. Thereby, the organic EL display device 10 according to the present invention is obtained.

このように本発明においては、接触部形成工程で、補助電極上の有機層の除去にパルスレーザーを用いることにより、補助電極にダメージを与えず、1回のレーザー光の照射で目的の有機層を除去することが可能である。したがって、本発明においては補助電極上の有機層を短時間で除去することが可能となり、生産性の高い有機EL表示装置の製造方法を提供することができる。
また本発明は、スペーサを設けることにより、接触部形成工程で、パルスレーザーにより除去された有機層の粉塵等が飛散した場合であっても、上記有機層の粉塵等が画素電極が形成された画素領域にまで飛散するのを防ぐことができ、表示特性の低下が抑制された有機EL表示装置の製造方法を提供することができる。
As described above, in the present invention, in the contact portion forming step, by using a pulse laser to remove the organic layer on the auxiliary electrode, the auxiliary electrode is not damaged, and the target organic layer is irradiated with a single laser beam irradiation. Can be removed. Therefore, in the present invention, the organic layer on the auxiliary electrode can be removed in a short time, and a method for manufacturing an organic EL display device with high productivity can be provided.
Further, in the present invention, by providing the spacer, the pixel electrode is formed of the organic layer dust or the like even when the organic layer dust or the like removed by the pulse laser is scattered in the contact portion forming step. It is possible to provide a method for manufacturing an organic EL display device that can prevent scattering to the pixel region and suppress deterioration in display characteristics.

なお、本発明において「上記補助電極上の全面に少なくとも1層の上記有機層が形成された」とは、例えば図1(c)に例示するように、有機EL層6を構成する全ての層が、画素電極3が形成された画素領域p内および補助電極4を覆うように全面に形成された態様を指す。また、この他にも、仮に有機EL層が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層の4層から構成されている場合においては、上記4層のうち3層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの1層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様や、上記4層のうち2層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの2層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様や、さらには上記4層のうち1層が画素領域内にパターン状に形成され、残りの3層が画素領域内および補助電極を覆うように全面に形成されている態様等を含む。   In the present invention, “at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode” means all layers constituting the organic EL layer 6 as exemplified in FIG. 1C, for example. Indicates a mode in which the pixel electrode 3 is formed on the entire surface so as to cover the pixel region p in which the pixel electrode 3 is formed and the auxiliary electrode 4. In addition, in the case where the organic EL layer is composed of four layers of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection layer, three of the four layers are pixels. A pattern is formed in the region, and the remaining one layer is formed on the entire surface so as to cover the pixel region and the auxiliary electrode, or two of the four layers are formed in a pattern in the pixel region. A mode in which the remaining two layers are formed on the entire surface so as to cover the pixel region and the auxiliary electrode, and further, one of the four layers is formed in a pattern in the pixel region, and the remaining three layers are It includes a mode in which the entire surface is formed so as to cover the pixel region and the auxiliary electrode.

また、本発明において「スペーサ部の頂部」とは、例えば図2に例示するように、スペーサ部5が台形である場合にはスペーサ部5の上底面Hを指す。また、スペーサ部が台形以外の形状である場合には、スペーサ部の最上部を指し、有機EL層側基板と蓋部とを接触させて密封させた際に、スペーサ部において蓋部が先に接触する部分を指す。   Further, in the present invention, the “top portion of the spacer portion” refers to the upper bottom surface H of the spacer portion 5 when the spacer portion 5 is trapezoidal as illustrated in FIG. In addition, when the spacer part has a shape other than the trapezoid, it indicates the uppermost part of the spacer part, and when the organic EL layer side substrate and the lid part are brought into contact and sealed, the lid part is first in the spacer part. Refers to the contact part.

以下、本発明の有機EL表示装置の製造方法における各工程について説明する。   Hereinafter, each process in the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention will be described.

1.有機EL層側基板準備工程
本発明においては、まず、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された補助電極と、上記基板上に形成されたスペーサ部と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機EL層と、上記補助電極上に形成された少なくとも1層の上記有機層と、上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機EL層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記スペーサ部は、上記接触部および上記接触部に隣接する上記画素電極の間に形成されており、また、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されている有機EL表示装置の製造方法であって、上記基板、上記画素電極、上記補助電極、上記スペーサ部、および上記有機EL層を有し、上記補助電極上の全面に少なくとも1層の上記有機層が形成された有機EL層側基板を準備する有機EL層側基板準備工程を行う。
以下、本工程において形成される各部材の形成工程について説明する。
1. Organic EL layer side substrate preparation step In the present invention, first, a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, and the substrate were formed. A spacer part, an organic EL layer formed on the pixel electrode and composed of a plurality of organic layers, having at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and A contact portion that is an opening portion of the organic layer formed on the auxiliary electrode; and a transparent electrode layer formed on the organic EL layer and the contact portion. The spacer portion includes the contact portion and the contact portion. The organic EL display device is formed between the pixel electrodes adjacent to the contact portion, and the transparent electrode layer is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion. The substrate and the pixel electrode Preparation of organic EL layer side substrate for preparing an organic EL layer side substrate having the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic EL layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode Perform the process.
Hereinafter, the formation process of each member formed in this process will be described.

(1)画素電極および補助電極形成工程
本工程は、基板上に画素電極と補助電極とを形成する工程である。
以下、本工程において用いられる各部材、および具体的な画素電極および補助電極形成工程について説明する。
(1) Pixel electrode and auxiliary electrode formation process This process is a process of forming a pixel electrode and an auxiliary electrode on a substrate.
Hereinafter, each member used in this step, and specific pixel electrode and auxiliary electrode forming steps will be described.

(a)基板
本工程における基板は、後述する画素電極、補助電極、スペーサ部、有機EL層および透明電極層を支持するものである。
(A) Substrate The substrate in this step supports a pixel electrode, an auxiliary electrode, a spacer portion, an organic EL layer, and a transparent electrode layer, which will be described later.

本発明において製造される有機EL表示装置はトップエミッション型であるため、基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。   Since the organic EL display device manufactured in the present invention is a top emission type, the substrate may or may not have light transmittance.

また、基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機EL表示装置の用途により適宜選択される。このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。なお、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。   The substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device. Examples of such a substrate material include glass and resin. A gas barrier layer may be formed on the surface of the substrate.

基板の厚みとしては、基板の材料および有機EL表示装置の用途により適宜選択され、具体的には0.005mm〜5mm程度である。   The thickness of the substrate is appropriately selected depending on the material of the substrate and the use of the organic EL display device, and is specifically about 0.005 mm to 5 mm.

(b)画素電極
本工程における画素電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。
画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよいが、本発明により製造される有機EL表示装置はトップエミッション型であり、透明電極層側から光を取り出すため、通常は光透過性を有さないものとされる。
(B) Pixel electrode The pixel electrode in this step is formed in a pattern on the substrate.
The pixel electrode may or may not have optical transparency, but the organic EL display device manufactured according to the present invention is a top emission type and takes out light from the transparent electrode layer side. Usually, it does not have optical transparency.

画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Au、Cr、Mo等の金属;酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
The pixel electrode may be either an anode or a cathode.
When the pixel electrode is an anode, it is preferable that the resistance is small, and generally a metal material that is a conductive material is used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the anode, a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. Examples thereof include metals such as Au, Cr, and Mo; inorganic oxides such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, and indium oxide; and conductive polymers such as metal-doped polythiophene. It is done. These conductive materials may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, layers made of each material may be stacked.

また、画素電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
When the pixel electrode is a cathode, a metal material that is a conductive material is generally used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the cathode, it is preferable to use a conductive material having a low work function so that electrons can be easily injected. Examples thereof include magnesium alloys such as MgAg, aluminum alloys such as AlLi, AlCa, and AlMg, and alloys of alkali metals and alkaline earth metals such as Li, Cs, Ba, Sr, and Ca.

画素電極の厚みとしては、画素電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、10nm〜1000nm程度にすることができ、好ましくは20nm〜500nm程度である。なお、画素電極の厚みとしては、後述する補助電極の厚みと同じであってもよく異なっていてもよい。なお、画素電極を、後述する補助電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。   The thickness of the pixel electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the edge portion of the pixel electrode, and can be set to, for example, about 10 nm to 1000 nm, and preferably about 20 nm to 500 nm. Note that the thickness of the pixel electrode may be the same as or different from the thickness of the auxiliary electrode described later. Note that when the pixel electrode is formed together with an auxiliary electrode described later, the pixel electrode and the auxiliary electrode have the same thickness.

(c)補助電極
本工程における補助電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。
補助電極は、光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
(C) Auxiliary electrode The auxiliary electrode in this process is formed in a pattern on a substrate.
The auxiliary electrode may or may not have optical transparency.

補助電極には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられる。なお、補助電極に用いられる材料については、上記画素電極に用いられる材料と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
また、補助電極に用いられる材料は、画素電極に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。中でも、画素電極および補助電極は同一の材料であることが好ましい。画素電極および補助電極を一括して形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。
A metal material that is a conductive material is generally used for the auxiliary electrode. Note that the material used for the auxiliary electrode can be the same as the material used for the pixel electrode, and thus the description thereof is omitted here.
The material used for the auxiliary electrode may be the same as or different from the material used for the pixel electrode. Among these, the pixel electrode and the auxiliary electrode are preferably made of the same material. This is because the pixel electrode and the auxiliary electrode can be formed collectively, and the manufacturing process can be simplified.

補助電極の厚みとしては、補助電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、10nm〜1000nmの範囲内であることが好ましく、中でも20nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。なお、補助電極を、上述した画素電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。   The thickness of the auxiliary electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the edge portion of the auxiliary electrode, and is preferably in the range of 10 nm to 1000 nm, for example, in particular in the range of 20 nm to 500 nm. Is preferred. Note that when the auxiliary electrode is formed together with the above-described pixel electrode, the pixel electrode and the auxiliary electrode have the same thickness.

このような補助電極を、補助電極の厚み方向に観察した際の形状、すなわち平面形状としては、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる形状であれば特に限定されるものではないが、有機EL表示装置の光取り出し効率を低下させないような形状であることが好ましい。例えば、ストライプ状や格子状等が挙げられる。   The shape when such an auxiliary electrode is observed in the thickness direction of the auxiliary electrode, that is, a planar shape, is a shape that can exhibit the function of the auxiliary electrode to suppress a voltage drop due to the resistance of the transparent electrode layer. The shape is not particularly limited, but is preferably a shape that does not reduce the light extraction efficiency of the organic EL display device. For example, a stripe shape or a lattice shape can be used.

(d)画素電極および補助電極
隣り合う画素電極および補助電極の間隔としては、後述するスペーサ部を形成することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的には、1μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、中でも2μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。なお、隣り合う画素電極および補助電極の間隔とは、図1(a)に示した距離dを指す。
(D) Pixel Electrode and Auxiliary Electrode The distance between the adjacent pixel electrode and auxiliary electrode is not particularly limited as long as a spacer portion described later can be formed. Specifically, it is preferably in the range of 1 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 2 μm to 30 μm. Note that the interval between adjacent pixel electrodes and auxiliary electrodes refers to the distance d shown in FIG.

(e)画素電極および補助電極形成工程
本発明における画素電極および補助電極形成工程は、まず基板上に画素電極を形成する工程を有する。画素電極の形成方法としては、基板上に画素電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。
(E) Pixel Electrode and Auxiliary Electrode Forming Step The pixel electrode and auxiliary electrode forming step in the present invention includes a step of first forming a pixel electrode on a substrate. The method for forming the pixel electrode is not particularly limited as long as the pixel electrode can be formed in a pattern on the substrate, and a general electrode forming method can be employed. For example, the vapor deposition method using a mask, the photolithographic method, etc. are mentioned. Examples of the vapor deposition method include a sputtering method and a vacuum vapor deposition method.

次に本工程は、画素電極の間に補助電極を形成する工程を有する。補助電極の形成方法としては、基板上に補助電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。具体的な補助電極の形成方法については、上記画素電極の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。なお、本工程においては、補助電極を画素電極と一括して形成することが好ましい。製造工程を簡略化することができるからである。   Next, this step includes a step of forming an auxiliary electrode between the pixel electrodes. The method for forming the auxiliary electrode is not particularly limited as long as the auxiliary electrode can be formed in a pattern on the substrate, and a general electrode forming method can be employed. A specific method for forming the auxiliary electrode can be the same as the method for forming the pixel electrode, and thus description thereof is omitted here. In this step, it is preferable to form the auxiliary electrode together with the pixel electrode. This is because the manufacturing process can be simplified.

(2)スペーサ部形成工程
本工程は、上記基板上にスペーサ部を形成する工程である。
以下、本工程において形成されるスペーサ部および具体的なスペーサ部形成工程について説明する。
(2) Spacer part formation process This process is a process of forming a spacer part on the substrate.
Hereinafter, the spacer part formed in this process and the concrete spacer part formation process are demonstrated.

(a)スペーサ部
本工程において形成されるスペーサ部は、後述する接触部および接触部と隣接する画素電極との間に形成されるものであり、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去された有機層が飛散するのを防止するというスペーサ部の機能を有するものである。また、スペーサ部が画素電極に接触している場合には、スペーサ部は絶縁層としての機能を有する。
(A) Spacer portion The spacer portion formed in this step is formed between a contact portion described later and a pixel electrode adjacent to the contact portion, and is removed by a laser beam in the contact portion forming step described later. In addition, the organic layer has a function of a spacer portion for preventing the organic layer from scattering. In addition, when the spacer portion is in contact with the pixel electrode, the spacer portion functions as an insulating layer.

なお、スペーサ部が絶縁層としての機能を有する場合には、本工程とともに、従来の有機EL表示装置において行われる絶縁層形成工程を行い、スペーサ部と絶縁層とを一括して形成することができる。これにより、製造効率の向上を図ることができる。図3(a)〜(b)は、本工程と同時に絶縁層形成工程を行い、スペーサ部および絶縁層を一括して形成する一例を示した概略工程図であり、図3(c)は図3(b)のA−A線断面図である。まず、図3(a)に例示するように、基板2上に画素電極3および枠状に補助電極4を形成する。次に、図3(b)、(c)に例示するように、画素電極3上および接触部9を形成する補助電極4上が露出するように、スペーサ部5および絶縁層13を一括して形成する。このように、スペーサ部および絶縁層が一括して形成される場合には、スペーサ部および絶縁層は同じ材料から構成され、また図3(b)に例示するように、スペーサ部5および絶縁層13は連続して形成されていてもよい。   When the spacer portion has a function as an insulating layer, an insulating layer forming step performed in a conventional organic EL display device can be performed together with this step to form the spacer portion and the insulating layer in a lump. it can. Thereby, the improvement of manufacturing efficiency can be aimed at. FIGS. 3A to 3B are schematic process diagrams showing an example in which an insulating layer forming process is performed simultaneously with the present process to form a spacer portion and an insulating layer in a lump. FIG. It is AA sectional view taken on the line of 3 (b). First, as illustrated in FIG. 3A, the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 are formed in a frame shape on the substrate 2. Next, as illustrated in FIGS. 3B and 3C, the spacer portion 5 and the insulating layer 13 are collectively arranged so that the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 forming the contact portion 9 are exposed. Form. In this way, when the spacer portion and the insulating layer are collectively formed, the spacer portion and the insulating layer are made of the same material, and as illustrated in FIG. 3B, the spacer portion 5 and the insulating layer 13 may be formed continuously.

本工程において、後述する接触部および接触部と隣接する画素電極との間に形成されるスペーサ部の数としては、画素電極が形成された画素領域と接触部とを隔てることにより、上述したスペーサ部の機能を十分に発揮することができれば特に限定されるものではなく、1つであってもよく2つ以上であってもよい。
ここで、画素電極と後述する接触部との間に形成されるスペーサ部の数とは、隣接する画素電極と接触部との間に長手方向にストライプ状のスペーサ部が形成されており、このときに画素電極と接触部との間に形成されたストライプの数を指す。したがって、例えば、図4(a)、(b)に例示するスペーサ部5の数は1つである。なお、図4は、本工程において形成されるスペーサ部の一例を示す概略図である。また、図4(a)は画素電極と補助電極との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図4(b)は図4(a)のB−B線断面図である。図4において説明していない符号については、図1と同様であるためここでの説明は省略する。
In this step, the number of spacer portions formed between a contact portion described later and the pixel electrode adjacent to the contact portion is determined by separating the pixel region where the pixel electrode is formed from the contact portion. If the function of a part can fully be exhibited, it will not specifically limit, One may be sufficient and two or more may be sufficient.
Here, the number of spacer portions formed between the pixel electrode and a contact portion to be described later is that a stripe-shaped spacer portion is formed in the longitudinal direction between the adjacent pixel electrode and the contact portion. Sometimes refers to the number of stripes formed between the pixel electrode and the contact portion. Therefore, for example, the number of the spacer portions 5 illustrated in FIGS. 4A and 4B is one. FIG. 4 is a schematic view showing an example of the spacer portion formed in this step. FIG. 4A is a schematic plan view when the spacer portion is formed between the pixel electrode and the auxiliary electrode, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. is there. Since the reference numerals not described in FIG. 4 are the same as those in FIG. 1, the description thereof is omitted here.

本工程において形成されるスペーサ部の平面形状としては、画素電極と後述する接触部とを隔てるように形成されていれば特に限定されるものではないが、例えば、上述した図4(a)に例示するように、画素電極3と補助電極4における接触部9との間にスペーサ部5がストライプ状に形成されていてもよく、図5(a)に例示するように、補助電極4における接触部9を囲うようにスペーサ部5が枠状に形成されていてもよく、あるいは図6(a)に例示するように、補助電極4における接触部9と隣接する画素電極3を囲うようにスペーサ部5が枠状に形成されていてもよい。なお、図5および図6は、本工程において形成されるスペーサ部の他の例を示す概略図である。また、図5(a)および図6(a)は画素電極が形成された画素領域と補助電極における接触部との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図5(b)は図5(a)のC−C線断面図であり、図6(b)は図6(a)のD−D線断面図である。図5および図6において説明していない符号については、図1と同様であるためここでの説明は省略する。   The planar shape of the spacer portion formed in this step is not particularly limited as long as it is formed so as to separate the pixel electrode from a contact portion described later. For example, as shown in FIG. As illustrated, the spacer portion 5 may be formed in a stripe shape between the pixel electrode 3 and the contact portion 9 in the auxiliary electrode 4, and as illustrated in FIG. 5A, the contact in the auxiliary electrode 4. The spacer portion 5 may be formed in a frame shape so as to surround the portion 9, or, as illustrated in FIG. 6A, the spacer so as to surround the pixel electrode 3 adjacent to the contact portion 9 in the auxiliary electrode 4. The part 5 may be formed in a frame shape. 5 and 6 are schematic views showing other examples of the spacer portion formed in this step. FIG. 5A and FIG. 6A are schematic plan views when a spacer portion is formed between the pixel region where the pixel electrode is formed and the contact portion of the auxiliary electrode, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 5A, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 6A. Since the reference numerals not described in FIGS. 5 and 6 are the same as those in FIG. 1, the description thereof is omitted here.

また、本工程において形成されるスペーサ部の縦断面形状としては、上述したスペーサ部の機能を発揮することができるものであれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。図5(a)や図6(a)に例示するように、画素電極または補助電極を囲うようにスペーサ部が形成されている場合であっても、後述する透明電極層を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。   In addition, the vertical cross-sectional shape of the spacer portion formed in this step is not particularly limited as long as the function of the spacer portion described above can be exhibited. For example, a forward taper shape, a reverse taper shape, a rectangle and the like can be mentioned, and among them, a forward taper shape is preferable. As illustrated in FIG. 5A and FIG. 6A, a transparent electrode layer described later is uniformly formed on the entire surface even when the spacer portion is formed so as to surround the pixel electrode or the auxiliary electrode. This is because sufficient conduction can be obtained.

本工程において形成されるスペーサ部の高さとしては、後述する減圧密封工程において、有機EL層側基板および蓋部を対向させた際に、スペーサ部の頂部と蓋部とが有機層を介して接触するように配置することができる程度であれば特に限定されるものではないが、具体的には、0.1μm〜10μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜3μmの範囲内であることが好ましい。有機EL層側基板および蓋部を対向させた際に形成される有機EL層側基板と蓋部との間の空間を大きくすることができるため、上記空間に僅かに気体が侵入した場合であっても、上記空間の真空度が急激に低下するのを抑制することができるからである。
具体的なスペーサ部の高さとしては、0.1μm〜10μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜3μmの範囲内であることが好ましい。スペーサ部の高さが上記範囲内であることにより、上述のように、有機EL層側基板と蓋部との間の空間の真空度が急激に低下するのを抑制することができる。また、後述する減圧密封工程において有機EL層側基板に蓋部を対向させて密封した際に、蓋部が撓んで画素電極上に形成された有機EL層と接触し、有機EL表示装置の表示特性に悪影響を及ぼすという問題を防ぐことができる。
なお、スペーサ部の高さとは、図2に示すように、スペーサ部5の下底面から頂部Hまでの高さhを指す。
The height of the spacer portion formed in this step is such that when the organic EL layer side substrate and the lid portion are opposed to each other in the vacuum sealing step described later, the top portion of the spacer portion and the lid portion are interposed via the organic layer. Although it will not specifically limit if it can arrange | position so that it may contact, Specifically, it is preferable to exist in the range of 0.1 micrometer-10 micrometers, and it is in the range of 0.5 micrometer-5 micrometers among these. It is preferable that it is in the range of 1 micrometer-3 micrometers especially. Since the space between the organic EL layer side substrate and the lid portion formed when the organic EL layer side substrate and the lid portion are opposed to each other can be increased, a slight gas has entered the space. However, it is because it can suppress that the vacuum degree of the said space falls rapidly.
The specific height of the spacer portion is preferably in the range of 0.1 μm to 10 μm, more preferably in the range of 0.5 μm to 5 μm, and particularly in the range of 1 μm to 3 μm. Is preferred. When the height of the spacer portion is within the above range, as described above, it is possible to suppress a rapid decrease in the degree of vacuum in the space between the organic EL layer side substrate and the lid portion. Further, when the lid is opposed to the organic EL layer side substrate and sealed in the vacuum sealing process described later, the lid is bent and comes into contact with the organic EL layer formed on the pixel electrode, thereby displaying the display of the organic EL display device. The problem of adversely affecting the characteristics can be prevented.
The height of the spacer portion refers to a height h from the bottom surface of the spacer portion 5 to the top portion H as shown in FIG.

このようなスペーサ部に用いられる材料としては、本発明により得られる有機EL表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、例えばスペーサ部が画素電極と接触する場合には、スペーサ部の材料として絶縁性材料を用いることが好ましい。画素電極のエッジ部分からのリーク電流による不具合を防ぐことができる。具体的な材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。   The material used for such a spacer portion is not particularly limited as long as it does not adversely affect the characteristics of the organic EL display device obtained by the present invention. For example, the spacer portion is a pixel electrode. In the case of contact, an insulating material is preferably used as the material of the spacer portion. Problems due to leakage current from the edge portion of the pixel electrode can be prevented. Specific examples of the material include photo-curable resins such as photosensitive polyimide resins and acrylic resins, thermosetting resins, and inorganic materials.

さらに、本工程において形成されるスペーサ部は、台座部と台座部上に形成された密着部とから構成されていてもよい。具体的には、図7に例示するように、基板2上に形成された台座部11と、上記台座部11上に形成された密着部12とから構成されていてもよい。   Furthermore, the spacer part formed in this process may be comprised from the base part and the contact | adherence part formed on the base part. Specifically, as illustrated in FIG. 7, the base part 11 formed on the substrate 2 and the contact part 12 formed on the base part 11 may be included.

スペーサ部が台座部と密着部とから構成されていることにより、スペーサ部の高さの調整が容易になる。例えば、基板上に何らかの配線層が形成されており、上記配線層上に絶縁層が形成されている場合、上記配線層の厚みに相当する分だけ上記絶縁層の高さが高くなる。このような場合には、上記絶縁層を台座部とし、上記台座部としての絶縁層上に密着部を形成してこれをスペーサ部とすることにより、配線層上に形成された絶縁層の高さよりも、台座部としての絶縁層および絶縁層上に形成された密着部から構成されたスペーサ部の高さを容易に高くすることが可能になる。また、後述する減圧密封工程において有機EL層側基板に蓋部を対向させた際に、スペーサ部と蓋部とを選択的に接触させることができる。これにより、スペーサ部としての上述した機能を十分に発揮することが可能になる。   Since the spacer portion is composed of the pedestal portion and the close contact portion, the height of the spacer portion can be easily adjusted. For example, when a certain wiring layer is formed on the substrate and an insulating layer is formed on the wiring layer, the height of the insulating layer is increased by an amount corresponding to the thickness of the wiring layer. In such a case, the insulating layer is used as a pedestal portion, and a close contact portion is formed on the insulating layer as the pedestal portion, and this is used as a spacer portion, thereby increasing the height of the insulating layer formed on the wiring layer. In addition, it is possible to easily increase the height of the spacer portion constituted by the insulating layer as the pedestal portion and the close contact portion formed on the insulating layer. In addition, when the lid portion is opposed to the organic EL layer side substrate in the vacuum sealing step described later, the spacer portion and the lid portion can be selectively brought into contact with each other. Thereby, it is possible to sufficiently exhibit the above-described function as the spacer portion.

スペーサ部が台座部と密着部とから構成されている場合において、台座部の大きさとしては、画素領域と接触部との間の大きさや、台座部上に形成される密着部の大きさや数に応じて適宜調整されるものである。台座部の高さとしては、例えば、0.1μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜3μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜2μmの範囲内であることが好ましい。台座部の高さが上記範囲内であることにより、台座部を形成することによる上述の効果を得ることができる。   When the spacer portion is composed of a pedestal portion and a close contact portion, the size of the pedestal portion is the size between the pixel region and the contact portion, the size and number of close contact portions formed on the pedestal portion. Is appropriately adjusted according to the above. For example, the height of the pedestal is preferably in the range of 0.1 μm to 5 μm, more preferably in the range of 0.5 μm to 3 μm, and particularly in the range of 1 μm to 2 μm. preferable. When the height of the pedestal portion is within the above range, the above-described effect by forming the pedestal portion can be obtained.

また、台座部の縦断面形状としては、台座部上に密着部を形成することが可能であれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。画素電極または補助電極を囲うように台座部および密着部が形成されている場合であっても、後述する透明電極層を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。   In addition, the vertical cross-sectional shape of the pedestal portion is not particularly limited as long as the contact portion can be formed on the pedestal portion. For example, a forward taper shape, a reverse taper shape, a rectangle and the like can be mentioned, and among them, a forward taper shape is preferable. Even when the pedestal portion and the close contact portion are formed so as to surround the pixel electrode or the auxiliary electrode, the transparent electrode layer described later can be uniformly formed on the entire surface, and sufficient conduction can be obtained. It is.

さらに、台座部に用いられる材料としては、上述したスペーサ部の材料と同様であるため、ここでの記載は省略する。   Furthermore, the material used for the pedestal portion is the same as the material for the spacer portion described above, so description thereof is omitted here.

一方、密着部に用いられる材料としては、上述したスペーサ部の材料と同様とすることができるが、その他にも、上記台座部が絶縁性材料から形成される場合には、密着部の材料として導電性材料を用いることができる。   On the other hand, the material used for the contact portion can be the same as the material for the spacer portion described above, but in addition, when the pedestal portion is formed of an insulating material, A conductive material can be used.

密着部の大きさおよび数については、上述したスペーサ部の大きさおよび数と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。   About the magnitude | size and number of contact parts, since it can be made to be the same as that of the spacer part mentioned above, description is abbreviate | omitted here.

(b)スペーサ部形成工程
本発明におけるスペーサ部形成工程は、画素電極が形成された画素領域と後述する接触部との間にスペーサ部を形成する工程を有する。スペーサ部の形成方法としては、ラミネーション法、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。また、鋳型等を用いてスペーサ部を別途形成し、画素領域と接触部との間に接着剤等を用いて貼り合わせる方法を挙げることができる。
(B) Spacer part formation process The spacer part formation process in this invention has the process of forming a spacer part between the pixel area | region in which the pixel electrode was formed, and the contact part mentioned later. As a method for forming the spacer portion, a general method such as a lamination method, a photolithography method, or a printing method can be used. Another example is a method in which a spacer portion is separately formed using a mold or the like, and is bonded using an adhesive or the like between the pixel region and the contact portion.

また、スペーサ部が台座部および密着部から構成される場合、本発明におけるスペーサ部形成工程は、画素電極が形成された画素領域と後述する接触部との間に台座部を形成し、その後、台座部上に密着部を形成する工程を有する。台座部および密着部の形成方法としては、上述したスペーサ部の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。なお、台座部および密着部が同じ材料から構成される場合には、台座部および密着部を一括して形成してもよい。   Further, when the spacer portion is composed of a pedestal portion and a close contact portion, the spacer portion forming step in the present invention forms a pedestal portion between a pixel region where the pixel electrode is formed and a contact portion described later, Forming a contact portion on the pedestal portion; Since the method for forming the pedestal portion and the close contact portion can be the same as the method for forming the spacer portion described above, description thereof is omitted here. In addition, when a base part and a contact | adherence part are comprised from the same material, you may form a base part and a contact | adherence part collectively.

(3)有機EL層形成工程
本工程は、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機EL層を、上記画素電極上に形成する工程である。また、本工程では、有機EL層側基板における上記補助電極の全面に少なくとも1層の有機層が形成される。
以下、本工程において形成される有機EL層および具体的な有機EL層形成工程について説明する。
(3) Organic EL layer forming step This step is a step of forming an organic EL layer including a plurality of organic layers and having at least a light emitting layer on the pixel electrode. In this step, at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode in the organic EL layer side substrate.
Hereinafter, the organic EL layer formed in this step and a specific organic EL layer forming step will be described.

(a)有機EL層
有機EL層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
以下、有機EL層を構成する各有機層について説明する。
(A) Organic EL layer As an organic layer which comprises an organic EL layer, a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, etc. other than a light emitting layer are mentioned.
Hereinafter, each organic layer constituting the organic EL layer will be described.

(i)発光層
本工程において形成される発光層は、単色の発光層であってもよく、複数色の発光層であってもよく、有機EL装置の用途に応じて適宜選択される。有機EL装置が表示装置である場合には、通常、複数色の発光層が形成される。
(I) Light-Emitting Layer The light-emitting layer formed in this step may be a monochromatic light-emitting layer or a multi-color light-emitting layer, and is appropriately selected according to the use of the organic EL device. When the organic EL device is a display device, a plurality of color light emitting layers are usually formed.

発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。   The light emitting material used for the light emitting layer may be any material that emits fluorescence or phosphorescence, and examples thereof include dye materials, metal complex materials, and polymer materials. Note that specific pigment materials, metal complex materials, and polymer materials can be the same as those generally used, and thus description thereof is omitted here.

発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば10nm〜500nm程度にすることができる。   The thickness of the light-emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a function of emitting light by providing a recombination field of electrons and holes, and may be, for example, about 10 nm to 500 nm. it can.

(ii)正孔注入輸送層
本工程において形成される有機EL層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
(Ii) Hole Injecting and Transporting Layer As the organic EL layer formed in this step, a hole injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the anode.
The hole injection transport layer may be a hole injection layer having a hole injection function, or a hole transport layer having a hole transport function, and the hole injection layer and the hole transport layer are laminated. And may have both a hole injection function and a hole transport function.

正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。   The material used for the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection and transportation of holes to the light emitting layer, and a general material can be used. .

正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には0.5nm〜1000nmの範囲内、中でも10nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as the hole injecting function and the hole transporting function are sufficiently exhibited. Specifically, the thickness is in the range of 0.5 nm to 1000 nm, particularly 10 nm to It is preferable to be in the range of 500 nm.

(iii)電子注入輸送層
本工程において形成される有機EL層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
(Iii) Electron Injecting and Transporting Layer As the organic EL layer formed in this step, an electron injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the cathode.
The electron injection / transport layer may be an electron injection layer having an electron injection function, may be an electron transport layer having an electron transport function, or may be a laminate of an electron injection layer and an electron transport layer. It may have both an electron injection function and an electron transport function.

電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。
電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer, and the material used for the electron transport layer is from the cathode. The material is not particularly limited as long as the injected electrons can be transported to the light emitting layer.
A general material can be used as a specific material used for the electron injection layer and the electron transport layer.

電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。   The thickness of the electron injection / transport layer is not particularly limited as long as the electron injection function and the electron transport function are sufficiently exhibited.

(b)有機EL層形成工程
本発明における有機EL層形成工程は、上述した有機EL層を画素電極上に形成する工程を有する。なお、ここでは有機EL層が、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の順で積層される場合について説明する。
正孔注入輸送層の形成方法としては、少なくとも画素電極上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。
次に、発光層の形成方法としては、上記正孔注入輸送層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、発光材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた発光層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。中でも、有機EL表示装置の発光効率および寿命への影響からドライプロセスが好ましい。
次に、電子注入輸送層の形成方法としては、上記発光層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
(B) Organic EL layer formation process The organic EL layer formation process in this invention has the process of forming the organic EL layer mentioned above on a pixel electrode. Here, a case where the organic EL layer is laminated in the order of the hole injection transport layer, the light emitting layer, and the electron injection transport layer will be described.
The method for forming the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can be formed on at least the pixel electrode, and is appropriately selected according to the kind of material. For example, a wet process in which a coating solution for forming a hole injection transport layer in which a material or the like is dissolved or dispersed in a solvent is applied, a dry process such as a vacuum deposition method, or the like can be given.
Next, the method for forming the light emitting layer is not particularly limited as long as it can be formed on the hole injecting and transporting layer. For example, a light emitting material or the like is dissolved or dispersed in a solvent. Examples thereof include a wet process for applying a light emitting layer forming coating solution and a dry process such as a vacuum deposition method. Among these, a dry process is preferable because of the influence on the light emission efficiency and life of the organic EL display device.
Next, the method for forming the electron injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can be formed on the light emitting layer, and is appropriately selected according to the type of material. For example, a wet process in which a coating solution for forming an electron injecting and transporting layer in which a material or the like is dissolved or dispersed in a solvent is applied, and a dry process such as a vacuum deposition method is used.

また、有機EL層形成工程では、有機EL層を形成するとともに、上記有機EL層を構成する少なくとも1層の有機層が補助電極を覆うように形成される。例えば、有機EL表示装置の画素毎に発光層を塗り分ける場合には、正孔注入輸送層や電子注入輸送層が画素電極上および補助電極上に形成され、発光層が画素電極上にパターン状に形成される。なお、有機層が画素電極上および補助電極上に形成される場合には、有機層は画素電極上および補助電極上に連続して形成されることが一般的である。   In the organic EL layer forming step, the organic EL layer is formed, and at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed so as to cover the auxiliary electrode. For example, when a light emitting layer is separately applied to each pixel of an organic EL display device, a hole injection transport layer and an electron injection transport layer are formed on the pixel electrode and the auxiliary electrode, and the light emitting layer is patterned on the pixel electrode. Formed. In the case where the organic layer is formed on the pixel electrode and the auxiliary electrode, the organic layer is generally formed continuously on the pixel electrode and the auxiliary electrode.

2.減圧密封工程
本発明においては、第1圧力下で、上記有機EL層側基板準備工程で得られた有機EL層側基板に蓋部を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋部が上記有機層を介して接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を密封する減圧密封工程を行う。
2. In the present invention, under the first pressure, the lid is opposed to the organic EL layer side substrate obtained in the organic EL layer side substrate preparation step, and the lid is placed on the top of the spacer portion. It arrange | positions so that it may contact through a layer, and the pressure reduction sealing process which seals the space between the said organic electroluminescent layer side board | substrate and the said cover part is performed.

本工程において用いられる蓋部としては、有機EL層側基板と対向させて、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を密封することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ガラスフィルム、COP、PP、PC、PET等の透光性を有する材料等が挙げられる。中でも、ガラスフィルムやCOPが好ましい。   The lid used in this step is not particularly limited as long as it can face the organic EL layer side substrate and seal the space between the organic EL layer side substrate and the lid. For example, the material etc. which have translucency, such as a glass film, COP, PP, PC, PET, etc. are mentioned. Of these, glass film and COP are preferable.

蓋部の厚みとしては、有機EL層側基板と対向させて、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を密封することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではない。例えば、10μm〜1000μmの範囲内であることが好ましく、中でも20μm〜200μmの範囲内であることが好ましく、特に30μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the lid is not particularly limited as long as it is a thickness that allows the space between the organic EL layer side substrate and the lid to be sealed so as to face the organic EL layer side substrate. For example, it is preferably within the range of 10 μm to 1000 μm, more preferably within the range of 20 μm to 200 μm, and particularly preferably within the range of 30 μm to 100 μm.

また、蓋部の光透過率としては、後述する接触部形成工程で照射するレーザー光が蓋部を透過して補助電極上の有機層を除去することができる範囲であれば特に限定されるものではないが、中でも波長355nmの光透過率が80%以上であることが好ましい。   Further, the light transmittance of the lid is not particularly limited as long as the laser beam irradiated in the contact portion forming step described later can pass through the lid and remove the organic layer on the auxiliary electrode. However, the light transmittance at a wavelength of 355 nm is preferably 80% or more.

本工程は、第1圧力下で、上述した蓋部を有機EL層側基板に対向させて、上記スペーサ部の頂部に上記蓋部が上記有機層を介して接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を密封する工程である。このような工程を行う方法としては、具体的には、次のような方法が挙げられる。すなわち、まず、第1圧力である所定の真空度に設定された真空チャンバー内において、外周部にシール剤が形成された有機EL層側基板と蓋部とを対向させて配置し、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を密封する方法や、第1圧力に設定された真空チャンバー内において、治具等を用いて有機EL層側基板と蓋部との間の空間を密封する方法が挙げられる。   In this step, under the first pressure, the above-described lid portion is opposed to the organic EL layer side substrate, and the lid portion is disposed on the top of the spacer portion so as to be in contact with the organic layer. This is a step of sealing the space between the organic EL layer side substrate and the lid. Specific examples of a method for performing such a process include the following methods. That is, first, in a vacuum chamber set to a predetermined degree of vacuum that is the first pressure, the organic EL layer side substrate on which the sealing agent is formed on the outer peripheral portion and the lid portion are arranged to face each other, and the organic EL layer In a method of sealing the space between the side substrate and the lid, or in a vacuum chamber set to the first pressure, the space between the organic EL layer side substrate and the lid is sealed using a jig or the like. A method is mentioned.

このような工程により減圧密封された有機EL層側基板と蓋部との間の空間は、第1圧力である所定の真空度となる。具体的には、後述する密着工程にて有機EL層側基板および蓋部の外周の空間を第2圧力に調整することにより、有機EL層側基板および蓋部の間の空間と有機EL層側基板および蓋部の外周の空間との間に差圧を生じさせて、上記有機EL層側基板と上記蓋部とを十分に密着させることができ、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去される有機層の粉塵が画素領域に飛散するのを防ぐことができれば特に限定されるものではないが、真空度の値ができるだけ大きいこと、すなわち、有機EL層側基板と蓋部との間の空間の圧力の値ができるだけ小さいことが好ましい。中でも、本工程においては、有機EL層側基板と蓋部との間の空間が真空空間であることが好ましい。具体的な真空度としては、1×10−5Pa〜1×10Paの範囲内であることが好ましく、中でも1×10−5Pa〜1×10Paの範囲内であることが好ましく、特に1×10−5Pa〜1×10Paの範囲内であることが好ましい。 The space between the organic EL layer side substrate and the lid portion sealed under reduced pressure by such a process has a predetermined degree of vacuum as the first pressure. Specifically, the space between the organic EL layer side substrate and the lid portion and the organic EL layer side are adjusted by adjusting the outer peripheral space of the organic EL layer side substrate and the lid portion to the second pressure in the adhesion step described later. A differential pressure is generated between the substrate and the outer peripheral space of the lid, and the organic EL layer side substrate and the lid can be sufficiently adhered to each other, and are removed by a laser beam in a contact portion forming step described later. It is not particularly limited as long as it can prevent the dust of the organic layer from scattering into the pixel area, but the vacuum degree is as large as possible, that is, between the organic EL layer side substrate and the lid. It is preferable that the value of the pressure in the space be as small as possible. Especially, in this process, it is preferable that the space between the organic EL layer side substrate and the lid is a vacuum space. The specific degree of vacuum is preferably in the range of 1 × 10 −5 Pa to 1 × 10 4 Pa, and more preferably in the range of 1 × 10 −5 Pa to 1 × 10 3 Pa. In particular, it is preferably in the range of 1 × 10 −5 Pa to 1 × 10 2 Pa.

3.密着工程
本発明においては、上記減圧密封工程で密封された上記有機EL層側基板および上記蓋部の外周の空間を第2圧力に調整して上記有機EL層側基板および上記蓋部を密着させる密着工程を行う。
以下、具体的な密着工程について説明する。
3. Adhering Step In the present invention, the organic EL layer side substrate and the lid portion sealed in the reduced pressure sealing step are adjusted to a second pressure so that the organic EL layer side substrate and the lid portion are in close contact with each other. An adhesion process is performed.
Hereinafter, a specific adhesion process will be described.

本工程は、上述した減圧密封工程において、第1圧力下で密封された有機EL層側基板および蓋部の外周の空間を第2圧力に調整することにより、有機EL層側基板および蓋部の間の空間と有機EL層側基板および蓋部の外周の空間との間に差圧を生じさせ、有機EL層側基板および蓋部を密着させる工程である。   In this step, the organic EL layer side substrate and the lid portion of the organic EL layer side substrate and the lid portion are adjusted to the second pressure by adjusting the space around the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid portion sealed under the first pressure. In this step, a differential pressure is generated between the space between the substrate and the outer peripheral space of the organic EL layer side substrate and the lid, and the organic EL layer side substrate and the lid are brought into close contact with each other.

本工程における第2圧力は、上述の第1圧力と比較して、100Pa以上高いことが好ましく、特に1000Pa以上高いことが好ましく、中でも10000Pa以上高いことが好ましい。第2圧力が上述の範囲であることにより、有機EL層側基板および蓋部を確実に密着させることが可能となり、後述する接触部形成工程においてレーザー光により除去される有機層の粉塵が画素領域に飛散するのを防ぐことが可能となる。   The second pressure in this step is preferably 100 Pa or higher, particularly preferably 1000 Pa or higher, and particularly preferably 10,000 Pa or higher compared to the first pressure described above. When the second pressure is in the above-described range, the organic EL layer side substrate and the lid can be reliably adhered, and the dust of the organic layer that is removed by the laser beam in the contact portion forming step described later is the pixel region. It is possible to prevent scattering.

有機EL層側基板および蓋部の外周の空間を第2圧力に調整する方法としては、有機EL層側基板および蓋部の間の空間と有機EL層側基板および蓋部の外周の空間との間に差圧を生じさせ、有機EL層側基板および蓋部を密着させることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。すなわち、真空チャンバー内にて密封された有機EL層側基板および蓋部を、常圧空間にさらすことにより有機EL層側基板および蓋部の外周の空間を常圧に戻す方法や、真空チャンバー内にて有機EL層側基板および蓋部の間の空間を密封した後に、真空チャンバー内に気体を流入させて圧力を調整する方法等が挙げられる。上述の常圧空間とは、酸素濃度および水分濃度が少なくとも1ppm以下に管理され、窒素やアルゴン等の不活性ガスで充填された空間であることが好ましい。有機EL素子の劣化を抑制できるためである。   As a method of adjusting the outer peripheral space of the organic EL layer side substrate and the lid to the second pressure, the space between the organic EL layer side substrate and the lid and the outer periphery of the organic EL layer side substrate and the lid are Although it will not specifically limit if it is a method which produces a differential pressure between them and can make an organic EL layer side board | substrate and a cover part closely_contact | adhere, For example, the following methods are mentioned. That is, by exposing the organic EL layer side substrate and the lid portion sealed in the vacuum chamber to a normal pressure space, the outer peripheral space of the organic EL layer side substrate and the lid portion is returned to normal pressure, And a method of adjusting the pressure by flowing a gas into the vacuum chamber after sealing the space between the organic EL layer side substrate and the lid. The normal pressure space described above is preferably a space in which the oxygen concentration and the water concentration are controlled to at least 1 ppm or less and filled with an inert gas such as nitrogen or argon. This is because deterioration of the organic EL element can be suppressed.

4.接触部形成工程
本発明においては、蓋部を介してレーザー光を照射して、補助電極上に形成された有機層を除去して接触部を形成する接触部形成工程を行う。
4). Contact part formation process In this invention, the contact part formation process which irradiates a laser beam through a cover part, removes the organic layer formed on the auxiliary electrode, and forms a contact part is performed.

上述の密着工程において、真空チャンバー内に気体を流入させて第2圧力を調整した場合、本工程におけるレーザー光の照射は、真空チャンバーのガラス等の透光性基材から構成されるレーザー光透過窓等を介して行うことが可能である。
以下、本工程において用いられるレーザー光、および本工程において形成される接触部について説明する。
When the second pressure is adjusted by injecting gas into the vacuum chamber in the adhesion step described above, the laser beam irradiation in this step is performed by transmitting a laser beam composed of a light-transmitting substrate such as glass in the vacuum chamber. This can be done through a window or the like.
Hereinafter, the laser beam used in this process and the contact part formed in this process will be described.

(1)レーザー光
本発明におけるレーザー光は、後述するレーザー照射部より、蓋部を対向させた有機EL層側基板上へ、上記蓋部側から照射され、補助電極を覆う有機層を除去し、上記補助電極を露出させて接触部を形成するものである。
以下、本発明におけるレーザー照射部およびレーザー光について説明する。
(1) Laser light The laser light in the present invention is irradiated from the lid portion side onto the organic EL layer side substrate with the lid portion facing from a laser irradiation portion described later, and removes the organic layer covering the auxiliary electrode. The contact portion is formed by exposing the auxiliary electrode.
Hereinafter, the laser irradiation part and laser beam in this invention are demonstrated.

(a)レーザー照射部
一般に、レーザー照射部は、蓋部を対向させた有機EL層側基板の上部に設置されるものである。上記レーザー照射部と上記有機EL層側基板とは、相対的に移動を行うものであり、上記有機EL層側基板のみが移動してレーザー光の照射を受ける場合や、上記レーザー照射部のみが移動して上記有機EL層側基板へレーザー光の照射を行う場合や、上記有機EL層側基板および上記レーザー照射部の両方が移動してレーザー光の照射が行われる場合などが考えられる。
(A) Laser irradiation part Generally, a laser irradiation part is installed in the upper part of the organic electroluminescent layer side board | substrate with which the cover part was made to oppose. The laser irradiation part and the organic EL layer side substrate move relatively, and only the organic EL layer side substrate moves and receives laser light, or only the laser irradiation part The case where the organic EL layer side substrate is moved and irradiated with laser light, the case where both the organic EL layer side substrate and the laser irradiation unit are moved, and laser light irradiation is performed, can be considered.

本発明においては、有機EL層側基板は1軸方向に移動を続け、蓋部側からレーザー光の照射を受けることが好ましい。レーザー照射部を移動させながら上記有機EL層側基板へのレーザー照射を行うと、レーザー光の精度が悪化する恐れがあるためである。しかし、上記レーザー照射部は、上記有機EL層側基板基板への1軸方向へのレーザー照射を終えた段階で、上記有機EL層側基板の移動方向に対して垂直方向に移動を行うことがより好ましい。このとき、上記レーザー照射部の移動中には、レーザー照射は行われないものとする。上記有機EL層側基板の移動方向に対して垂直方向に上記レーザー照射部が移動を行うことにより、上記有機EL層側基板上の補助電極上の有機層を、所望の間隔を維持しながら安定的に除去することが可能となり、高品質な有機EL表示装置の製造が期待される。   In the present invention, it is preferable that the organic EL layer side substrate continues to move in the uniaxial direction and is irradiated with laser light from the lid side. This is because if the laser irradiation is performed on the organic EL layer side substrate while moving the laser irradiation unit, the accuracy of the laser beam may be deteriorated. However, the laser irradiation unit may move in a direction perpendicular to the moving direction of the organic EL layer side substrate after the laser irradiation in the uniaxial direction to the organic EL layer side substrate is finished. More preferred. At this time, laser irradiation is not performed while the laser irradiation unit is moving. The laser irradiation unit moves in a direction perpendicular to the moving direction of the organic EL layer side substrate, thereby stabilizing the organic layer on the auxiliary electrode on the organic EL layer side substrate while maintaining a desired interval. Therefore, it is expected to produce a high-quality organic EL display device.

上記有機EL層側基板は、1軸方向に移動を続けるステージ上に、水平かつ安定に保持されている。この際、上記ステージ上に有機EL層側基板を保持する手段として、特に限定されるものではないが、例えば粘着シートを使用してステージ上に有機EL層側基板を保持する方法、あるいはステージ上へ真空吸着あるいは静電吸着によって有機EL層側基板を保持する方法などが挙げられる。   The organic EL layer side substrate is held horizontally and stably on a stage that continues to move in one axial direction. At this time, the means for holding the organic EL layer side substrate on the stage is not particularly limited. For example, a method of holding the organic EL layer side substrate on the stage using an adhesive sheet, or on the stage And a method of holding the organic EL layer side substrate by vacuum adsorption or electrostatic adsorption.

上記ステージの移動速度は、後述する条件でレーザー光を有機EL層側基板へ照射することが可能な速度であれば特に限定されるものではないが、例えば、レーザー照射部が固定され、上記ステージのみが移動を行う場合の上記ステージの移動速度は、30mm/sec〜1000mm/secの範囲内であることが好ましく、中でも50mm/sec〜500mm/secの範囲内であることが好ましく、特に70mm/sec〜250mm/secの範囲内であることが好ましい。   The moving speed of the stage is not particularly limited as long as it can irradiate the organic EL layer side substrate with laser light under the conditions described later. For example, the laser irradiation unit is fixed and the stage is fixed. The moving speed of the stage when only moving is preferably in the range of 30 mm / sec to 1000 mm / sec, more preferably in the range of 50 mm / sec to 500 mm / sec, especially 70 mm / sec. It is preferable to be within the range of sec to 250 mm / sec.

上記レーザー照射部は、レーザー光のフォーカスおよび上記有機EL層側基板へのレーザー光の照射開始位置を合わせるために用いる観察用光源を有する。上記観察用光源には、少なくとも400nm以下、好ましくは500nm以下の波長の光を用いないこととする。上述の波長よりも短い波長の光を観察用光源として用いた場合、有機EL層側基板における、除去される必要のない有機層まで劣化する恐れがあるためである。   The laser irradiation unit includes an observation light source used for adjusting the focus of the laser light and the irradiation start position of the laser light on the organic EL layer side substrate. As the observation light source, light having a wavelength of at least 400 nm or less, preferably 500 nm or less is not used. This is because when light having a wavelength shorter than the above-described wavelength is used as an observation light source, the organic EL layer side substrate may deteriorate to an organic layer that does not need to be removed.

(b)レーザー光
本発明においては、補助電極を覆う有機層を除去するためのレーザー光として、本発明における条件のパルスレーザーを用いることとする。一般的に、パルスレーザーは半導体連続波レーザーと比較して高い尖頭値を有するため、本工程においては、有機層を除去するために必要な照射時間を短縮し、効率のよい有機EL表示装置の製造を行うことが可能となる。
(B) Laser light In the present invention, a pulse laser having the conditions in the present invention is used as the laser light for removing the organic layer covering the auxiliary electrode. In general, a pulse laser has a high peak value as compared with a semiconductor continuous wave laser. Therefore, in this step, the irradiation time required for removing the organic layer is shortened, and an efficient organic EL display device is obtained. Can be manufactured.

本発明におけるレーザー光の照射回数は、後述する接触部1箇所あたり1回とする。本発明におけるレーザー光を用いることで、一般的な半導体連続波レーザーを用いた場合と比較して、補助電極上の有機層を効率良く除去することが可能となり、生産性の高い有機EL表示装置の製造が可能となる。   In the present invention, the number of times of laser light irradiation is once per contact portion described later. By using the laser light in the present invention, the organic layer on the auxiliary electrode can be efficiently removed as compared with the case of using a general semiconductor continuous wave laser, and the organic EL display device has high productivity. Can be manufactured.

本発明において用いられるレーザー光のパルス幅は、補助電極上の有機層を1回の照射で除去可能となるパルス幅であることが好ましく、具体的には、少なくとも1nsec〜500nsecの範囲内であることが好ましく、特に2nsec〜100nsecの範囲内であることが好ましく、中でも2nsec〜50nsecの範囲内であることが好ましい。
レーザー光のパルス幅が上述した範囲よりも小さいと、補助電極にダメージを与える恐れがある。また、レーザー光のパルス幅が上述した範囲よりも大きいと、1回のパルスレーザー照射で補助電極上の有機層を完全に除去できない可能性があるうえ、熱影響によりレーザー照射部近傍の画素が劣化する懸念がある。さらに、ステージを移動させながらレーザー照射を連続して行う場合、レーザー光のパルス幅が上述した範囲よりも大きいと、接触部を所望の大きさに形成することが困難となる可能性がある。
The pulse width of the laser beam used in the present invention is preferably a pulse width that allows the organic layer on the auxiliary electrode to be removed by one irradiation, and specifically, is in the range of at least 1 nsec to 500 nsec. In particular, it is preferably in the range of 2 nsec to 100 nsec, and more preferably in the range of 2 nsec to 50 nsec.
If the pulse width of the laser beam is smaller than the above range, the auxiliary electrode may be damaged. In addition, if the pulse width of the laser beam is larger than the above range, the organic layer on the auxiliary electrode may not be completely removed by one pulse laser irradiation, and pixels near the laser irradiation portion may be affected by heat. There is a concern of deterioration. Furthermore, when laser irradiation is continuously performed while moving the stage, if the pulse width of the laser light is larger than the above-described range, it may be difficult to form the contact portion in a desired size.

本発明において用いられるレーザー光の波長は紫外光領域の波長であることが好ましく、特に400nm以下であることが好ましい。本発明において用いられる蓋部を透過して補助電極を覆う有機層を除去することが可能であれば、レーザーの種類は特に限定されるものではない。例えば、XeF、XeCl、KrF、KrCl、ArF、Xe、Kr、Ar、Fなどのエキシマーレーザー、YAG、YLF、YVO、YAlOなどの固体レーザーの波長を変換したレーザー等が挙げられる。 The wavelength of the laser beam used in the present invention is preferably in the ultraviolet region, and particularly preferably 400 nm or less. If the organic layer which permeate | transmits the cover part used in this invention and covers an auxiliary electrode can be removed, the kind of laser will not be specifically limited. Examples thereof include excimer lasers such as XeF, XeCl, KrF, KrCl, ArF, Xe 2 , Kr 2 , Ar 2 , and F 2 , lasers obtained by converting the wavelength of solid lasers such as YAG, YLF, YVO 4 , and YAlO 3. It is done.

上記レーザー光の1パルスあたりのエネルギー密度は少なくとも50mJ/cm〜1000mJ/cmの範囲内であることが好ましく、特に100mJ/cm〜800mJ/cmの範囲内であることが好ましく、中でも150mJ/cm〜500mJ/cmの範囲内であることが好ましい。1パルスあたりのエネルギー密度が上述した範囲よりも大きいと補助電極にダメージを与える恐れがある。また、1パルスあたりのエネルギー密度が上述した範囲よりも小さいと、補助電極上の有機層を完全に除去できない可能性がある。 Preferably the energy density per pulse of the laser beam is in the range of at least 50mJ / cm 2 ~1000mJ / cm 2 , preferably in particular in the range of 100mJ / cm 2 ~800mJ / cm 2 , inter alia It is preferably within the range of 150 mJ / cm 2 to 500 mJ / cm 2 . If the energy density per pulse is larger than the above range, the auxiliary electrode may be damaged. If the energy density per pulse is smaller than the above range, the organic layer on the auxiliary electrode may not be completely removed.

上記レーザー光の繰り返し周波数は、補助電極上の有機層を所望の間隔で除去することが可能であれば特に限定されるものではないが、具体的には、50kHz以上であることが好ましく、特に100kHz以上であることが好ましく、中でも200kHz以上であることが好ましい。1秒間あたりのレーザー照射回数、つまり繰り返し周波数が上記の範囲内であることにより、より効率的な有機EL表示装置の製造が可能となる。   The repetition frequency of the laser beam is not particularly limited as long as the organic layer on the auxiliary electrode can be removed at a desired interval. Specifically, the repetition frequency is preferably 50 kHz or more. It is preferably 100 kHz or more, and more preferably 200 kHz or more. When the number of laser irradiations per second, that is, the repetition frequency is within the above range, a more efficient organic EL display device can be manufactured.

上記レーザー光の分岐数は、補助電極を覆う有機層を効率よく除去することが可能であれば特に限定されるものではないが、具体的には、2本以上に分岐することが好ましい。レーザー光を2本以上に分岐することにより、有機EL表示装置の生産性を向上させることが可能となる。   The number of branches of the laser beam is not particularly limited as long as the organic layer covering the auxiliary electrode can be efficiently removed. Specifically, the number of branches of the laser beam is preferably branched into two or more. By branching the laser light into two or more, it becomes possible to improve the productivity of the organic EL display device.

(2)接触部
本工程において形成される接触部は、後述する透明電極層と補助電極とが接触する領域である。
(2) Contact part The contact part formed in this process is an area | region where the transparent electrode layer mentioned later and an auxiliary electrode contact.

本工程において形成される接触部の平面形状としては、後述する透明電極層と補助電極とを電気的に十分に接続することができるような平面形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、矩形や円形等が挙げられる。   The planar shape of the contact portion formed in this step is not particularly limited as long as it is a planar shape capable of sufficiently sufficiently connecting a transparent electrode layer and an auxiliary electrode described later. , Rectangular and circular.

また、上記接触部の態様としては、後述する透明電極と補助電極とを電気的に十分に接続することができるものであれば特に限定されるものではない。図8(a)〜(c)は、本工程において形成される接触部の態様を説明する模式図である。上記接触部9の具体的な態様としては、図8(a)に示すように、補助電極4上に形成された少なくとも1層の有機層6をストライプ状に除去して形成された態様であってもよく、図8(b)に示すように、補助電極4上に形成された少なくとも1層の有機層6に開口部を設けて形成された態様であってもよく、図8(c)に示すように、補助電極4上に形成された少なくとも1層の有機層6に複数の開口部を設けて形成された態様であってもよい。   In addition, the mode of the contact portion is not particularly limited as long as it can electrically connect a transparent electrode and an auxiliary electrode described later sufficiently. FIG. 8A to FIG. 8C are schematic views for explaining aspects of the contact portion formed in this step. A specific mode of the contact portion 9 is a mode in which at least one organic layer 6 formed on the auxiliary electrode 4 is removed in a stripe shape as shown in FIG. Alternatively, as shown in FIG. 8B, an embodiment in which an opening is provided in at least one organic layer 6 formed on the auxiliary electrode 4 may be used. As shown in FIG. 3, the organic layer 6 formed on the auxiliary electrode 4 may be provided with a plurality of openings.

5.透明電極層形成工程
本発明においては、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されるように、上記有機EL層および上記接触部上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
以下、本工程において形成される透明電極層および具体的な透明電極層形成工程について説明する。
5. Transparent electrode layer forming step In the present invention, a transparent electrode layer forming step of forming a transparent electrode layer on the organic EL layer and the contact portion is performed so as to be electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion. .
Hereinafter, the transparent electrode layer formed in this step and a specific transparent electrode layer forming step will be described.

(1)透明電極層
本工程における透明電極層は、有機EL層側基板上に形成されるものである。
(1) Transparent electrode layer The transparent electrode layer in this process is formed on the organic EL layer side substrate.

上記透明電極層は、透明性および導電性を有するものであればよく、例えば金属酸化物が挙げられる。具体的な金属酸化物としては、酸化インジウム錫、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、および酸化第二錫等が挙げられる。また、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、およびカルシウム等の金属材料についても、光透過性を有する程度に薄く成膜する場合にはこれに用いることができる。   The said transparent electrode layer should just have transparency and electroconductivity, for example, a metal oxide is mentioned. Specific examples of the metal oxide include indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, and stannic oxide. Further, a metal material such as magnesium-silver alloy, aluminum, and calcium can also be used for forming a thin film so as to have light transmittance.

(2)透明電極層形成工程
本発明における透明電極層形成工程は、上記密着工程にて有機EL層側基板に密着させた蓋部を剥離して、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されるように、上記有機EL層および上記接触部上に透明電極層を形成する工程を有する。透明電極層の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、EB蒸着法、イオンプレーティング法等のPVD法、またはCVD法等を挙げることができる。
(2) Transparent electrode layer formation process The transparent electrode layer formation process in this invention peels the cover part closely_contact | adhered to the organic electroluminescent layer side board | substrate in the said contact | adherence process, and electrically uses the said auxiliary electrode and the said contact part. A step of forming a transparent electrode layer on the organic EL layer and the contact portion so as to be connected; As a method for forming the transparent electrode layer, a general electrode forming method can be used, for example, a PVD method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an EB deposition method, an ion plating method, or a CVD method. be able to.

6.その他の工程
本発明においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機EL表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
以下、封止基板について説明する。
6). Other Steps The present invention is not particularly limited as long as it has the steps described above, and may have other steps. As another process, the sealing process which seals an organic EL display device with a sealing substrate is mentioned, for example.
Hereinafter, the sealing substrate will be described.

本発明における有機EL表示装置はトップエミッション型であるため、封止基板は光透過性を有している。封止基板の光透過性としては、可視光領域の波長に対しては透過性を有していればよく、具体的には、可視光領域の全波長範囲に対する光透過率が80%以上であることが好ましく、中でも85%以上、特に90%以上であることが好ましい。
ここで、光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計UV−3600により測定することができる。
Since the organic EL display device in the present invention is a top emission type, the sealing substrate has light transmittance. The light transmittance of the sealing substrate is not limited as long as it has transparency to the wavelength in the visible light region. Specifically, the light transmittance for the entire wavelength range in the visible light region is 80% or more. It is preferable that it is 85% or more, especially 90% or more.
Here, the light transmittance can be measured by, for example, an ultraviolet-visible light spectrophotometer UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.

また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機EL表示装置の用途により適宜選択される。   Further, the sealing substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device.

封止基板の材料としては、光透過性を有する封止基板が得られるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、COPと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。
また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
The material of the sealing substrate is not particularly limited as long as a light-transmitting sealing substrate can be obtained. For example, inorganic materials such as quartz and glass, acrylic resin, and COP are used. Examples thereof include resins such as cycloolefin polymer, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyamideimide, polyethersulfone, polyetherimide, and polyetheretherketone.
A gas barrier layer may be formed on the surface of the resin sealing substrate.

封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機EL装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは0.001mm〜5mm程度である。   The thickness of the sealing substrate is appropriately selected depending on the material of the sealing substrate and the use of the organic EL device. Specifically, the thickness of the sealing substrate is about 0.001 mm to 5 mm.

B.有機EL表示装置の製造装置
上述した「A.有機EL表示装置の製造方法」の項で説明した有機EL表示装置の製造方法に用いられる製造装置としては、有機EL層側基板準備工程、減圧密封工程、密着工程、接触部形成工程、および透明電極層形成工程を行うことが可能な製造装置であれば特に限定されるものではない。
B. Manufacturing apparatus of organic EL display device As a manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the organic EL display device described in the above-mentioned section “A. Manufacturing method of organic EL display device”, an organic EL layer side substrate preparation step, vacuum sealing It is not particularly limited as long as it is a manufacturing apparatus capable of performing the process, the adhesion process, the contact part forming process, and the transparent electrode layer forming process.

ここで、特に本発明の有機EL表示装置の製造方法の接触部形成工程には、上述した「A.有機EL表示装置の製造方法 4.接触部形成工程 (1)レーザー光 (a)レーザー照射部」の項で説明したレーザー照射部およびステージを有する製造装置が用いられることが好ましい。
以下、本発明の有機EL表示装置の製造方法の接触部形成工程に用いられる製造装置について図を参照しながら説明する。
Here, especially in the contact part formation process of the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention, the above-mentioned “A. Manufacturing method of organic EL display apparatus 4. Contact part formation process (1) Laser light (a) Laser irradiation” It is preferable to use the manufacturing apparatus having the laser irradiation part and the stage described in the section “Part”.
Hereinafter, the manufacturing apparatus used for the contact part formation process of the manufacturing method of the organic electroluminescence display of this invention is demonstrated, referring a figure.

図9(a)および(b)は本発明の有機EL表示装置の製造方法の接触部形成工程に用いられる製造装置の一例を示す概略図である。図9(a)に例示するように、レーザー照射部13から照射されるパルスレーザーPは、ステージ14上に保持された有機EL層側基板へ、蓋部8を透過して照射される。ステージ14は図9(a)で例示するx軸方向へ連続的に移動を続け、レーザー照射部13はステージ14の動作方向に対する法線方向、つまり図9(a)で例示するy軸方向に、ステージ14に対して相対的に移動を行う。なお、レーザー照射部13およびステージ14のいずれも、移動速度は所定の速度に制御が可能である。これらの動作の中で、パルスレーザーPが間欠的に有機EL層側基板へ向かって照射される。そのため、図9(b)に例示するように、有機EL層側基板は一定の間隔を保ってパルスレーザーPの照射を受ける。   FIGS. 9A and 9B are schematic views showing an example of a manufacturing apparatus used in the contact portion forming step of the method for manufacturing an organic EL display device of the present invention. As illustrated in FIG. 9A, the pulse laser P irradiated from the laser irradiation unit 13 is irradiated through the lid portion 8 to the organic EL layer side substrate held on the stage 14. The stage 14 continues to move in the x-axis direction illustrated in FIG. 9A, and the laser irradiation unit 13 moves in the normal direction to the operation direction of the stage 14, that is, in the y-axis direction illustrated in FIG. 9A. , Move relative to the stage 14. Note that the moving speed of both the laser irradiation unit 13 and the stage 14 can be controlled to a predetermined speed. In these operations, the pulse laser P is intermittently irradiated toward the organic EL layer side substrate. Therefore, as illustrated in FIG. 9B, the organic EL layer side substrate is irradiated with the pulse laser P at a constant interval.

上記ステージおよび上記レーザー照射部については、上述した「A.有機EL表示装置の製造方法 4.接触部形成工程 (1)レーザー光 (a)レーザー照射部」の項で説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。   The stage and the laser irradiation part are the same as those described in the above-mentioned section “A. Manufacturing method of organic EL display device 4. Contact part forming step (1) Laser light (a) Laser irradiation part”. Therefore, the description here is omitted.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下に実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明する。   The present invention will be described more specifically with reference to the following examples.

[実施例]
(画素電極および補助電極形成工程)
膜厚0.7mmの無アルカリガラスからなる基板上に、膜厚150nmのクロム膜をパターン状に成膜して画素電極を形成した。その後、上記画素電極の間に膜厚150nmのクロム膜をストライプ状に成膜して補助電極を形成した。
[Example]
(Pixel electrode and auxiliary electrode formation process)
A pixel electrode was formed by forming a chromium film with a thickness of 150 nm in a pattern on a substrate made of alkali-free glass with a thickness of 0.7 mm. Thereafter, a chromium film having a thickness of 150 nm was formed between the pixel electrodes in a stripe shape to form an auxiliary electrode.

(スペーサ部形成工程)
次に、画素電極と補助電極において接触部を形成する領域との間に、フォトリソグラフィー法によりスペーサ部を形成した。なお、スペーサ部の平面形状は枠状であり、縦断面形状は順テーパー形状であった。また、スペーサ部の高さは1.5μmであった。
(Spacer formation process)
Next, a spacer portion was formed by a photolithography method between the pixel electrode and the region where the contact portion is formed in the auxiliary electrode. The planar shape of the spacer portion was a frame shape, and the vertical cross-sectional shape was a forward tapered shape. The height of the spacer portion was 1.5 μm.

(有機EL層形成工程)
次に、画素電極上に0.1μmの正孔注入層を形成し、次いで正孔注入層上に0.3μmの発光層を形成した。その後、発光層上に0.3μmの電子輸送層を形成し、有機EL層とした。なお、上記有機EL層は画素電極上に形成するとともに、補助電極上にも形成した。
(Organic EL layer formation process)
Next, a 0.1 μm hole injection layer was formed on the pixel electrode, and then a 0.3 μm light emitting layer was formed on the hole injection layer. Thereafter, an electron transport layer having a thickness of 0.3 μm was formed on the light emitting layer to obtain an organic EL layer. The organic EL layer was formed on the pixel electrode and also on the auxiliary electrode.

このようにして、有機EL層側基板を形成した。   In this way, an organic EL layer side substrate was formed.

(減圧密封工程および密着工程)
続いて、第1圧力として50Paの真空度に設定された真空チャンバー内において、あらかじめパターン外周部に弱粘着層を形成させた有機EL層側基板に、厚み100μmのPETを用いた蓋部を対向させ、上記有機EL層側基板の表面へ上記蓋部を接触させ、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を密封した。その後、真空チャンバー内に窒素ガスを流入させることにより、チャンバー内を第2圧力である常圧に戻して有機EL層側基板と蓋部とを密着させた。
(Reduced pressure sealing process and adhesion process)
Subsequently, in a vacuum chamber set to a vacuum degree of 50 Pa as the first pressure, a lid portion using PET having a thickness of 100 μm is opposed to the organic EL layer side substrate on which a weak adhesive layer is previously formed on the outer periphery of the pattern. The lid was brought into contact with the surface of the organic EL layer side substrate, and the space between the organic EL layer side substrate and the lid was sealed. Thereafter, nitrogen gas was allowed to flow into the vacuum chamber, thereby returning the inside of the chamber to the normal pressure, which was the second pressure, and bringing the organic EL layer side substrate and the lid portion into close contact with each other.

(接触部形成工程)
次に、蓋部を介してエネルギー密度500mJ/cm、スポット径10μmφ、波長355nm、パルス幅5nsecのYAGレーザー光を照射して、補助電極を覆う有機層を除去し、補助電極を露出させて接触部を形成した。なお、レーザー光の照射回数は形成する接触部1箇所あたり1回とした。
(Contact part formation process)
Next, YAG laser light having an energy density of 500 mJ / cm 2 , a spot diameter of 10 μmφ, a wavelength of 355 nm, and a pulse width of 5 nsec is irradiated through the lid to remove the organic layer covering the auxiliary electrode, and the auxiliary electrode is exposed. A contact portion was formed. In addition, the frequency | count of irradiation of a laser beam was 1 time per contact part formed.

(電子注入層および透明電極層形成工程)
その後、蓋部を剥離して、接触部において露出した補助電極に電気的に接続されるようにフッ化リチウムを膜厚0.5nmとなるように真空蒸着法により成膜し、電子注入層を形成した。次いで、カルシウムを膜厚10nm、アルミニウムを膜厚5nmとなるように真空蒸着法により成膜し、透明電極層を形成した。
(Electron injection layer and transparent electrode layer forming step)
Thereafter, the lid is peeled off, and lithium fluoride is deposited by vacuum deposition so as to have a thickness of 0.5 nm so as to be electrically connected to the auxiliary electrode exposed at the contact portion, and the electron injection layer is formed. Formed. Next, the film was formed by vacuum deposition so that the calcium film thickness was 10 nm and the aluminum film thickness was 5 nm to form a transparent electrode layer.

このようにして有機EL表示装置を作製した。   In this way, an organic EL display device was produced.

(評価)
作製した有機EL表示装置の発光評価を行った。有機EL層側基板上に形成された補助電極に接続している取り出し電極をマイナス端子に、画素電極に接続している取り出し電極側をプラス端子に接続し、電流を流したところ、上記有機EL表示装置の発光が確認された。以上より、有機EL表示装置で、補助電極と透明電極とを電気的に接続可能な接触部は、上述した照射条件のレーザー光を1回照射することにより形成可能であることが確認された。
(Evaluation)
The produced organic EL display device was evaluated for light emission. When the extraction electrode connected to the auxiliary electrode formed on the substrate on the organic EL layer side is connected to the minus terminal, the extraction electrode side connected to the pixel electrode is connected to the plus terminal, and a current is passed, the above organic EL The display device was confirmed to emit light. From the above, it was confirmed that in the organic EL display device, the contact portion that can electrically connect the auxiliary electrode and the transparent electrode can be formed by irradiating the laser beam under the irradiation conditions described above once.

1 … 有機EL層側基板
2 … 基板
3 … 画素電極
4 … 補助電極
5 … スペーサ部
6 … 有機EL層
7 … 透明電極層
8 … 蓋部
9 … 接触部
10 … トップエミッション型有機EL表示装置
11 … 密着部
12 … 台座部
13 … レーザー照射部
14 … ステージ
P … パルスレーザー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL layer side substrate 2 ... Substrate 3 ... Pixel electrode 4 ... Auxiliary electrode 5 ... Spacer part 6 ... Organic EL layer 7 ... Transparent electrode layer 8 ... Lid part 9 ... Contact part 10 ... Top emission type organic EL display device 11 ... Adhering part 12 ... Pedestal part 13 ... Laser irradiation part 14 ... Stage P ... Pulse laser

Claims (1)

基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも1層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも1層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
第1圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋部を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋部が前記有機層を介して接触するように配置して、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部の間の空間を密封する減圧密封工程と、
前記減圧密封工程で密封された前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部の外周の空間を第2圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部を密着させる密着工程と、
前記蓋部を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
前記レーザー光を照射するレーザー照射部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは、相対的に移動を行い、
前記接触部を形成する前記レーザー光の照射回数は前記接触部1箇所あたり1回であり、
前記レーザー光のパルス幅は前記補助電極上の前記有機層を1回の照射で除去可能となるパルス幅であり、
前記レーザー光の波長は紫外光領域の波長であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
A substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate, an auxiliary electrode formed between the pixel electrodes, a spacer portion formed on the substrate, and a plurality of pixel electrodes formed on the pixel electrode, An organic electroluminescence layer composed of an organic layer and having at least a light emitting layer, at least one organic layer formed on the auxiliary electrode, and an opening of the organic layer formed on the auxiliary electrode A contact portion, and the organic electroluminescence layer and a transparent electrode layer formed on the contact portion, and the spacer portion is formed between the contact portion and the pixel electrode adjacent to the contact portion. In addition, the transparent electrode layer manufactures a top emission type organic electroluminescence display device that is electrically connected to the auxiliary electrode at the contact portion. Tsu A method of manufacturing a flop emission organic electroluminescent display device,
An organic electroluminescence layer side substrate having the substrate, the pixel electrode, the auxiliary electrode, the spacer portion, and the organic electroluminescence layer, wherein at least one organic layer is formed on the entire surface of the auxiliary electrode. An organic electroluminescence layer side substrate preparation step to be prepared;
Under a first pressure, a lid portion is opposed to the organic electroluminescence layer side substrate obtained in the organic electroluminescence layer side substrate preparation step, and the lid portion contacts the top portion of the spacer portion via the organic layer. A reduced pressure sealing step that seals a space between the organic electroluminescence layer side substrate and the lid,
An adhesion step of adjusting the space around the organic electroluminescence layer side substrate and the lid portion sealed in the reduced pressure sealing step to a second pressure to bring the organic electroluminescence layer side substrate and the lid portion into close contact with each other;
A contact part forming step of irradiating a laser beam through the lid part to remove the organic layer formed on the auxiliary electrode and forming the contact part;
The laser irradiation unit for irradiating the laser light and the organic electroluminescence layer side substrate relatively move,
The number of times of irradiation of the laser beam forming the contact portion is once per one contact portion,
The pulse width of the laser light is a pulse width that enables the organic layer on the auxiliary electrode to be removed by one irradiation,
The method of manufacturing a top emission type organic electroluminescence display device, wherein the wavelength of the laser beam is a wavelength in an ultraviolet region.
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