JP6008388B2

JP6008388B2 - Organic EL panel manufacturing method and organic EL element manufacturing apparatus

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Publication number: JP6008388B2
Application number: JP2012112039A
Authority: JP
Inventors: 鎌田　英樹; 英樹鎌田
Original assignee: Lumiotec Inc
Current assignee: Lumiotec Inc
Priority date: 2012-05-16
Filing date: 2012-05-16
Publication date: 2016-10-19
Anticipated expiration: 2032-05-16
Also published as: JP2013239355A

Description

本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置に関する。 The present invention relates to an organic EL panel manufacturing method and an organic EL element manufacturing apparatus.

従来の有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）パネルに搭載される有機ＥＬ素子は、例えば以下の方法により製造されている。 An organic EL element mounted on a conventional organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) panel is manufactured, for example, by the following method.

一つの方法としては、まず、スパッタ装置等を用いてガラス基板全面に電極材料を成膜する。次にフォトリソグラフィープロセスであるレジスト塗布／露光／現像／エッチング／剥離工程を経て、所望の陽極／陰極配線パターンを形成する。さらに、陽極電極と陰極電極間のショート不良を防止するために、フォトリソグラフィープロセスにより陽極端部上に絶縁膜パターンを形成する。続いて、真空蒸着プロセスにより、メタルマスクを用い、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機ＥＬ層を成膜し、その上に陰電極を成膜し、所望のパターンを形成するものである（例えば、下記特許文献１等参照）。
その後、各種の封止工程（膜封止、液体封止、ゲル封止等）を経て有機ＥＬ照明パネルが完成する。 As one method, first, an electrode material is formed on the entire surface of the glass substrate using a sputtering apparatus or the like. Next, a desired anode / cathode wiring pattern is formed through a resist coating / exposure / development / etching / peeling process which is a photolithography process. Further, in order to prevent a short circuit failure between the anode electrode and the cathode electrode, an insulating film pattern is formed on the anode end portion by a photolithography process. Subsequently, an organic EL layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed by a vacuum deposition process using a metal mask, and a negative electrode is formed thereon. The film is formed to form a desired pattern (see, for example, Patent Document 1 below).
Then, an organic EL lighting panel is completed through various sealing processes (film sealing, liquid sealing, gel sealing, etc.).

また、他の方法として、有機ＥＬ素子の陰極のパターン化等をレーザ加工により行うものも開示されている（例えば、下記特許文献２，３、下記非特許文献１，２等参照）。 In addition, as another method, a method of performing patterning of a cathode of an organic EL element by laser processing is disclosed (for example, see Patent Documents 2 and 3 below and Non-Patent Documents 1 and 2 below).

特開２００９−２５９４１３号公報JP 2009-259413 A 特開２００４−６６２８９号公報JP 2004-66289 A 特開２００７−１５７６５９号公報JP 2007-157659 A

「薄膜レーザーパターニング装置」、［online］、 [平成24年１月12日検索]、インターネット〈ＵＲＬ：http://www.takei-ele.co.jp/tlaset.htm〉"Thin film laser patterning device", [online], [searched on January 12, 2012], Internet <URL: http://www.takei-ele.co.jp/tlaset.htm> 高岡勉、他１名、「ＩＴＯ薄膜の紫外域固体レーザによる加工技術の開発」、［online］、 [平成24年１月12日検索]、インターネット〈ＵＲＬ：http://www.fisc.jp/fstr/create/naiyou/takaoka.html〉Tsutomu Takaoka and 1 other, “Development of processing technology of ITO thin film by ultraviolet solid state laser”, [online], [searched on January 12, 2012], Internet <URL: http://www.fisc.jp /fstr/create/naiyou/takaoka.html>

しかしながら、上述した従来のフォトリソグラフィープロセスを利用して製造される有機ＥＬ素子は、塗布、露光、現像、エッチング、剥離と製造工程数も多く、ウェットプロセスが主流であるため、薬液供給及び排液処理設備等も必要となる。そのため、高価な加工装置、排液処理設備、薬液材料等によるイニシャルコスト及びランニングコストが非常に高いという問題があった。 However, the organic EL device manufactured using the above-described conventional photolithography process has many manufacturing processes such as coating, exposure, development, etching, peeling, and wet process. Processing facilities are also required. Therefore, there has been a problem that the initial cost and running cost due to expensive processing devices, drainage treatment equipment, chemical solution materials, etc. are very high.

また、従来のレーザ加工を利用して製造される有機ＥＬ素子は、レーザで被加工物を貫通加工したときに、加工物裏面に溶融金属が付着する「ドロス」とよばれるカエリやバリの発生、また、薄膜加工時において加工部の周辺に発生するスプラッシュという加工部より飛散した残骸の発生等のおそれがあり、これらのドロスやスプラッシュが発光面部の陽極電極に付着した場合には表示欠陥（輝点、滅点）不良が発生し、最悪の場合には、陰極、陽極間の上下ショートによる非点灯不良を招くおそれがあった。 In addition, organic EL devices manufactured using conventional laser processing generate burrs and burrs called “dross” where molten metal adheres to the back of the workpiece when the workpiece is penetrated with a laser. In addition, there is a risk of generation of debris scattered from the processed part called splash generated around the processed part during thin film processing. If these dross or splash adhere to the anode electrode of the light emitting surface part, display defects ( (Bright spot, dark spot) defects occurred, and in the worst case, there was a possibility of causing non-lighting defects due to a vertical short circuit between the cathode and the anode.

このようなことから本発明は、製造工程数の削減、低コスト化、環境負荷の低減、及び加工性能の向上を可能とした有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides an organic EL panel manufacturing method and an organic EL element manufacturing apparatus capable of reducing the number of manufacturing steps, reducing costs, reducing environmental burden, and improving processing performance. With the goal.

上記の課題を解決するための第１の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、基板と、前記基板上に成膜されて電極間溝により陽極部及び陽極端子電極と陰極端子電極とに分離される電極膜と、前記陽極部の前記電極間溝側の上端縁である陽極端部を覆う絶縁膜と、前記陽極部及び前記絶縁膜上に成膜される有機ＥＬ層と、前記陰極端子電極及び前記有機ＥＬ層上に成膜される陰電極部とを有し、前記絶縁膜によって前記陽極端部と前記陰電極部との間のショートまたは漏れ電流を防止するように構成された有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記電極膜が成膜手段、又は成膜手段及びレーザ加工により形成され、前記電極間溝がレーザ加工により形成され、前記絶縁膜が印刷法によりパターン形成されたことを特徴とする。 A method of manufacturing an organic EL panel according to a first aspect of the present invention for solving the above problems includes a substrate and a film formed on the substrate and separated into an anode portion, an anode terminal electrode, and a cathode terminal electrode by an interelectrode groove. An electrode film, an insulating film covering an anode end portion which is an upper end edge of the anode portion on the inter-electrode groove side, an organic EL layer formed on the anode portion and the insulating film, and the cathode terminal An organic EL device having an electrode and a negative electrode portion formed on the organic EL layer, and configured to prevent a short circuit or a leakage current between the anode end portion and the negative electrode portion by the insulating film. A method of manufacturing an organic EL panel including an EL element, wherein the electrode film is formed by a film forming unit or a film forming unit and laser processing, the inter-electrode groove is formed by laser processing, and the insulating film is printed by a printing method Characterized by pattern formation by To.

上記の課題を解決するための第２の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記電極膜が、メタルマスクを用いた前記成膜手段によって予め前記基板の外周縁から所定幅だけ内側に成膜されることにより形成されたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic EL panel according to a second invention for solving the above problems is the manufacturing method of the organic EL panel according to the first invention, the electrode film, the film forming means using a metal mask Thus, the film is formed in advance by a predetermined width inside from the outer peripheral edge of the substrate.

上記の課題を解決するための第３の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記電極膜が、前記成膜手段によって前記基板上の全面に成膜された後、前記電極間溝とともにレーザ加工によって外周縁から一定幅の部分を除去されることにより形成されたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic EL panel according to a third invention for solving the above problems is the manufacturing method of the organic EL panel according to the first invention, the electrode film, on the substrate by the film forming means The film is formed over the entire surface, and then is formed by removing a portion having a constant width from the outer peripheral edge by laser processing together with the groove between the electrodes.

上記の課題を解決するための第４の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１乃至第３のいずれかの発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記絶縁膜が、レーザ加工により前記電極間溝が形成された後、印刷法により前記陽極端部を覆うようにパターン形成されたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic EL panel according to the fourth invention for solving the above problems is the manufacturing method of the organic EL panel according to any one of the first to third invention, the insulating film by laser processing After the interelectrode groove is formed, a pattern is formed so as to cover the end of the anode by a printing method.

上記の課題を解決するための第５の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１乃至第３のいずれかの発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記電極間溝が、前記電極膜の前記陽極部及び前記陽極端子電極と前記陰極端子電極との境界上に前記絶縁膜としてレーザ吸収膜を印刷法によりパターン形成した後、前記電極膜と前記レーザ吸収膜とを前記レーザ加工により同時にパターニングすることにより形成されたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic EL panel according to a fifth invention for solving the above problems is the manufacturing method of the organic EL panel according to any one of the first to third aspects, the inter-electrode groove, the electrode After forming a laser absorption film as the insulating film on the anode part of the film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, the electrode film and the laser absorption film are formed by the laser processing. It is formed by patterning at the same time.

上記の課題を解決するための第６の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１乃至第３のいずれかの発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記電極間溝が、前記電極膜の前記陽極部及び前記陽極端子電極と前記陰極端子電極との境界上にレーザ吸収膜を印刷法によりパターン形成した後、前記電極膜と前記レーザ吸収膜とをレーザ加工により同時にパターニングすることにより形成され、前記絶縁膜が、前記レーザ吸収膜を除去したのち前記陽極端部を覆うように印刷法によりパターン形成されたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic EL panel according to the sixth invention for solving the above problems is the manufacturing method of the organic EL panel according to any one of the first to third aspects, the inter-electrode groove, the electrode By patterning the laser absorption film on the anode portion of the film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, and patterning the electrode film and the laser absorption film simultaneously by laser processing The insulating film is formed and patterned by a printing method so as to cover the end of the anode after removing the laser absorption film.

上記の課題を解決するための第７の発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１乃至第３のいずれかの発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記電極間溝が、前記電極膜の前記陽極部及び前記陽極端子電極と前記陰極端子電極との境界上に前記絶縁膜としてレーザ加工用保護膜を印刷法によりパターン形成した後、前記レーザ加工により前記電極間溝を形成する位置にレーザエネルギーを集光することで前記電極膜をパターニングして形成されたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic EL panel according to the seventh invention for solving the above problems is the manufacturing method of the organic EL panel according to any one of the first to third aspects, the inter-electrode groove, the electrode Position where the interelectrode groove is formed by laser processing after patterning a protective film for laser processing as the insulating film on the anode part of the film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by the printing method The electrode film is formed by patterning by condensing laser energy.

上記の課題を解決するための第８の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、基板上に電極膜を成膜する第一成膜手段と、レーザ加工により少なくとも前記電極膜に電極間溝を形成して該電極膜を陽極部及び陽極端子電極と陰極端子電極とに分離するレーザ加工手段と、印刷法により前記陽極部の前記電極間溝側の上端縁である陽極端部を覆うように絶縁膜を形成する印刷手段と、前記電極膜上に有機ＥＬ層及び陰電極層を順次成膜する第二成膜手段とを備えることを特徴とする。 An apparatus for manufacturing an organic EL element according to an eighth invention for solving the above-described problem includes a first film forming means for forming an electrode film on a substrate, and an interelectrode groove in at least the electrode film by laser processing. Laser processing means for forming and separating the electrode film into an anode part and an anode terminal electrode and a cathode terminal electrode, and to cover the anode end part which is the upper edge of the anode part on the inter-electrode groove side by a printing method It is characterized by comprising printing means for forming an insulating film and second film forming means for sequentially forming an organic EL layer and a negative electrode layer on the electrode film.

上記の課題を解決するための第９の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、第８の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、前記第一成膜手段が、メタルマスクを用いて前記基板の外周縁から所定幅だけ内側に前記電極膜を成膜することを特徴とする。 An organic EL element manufacturing apparatus according to a ninth invention for solving the above-mentioned problems is the organic EL element manufacturing apparatus according to the eighth invention, wherein the first film forming means uses the metal mask. The electrode film is formed on the inner side by a predetermined width from the outer peripheral edge of the substrate.

上記の課題を解決するための第１０の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、第８の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、前記第一成膜手段が、前記基板上の全面に前記電極膜を成膜し、前記レーザ加工手段が、レーザ加工により前記電極間溝の形成とともに前記電極膜の外周縁から一定幅の部分を除去することを特徴とする。 An organic EL element manufacturing apparatus according to a tenth aspect of the present invention for solving the above problem is the organic EL element manufacturing apparatus according to the eighth aspect of the present invention, wherein the first film forming means is disposed on the entire surface of the substrate. The electrode film is formed, and the laser processing means removes a portion having a constant width from the outer peripheral edge of the electrode film together with the formation of the interelectrode groove by laser processing.

上記の課題を解決するための第１１の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、第８乃至第１０のいずれかの発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、前記レーザ加工手段がレーザ加工により前記電極間溝を形成した後、前記印刷手段が、前記陽極端部を覆うように前記絶縁膜を形成することを特徴とする。 An organic EL element manufacturing apparatus according to an eleventh aspect of the present invention for solving the above problems is the organic EL element manufacturing apparatus according to any of the eighth to tenth aspects of the present invention, wherein the laser processing means performs laser processing. After the formation of the inter-electrode groove, the printing unit forms the insulating film so as to cover the end portion of the anode.

上記の課題を解決するための第１２の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、第８乃至第１０のいずれかの発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、前記印刷手段が、前記電極膜の前記陽極部及び前記陽極端子電極と前記陰極端子電極との境界上に前記絶縁膜としてレーザ吸収膜を印刷法によりパターン形成した後、前記レーザ加工手段が、前記電極膜と前記レーザ吸収膜とを前記レーザ加工により同時にパターニングして前記電極間溝を形成することを特徴とする。 An organic EL element manufacturing apparatus according to a twelfth aspect of the invention for solving the above-described problems is the organic EL element manufacturing apparatus according to any of the eighth to tenth aspects of the invention, wherein the printing means includes the electrode film. After the laser absorption film is patterned by the printing method as the insulating film on the anode portion and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode, the laser processing means includes the electrode film, the laser absorption film, and the like. Are patterned simultaneously by the laser processing to form the interelectrode groove.

上記の課題を解決するための第１３の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、第８乃至第１０のいずれかの発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、前記レーザ吸収膜を除去するレーザ吸収膜除去手段をさらに備え、前記印刷手段が、前記電極膜の前記陽極部及び前記陽極端子電極と前記陰極端子電極との境界上にレーザ吸収膜を印刷法によりパターン形成し、前記レーザ加工手段が、前記電極膜と前記レーザ吸収膜とを前記レーザ加工により同時にパターニングして前記電極間溝を形成し、前記レーザ吸収膜除去手段が、前記絶縁膜形成手段によりパターニングされた前記レーザ吸収膜を除去し、その後、前記印刷手段が、前記陽極端部を覆うように新たな絶縁膜を形成することを特徴とする。 An organic EL element manufacturing apparatus according to a thirteenth aspect of the present invention for solving the above problems is the organic EL element manufacturing apparatus according to any of the eighth to tenth aspects of the invention, wherein the laser removing film is removed. Absorbing film removing means is further provided, and the printing means forms a laser absorbing film on the anode part of the electrode film and a boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, and the laser processing means However, the electrode film and the laser absorption film are simultaneously patterned by the laser processing to form the interelectrode groove, and the laser absorption film removing means removes the laser absorption film patterned by the insulating film formation means. After the removal, the printing means forms a new insulating film so as to cover the anode end.

上記の課題を解決するための第１４の発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、第８乃至第１０のいずれかの発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、前記印刷手段が、前記電極膜の前記陽極部及び前記陽極端子電極と前記陰極端子電極との境界上に前記絶縁膜としてレーザ加工用保護膜を印刷法によりパターン形成した後、前記レーザ加工手段が、前記レーザ加工により前記電極間溝を形成する位置にレーザエネルギーを集光することで前記電極膜をパターニングして前記電極間溝を形成することを特徴とする。 An apparatus for manufacturing an organic EL element according to a fourteenth aspect of the present invention for solving the above problem is the apparatus for manufacturing an organic EL element according to any of the eighth to tenth aspects, wherein the printing means includes the electrode film. After forming a protective film for laser processing as the insulating film on the boundary between the anode portion and the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, the laser processing means performs the laser processing between the electrodes. The interelectrode groove is formed by patterning the electrode film by condensing laser energy at a position where the groove is formed.

本発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置によれば、有機ＥＬパネルの形成に、メタル成膜法とレーザ加工法と印刷法とを利用することにより、従来のフォトリソグラフィープロセスが不要となり、製造工程数を削減することができるとともに、高価な製造設備及び薬液を使用することによる排液処理設備が不要となるため設備投資を最小限に抑えることができ、且つ、環境にやさしい製造プロセスを適用することが可能となって、低コスト化かつ環境負荷の低減が可能となる。 According to the method for manufacturing an organic EL panel and the apparatus for manufacturing an organic EL element according to the present invention, conventional photolithography is performed by using a metal film forming method, a laser processing method, and a printing method for forming an organic EL panel. Processes are not required, the number of manufacturing steps can be reduced, and expensive manufacturing equipment and wastewater treatment equipment using chemicals are not required, so capital investment can be minimized and the environment It is possible to apply a manufacturing process that is easy on the environment, thereby reducing costs and reducing the environmental load.

本発明の実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the manufacturing apparatus of the organic EL element which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the manufacturing method of the organic EL element which concerns on Example 1 of this invention. 図３（ａ）は本発明の実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法の電極成膜の例を示す模式図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。FIG. 3A is a schematic diagram showing an example of electrode film formation in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 1 of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. is there. 図４（ａ）は本発明の実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法の電極パターニングの例を示す模式図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。FIG. 4A is a schematic diagram showing an example of electrode patterning in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 1 of the invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. . 図５（ａ）は本発明の実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法の絶縁膜パターン形成の例を示す模式図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。FIG. 5A is a schematic diagram showing an example of insulating film pattern formation in the method of manufacturing an organic EL element according to Example 1 of the invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view along CC ′ in FIG. It is. 図６（ａ）は本発明の実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法の有機ＥＬ層及び陰電極パターン成膜の例を示す模式図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ’断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ’断面図である。6A is a schematic diagram showing an example of organic EL layer and negative electrode pattern film formation in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 1 of the present invention, and FIG. 6B is a diagram of D in FIG. -D 'sectional drawing and FIG.6 (c) are EE' sectional drawings of Fig.6 (a). 本発明の実施例２に係る有機ＥＬ素子の製造装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the manufacturing apparatus of the organic EL element which concerns on Example 2 of this invention. 本発明の実施例２に係る有機ＥＬ素子の製造方法の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the manufacturing method of the organic EL element which concerns on Example 2 of this invention. 図９（ａ）は本発明の実施例２に係る有機ＥＬ素子の製造方法のレーザ吸収膜パターン形成及び電極パターニングの例を示す模式図、図９（ａ）は図９（ａ）の電極パターニング前の状態を示すＢ−Ｂ’断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）の電極パターニング後の状態を示すＢ−Ｂ’断面図である。FIG. 9A is a schematic view showing an example of laser absorption film pattern formation and electrode patterning in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 2 of the present invention, and FIG. 9A is an electrode patterning of FIG. 9A. BB ′ sectional view showing the previous state, FIG. 9C is a BB ′ sectional view showing the state after the electrode patterning of FIG. 9A. 図１０（ａ）は本発明の実施例２に係る有機ＥＬ素子の製造方法の有機ＥＬ層及び陰電極パターン成膜の例を示す模式図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＤ−Ｄ’断面図、図１０（ｃ）は図１０（ａ）のＥ−Ｅ’断面図である。FIG. 10A is a schematic diagram showing an example of organic EL layer and negative electrode pattern film formation in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 2 of the present invention, and FIG. 10B is D in FIG. 10A. -D 'sectional drawing and FIG.10 (c) are EE' sectional drawings of Fig.10 (a). 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置の他の例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the other example of the manufacturing apparatus of the organic EL element which concerns on this invention. 本発明の実施例３に係る有機ＥＬ素子の製造方法の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the manufacturing method of the organic EL element which concerns on Example 3 of this invention. 本発明の実施例４に係る有機ＥＬ素子の製造方法の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the manufacturing method of the organic EL element which concerns on Example 4 of this invention. 図１４（ａ）は本発明の実施例４に係る有機ＥＬ素子の製造方法のレーザ加工用保護膜パターン形成及び電極パターニングの例を示す模式図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の電極パターニング前の状態を示すＢ−Ｂ’断面図、図１４（ｃ）は図１４（ａ）の電極パターニング後の状態を示すＢ−Ｂ’断面図である。FIG. 14A is a schematic diagram showing an example of laser processing protective film pattern formation and electrode patterning in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 4 of the present invention, and FIG. 14B is a schematic diagram of FIG. BB ′ sectional view showing a state before electrode patterning, and FIG. 14C is a BB ′ sectional view showing a state after electrode patterning in FIG. 図１５（ａ）は本発明の実施例４に係る有機ＥＬ素子の製造方法の有機ＥＬ層及び陰電極パターン成膜の例を示す模式図、図１５（ｂ）は図１５のＤ−Ｄ’断面図、図１５（ｃ）は図１５（ａ）のＥ−Ｅ’断面図である。FIG. 15A is a schematic diagram showing an example of organic EL layer and negative electrode pattern film formation in the method for manufacturing an organic EL element according to Example 4 of the present invention, and FIG. 15B is DD ′ of FIG. FIG. 15C is a cross-sectional view taken along the line EE ′ of FIG. 図１６（ａ）は超短パルスレーザ光の照射によるレーザ加工の一例を示す説明図、図１６（ｂ）は超短パルスレーザ光によるレーザ加工によって形成された電極間溝の一例を示す説明図である。FIG. 16A is an explanatory diagram illustrating an example of laser processing by irradiation with an ultrashort pulse laser beam, and FIG. 16B is an explanatory diagram illustrating an example of an interelectrode groove formed by laser processing with an ultrashort pulse laser beam. It is.

以下、図面を参照しつつ本発明に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置について詳細に説明する。 Hereinafter, an organic EL panel manufacturing method and an organic EL element manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１ないし図６を用いて本発明の実施例１に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置について説明する。 An organic EL panel manufacturing method and an organic EL element manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１は本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造装置の一部を示す概略構成図である。図１に示すように、本実施例において有機ＥＬ素子の製造装置１０は、第一成膜手段としての真空成膜室１１と、レーザ加工手段としてのレーザ加工室１２と、印刷手段としての絶縁膜印刷室１３と、第二成膜手段としての成膜ユニット１４とを備えている。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a part of an organic EL element manufacturing apparatus according to this embodiment. As shown in FIG. 1, in this embodiment, the organic EL element manufacturing apparatus 10 includes a vacuum film forming chamber 11 as a first film forming means, a laser processing chamber 12 as a laser processing means, and an insulation as a printing means. A film printing chamber 13 and a film forming unit 14 as second film forming means are provided.

真空成膜室１１はメタルマスク機能付電極の成膜を行うものである。レーザ加工室１２は主に電極パターンの形成を行うものである。絶縁膜印刷室１３は絶縁膜のパターニングを行うものである。 The vacuum film formation chamber 11 is for forming an electrode with a metal mask function. The laser processing chamber 12 mainly forms an electrode pattern. The insulating film printing chamber 13 performs patterning of the insulating film.

また、成膜ユニット１４はロボット室１４ａと、該ロボット室１４ａを中心に配置された前処理室１４ｂ、第一有機成膜室１４ｃ、第二有機成膜室１４ｄ、第三有機成膜室１４ｅ、金属成膜室１４ｆ、及び搬出室１４ｇとからなる。 The film forming unit 14 includes a robot chamber 14a, a pretreatment chamber 14b, a first organic film forming chamber 14c, a second organic film forming chamber 14d, and a third organic film forming chamber 14e disposed around the robot chamber 14a. , A metal film forming chamber 14f, and a carry-out chamber 14g.

ロボット室１４ａは中央にセンター部関節ロボット（以下、ロボットという）１４Ａが配備され、このロボット１４Ａにより基板を各室１４ｂ〜１４ｇに搬送するものである。前処理室１４ｂは酸素、アルゴン等のガスをプラズマ化し、アノードカップリングもしくはアノードカップリングモードのいずれかを選択し、電極表面のプラズマ処理を行うものである。第一有機成膜室１４ｃは正孔注入層及び正孔輸送層の成膜を行うものである。第二有機成膜室１４ｄは発光層の成膜を行うものである。第三有機成膜室１４ｅは電子注入層及び電子輸送層の成膜を行うものである。金属成膜室１４ｆは陰極層の成膜を行うものである。搬出室１４ｇは基板を図示しない他のユニットへ搬出するものである。 The robot chamber 14a is provided with a center joint robot (hereinafter referred to as a robot) 14A in the center, and the robot 14A transports the substrate to the chambers 14b to 14g. The pretreatment chamber 14b is a chamber that converts a gas such as oxygen or argon into plasma, selects either anode coupling or anode coupling mode, and performs plasma treatment on the electrode surface. The first organic film forming chamber 14c is for forming a hole injection layer and a hole transport layer. The second organic film forming chamber 14d is for forming a light emitting layer. The third organic film forming chamber 14e is for forming an electron injection layer and an electron transport layer. The metal film forming chamber 14f is for forming a cathode layer. The carry-out chamber 14g is for carrying out the substrate to another unit (not shown).

なお、真空成膜室１１にはその搬入側に連設された第一搬入室１５を介して図示しない他のユニットから基板が搬入される。また、真空成膜室１１とレーザ加工室１２との間、レーザ加工室１２と絶縁膜印刷室１３との間、及び絶縁膜印刷室１３とロボット室１４ａとの間にはそれぞれ基板の搬送を行うための第一搬送室１６、第二搬送室１７、及び第三搬送室１８が連設されている。 A substrate is carried into the vacuum film formation chamber 11 from another unit (not shown) through a first carry-in chamber 15 connected to the carry-in side. Further, the substrate is transferred between the vacuum film forming chamber 11 and the laser processing chamber 12, between the laser processing chamber 12 and the insulating film printing chamber 13, and between the insulating film printing chamber 13 and the robot chamber 14a. A first transfer chamber 16, a second transfer chamber 17, and a third transfer chamber 18 are provided continuously.

このように構成される有機ＥＬ素子の製造装置１０では、図２に示すように、まず、真空成膜室１１において電極（ＩＴＯ）の成膜を行い（ステップＰ１１）、レーザ加工室１２において電極のパターニングを行い（ステップＰ１２）、絶縁膜印刷室１３において絶縁膜のパターン形成を行い（ステップＰ１３）、成膜ユニット１４において有機ＥＬ層のパターン成膜（ステップＰ１４）及び陰電極のパターン成膜（ステップＰ１５）を行う。 In the organic EL element manufacturing apparatus 10 configured as described above, as shown in FIG. 2, first, an electrode (ITO) is formed in the vacuum film forming chamber 11 (step P11), and the electrode is formed in the laser processing chamber 12. (Step P12), the insulating film pattern is formed in the insulating film printing chamber 13 (step P13), the organic EL layer pattern is formed in the film forming unit 14 (step P14), and the negative electrode pattern is formed. (Step P15) is performed.

図３ないし図７を用いて本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法について詳しく説明する。 The method for manufacturing the organic EL device according to this example will be described in detail with reference to FIGS.

まず、ステップＰ１１では、電極の成膜として、真空成膜室１１において図３に示すように基板１０１上に電極膜１０２を成膜する。
真空成膜室１１における成膜は、スパッタ成膜により行い、この際、図３（ａ）に示すように、電極膜１０２が基板１０１の外周縁から所定幅だけ内側に形成されるように、換言すると基板１０１の外周縁から所定幅内側の部分に電極材料が付着しないように、図３（ｂ）に示すメタルマスク１０８を用いて成膜を行う（以下、これをメタル成膜と称する）。
メタルマスク１０８は、電極膜１０２を形成する部分に対応して開口部１０８ａを有し、この開口部１０８ａの周囲が枠状の遮蔽部１０８ｂとなっている。なお、遮蔽部１０８ｂはその外周縁が基板１０１の外周縁より外側に設けられている。 First, in Step P11, as an electrode film formation, an electrode film 102 is formed on the substrate 101 in the vacuum film formation chamber 11 as shown in FIG.
Film formation in the vacuum film formation chamber 11 is performed by sputtering film formation. At this time, as shown in FIG. 3A, the electrode film 102 is formed inward from the outer peripheral edge of the substrate 101 by a predetermined width. In other words, film formation is performed using the metal mask 108 shown in FIG. 3B so that the electrode material does not adhere to the inner part of the predetermined width from the outer periphery of the substrate 101 (hereinafter referred to as metal film formation). .
The metal mask 108 has an opening 108a corresponding to a portion where the electrode film 102 is formed, and the periphery of the opening 108a is a frame-shaped shielding portion 108b. Note that the outer peripheral edge of the shielding part 108 b is provided outside the outer peripheral edge of the substrate 101.

次に、ステップＰ１２では、電極のパターニングとしてレーザ加工室１２において図４に示すように電極膜１０２に対しパターニングを行う。レーザ加工室１２におけるパターニングでは、電極膜１０２に対するレーザ加工を行い、図４に示すように電極膜１０２の四隅側とそれ以外の部分との間に電極間溝１０９を形成する。
これにより、陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４とが分離される。
ここで、代表的なレーザ加工方法としては、炭酸ガスレーザ、ナノ秒ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、ピコ秒レーザ、フェムト秒レーザ等を用いた方法がある。
従来、電極間溝１０９は１００μｍ以上の距離を一括でパターニングするのが一般的であるが、本実施例では、レーザ加工による加工法として、５〜１００μｍ程度のビーム幅で、並行な飛び飛び加工や一部オーバーラップさせた加工や同一箇所を複数回加工する手法を適宜利用するものとする。 Next, in step P12, the electrode film 102 is patterned in the laser processing chamber 12 as shown in FIG. In the patterning in the laser processing chamber 12, laser processing is performed on the electrode film 102, and interelectrode grooves 109 are formed between the four corners of the electrode film 102 and the other portions as shown in FIG.
As a result, the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B are separated from the cathode terminal electrode 104.
Here, as a typical laser processing method, there is a method using a carbon dioxide gas laser, a nanosecond YAG laser, an excimer laser, a picosecond laser, a femtosecond laser, or the like.
Conventionally, the inter-electrode groove 109 is generally patterned at a distance of 100 μm or more in a lump. In this embodiment, as a processing method by laser processing, a parallel jump processing with a beam width of about 5 to 100 μm is performed. A partly overlapped process and a method of processing the same part a plurality of times are appropriately used.

次に、ステップＰ１３では、絶縁膜のパターン形成として、絶縁膜印刷室１３において図５に示すように絶縁膜１０５を印刷法によりパターン形成する。印刷法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法、ディスペンス法、凸版印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の手法を利用する。本実施例において絶縁膜１０５は、陽極部１０３Ａの電極間溝１０９側の上端縁（以下、陽極端部という）１０３Ｃ及び、陽極部１０３Ａと陽極端子電極１０３Ｂとの境界部分を覆うように環状に形成されている。
なお、性能向上のため、絶縁膜１０５のパターン形成前にドライもしくはウェット洗浄プロセスを追加してもよい。 Next, in Step P13, as a pattern formation of the insulating film, the insulating film 105 is patterned by a printing method in the insulating film printing chamber 13 as shown in FIG. As the printing method, a method such as an inkjet method, a screen printing method, a dispensing method, a relief printing method, a gravure printing method, an offset printing method, or the like is used. In this embodiment, the insulating film 105 is formed in an annular shape so as to cover the upper end edge (hereinafter referred to as anode end portion) 103C on the interelectrode groove 109 side of the anode portion 103A and the boundary portion between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B. Is formed.
In order to improve performance, a dry or wet cleaning process may be added before forming the pattern of the insulating film 105.

次に、ステップＰ１４では、有機層のパターン成膜として、成膜ユニット１４の前処理室１４ｂにおいて電極表面のプラズマ処理を行った後、第一有機成膜室１４ｃ、第二有機成膜室１４ｄ、第三有機成膜室１４ｅにおいて陽極部１０３Ａ及び絶縁膜１０５上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を順次成膜することにより、図６に示す有機ＥＬ層１０６を形成する。 Next, in Step P14, after the plasma processing of the electrode surface is performed in the pretreatment chamber 14b of the deposition unit 14 as the pattern deposition of the organic layer, the first organic deposition chamber 14c and the second organic deposition chamber 14d are performed. In the third organic film formation chamber 14e, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially formed on the anode portion 103A and the insulating film 105, as shown in FIG. An organic EL layer 106 is formed.

続いて、ステップＰ１５で、陰電極のパターン成膜として、成膜ユニット１４の金属成膜室１４ｆにおいて図６に示す陰極部１０７のパターン成膜を行う。陰極部１０７は、有機ＥＬ層１０６から陰極端子電極１０４の電極間溝１０９側の部分にわたる位置に形成される。
以下のプロセスについてはここでは省略する。 Subsequently, in Step P15, pattern formation of the cathode portion 107 shown in FIG. 6 is performed in the metal film formation chamber 14f of the film formation unit 14 as pattern formation of the negative electrode. The cathode portion 107 is formed at a position extending from the organic EL layer 106 to a portion on the interelectrode groove 109 side of the cathode terminal electrode 104.
The following processes are omitted here.

本実施例に係る有機ＥＬパネルは、以上に示したように、基板１０１と、該基板１０１上に成膜されて電極間溝１０９により陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと陰極端子電極１０４とに分離される電極膜１０２と、陽極端部１０３Ｃを覆う絶縁膜１０５と、陽極部１０３Ａ及び絶縁膜１０５上に成膜される有機ＥＬ層１０６と、陰極端子電極１０４及び有機ＥＬ層１０６上に成膜される陰極部１０７とを有し、絶縁膜１０５によって陽極端部１０３Ｃと陰極部１０７との間のショートまたは漏れ電流を防止するように構成される有機ＥＬ素子であって、且つ、レーザ加工により電極間溝１０９を形成した後に、印刷法により陽極端部１０３Ｃを覆うように絶縁膜１０５をパターン形成されてなる有機ＥＬ素子を備えて構成されている。 As described above, the organic EL panel according to the present embodiment is formed on the substrate 101 and the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104 by the inter-electrode groove 109 formed on the substrate 101. The electrode film 102 to be separated, the insulating film 105 covering the anode end portion 103C, the organic EL layer 106 formed on the anode portion 103A and the insulating film 105, and the cathode terminal electrode 104 and the organic EL layer 106 are formed. An organic EL element having a cathode portion 107 formed thereon, and configured to prevent a short circuit or leakage current between the anode end portion 103C and the cathode portion 107 by the insulating film 105, and laser processing After the inter-electrode groove 109 is formed by the step, the organic EL element is formed by patterning the insulating film 105 so as to cover the anode end portion 103C by a printing method.

なお、図６に示すように、陽極部１０３Ａは表面が有機ＥＬ層１０６により覆われ、陽極端子電極１０３Ｂは陰極部１０７を成膜した時点において表面に露出している。 As shown in FIG. 6, the surface of the anode portion 103A is covered with the organic EL layer 106, and the anode terminal electrode 103B is exposed to the surface when the cathode portion 107 is formed.

このように構成される本実施例に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置によれば、有機ＥＬパネルの形成に、メタル成膜法とレーザ加工法と印刷法とを利用することにより、製造工程数を削減することができるとともに、高価な製造設備を用いることなく、また薬液を使用することによる排液処理設備も不要となるため、設備投資を最小限に抑えることができ、且つ、環境にやさしい製造プロセスを適用することが可能となって、低コスト化かつ環境負荷の低減が可能となる。 According to the organic EL panel manufacturing method and the organic EL element manufacturing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the metal film forming method, the laser processing method, and the printing method are used for forming the organic EL panel. As a result, the number of manufacturing processes can be reduced, and there is no need for expensive manufacturing equipment, and there is no need for wastewater treatment equipment by using chemicals, so capital investment can be minimized. In addition, it is possible to apply an environmentally friendly manufacturing process, thereby reducing the cost and reducing the environmental load.

図７ないし図１０を用いて本発明の実施例２に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置について説明する。 A method for manufacturing an organic EL panel and an apparatus for manufacturing an organic EL element according to Example 2 of the present invention will be described with reference to FIGS.

図７は本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造装置を示す概略構成図である。図７に示すように、本実施例において有機ＥＬ素子の製造装置２０は、図１に示し上述した実施例１の有機ＥＬ素子の製造装置１０のレーザ加工室１２と絶縁膜印刷室１３の位置を入れ替えたものである。その他の構成については、上述した実施例１の有機ＥＬ素子の製造装置１０とおおむね同様であり、同一の部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。 FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an organic EL element manufacturing apparatus according to this embodiment. As shown in FIG. 7, in this embodiment, the organic EL element manufacturing apparatus 20 includes positions of the laser processing chamber 12 and the insulating film printing chamber 13 of the organic EL element manufacturing apparatus 10 of Embodiment 1 shown in FIG. 1 and described above. Is replaced. About another structure, it is the same as that of the manufacturing apparatus 10 of the organic EL element of Example 1 mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected to the same member, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図７に示す有機ＥＬ素子の製造装置２０では、図８に示すように、まず、真空成膜室１１において電極（ＩＴＯ）の成膜を行い（ステップＰ２１）、絶縁膜印刷室１３において絶縁膜としてレーザ吸収膜のパターン形成を行い（ステップＰ２２）、レーザ加工室１２において電極のパターニングを行い（ステップＰ２３）、成膜ユニット１４において有機ＥＬ層のパターン成膜（ステップＰ２４）及び陰電極のパターン成膜（ステップＰ２５）を行う。 In the organic EL element manufacturing apparatus 20 shown in FIG. 7, as shown in FIG. 8, first, an electrode (ITO) is formed in the vacuum film forming chamber 11 (step P21), and the insulating film is printed in the insulating film printing chamber 13. The laser absorption film pattern is formed (step P22), the electrode is patterned in the laser processing chamber 12 (step P23), the organic EL layer pattern is formed in the film formation unit 14 (step P24), and the negative electrode pattern is formed. Film formation (step P25) is performed.

図９及び図１０を用いて本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法についてより詳しく説明する。以下、図９及び図１０において、実施例１で説明した部材と同一の作用を奏する部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略するものとする。 The method for manufacturing the organic EL device according to this example will be described in more detail with reference to FIGS. Hereinafter, in FIGS. 9 and 10, members having the same functions as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

まず、ステップＰ２１の処理については図２に示し上述した実施例１におけるステップＰ１１の処理と同様であり、ここでは詳しい説明を省略する。 First, the process of step P21 is the same as the process of step P11 in the first embodiment shown in FIG. 2 and described above, and detailed description thereof is omitted here.

次に、ステップＰ２２では、絶縁膜のパターン形成として、絶縁膜印刷室１３において図９（ａ），（ｂ）に示すように印刷法により絶縁膜としてのレーザ吸収膜２０５を電極膜１０２上にパターン形成する。レーザ吸収膜２０５は、陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上に一定幅で形成される。 Next, in step P22, as a pattern formation of the insulating film, in the insulating film printing chamber 13, as shown in FIGS. 9A and 9B, a laser absorption film 205 as an insulating film is formed on the electrode film 102 by a printing method. Form a pattern. The laser absorption film 205 is formed with a constant width on the boundary between the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104.

次に、ステップＰ２３では、電極のパターニングとしてレーザ加工室１２において図９（ａ），（ｃ）に示すように電極膜１０２に対しパターニングを行う。レーザ加工室１２におけるパターニングでは、レーザ吸収膜２０５の長手方向の中央部分にレーザ光を照射し、レーザ吸収膜２０５と電極膜１０２とを同時に除去して図９（ｃ）に示すように電極間溝１０９を形成する。
これにより、電極膜１０２が陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４とに分離されるとともに、レーザ吸収膜２０５が内側レーザ吸収膜２０５ａと外側レーザ吸収膜２０５ａとに分離される。 Next, in step P23, the electrode film 102 is patterned as shown in FIGS. 9A and 9C in the laser processing chamber 12 as electrode patterning. In patterning in the laser processing chamber 12, the laser absorption film 205 is irradiated with laser light at the center in the longitudinal direction, and the laser absorption film 205 and the electrode film 102 are removed at the same time, as shown in FIG. A groove 109 is formed.
As a result, the electrode film 102 is separated into the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104, and the laser absorption film 205 is separated into the inner laser absorption film 205a and the outer laser absorption film 205a.

なお、レーザ加工室１２において照射するレーザ光の波長は、この光エネルギーがレーザ吸収膜２０５の材料及び電極膜１０２の材料にできる限り多く吸収される波長域を選択することが好ましい。また、レーザ吸収膜２０５の材料としては、加工に使用するレーザ光を吸収しやすい材料であればなお好適である。 Note that the wavelength of the laser light irradiated in the laser processing chamber 12 is preferably selected so that the light energy is absorbed as much as possible by the material of the laser absorption film 205 and the material of the electrode film 102. Further, the material of the laser absorption film 205 is more preferably a material that can easily absorb the laser light used for processing.

ステップＰ２４、ステップＰ２５の処理については、図２に示し上述した実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法におけるステップＰ１４、ステップＰ１５の処理と同様に、図１０に示す有機ＥＬ層１０６、陰極部１０７の成膜を行うものであり、詳しい説明は省略する。 The processes of Step P24 and Step P25 are the same as the processes of Step P14 and Step P15 in the method of manufacturing the organic EL element according to Example 1 shown in FIG. 107 is performed, and detailed description is omitted.

本実施例に係る有機ＥＬパネルは、以上に示したように、基板１０１と、該基板１０１上に成膜されて電極間溝１０９により陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと陰極端子電極１０４とに分離される電極膜１０２と、陽極端部１０３Ｃを覆うレーザ吸収膜２０５と、陽極部１０３Ａ及びレーザ吸収膜２０５上に成膜される有機ＥＬ層１０６と、陰極端子電極１０４及び有機ＥＬ層１０６上に成膜される陰極部１０７とを有し、レーザ吸収膜２０５によって陽極端部１０３Ｃと陰極部１０７との間のショートまたは漏れ電流を防止するように構成される有機ＥＬ素子であって、且つ、電極膜１０２の陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上にレーザ吸収膜２０５を印刷法によりパターン形成した後、レーザ加工により電極膜１０２とレーザ吸収膜２０５とを同時にパターニングすることにより電極間溝１０９を形成されてなる有機ＥＬ素子を備えて構成されている。 As described above, the organic EL panel according to the present embodiment is formed on the substrate 101 and the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104 by the inter-electrode groove 109 formed on the substrate 101. The electrode film 102 to be separated, the laser absorption film 205 covering the anode end portion 103C, the organic EL layer 106 formed on the anode portion 103A and the laser absorption film 205, and the cathode terminal electrode 104 and the organic EL layer 106 An organic EL element configured to prevent a short circuit or leakage current between the anode end portion 103C and the cathode portion 107 by the laser absorption film 205, and After patterning the laser absorption film 205 on the boundary between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B of the electrode film 102 and the cathode terminal electrode 104 by a printing method, It is configured with an organic EL device formed by forming an electrode between the grooves 109 by simultaneously patterning the electrode film 102 and the laser absorbing film 205 by chromatography THE machining.

このように構成される本実施例に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置によれば、実施例１に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置による効果に加えて、電極間溝１０９の形成において、特に電極材料を使用する場合には、レーザ吸収膜１０５の材料としてできる限りレーザ光を吸収しやすい材料を使用することにより、レーザ加工で利用できるレーザ種の選択範囲を増やすことができ、プロセスマージンが大きくなって加工性能の向上が図れる。 According to the manufacturing apparatus manufacturing method and an organic EL element of the organic EL panel according to the present embodiment thus configured, in addition to the effect of the manufacturing apparatus manufacturing method and an organic EL element of the organic EL panel according to Example 1 Thus, in the formation of the interelectrode groove 109, particularly when an electrode material is used, a material that can absorb laser light as much as possible is used as the material of the laser absorption film 105. The selection range can be increased, the process margin is increased, and the processing performance can be improved.

なお、本実施例では、ステップＰ２２の処理において、レーザ吸収膜２０５を陽極端部１０３Ｃを覆うように形成したが、上述した実施例１と同様に、陽極部１０３Ａと陽極端子電極１０３Ｂとの境界上に形成してもよいことは言うまでもない。 In the present embodiment, the laser absorbing film 205 is formed so as to cover the anode end portion 103C in the process of step P22. However, as in the first embodiment, the boundary between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B is formed. Needless to say, it may be formed above.

図１１及び図１２を用いて本発明の実施例３に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置について説明する。 An organic EL panel manufacturing method and an organic EL element manufacturing apparatus according to Example 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 and 12.

図１１は本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造装置を示す概略構成図である。図１１に示すように、本実施例において有機ＥＬ素子の製造装置３０は、図１に示し上述した有機ＥＬ素子の製造装置１０のレーザ加工室１２及び絶縁膜印刷室１３に代えて、パターニングユニット３１を設けたものである。その他の構成については、上述した実施例１の有機ＥＬ素子の製造装置１０とおおむね同様であり、同一の部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。 FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing an organic EL element manufacturing apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 11, in this embodiment, the organic EL element manufacturing apparatus 30 is replaced with a patterning unit in place of the laser processing chamber 12 and the insulating film printing chamber 13 of the organic EL element manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 31 is provided. About another structure, it is the same as that of the manufacturing apparatus 10 of the organic EL element of Example 1 mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected to the same member, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

パターニングユニット３１は、ロボット室３１ａと、該ロボット室３１ａを中心に配置された印刷手段の一つとしての第一絶縁膜印刷室３１ｂ、レーザ加工手段としてのレーザ加工室３１ｃ、レーザ吸収膜除去手段としての絶縁膜除去室３１ｄ、印刷手段の一つとしての第二絶縁膜印刷室３１ｅ、及び洗浄室３１ｆとからなる。ロボット室３１ａは中央にセンター部関節ロボット（以下、ロボットという）３１Ａが配備され、このロボット３１Ａにより基板が各室３１ｂ〜３１ｆに搬送される。 The patterning unit 31 includes a robot chamber 31a, a first insulating film printing chamber 31b as one of printing means disposed around the robot chamber 31a, a laser processing chamber 31c as laser processing means, and a laser absorption film removing means. And the second insulating film printing chamber 31e as one of the printing means and the cleaning chamber 31f. The robot chamber 31a is provided with a center joint robot (hereinafter referred to as a robot) 31A in the center, and the robot 31A transports the substrate to the chambers 31b to 31f.

第一絶縁膜印刷室３１ｂ、第二絶縁膜印刷室３１ｅは絶縁膜のパターニングを行うものである。レーザ加工室３１ｃは主に電極パターンの形成を行うものである。絶縁膜除去室３１ｄは酸素プラズマアッシング（灰化）によるドライ法又は剥離液を使用したウェット法によりレーザ吸収膜の除去を行うものである。。洗浄室３１ｆは窒素ガス、ＣＤＡ（クリーンドライエア）、イオン化エアー、超音波エアー等のドライ洗浄、またはブラシ、超音波、高圧の界面活性剤入り洗浄液もしくは純水を用いたウェット洗浄を行うものである。 The first insulating film printing chamber 31b and the second insulating film printing chamber 31e perform patterning of the insulating film. The laser processing chamber 31c mainly forms an electrode pattern. The insulating film removal chamber 31d is for removing the laser absorption film by a dry method using oxygen plasma ashing (ashing) or a wet method using a stripping solution. . The cleaning chamber 31f performs dry cleaning such as nitrogen gas, CDA (clean dry air), ionized air, ultrasonic air, etc., or wet cleaning using a brush, ultrasonic cleaning liquid containing high-pressure surfactant, or pure water. .

なお、真空成膜室１１とロボット室３１ａとの間、ロボット室３１ａとロボット室１４ａとの間にはそれぞれ基板の搬送を行うための第二搬送室３２、第三搬送室３３が連設されている。 A second transfer chamber 32 and a third transfer chamber 33 for transferring substrates are connected between the vacuum film forming chamber 11 and the robot chamber 31a and between the robot chamber 31a and the robot chamber 14a, respectively. ing.

図１１に示す有機ＥＬ素子の製造装置３０では、図１２に示すように、まず、真空成膜室１１において電極（ＩＴＯ）の成膜を行い（ステップＰ３１）、第一絶縁膜印刷室３１ｂにおいて絶縁膜としてレーザ吸収膜のパターン形成を行い（ステップＰ３２）、レーザ加工室３１ｃにおいて電極のパターニングを行い（ステップＰ３３）、絶縁膜除去室３１ｄにおいてレーザ吸収膜の除去を行い（ステップＰ３４）、第二絶縁膜印刷室３１ｅにおいて絶縁膜のパターン形成を行い（ステップＰ３５）、成膜ユニット１４において有機ＥＬ層のパターン成膜（ステップＰ３６）及び陰電極のパターン成膜（ステップＰ３７）を行う。 In the organic EL element manufacturing apparatus 30 shown in FIG. 11, as shown in FIG. 12, first, an electrode (ITO) is formed in the vacuum film forming chamber 11 (step P31), and in the first insulating film printing chamber 31b. A pattern of a laser absorbing film is formed as an insulating film (step P32), an electrode is patterned in the laser processing chamber 31c (step P33), and the laser absorbing film is removed in the insulating film removing chamber 31d (step P34). The insulating film pattern is formed in the two insulating film printing chamber 31e (step P35), and the organic EL layer pattern film formation (step P36) and the negative electrode pattern film formation (step P37) are performed in the film formation unit.

以下、本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法についてより詳しく説明する。 Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL device according to this example will be described in more detail.

まず、ステップＰ３１，Ｐ３２，Ｐ３３の処理については図３，８，９に示し上述した実施例２におけるステップＰ２１，Ｐ２２，Ｐ２３の処理と同様であり、ここでは詳しい説明を省略する。 First, the processes of steps P31, P32, and P33 are the same as the processes of steps P21, P22, and P23 in the second embodiment shown in FIGS. 3, 8, and 9, and detailed description thereof is omitted here.

ステップＰ３４では、レーザ吸収膜の除去として、絶縁膜除去室３１ｄにおいてレーザ吸収膜２０５の除去を行う。これにより、図４に示し上述した状態と同様の状態が得られる。 In Step P34, the laser absorption film 205 is removed in the insulating film removal chamber 31d as the removal of the laser absorption film. Thereby, a state similar to the state shown in FIG. 4 and described above is obtained.

ステップＰ３５，Ｐ３６，Ｐ３７の処理については、図２，５，６に示し上述した実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法におけるステップＰ１３，Ｐ１４，Ｐ１５の処理と同様であり、詳しい説明は省略する。 The processes of Steps P35, P36, and P37 are the same as the processes of Steps P13, P14, and P15 in the method for manufacturing the organic EL element according to Example 1 shown in FIGS. To do.

本実施例に係る有機ＥＬパネルは、以上に示したように、基板１０１と、該基板１０１上に成膜されて電極間溝１０９により陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと陰極端子電極１０４とに分離される電極膜１０２と、陽極端部１０３Ｃを覆う絶縁膜１０５と、陽極部１０３Ａ及び絶縁膜１０５上に成膜される有機ＥＬ層１０６と、陰極端子電極１０４及び有機ＥＬ層１０６上に成膜される陰極部１０７とを有し、絶縁膜１０５によって陽極端部１０３Ｃと陰極部１０７との間のショートまたは漏れ電流を防止するように構成される有機ＥＬ素子であって、且つ、電極膜１０２の陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、印刷法により陰極端子電極１０４との境界上にレーザ吸収膜２０５をパターン形成した後、レーザ加工により電極膜１０２とレーザ吸収膜２０５とを同時にパターニングして電極間溝１０９を形成し、その後、レーザ吸収膜２０５を除去し、更に、印刷法により陽電極端部１０３Ｃを覆うように絶縁膜１０５をパターン形成されてなる有機ＥＬ素子を備えて構成されている。 As described above, the organic EL panel according to the present embodiment is formed on the substrate 101 and the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104 by the inter-electrode groove 109 formed on the substrate 101. The electrode film 102 to be separated, the insulating film 105 covering the anode end portion 103C, the organic EL layer 106 formed on the anode portion 103A and the insulating film 105, and the cathode terminal electrode 104 and the organic EL layer 106 are formed. An organic EL element configured to prevent a short circuit or leakage current between the anode end portion 103C and the cathode portion 107 by the insulating film 105, and an electrode film The laser absorption film 205 is patterned on the boundary between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B of 102 and the cathode terminal electrode 104 by a printing method, and then the electric power is obtained by laser processing. The film 102 and the laser absorption film 205 are simultaneously patterned to form an interelectrode groove 109, and then the laser absorption film 205 is removed, and further, the insulating film 105 is patterned so as to cover the positive electrode end 103C by a printing method. The organic EL element thus formed is provided.

このように構成される本実施例に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置によれば、上述した実施例１、実施例２に係る有機ＥＬパネル及び有機ＥＬ素子の製造装置による効果に加えて、レーザ吸収膜２０５と電極膜１０２とを同時にレーザ加工した後、レーザ吸収膜２０５のみを除去し、新たに陽極端部１０３Ｃ及び、陽極部１０３Ａと陽極端子電極１０３Ｂとの境界部分に印刷法により絶縁膜パターンを形成することにより、レーザ加工後に発生したレーザ吸収膜２０５と電極膜１０２のスプラッシュやドロス等を完全に除去してレーザ加工後の不要な残骸による表示不良を大幅に低減することができ、加工性能及び歩留まりの向上が図れる。 According to the organic EL panel manufacturing method and the organic EL element manufacturing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the organic EL panel and the organic EL element manufacturing apparatus according to the first and second embodiments described above. In addition to the effect, the laser absorption film 205 and the electrode film 102 are simultaneously laser processed, and then only the laser absorption film 205 is removed to newly form the anode end portion 103C and the boundary portion between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B. By forming the insulating film pattern on the surface, the laser absorption film 205 and the electrode film 102 generated after laser processing are completely removed from the splash and dross, and display defects due to unnecessary debris after laser processing are greatly reduced. Therefore, the processing performance and the yield can be improved.

図１３ないし図１６を用いて本発明の実施例４に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置について説明する。 A method for manufacturing an organic EL panel and an apparatus for manufacturing an organic EL element according to Example 4 of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施例は、図７に示し上述した実施例２における有機ＥＬ素子の製造装置２０を用い、図１３に示すように、まず、真空成膜室１１において電極（ＩＴＯ）の成膜を行い（ステップＰ４１）、絶縁膜印刷室１３において絶縁膜のパターン形成を行い（ステップＰ４２）、レーザ加工室１２において電極のパターニングを行い（ステップＰ４３）、成膜ユニット１４において有機ＥＬ層のパターン成膜（ステップＰ４４）及び陰電極のパターン成膜（ステップＰ４５）を行うものである。 In this example, using the organic EL element manufacturing apparatus 20 in Example 2 shown in FIG. 7 and described above, first, an electrode (ITO) is formed in the vacuum film forming chamber 11 as shown in FIG. In step P41), an insulating film pattern is formed in the insulating film printing chamber 13 (step P42), an electrode is patterned in the laser processing chamber 12 (step P43), and an organic EL layer pattern is formed in the film forming unit 14 (step P43). Step P44) and negative electrode pattern film formation (Step P45) are performed.

図１４ないし図１６を用いて本実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法についてより詳しく説明する。 The manufacturing method of the organic EL device according to this example will be described in more detail with reference to FIGS.

まず、ステップＰ４１の処理については図２，３に示し上述した実施例１におけるステップＰ１１の処理と同様であり、ここでは詳しい説明を省略する。 First, the process of step P41 is similar to the process of step P11 in the first embodiment shown in FIGS. 2 and 3 and described above, and detailed description thereof is omitted here.

次に、ステップＰ４２では、絶縁膜のパターン形成として、絶縁膜印刷室１３において図１４（ａ），（ｂ）に示すように印刷法により絶縁膜としてのレーザ加工用保護膜４０５を電極膜１０２上にパターン形成する。レーザ加工用保護膜４０５は、陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上に一定幅で形成される。 Next, in step P42, as the insulating film pattern formation, in the insulating film printing chamber 13, as shown in FIGS. A pattern is formed on top. The protective film 405 for laser processing is formed with a constant width on the boundary between the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104.

次に、ステップＰ４３では、電極のパターニングとしてレーザ加工室１２において図１４（ａ），（ｃ）に示すように電極膜１０２に対しパターニングを行う。レーザ加工室１２におけるパターニングでは、陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上に図１６（ａ）に示すようにレーザ光を照射し、電極膜１０２を除去して電極間溝１０９を形成する。
より詳しくは、電極膜１０２の陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上であってレーザ加工用保護膜４０５下に、集光したフェムト秒レーザ等、パルス幅（パルス持続時間）がピコ秒以下の超短パルスレーザ光を照射し、「多光子吸収」と呼ばれる現象を利用することにより、レーザ加工用保護膜４０５下の電極膜１０２を除去し、電極間溝１０９を形成する。 Next, in step P43, the electrode film 102 is patterned in the laser processing chamber 12 as shown in FIGS. In the patterning in the laser processing chamber 12, the boundary between the anode part 103A and the anode terminal electrode 103B and the cathode terminal electrode 104 is irradiated with laser light as shown in FIG. An interstitial groove 109 is formed.
More specifically, a pulse width (pulse width) such as a focused femtosecond laser on the boundary between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B of the electrode film 102 and the cathode terminal electrode 104 and below the protective film 405 for laser processing. The electrode film 102 under the laser processing protective film 405 is removed by irradiating an ultrashort pulse laser beam having a duration of less than picoseconds and utilizing a phenomenon called “multi-photon absorption”. Form.

ここで、超短パルスレーザ光によるレーザ加工では、集光レンズで電極膜１０２にレーザ光をフォーカスすることにより、レーザエネルギーを電極間溝１０９を形成する位置に集中的に照射し、爆発的に電極膜１０２を飛散させ、飛散物をレーザ加工用保護膜４０５と基板１０１内壁面に付着させ閉じ込める。
局部集中したレーザ光のエネルギーは電極膜１０１を飛散させるレベル以上の加工しきい値となるようにし、且つ、レーザ集光部前後のエネルギー量は、レーザ加工用保護膜４０５及び基板１０１に対しては、加工しきい値以下となるように、フォーカス位置、大きさとレーザ出力が最適値になるように設定する。
特に基板１０１のレーザ加工部は、電極膜１０２の材料の残渣が残らない程度までレーザ加工部を拡げる。
これにより、例えば図１６（ｂ）に示す例では、陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上にある電極膜１０２、並びに、該電極膜１０２の上下に位置するレーザ加工用保護膜４０５及び基板１０１の一部が除去され、陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４とが分離される。 Here, in the laser processing using the ultrashort pulse laser light, the laser light is focused on the electrode film 102 with a condensing lens, so that the laser energy is focused on the position where the inter-electrode groove 109 is formed, and explosively. The electrode film 102 is scattered, and the scattered matter is attached and confined to the protective film 405 for laser processing and the inner wall surface of the substrate 101.
The energy of the locally concentrated laser beam is set to a processing threshold level that is higher than the level at which the electrode film 101 is scattered, and the energy amount before and after the laser condensing unit is relative to the protective film 405 for laser processing and the substrate 101. Is set so that the focus position, size, and laser output become optimum values so that they are below the processing threshold.
In particular, the laser processing portion of the substrate 101 is expanded to such an extent that no residue of the material of the electrode film 102 remains.
Thus, for example, in the example shown in FIG. 16B, the electrode film 102 on the boundary between the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B and the cathode terminal electrode 104, and the laser positioned above and below the electrode film 102 A part of the protective film 405 for processing and the substrate 101 is removed, and the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104 are separated.

ステップＰ４４、ステップＰ４５の処理については、図２，５，６に示し上述した実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法におけるステップＰ１４、ステップＰ１５の処理と同様に、図１５に示す有機ＥＬ層１０６、陰極部１０７の成膜を行うものであり、詳しい説明は省略する。 The processing of Step P44 and Step P45 is similar to the processing of Step P14 and Step P15 in the method of manufacturing the organic EL element according to Example 1 shown in FIGS. 106 and the cathode portion 107 are formed, and detailed description thereof is omitted.

本実施例に係る有機ＥＬパネルは、以上に示したように、基板１０１と、該基板１０１上に成膜されて電極間溝１０９により陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと陰極端子電極１０４とに分離される電極膜１０２と、陽極端部１０３Ｃを覆うレーザ加工用保護膜４０５と、陽極部１０３Ａ及びレーザ加工用保護膜４０５上に成膜される有機ＥＬ層１０６と、陰極端子電極１０４及び有機ＥＬ層１０６上に成膜される陰極部１０７とを有し、レーザ加工用保護膜４０５によって陽極端部１０３Ｃと陰極部１０７との間のショートまたは漏れ電流を防止するように構成される有機ＥＬ素子であって、且つ、印刷法により電極膜１０２の陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂと、陰極端子電極１０４との境界上にレーザ加工用保護膜４０５をパターン形成した後、レーザ加工により電極膜１０２のみをパターニングすることにより電極間溝１０９を形成されてなる有機ＥＬ素子を備えて構成されている。 As described above, the organic EL panel according to the present embodiment is formed on the substrate 101 and the anode portion 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104 by the inter-electrode groove 109 formed on the substrate 101. The electrode film 102 to be separated, the laser processing protective film 405 covering the anode end portion 103C, the organic EL layer 106 formed on the anode portion 103A and the laser processing protective film 405, the cathode terminal electrode 104, and the organic film An organic EL having a cathode portion 107 formed on the EL layer 106 and configured to prevent a short circuit or a leakage current between the anode end portion 103C and the cathode portion 107 by a laser processing protective film 405. The protective film 40 for laser processing is formed on the boundary between the anode terminal electrode 103B and the anode portion 103A and the anode terminal electrode 103B of the electrode film 102 by the printing method. After the patterning, and is configured with an organic EL device formed by forming an electrode between the grooves 109 by patterning only the electrode film 102 by laser processing.

このように構成される本実施例に係る有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置によれば、基板１０１とレーザ加工用保護膜４０５との間に介在する電極膜１０２のみをレーザ加工により除去して電極間溝１０９を形成することにより、レーザ加工時に発生するスプラッシュやドロス等をレーザ加工用保護膜４０５下に封じ込むことができる。これにより、有機ＥＬ層１０６上へのレーザ加工後の不要な残骸による表示不良を大幅に低減することができ、加工性能及び歩留まりの向上が図れる。 According to the organic EL panel manufacturing method and the organic EL element manufacturing apparatus according to the present embodiment configured as described above, only the electrode film 102 interposed between the substrate 101 and the laser processing protective film 405 is laser processed. Thus, the inter-electrode groove 109 is formed by removing the splash, dross, etc. generated during laser processing under the protective film 405 for laser processing. Thereby, display defects due to unnecessary debris after laser processing on the organic EL layer 106 can be significantly reduced, and processing performance and yield can be improved.

なお、上述した実施例１〜４において示した陽極部１０３Ａ及び陽極端子電極１０３Ｂ、陰極端子電極１０４のパターン形状は一例であって上述した形状に限定されるものではなく、必要に応じて種々のパターン形状とすることが可能である。 In addition, the pattern shape of the anode part 103A, the anode terminal electrode 103B, and the cathode terminal electrode 104 shown in the above-described Examples 1 to 4 is an example and is not limited to the above-described shape, and various patterns may be used as necessary. It can be a pattern shape.

また、陰極端子電極１０４の配置を４方向とする例を示したが、陰極端子電極１０４の配置は１〜３方向又は５方向以上であってもよい。 Moreover, although the example which makes arrangement | positioning of the cathode terminal electrode 104 into 4 directions was shown, the arrangement | positioning of the cathode terminal electrode 104 may be 1-3 directions or 5 directions or more.

また、上述した実施例では基板として枚様式のハード基板（ガラス、ステンレス等）を想定した記載としているが、フレキシブル基板を用いたロールツーロールの製造プロセスであってもよい。 Further, in the above-described embodiments, description is made on the assumption that a substrate-type hard substrate (glass, stainless steel, etc.) is used as the substrate, but a roll-to-roll manufacturing process using a flexible substrate may be used.

また、上述した実施例では、真空成膜室１１においてメタル成膜を行う例を示したが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、例えば、真空成膜室１１において基板１０１上の全面に電極膜１０２を成膜し、レーザ加工室１２において電極間溝１０９のパターニングと共に電極膜１０２の外周縁から一定幅の部分をレーザ加工により除去して図３（ａ）に示すような電極膜１０２とするように構成してもよい。 Moreover, although the example which performs metal film-forming in the vacuum film-forming chamber 11 was shown in the Example mentioned above, this invention is not limited to such a structure, For example, the board | substrate 101 in the vacuum film-forming chamber 11 is shown. As shown in FIG. 3A, an electrode film 102 is formed on the entire upper surface, and in the laser processing chamber 12, a portion having a constant width is removed from the outer peripheral edge of the electrode film 102 by laser processing together with patterning of the interelectrode groove 109. The electrode film 102 may be configured.

また、上述した実施例では、前処理室１４においてプラズマ処理を行う例を示したが、オゾンガス等で処理するようにしてもよい。 Moreover, although the example which performs a plasma process in the pre-processing chamber 14 was shown in the Example mentioned above, you may make it process with ozone gas etc. FIG.

本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置に適用して好適なものである。 The present invention is suitable for application to an organic EL panel manufacturing method and an organic EL element manufacturing apparatus.

１０，２０，３０有機ＥＬ素子の製造装置
１１真空成膜室
１２レーザ加工室
１３絶縁膜印刷室
１４成膜ユニット
１４ａロボット室
１４ｂ前処理室
１４ｃ第一有機成膜室
１４ｄ第二有機成膜室
１４ｅ第三有機成膜室
１４ｆ金属成膜室
１４ｇ搬出室
１４Ａセンター部関節ロボット
３１パターニングユニット
３１ａロボット室
３１ｂ第一絶縁膜印刷室
３１ｃレーザ加工室
３１ｄ絶縁膜除去室
３１ｅ第二絶縁膜印刷室
３１ｆ洗浄室
３１Ａセンター部関節ロボット
１０１基板
１０２電極膜
１０３Ａ陽極部
１０３Ｂ陽極端子電極
１０３Ｃ陽極端部
１０４陰極端子電極
１０５絶縁膜
１０６有機ＥＬ層
１０７陰極部
１０８メタルマスク
１０８ａ開口部
１０８ｂ遮蔽部
１０９電極間溝
２０５レーザ吸収膜
４０５レーザ加工用保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,20,30 Organic EL element manufacturing apparatus 11 Vacuum film forming chamber 12 Laser processing chamber 13 Insulating film printing chamber 14 Film forming unit 14a Robot chamber 14b Pretreatment chamber 14c First organic film forming chamber 14d Second organic film forming chamber 14e Third organic film forming chamber 14f Metal film forming chamber 14g Unloading chamber 14A Center joint robot 31 Patterning unit 31a Robot chamber 31b First insulating film printing chamber 31c Laser processing chamber 31d Insulating film removing chamber 31e Second insulating film printing chamber 31f Cleaning chamber 31A Center part joint robot 101 Substrate 102 Electrode film 103A Anode part 103B Anode terminal electrode 103C Anode end part 104 Cathode terminal electrode 105 Insulating film 106 Organic EL layer 107 Cathode part 108 Metal mask 108a Opening part 108b Shielding part 109 Interelectrode groove 205 Laser absorption film 405 Protective film for laser processing

Claims

A substrate, an electrode film formed on the substrate and separated into an anode portion and an anode terminal electrode and a cathode terminal electrode by an interelectrode groove, and an anode end which is an upper end edge of the anode portion on the interelectrode groove side An insulating film covering a portion, an organic EL layer formed on the anode part and the insulating film, and a negative electrode part formed on the cathode terminal electrode and the organic EL layer, A method of manufacturing an organic EL panel including an organic EL element configured to prevent a short circuit or a leakage current between the anode end portion and the negative electrode portion by a film,
The electrode film is formed by film forming means, or film forming means and laser processing,
The interelectrode groove is formed by laser processing,
A method of manufacturing an organic EL panel , wherein the insulating film is patterned by a printing method .

2. The organic EL panel according to claim 1, wherein the electrode film is formed in advance by a film forming means using a metal mask inward by a predetermined width from the outer periphery of the substrate . Manufacturing method .

The electrode film is formed by removing a portion having a constant width from an outer peripheral edge by laser processing together with the interelectrode groove after the electrode film is formed on the entire surface of the substrate by the film forming means. The method for producing an organic EL panel according to claim 1.

4. The insulating film according to claim 1, wherein the insulating film is patterned to cover the anode end portion by a printing method after the interelectrode groove is formed by laser processing. The manufacturing method of the organic electroluminescent panel of description.

The interelectrode groove is formed by patterning a laser absorbing film as the insulating film on the anode part of the electrode film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, and then the electrode film and the laser. 4. The method of manufacturing an organic EL panel according to claim 1, wherein the absorption film is formed by patterning simultaneously with the laser processing. 5.

The interelectrode groove is formed by patterning a laser absorption film on the anode part of the electrode film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, and then the electrode film and the laser absorption film are formed. It is formed by patterning simultaneously by laser processing,
4. The organic EL according to claim 1, wherein the insulating film is patterned by a printing method so as to cover the anode end portion after removing the laser absorption film. 5. Panel manufacturing method .

The interelectrode groove is formed by patterning a protective film for laser processing as the insulating film on the anode portion of the electrode film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method, and then by laser processing. The organic EL panel according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode film is formed by condensing laser energy at a position where the interelectrode groove is formed. Manufacturing method .

A first film forming means for forming an electrode film on the substrate;
Laser processing means for forming an interelectrode groove in at least the electrode film by laser processing and separating the electrode film into an anode portion, an anode terminal electrode, and a cathode terminal electrode;
Printing means for forming an insulating film so as to cover an anode end portion which is an upper end edge of the interelectrode groove side of the anode portion by a printing method;
An apparatus for manufacturing an organic EL element, comprising: a second film forming unit that sequentially forms an organic EL layer and a negative electrode layer on the electrode film.

9. The apparatus for manufacturing an organic EL panel according to claim 8, wherein the first film forming means forms the electrode film on the inner side by a predetermined width from the outer peripheral edge of the substrate using a metal mask.

The first film forming means forms the electrode film on the entire surface of the substrate;
9. The apparatus for manufacturing an organic EL panel according to claim 8, wherein the laser processing means removes a portion having a constant width from the outer peripheral edge of the electrode film together with the formation of the interelectrode groove by laser processing.

After the laser processing means forms the inter-electrode groove by laser processing,
11. The organic EL panel manufacturing apparatus according to claim 8, wherein the printing unit forms the insulating film so as to cover the end portion of the anode.

After the printing means pattern-forms the laser absorption film as the insulating film on the anode part of the electrode film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method,
The said laser processing means forms the said inter-electrode groove | channel by patterning the said electrode film and the said laser absorption film simultaneously by the said laser processing, It is any one of Claim 8 thru | or 10 characterized by the above-mentioned. Organic EL panel manufacturing equipment.

A laser absorbing film removing means for removing the laser absorbing film;
The printing means pattern-forms a laser absorbing film on the anode part of the electrode film and a boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method,
The laser processing means simultaneously patterning the electrode film and the laser absorption film by the laser processing to form the interelectrode groove;
The laser absorbing film removing means removes the laser absorbing film patterned by the insulating film forming means;
11. The organic EL panel manufacturing apparatus according to claim 8, wherein the printing unit forms a new insulating film so as to cover the anode end.

After the printing means pattern-forms a protective film for laser processing as the insulating film on the anode part of the electrode film and the boundary between the anode terminal electrode and the cathode terminal electrode by a printing method,
9. The interelectrode groove is formed by patterning the electrode film by focusing the laser energy at a position where the interelectrode groove is formed by the laser processing. The manufacturing apparatus of the organic electroluminescent panel of any one of Claim 10.