JP2002190390A - Repair method and manufacturing method for light- emitting device - Google Patents

Repair method and manufacturing method for light- emitting device

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JP2002190390A
JP2002190390A JP2001302587A JP2001302587A JP2002190390A JP 2002190390 A JP2002190390 A JP 2002190390A JP 2001302587 A JP2001302587 A JP 2001302587A JP 2001302587 A JP2001302587 A JP 2001302587A JP 2002190390 A JP2002190390 A JP 2002190390A
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JP2001302587A
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Inventor
Yasuyuki Arai
Mai Osada
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
康行 荒井
麻衣 長田
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for repairing a light-emitting device with which images of high quality are displayed, even if a pin hole is formed when an EL layer is film-formed. SOLUTION: When a reverse bias voltage is applied to an EL element with time intervals, almost no current flows to an EL layer but flows to a defective part which is shorted. If a large current flows to the defective part, the temperature at the part rises to burn the part, gasificate for evaporation, oxidate, or carbonize to turn into an insulating body, causing changes at the defective part. As a result, a current flowing to the EL element, when a voltage of reverse bias is applied becomes small.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成されたEL素子を、該基板とカバー材の間に封入したELパネルの修理方法及び該修理方法を用いた作製方法に関する。 The present invention relates to the an EL element formed on a substrate, to a manufacturing method using the repair method and the repair method of the EL panel encapsulated between the substrate and a cover member. また、該ELパネルにICを実装したELモジュールの修理方法に関する。 Also relates to the repair method of an EL module mounted an IC to the EL panel. なお本明細書において、ELパネル及びELモジュールを発光装置と総称する。 In this specification, generically referred to EL panel and the EL module and the light-emitting device.

【0001】 [0001]

【従来の技術】EL素子は自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置(LCD)で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。 BACKGROUND OF THE INVENTION EL devices have high visibility for emitting light themselves, with the required backlight in a liquid crystal display device (LCD) is optimal for thinning requires no, there is no limitation on a viewing angle. そのため、近年、EL素子を用いた発光装置はCR Therefore, in recent years, light emitting devices using an EL element CR
TやLCDに代わる電気光学装置として注目されている。 It has attracted attention as an electro-optical device in place of T and LCD.

【0002】EL素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス(Electro Luminescence)が得られる有機化合物を含む層(以下、EL層と記す)と、陽極層と、陰極層とを有する。 [0002] EL element has a layer containing an organic compound which luminescence (Electro Luminescence) is obtained generated by application of an electric field (hereinafter, referred to as EL layer), and an anode layer, a cathode layer. 有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とがあるが、本発明の修理方法は、どちらの発光を用いた発光装置にも適用可能である。 The luminescence in the organic compound, there are the light emission upon return light emission upon return from a singlet excited state to a ground state (fluorescence) from a triplet excited state to a ground state (phosphorescence), the repair method of the present invention is also applicable to light emitting device using either light emission.

【0003】なお、本明細書では、陽極と陰極の間に設けられた全ての層をEL層と定義する。 [0003] In this specification, it defines all layers provided between the anode and the cathode and the EL layer. EL層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、 Specifically the EL layer, the light emitting layer, a hole injection layer, an electron injection layer, a hole transport layer,
電子輸送層等が含まれる。 It includes an electron transport layer and the like. 基本的にEL素子は、陽極/ Basically EL element includes an anode /
発光層/陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極/正孔注入層/発光層/陰極や、陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極等の順に積層した構造を有していることもある。 Has an emission layer / cathode are sequentially stacked, in addition to this structure, an anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode or anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode sometimes it has layered in this order and the like.

【0004】また本明細書において、EL素子が発光することを、EL素子が駆動すると呼ぶ。 [0004] In this specification, that the EL element emits light, referred to as EL element is driven. また、本明細書中では、陽極、EL層及び陰極で形成される発光素子をEL素子と呼ぶ。 Further, in this specification, referred anode, a light emitting element formed by EL layer and the cathode and the EL element.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】一般的にEL素子は、 [Problems that the Invention is to provide a general EL element,
陽極または陰極のいずれか一方の電極を形成した後、該電極に接するようにEL層を形成し、該EL層に接するように陽極または陰極の残りの一方を形成することで作られる。 After forming the one electrode of the anode or the cathode, and forming an EL layer in contact with the electrode, it is made by forming a remaining one of the anode or cathode in contact with the EL layer.

【0006】EL層の成膜方法には、主に蒸着による成膜方法と、スピンコートによる成膜方法とがある。 [0006] The method of forming the EL layer, and a film forming method primarily due to the deposition, there is a film forming method by spin coating. いずれの方法においても、電極及びEL層を成膜する際には、ゴミ等が基板に付着しないように、成膜前に基板を洗浄したり、成膜を行うクリーンルーム内の清浄度の管理を徹底する等の努力が行われている。 In either method, when forming the electrode and the EL layer, as dust does not adhere to the substrate, or washing the substrate prior to deposition, the management of the cleanliness of a clean room for forming a film efforts such as thorough has been carried out.

【0007】しかし、上記努力にも関わらずゴミ等が電極等に付着し、成膜したEL層に穴(ピンホール)が開いてしまう場合がある。 However, adhering to despite dust or the like such as electrodes above efforts, there is a case where holes (pinholes) in the formed EL layer will open. 図12(A)に2つの電極20 Figure 12 two electrodes 20 (A)
1、202がショートした場合のEL素子200の断面図を簡単に示す。 1,202 easily shows a cross-sectional view of the EL element 200 when a short circuit. EL層203にピンホールが開くと、 When the pin hole is open to the EL layer 203,
EL層203上に電極202を形成したとき、2つの電極201と202とが、ピンホールにおいて接続し、ショートすることがある。 When forming the electrode 202 on the EL layer 203, and two electrodes 201 and 202, connected at the pinhole, it is possible to short-circuit. なお以下、発光層を間に挟んで形成された2つの層が、発光層に形成されたピンホールにおいて接触している部分を欠陥部204と呼ぶ。 Note below, two layers formed by sandwiching between a light emitting layer, the portion contacting the pin holes formed in the light emitting layer is referred to as a defective portion 204.

【0008】図13(A)に欠陥部がないEL素子の電圧−電流特性を、図13(B)に欠陥部においてショートしているEL素子の電圧−電流特性を示す。 [0008] Voltage of the EL element is not defective portion in FIG. 13 (A) - shows the current characteristics - current characteristics, voltage of the EL element is short-circuited in the defect portion in FIG. 13 (B).

【0009】図13(A)と図13(B)を比較すると、EL素子200に逆バイアスの電圧を印加したときにEL素子200に流れる電流は、図13(B)の場合のほうが大きい。 [0009] Figure 13 (A) and a comparison of FIG. 13 (B), the current flowing through the EL element 200 upon application of a reverse bias voltage to the EL element 200, is larger in the case of FIG. 13 (B).

【0010】これは、図13(A)と違って、図13 [0010] This is, unlike 13 and (A), 13
(B)の場合は欠陥部204において2つの電極がショートしているために、欠陥部204において電流が流れるためである。 For two electrodes in the defect portion 204 in the case of (B) are short-circuited, because the current flows in the defect portion 204.

【0011】欠陥部204において2つの電極201、 [0011] In the defect portion 204 two electrodes 201,
202がショートすると、EL層の発光輝度が低下する。 When 202 is short, the emission brightness of the EL layer is lowered. 図12(B)に、欠陥部を有するEL素子に順バイアスの電圧を印加したときの電流の流れを、模式的に示す。 Figure 12 (B), the current flow upon application of a forward bias voltage to the EL element having the defect portion, shown schematically.

【0012】欠陥部204において2つの電極201、 [0012] In the defect portion 204 two electrodes 201,
202がショートしている場合、欠陥部204は抵抗R If 202 is shorted, the defect portion 204 is the resistance R
SCを有し、EL素子200が有する2つの電極を接続していると考えられる。 Has a SC, are considered to be connected to two electrodes EL element 200 has. そのため、順方向の電流I oriをEL素子の一方の電極から流したとき、欠陥部204に流れる電流をI SC 、EL層203に流れる電流をI di o Therefore, upon applying a forward current I ori from one electrode of the EL element, the current flowing through the current flowing in the defect portion 204 I SC, the EL layer 203 I di o
とすると、電流I ori =I SC +I dioを満たす。 When, meet the current I ori = I SC + I dio .

【0013】よって上述した式I ori =I SC +I dioにおいてI oriが一定だとすると、欠陥部が存在するEL素子では、実際にEL層203に流れる電流I dioは小さくなる。 [0013] Thus Datosuruto I ori in formula I ori = I SC + I dio mentioned above is constant, the EL element is present defect, the current I dio that actually flows through the EL layer 203 is reduced. 欠陥部204における抵抗R SCが小さくなるとI SCが大きくなるため、この傾向が顕著となり、EL素子200の整流性はさらに崩れる。 The resistance R SC in the defect portion 204 is the I SC increases smaller, this tendency becomes remarkable, rectification of the EL element 200 further collapses.

【0014】EL層203に流れる電流I dioが小さくなると、EL素子200の発光輝度が低下する。 [0014] When the current I dio flowing through the EL layer 203 is reduced, the light emission luminance of the EL element 200 is lowered. つまり、欠陥部においてショートしていると、ショートしていない場合に比べて、順バイアスの電圧をかけた場合のEL素子の発光輝度が低い。 That is, when is shorted in the defect portion, in comparison with the case where no short circuit, low emission brightness of the EL element when a voltage is applied in forward bias.

【0015】また、EL層が複数の層を積層することで形成されている場合においても、発光層にピンホールが形成されると、該ピンホールを介して正孔注入層または正孔輸送層と、電子注入層または電子輸送層とが接続されてしまう。 Further, when the EL layer is formed by laminating a plurality of layers even when pinholes are formed in the light emitting layer, hole injection layer or a hole transport layer through the pinhole When, from being connected to the electron injection layer or an electron transport layer. この正孔注入層または正孔輸送層と、電子注入層または電子輸送層とが接続されている部分も、電極がショートしている欠陥部と同じように逆バイアスの電流が流れる状態にあるので、EL素子の発光輝度の低下の原因となる。 A hole injection layer or hole transport layer, even part where the electron injection layer or an electron transport layer are connected, the electrode is in a state in which a current flows in the reverse bias like defective portion is short-circuited , causing decrease in emission brightness of the EL element. なお以下、発光層を間に挟んで形成された2つの層が、発光層に形成されたピンホールを介して接触している部分を全て、欠陥部と総称する。 Note below, two layers formed by sandwiching between a light emitting layer, all the parts in contact through the pin holes formed in the light emitting layer, collectively referred to as defective part.

【0016】さらに、EL素子の発光輝度の低下に加えて、欠陥部においてショートしていると、欠陥部に常に電流が流れるため、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されてしまう。 Furthermore, in addition to the decrease in emission brightness of the EL element and it is short-circuited in the defect portion, since current always flows through the defect portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion will be promoted .

【0017】本発明は上記問題に鑑み、欠陥部の修理方法の考案を課題とする。 [0017] The present invention has been made in view of the above problems, an object of devising a method of repairing a defect portion.

【0018】 [0018]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、EL素子に欠陥部が形成されていても、該欠陥部における抵抗を大きくすれば、順バイアスの電圧を印加したときにEL The present inventors have SUMMARY OF THE INVENTION can be a defect portion is formed in the EL element, by increasing the resistance in the defect portion, EL upon application of a forward bias voltage
層に流れる電流が小さくなることを防ぐことができるのではないかと考えた。 The current flowing through the layer considered that it would be able to prevent the smaller.

【0019】そこで、EL素子に逆バイアスの電圧を印加し、逆バイアスの電流I revを流すことで、欠陥部における抵抗R SCを大きくする方法を考案した。 [0019] Therefore, by applying a reverse bias voltage to the EL element, a current is passed I rev reverse biased, have devised a method of increasing the resistance R SC in the defect portion.

【0020】EL素子に逆バイアスの電流I revを流すと、そのほとんどはEL層に流れずに、ショートしている欠陥部に流れる。 [0020] When a current I rev in the reverse bias to the EL element, without flowing into the most EL layer, flows into the defect portion where a short circuit. 欠陥部に流れる電流が大きいと、欠陥部の温度が上昇するために、欠陥部が焼き切れたり、 When the current flowing in the defect portion is large, because the temperature of the defect portion is raised, or burned out defective portion,
気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体になったりして、欠陥部に何らかの変化が起こり、結果的に抵抗R SCが大きくなる。 Or evaporated by vaporizing, oxidized or carbonized to be or become insulator occurs some change in defect portion, resulting in the resistance R SC is increased. なお本明細書において、逆バイアスの電流を流すことで抵抗R SCが大きくなった欠陥部を、変性層と呼ぶ。 In this specification, the defect portion whose resistance R SC is increased by flowing a reverse bias current, called a metamorphic layer.

【0021】抵抗R SCが大きくなると、EL素子に順バイアスの電圧をかけたときに、変性層に流れる電流が小さくなり、代わりにEL層に流れる電流が大きくなって、発光輝度が高くなる。 [0021] When the resistance R SC is increased, when multiplied by the forward bias voltage to the EL element, the current flowing through the modified layer is reduced, and instead the current flowing through the EL layer is increased, the light emission luminance is high.

【0022】また、欠陥部では常に電流が流れるために、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されやすかった。 Further, in order to always current flows in the defective portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion is likely promoted. しかし、変性層は抵抗R SCが高いので電流は流れにくく、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 However, the modified layer is a current does not easily flow because of the high resistance R SC, the deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0023】なお本発明の修理方法は、アクティブマトリクス型の発光装置のみならず、パッシブ型の発光装置にも用いることが可能である。 [0023] Note that the repair process of the present invention not only the active matrix light-emitting device, can be used in a passive light-emitting device.

【0024】以下に本発明の構成を示す。 [0024] shows the configuration of the present invention will be described below.

【0025】本発明によって、第1の電圧と第2の電圧を順にEL素子に印加する発光装置の修理方法であって、前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0025] According to the present invention, the first and second voltages successively to a method of repairing a light emitting device to be applied to the EL element, the first voltage and the second voltage, different heights from each other method of repairing a light emitting device which is a reverse bias voltage is provided.

【0026】本発明によって、EL素子に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させる発光装置の修理方法であって、前記第1の電圧及び前記第2 [0026] According to the present invention, the voltage applied to the EL element, a method of repairing a light emitting device which gradually changes from a first voltage to a second voltage, the first voltage and the second
の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 The voltage, a method of repairing a light emitting device is provided, which is a different reverse bias voltages of the height from each other.

【0027】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加し、前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0027] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the first between the anode and the cathode and the application of a voltage and a second voltage in order, the first voltage and the second voltage, a method of repairing a light emitting device is provided, which is a different reverse bias voltages of the height from each other .

【0028】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させ、前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0028] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, is applied between the anode and the cathode voltage, gradually changed from a first voltage to a second voltage, said first voltage and said second voltage, the light emitting device which is a reverse bias voltage having different height from each other repair method is provided.

【0029】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加することにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0029] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the first between the anode and the cathode the voltage and by applying a second voltage in order to insulate or with higher resistance of the reverse bias portion taken by the current of between the anode and the cathode, wherein the first voltage and the second voltage, method of repairing a light emitting device is provided, characterized in that mutually different heights reverse bias voltage.

【0030】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させることにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0030] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, is applied between the anode and the cathode voltage, by gradually changing from the first voltage to the second voltage, and insulated or high resistance to reverse bias portion taken by the current of between the anode and the cathode, wherein the first voltage and the second voltage, a method of repairing a light emitting device is provided, which is a different reverse bias voltages of the height from each other.

【0031】本発明は、前記第1の電圧及び前記第2の電圧が、前記EL素子のアバランシュ電圧の±15%以内に納まることを特徴としていても良い。 [0031] The present invention, the first voltage and the second voltage, it may be characterized in that falls within ± 15% of the avalanche voltage of the EL element.

【0032】本発明によって、第1の電圧と第2の電圧を順にEL素子に印加する発光装置の修理方法であって、前記第1の電圧はグランドの電圧であり、前記第2 [0032] According to the present invention, the first and second voltages successively to a method of repairing a light emitting device to be applied to the EL element, wherein the first voltage is a voltage of the ground, the second
の電圧は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 The voltage method of repairing a light emitting device which is a reverse bias voltage is provided.

【0033】本発明によって、EL素子に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させる発光装置の修理方法であって、前記第1の電圧と前記第2の電圧は、一方はグランドの電圧であり、他方は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0033] According to the present invention, the voltage applied to the EL element, a method of repairing a light emitting device which gradually changes from a first voltage to a second voltage, the first voltage and the second voltage , one is voltage of the ground, the other method of repairing a light emitting device which is a reverse bias voltage is provided.

【0034】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加し、前記第1の電圧はグランドの電圧であり、前記第2の電圧は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0034] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the first between the anode and the cathode the voltage and the second voltage are sequentially applied, the first voltage is a voltage of the ground, the repair method of the light emitting device is provided, wherein the second voltage is a reverse bias voltage .

【0035】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させ、前記第1の電圧と前記第2の電圧は、一方はグランドの電圧であり、他方は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0035] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, is applied between the anode and the cathode voltage, gradually changed from a first voltage to a second voltage, the first voltage and the second voltage, characterized in that one is a voltage of the ground and the other is a reverse bias voltage method of repairing a light emitting device is provided to.

【0036】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加することにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、前記第1の電圧はグランドの電圧であり、前記第2の電圧は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0036] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the first between the anode and the cathode of by applying a voltage and a second voltage in order to insulate or with higher resistance of the reverse bias portion taken by the current of between the anode and the cathode, wherein the first voltage is a voltage of the ground, the the second voltage method of repairing a light emitting device which is a reverse bias voltage is provided.

【0037】本発明によって、陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させることにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、前記第1の電圧と前記第2の電圧は、一方はグランドの電圧であり、他方は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。 [0037] According to the present invention, an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, is applied between the anode and the cathode voltage, by gradually changing from the first voltage to the second voltage, and insulated or high resistance to reverse bias portion taken by the current of between the anode and the cathode, wherein said first voltage second voltage, one is the voltage of the ground, the other method of repairing a light emitting device which is a reverse bias voltage is provided.

【0038】本発明は、前記逆バイアスの電圧が、前記EL素子のアバランシュ電圧の±15%以内に納まることを特徴としていても良い。 The present invention, the voltage of the reverse bias, it may be characterized in that falls within ± 15% of the avalanche voltage of the EL element.

【0039】 [0039]

【発明の実施の形態】図1を用いて本発明の修理方法について説明する。 The repairing method of the present invention will be described with reference to the DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Figure 1. 図1(A)は、欠陥部を有するEL素子に逆バイアスの電圧を印加した場合の電流の流れを、 1 (A) is, the flow of current in the case of applying a reverse bias voltage to the EL element having the defect portion,
模式的に示した図である。 Is a diagram schematically showing.

【0040】EL素子に、グランドの電圧GNDと逆バイアスの電圧V revを交互に印加する。 [0040] EL element and applies ground voltage V rev voltage GND and the reverse bias alternately. 図1(B)に、 In FIG. 1 (B),
グランドの電圧GNDと逆バイアスの電圧V revを交互に印加したときの、タイミングチャートを示す。 When applying ground voltage V rev voltage GND and the reverse bias alternately shows a timing chart. なお本実施の形態ではグランドの電圧GNDと逆バイアスの電圧V revを交互に印加したが、本発明はこの構成に限定されない。 Note that in this embodiment is applied to the alternating voltage V rev voltage GND and the reverse bias of the ground, but the present invention is not limited to this structure. 本発明では、逆バイアスの電圧をEL素子に印加するようにすれば良い。 In the present invention, it may be a reverse bias voltage to be applied to the EL element. よって、順バイアスの電圧もしくはV rev以外の逆バイアスの電圧と、逆バイアスの電圧V revを交互にEL素子に印加しても良い。 Thus, a reverse bias voltage other than or V rev forward bias, alternating voltage V rev reverse bias may be applied to the EL element.

【0041】また本実施の形態では、一定期間毎にEL [0041] Further, in this embodiment, EL at regular intervals
素子に逆バイアスの電圧をかけるが、本発明はこれに限定されない。 Applying a reverse bias voltage to the device, but the present invention is not limited thereto. EL素子に直流の逆バイアスの電圧を印加しても良い。 Reverse bias voltage of the DC to the EL element may be applied.

【0042】また、本実施の形態では、なだれ現象が起こってEL素子にアバランシュ電流が流れるまで、逆バイアスの電圧を徐々に大きくしている。 Further, in this embodiment, until the avalanche current flows to the EL element happening avalanche phenomenon is gradually increased reverse bias voltage. 本明細書において、EL素子にアバランシュ電流が流れるはじめる電圧を、アバランシュ電圧(Avalanche voltage)と呼ぶ。 In this specification, a voltage start flowing avalanche current to the EL element is referred to as avalanche voltage (Avalanche voltage).
しかし、本発明はこの構成に限定されず、EL素子に印加する電圧の高さは設計者が適宜設定することが可能である。 However, the present invention is not limited to this configuration, the height of the voltage applied to the EL element can designer to appropriately set. EL素子に印加する電圧の高さは、欠陥部を変性させることができる高さで、なおかつEL素子が壊れたり、EL層が劣化されたりしないぐらいの高さであれば良い。 The height of the voltage applied to the EL element, the height that can denature the defect, yet broken or EL element may be a height of about EL layer is not or is degraded.

【0043】また、直流で印加している逆バイアスの電圧を徐々に大きくする構成であっても良い。 [0043] Further, a reverse bias voltage is being applied with a direct current may be gradually increased construction.

【0044】さらに、一定の高さの逆バイアスの電圧を、一定期間毎にEL素子に印加しても良いし、直流で印加しても良い。 [0044] Furthermore, a reverse bias voltage of constant height may be applied to the EL element at regular intervals, it may be applied with a direct current.

【0045】一定期間毎にEL素子に逆バイアスの電圧を印加すると、欠陥部の周囲にあるEL層が、逆バイアスの電圧の印加により発生する熱などによって劣化するのを防ぐことが可能である。 [0045] By applying a reverse bias voltage to the EL element for each predetermined period, EL layer that surrounds the defect portion, it is possible to prevent the deterioration such as by heat generated by application of a reverse bias voltage .

【0046】また徐々に逆バイアスの電圧を高くすることで、修理するEL素子に最適な、逆バイアスの電圧の高さを見出しやすくなる。 [0046] Also, by gradually increasing the reverse bias voltage, optimal, easily find the height of the reverse bias voltage to EL elements to be repaired.

【0047】EL素子に逆バイアスの電圧V revが印加されると、EL素子に逆バイアスの電流I revが流れる。 [0047] When the voltage V rev reverse bias to the EL element is applied, the reverse bias current I rev flows into the EL element. 逆バイアスの電流I revは、EL層103に流れる電流をI Current I rev reverse bias, the current flowing through the EL layer 103 I dio 、欠陥部104に流れる電流をI SCとすると、I rev =I dio +I SCを満たす。 dio, when the current flowing in the defect portion 104 and I SC, satisfy I rev = I dio + I SC . しかし逆バイアスの電流はEL層にほとんど流れないので、よってI rev However, since the reverse bias current hardly flows into the EL layer, thus I rev
S Cが成り立つ。 I S C is established.

【0048】電流I revが欠陥部104に流れると、欠陥部104の温度が上昇するために、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体になったりして、変性層になる。 [0048] When the current I rev flows into the defect portion 104, to the temperature of the defect portion 104 is raised, or burned out defective portion, or evaporated by vaporizing, oxidized or carbonized and may become an insulator Te, the modified layer. よって、抵抗R SCが大きくなる。 Therefore, the resistance R SC increases.

【0049】図2(A)に、本発明の修理方法を用いたとき、欠陥部104を有するEL素子の電圧−電流特性の、時間の経過における変化を示す。 [0049] in FIG. 2 (A), when using the repair method of the present invention, the voltage of the EL element having the defect portion 104 - current characteristic showing a change in time. 電圧−電流特性のグラフは、時間の経過と共に矢印の方向に変化する。 Voltage - graph of the current characteristic changes in the direction of the arrow over time. なお、V avは、アバランシュ電圧を意味する。 In addition, V av means the avalanche voltage. 逆バイアスの電圧をかけたときに、時間の経過と共に欠陥部の抵抗R SCが大きくなり、それに伴い欠陥部を流れる電流I SC When a voltage is applied in reverse bias, the resistance R SC in the defect portion is increased with the lapse of time, the current I SC flowing through defect portion with it
が小さくなるので、EL素子に流れる電流が小さくなる。 Since decreases, the current flowing through the EL element is reduced.

【0050】図2(B)に、EL素子に順バイアスの電圧を印加したときの電流の流れを模式的に示す。 [0050] in FIG. 2 (B), showing the flow of current when a voltage is applied to the forward bias to the EL element schematically. 欠陥部を流れる電流I SCが小さくなると、順バイアスの電圧をEL素子にかけたときに、実際にEL層に流れる電流I When the current I SC flowing through the defective portion is reduced, when multiplied by the forward bias voltage to the EL element, the current actually flowing through the EL layer I
dioが大きくなり、発光輝度が高くなる。 dio increases, emission luminance is high.

【0051】本発明の方法を用いることによって、EL [0051] By using the method of the present invention, EL
層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、 Pin holes are formed due to the influence of dust or the like at the time of layer deposition,
発光層を間に挟んで形成された2つの層どうしがショートしても、ショートしている欠陥部を変性層に変えて抵抗を高めることができ、EL素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際にEL層に流れる電流を大きくすることができる。 Even if short two layers each other which are formed in between the light-emitting layer, the defect portion is short-circuited by changing the modified layer can be enhanced resistance when subjected to a forward bias voltage to the EL element Indeed it is possible to the current flowing through the EL layer is increased to. したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くすることができる。 Accordingly, the repairing method of the present invention, even if there is a defect portion, it is possible to increase the light emission luminance under the application of the same voltage.

【0052】また、欠陥部では常に電流が流れるために、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されやすかった。 [0052] In order to always current flows in the defective portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion is likely promoted. しかし、変性層は抵抗R SCが高いので電流は流れにくく、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 However, the modified layer is a current does not easily flow because of the high resistance R SC, the deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0053】 [0053]

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 EXAMPLES Hereinafter, Examples of the present invention will be described.

【0054】(実施例1)本実施例では、各画素に2つ薄膜トランジスタ(TFT)を有するアクティブマトリクス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例について説明する。 [0054] Example 1 In this example, the active matrix light-emitting device having two thin film transistors (TFT) in each pixel, an example will be described using the repair method of the present invention.

【0055】図3に本発明の修理方法を用いた発光装置の画素の回路図を示す。 [0055] shows a circuit diagram of a pixel of a light emitting device using the repairing method of the present invention in FIG. 各画素はソース信号線Si(i Each pixel is a source signal line Si (i
は1〜xのいずれか1つ)と、電源供給線Vi(iは1 The one of 1 to x), the power supply line Vi (i is 1
〜xのいずれか1つ)と、ゲート信号線Gj(jは1〜 One) with any of ~x, the gate signal line Gj (j is 1
yのいずれか1つ)とを有している。 It has one) and one of y.

【0056】また、各画素は、スイッチング用TFT3 [0056] In addition, each pixel is, for switching TFT3
01と、EL駆動用TFT302と、EL素子303 01, the EL driving TFT 302, EL element 303
と、コンデンサ304とを有している。 When, and a capacitor 304.

【0057】スイッチング用TFT301のゲート電極はゲート信号線Gjに接続されている。 [0057] The gate electrode of the switching TFT301 is connected to a gate signal line Gj. またスイッチング用TFT301のソース領域とドレイン領域は、一方はソース信号線Siに、もう一方はEL駆動用TFT3 The source region and a drain region of the switching TFT301, one to the source signal line Si, the other is EL driving TFT3
02のゲート電極に接続されている。 It is connected to the gate electrode 02.

【0058】EL駆動用TFT302のソース領域は電源供給線Viに接続されており、ドレイン領域はEL素子303が有する2つの電極のいずれか一方に接続されている。 [0058] The source region of the EL driving TFT TFT302 is connected to the power supply line Vi, the drain region is connected to either one of the two electrodes of the EL element 303. EL素子303が有する2つの電極のうち、E Of the two electrodes EL element 303 has, E
L駆動用TFT302のドレイン領域に接続されていない方は、対向電源307に接続されている。 Which is not connected to the drain region of the L drive TFT302 it is connected to the opposing power source 307.

【0059】なお、EL素子303が有する2つの電極のうち、EL駆動用TFT302のドレイン領域に接続されている電極を画素電極と呼び、対向電源307に接続されている電極を対向電極と呼ぶ。 [0059] Among the two electrodes EL element 303 has an electrode connected to the drain region of the EL driving TFT TFT302 is called a pixel electrode, called the electrode connected to the opposing power source 307 and the counter electrode.

【0060】またコンデンサ304は、EL駆動用TF [0060] The capacitor 304, EL drive for TF
T302のゲート電極と電源供給線Viとの間に形成されている。 It is formed between the gate electrode and the power supply line Vi of T302.

【0061】図4(A)に、図3に示した画素を複数有する発光装置の画素部を示す。 [0061] in FIG. 4 (A), shows a pixel portion of a light emitting device having a plurality of pixels shown in FIG. 画素部306は、ソース信号線S1〜Sxと、電源供給線V1〜Vxと、ゲート信号線G1〜Gyとを有している。 Pixel unit 306 includes a source signal line S1 to Sx, and a power supply line V1 to Vx, and gate signal lines G1 to Gy. 画素部306には複数の画素305がマトリクス状に形成されている。 A plurality of pixels 305 are formed in a matrix in the pixel portion 306.

【0062】図4(B)にEL素子303の欠陥部を修理する際の、各画素におけるTFTの動作と、電源供給線Vi及び対向電極に入力される電圧の高さを示す。 [0062] FIG. 4 (B) when repairing the defect portion of the EL element 303 to indicate the operation of the TFT in each pixel, the height of the voltage input to the power supply line Vi and the counter electrode. E
L素子303の欠陥部を修理するとき、各画素のスイッチング用TFT301及びEL駆動用TFT302は共にオンの状態にしておく。 When repairing a defect portion of the L element 303, a switching TFT301 and EL driving TFT302 of each pixel is keep the both turned on. そして電源供給線Viの電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期間毎に変化させることで、一定期間毎にEL素子に所定の逆バイアスの電流を流す。 Then the voltage of the power supply line Vi constant, by changing the voltage of the common electrode every predetermined period of time, electric current of a predetermined reverse bias to the EL element at regular intervals.

【0063】なおEL素子の欠陥の修理は、画素部30 [0063] Note that the repair of the defect of the EL element includes a pixel portion 30
6が有する全ての画素305において一斉に行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行っても良い。 To 6 may be performed simultaneously in all the pixels 305 included in, each line, or may be performed for each pixel.

【0064】本発明の方法を用いることによって、EL [0064] By using the method of the present invention, EL
層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、 Pin holes are formed due to the influence of dust or the like at the time of layer deposition,
発光層を間に挟んで形成された2つの層どうしがショートしても、ショートしている欠陥部を変性層に変えて抵抗を高めることで、EL素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際にEL層に流れる電流を大きくすることができる。 Even if short two layers each other which are formed in between the light-emitting layer, to increase the resistance by changing the defect portion is short-circuited to the modified layer, when applying a forward bias voltage to the EL element it can be increased actually the current flowing through the EL layer. したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くすることができる。 Accordingly, the repairing method of the present invention, even if there is a defect portion, it is possible to increase the light emission luminance under the application of the same voltage.

【0065】また、欠陥部では常に電流が流れるために、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されやすかった。 [0065] In order to always current flows in the defective portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion is likely promoted. しかし、変性層は抵抗R SCが高いので電流は流れにくく、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 However, the modified layer is a current does not easily flow because of the high resistance R SC, the deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0066】なお本発明の修理方法は、上記構成を有する発光装置にのみ適用可能なわけではない。 [0066] Note that the repair method of the present invention, not not be applicable only to a light-emitting device having the above structure. 本発明はあらゆる構成を有する発光装置に用いることができる。 The present invention can be used for the light-emitting device having any configuration.

【0067】(実施例2)本実施例では、各画素に3つ薄膜トランジスタ(TFT)を有するアクティブマトリクス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例について説明する。 [0067] Example 2 In this example, the active matrix light-emitting device having three thin film transistors (TFT) in each pixel, an example will be described using the repair method of the present invention.

【0068】図5に本発明の修理方法を用いた発光装置の画素の回路図を示す。 [0068] shows a circuit diagram of a pixel of a light emitting device using the repairing method of the present invention in FIG. 各画素はソース信号線Si(i Each pixel is a source signal line Si (i
は1〜xのいずれか1つ)と、電源供給線Vi(iは1 The one of 1 to x), the power supply line Vi (i is 1
〜xのいずれか1つ)と、書き込み用ゲート信号線Ga Either one) of ~x, the gate signal line Ga write
j(jは1〜yのいずれか1つ)と、消去用ゲート信号線Gej(jは1〜yのいずれか1つ)とを有している。 j (j is any one of 1 to y) and the gate signal line Gej erasing (j is one either 1 to y) and a.

【0069】また、各画素は、スイッチング用TFT5 [0069] Further, each pixel switching TFT5
01aと、消去用TFT501bと、EL駆動用TFT And 01a, and the erasing TFT501b, EL driving TFT
502と、EL素子503と、コンデンサ504とを有している。 And 502, an EL element 503, and a capacitor 504.

【0070】スイッチング用TFT501aのゲート電極は書き込み用ゲート信号線Gajに接続されている。 [0070] The gate electrode of the switching TFT501a is connected to the writing gate signal line Gaj.
またスイッチング用TFT501aのソース領域とドレイン領域は、一方はソース信号線Siに、もう一方はE The source region and a drain region of the switching TFT501a, one to the source signal line Si, the other is E
L駆動用TFT502のゲート電極に接続されている。 L is connected to the gate electrode of the driving TFT 502.

【0071】消去用TFT501bのゲート電極は消去用ゲート信号線Gejに接続されている。 [0071] The gate electrode of the erasing TFT501b is connected to the erasing gate signal line Gej. また消去用T The T for erasing
FT501bのソース領域とドレイン領域は、一方は電源供給線Viに、もう一方はEL駆動用TFT502のゲート電極に接続されている。 A source region and a drain region of FT501b, one to the power supply line Vi, and the other is connected to the gate electrode of the EL driving TFT 502.

【0072】EL駆動用TFT502のソース領域は電源供給線Viに接続されており、ドレイン領域はEL素子503が有する2つの電極のいずれか一方に接続されている。 [0072] The source region of the EL driving TFT502 is connected to the power supply line Vi, the drain region is connected to one of two electrodes EL element 503 has. EL素子503が有する2つの電極のうち、E Of the two electrodes EL element 503 has, E
L駆動用TFT502のドレイン領域に接続されていない方は、対向電源507に接続されている。 Which is not connected to the drain region of the L drive TFT502 it is connected to the opposing power source 507.

【0073】なお、EL素子503が有する2つの電極のうち、EL駆動用TFT502のドレイン領域に接続されている電極を画素電極と呼び、対向電源507に接続されている電極を対向電源と呼ぶ。 [0073] Among the two electrodes EL element 503 has an electrode connected to the drain region of the EL driving TFT TFT502 is called a pixel electrode, called the electrode connected to the opposing power source 507 and the opposing power source.

【0074】またコンデンサ504は、EL駆動用TF [0074] The capacitor 504, EL drive for TF
T502のゲート電極と電源供給線Viとの間に形成されている。 It is formed between the gate electrode and the power supply line Vi of T502.

【0075】図6(A)に、図5に示した画素を複数有する発光装置の画素部を示す。 [0075] in FIG. 6 (A), shows a pixel portion of a light emitting device having a plurality of pixels shown in FIG. 画素部506は、ソース信号線S1〜Sxと、電源供給線V1〜Vxと、書き込み用ゲート信号線Ga1〜Gayと、消去用ゲート信号線Ge1〜Geyとを有している。 Pixel unit 506 includes a source signal line S1 to Sx, and a power supply line V1 to Vx, and gate signal line Ga1~Gay write, and erasure gate signal line Ge1~Gey. 画素部506には複数の画素505がマトリクス状に形成されている。 A plurality of pixels 505 are formed in a matrix in the pixel portion 506.

【0076】図6(B)にEL素子503の欠陥部を修理する際の、各画素におけるTFTの動作と、電源供給線Vi及び対向電極に入力される電圧の高さを示す。 [0076] FIG. 6 (B) when repairing the defect portion of the EL element 503, showing the operation of the TFT in each pixel, the height of the voltage input to the power supply line Vi and the counter electrode. E
L素子503の欠陥部を修理するとき、各画素のスイッチング用TFT501a及びEL駆動用TFT502は共にオンの状態にしておく。 When repairing a defect portion of the L element 503, a switching TFT501a and EL driving TFT502 of each pixel is keep the both turned on. また、各画素の消去用TF In addition, TF erasing of each pixel
T501bはオフの状態にしておく。 T501b is left in a state of off. そして電源供給線Viの電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期間毎に変化させることで、一定期間毎にEL素子503に所定の逆バイアスの電流を流す。 Then the voltage of the power supply line Vi constant, by changing the voltage of the common electrode every predetermined period of time, electric current of a predetermined reverse bias to the EL element 503 at regular intervals.

【0077】なおEL素子503の欠陥の修理は、画素部506が有する全ての画素505において一斉に行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行っても良い。 [0077] Note that the repair of the defect of the EL element 503 may be performed simultaneously in all the pixels 505 included in the pixel portion 506, each line, or may be performed for each pixel.

【0078】本発明の方法を用いることによって、EL [0078] By using the method of the present invention, EL
層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、 Pin holes are formed due to the influence of dust or the like at the time of layer deposition,
発光層を間に挟んで形成された2つの層どうしがショートしても、ショートしている欠陥部を変性層に変えて、 Even if short two layers each other which are formed in between the light emitting layer, by changing the defect portion is short-circuited to the modified layer,
抵抗を高めることができ、EL素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際にEL層に流れる電流を大きくすることができる。 Resistance can be enhanced, can actually the current flowing through the EL layer is increased when applying a forward bias voltage to the EL element. したがって、本発明の修理方法により、 Accordingly, the repairing method of the present invention,
欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くすることができる。 It can be defect be present, to increase the light emission luminance under the application of the same voltage.

【0079】また、欠陥部では常に電流が流れるために、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されやすかった。 [0079] In order to always current flows in the defective portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion is likely promoted. しかし、変性層は抵抗R SCが高いので電流は流れにくく、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 However, the modified layer is a current does not easily flow because of the high resistance R SC, the deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0080】(実施例3)本実施例では、実施例1に示した発光装置の画素部を駆動する、駆動回路の構成について説明する。 [0080] (Embodiment 3) In this embodiment, for driving the pixel portion of the light emitting device shown in Embodiment 1, description will be given of a configuration of the drive circuit. なお、実施例1の画素部を駆動するソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路は、本実施例で示す構成に限定されない。 The source signal line driver circuit and the gate signal line driver circuit for driving the pixel portion of Embodiment 1 is not limited to the structure shown in this embodiment.

【0081】図7に、本実施例の発光装置の駆動回路をブロック図で示す。 [0081] Figure 7 shows a driving circuit of a light emitting device of this embodiment in a block diagram. 図7(A)において、601はソース信号線駆動回路であり、シフトレジスタ602、ラッチ(A)603、ラッチ(B)604を有している。 In FIG. 7 (A), 601 is a source signal line driver circuit, a shift register 602, a latch (A) 603, and a latch (B) 604.

【0082】ソース信号線駆動回路601において、シフトレジスタ602にクロック信号(CLK)およびスタートパルス(SP)が入力される。 [0082] In the source signal line driver circuit 601, a clock signal to the shift register 602 (CLK) and a start pulse (SP) are inputted. シフトレジスタ6 Shift register 6
02は、これらのクロック信号(CLK)およびスタートパルス(SP)に基づきタイミング信号を順に発生させ、バッファ等(図示せず)を通して後段の回路へタイミング信号を順次供給する。 02 generates a timing signal based on these clock signal (CLK) and a start pulse (SP) are sequentially and sequentially supplies the timing signals to the subsequent circuit via a buffer or the like (not shown).

【0083】シフトレジスタ602からのタイミング信号は、バッファ等によって緩衝増幅される。 [0083] The timing signals from the shift register 602 is buffered and amplified by the buffer or the like. タイミング信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量(寄生容量)が大きい。 Wiring the timing signal is supplied has a large load capacitance (parasitic capacitance) because many circuits or elements are connected.
この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。 To prevent "blunting" of rise or fall of the timing signal generated to the large load capacitance, this buffer is provided. なおバッファは必ずしも設ける必要はない。 The buffer is not necessarily required to be provided.

【0084】バッファによって緩衝増幅されたタイミング信号は、ラッチ(A)603に供給される。 [0084] The timing signals buffer-amplified by the buffer are supplied to the latch (A) 603. ラッチ(A)603は、nビットのデジタルビデオ信号(画像情報を有するデジタル信号)を処理する複数のステージのラッチを有している。 Latch (A) 603 has a latch of a plurality of stages for processing n-bit digital video signal (digital signal having an image information). ラッチ(A)603は、前記タイミング信号が入力されると、ソース信号線駆動回路6 Latch (A) 603, when the timing signal is input, a source signal line driving circuit 6
01の外部から供給されるnビットのデジタルビデオ信号を順次取り込み、保持する。 Sequentially takes 01 external digital video signal of n bits supplied from the holds.

【0085】なお、ラッチ(A)603にデジタルビデオ信号を取り込む際に、ラッチ(A)603が有する複数のステージのラッチに、順にデジタルビデオ信号を入力しても良い。 [0085] Incidentally, when capturing a digital video signal to the latch (A) 603, the latch of the plurality of stages latch (A) 603 has, may be sequentially receives the digital video signal. しかし本実施例はこの構成に限定されない。 However, the present embodiment is not limited to this structure. ラッチ(A)603が有する複数のステージのラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに並行して同時にデジタルビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。 Divided latch of a plurality of stages having a latch (A) 603 is the number of groups, and inputs a digital video signal simultaneously in parallel in each group, it may be carried out a so-called division driving. なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。 It should be noted is referred to as the number of divisions the number of groups at this time. 例えば4つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、4分割で分割駆動すると言う。 For example, when dividing the latch into groups every four stages, it referred to division driving with four divisions.

【0086】ラッチ(A)603の全てのステージのラッチにデジタルビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。 [0086] The time of the latch of all stages of the latch (A) 603 to write the digital video signal is completed is called a line period. 実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。 In fact, it may include a period in which a horizontal retrace period is added to the line period.

【0087】1ライン期間が終了すると、ラッチ(B) [0087] When one line period is completed, the latch (B)
604にラッチシグナル(Latch Signal)が供給される。 604 latch signal (Latch Signal) is supplied to the. この瞬間、ラッチ(A)603に書き込まれ保持されているデジタルビデオ信号は、ラッチ(B)604に一斉に送出され、ラッチ(B)604の全ステージのラッチに書き込まれ、保持される。 This moment, the digital video signal being written into the latch (A) 603 is held is sent all at once to the latch (B) 604, is written to the latches of all the stages of the latch (B) 604, it is maintained.

【0088】デジタルビデオ信号をラッチ(B)604 [0088] Digital video signals a latch (B) 604
に送出し終えたラッチ(A)603には、シフトレジスタ602からのタイミング信号に基づき、デジタルビデオ信号の書き込みが順次行われる。 The latch (A) 603 which finished sending to, based on the timing signal from the shift register 602, the writing of the digital video signal is sequentially performed.

【0089】この2順目の1ライン期間中には、ラッチ(B)603に書き込まれ、保持されているデジタルビデオ信号がソース信号線に入力される。 [0089] During this second round of the one line period, it is written into the latch (B) 603, a digital video signal held is inputted to the source signal line.

【0090】図7(B)はゲート信号線駆動回路の構成を示すブロック図である。 [0090] FIG. 7 (B) is a block diagram showing a configuration of a gate signal line driver circuit.

【0091】ゲート信号線駆動回路605は、それぞれシフトレジスタ606、バッファ607を有している。 [0091] The gate signal line driver circuit 605, the shift register 606 and a buffer 607.
また場合によってはレベルシフタを有していても良い。 It may also have a level shifter in some cases.

【0092】ゲート信号線駆動回路605において、シフトレジスタ606からのタイミング信号がバッファ6 [0092] In the gate signal line driver circuit 605, timing signals from the shift register 606 is a buffer 6
07に供給され、対応するゲート信号線に供給される。 Is supplied to the 07, it is supplied to a corresponding gate signal line.
ゲート信号線には、1ライン分の画素のスイッチング用TFTのゲート電極が接続されている。 A gate signal line, the gate electrode of the switching TFT of the pixels of one line are connected. そして、1ライン分の画素のスイッチング用TFTを一斉にONにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。 Since must be turned ON switching TFT of the pixels for one line all at once, a buffer which can feed a large current is used.

【0093】本発明の修理方法を用いる場合、ゲート信号線駆動回路によってゲート信号線に入力する信号を制御することで、スイッチング用TFTをオンにし、ソース信号線駆動回路からソース信号線に入力されるデジタル信号によってEL駆動用TFTをオンにする。 [0093] When using the repair method of the present invention, by controlling the signal input to the gate signal line by the gate signal line driver circuit, to turn on the switching TFT, and is input from the source signal line driver circuit to the source signal line to turn on the EL driving TFT by that digital signal.

【0094】なお、本実施例では、実施例1に示した画素部の駆動回路の構成について説明したが、実施例2に示した画素部の駆動回路も同様の構成を有している。 [0094] In the present embodiment has been described construction of the driving circuit of the pixel portion shown in Embodiment 1, it has the same configuration the driver circuit of the pixel portion shown in Embodiment 2. ただし実施例2に示した画素部はゲート信号線駆動回路を2つ有しており、各ゲート信号線駆動回路はそれぞれ図7(B)に示した構成を有している。 However the pixel portion shown in Embodiment 2 has a configuration shown the gate signal line driver circuit has two, in FIG. 7, respectively the gate signal line driver circuit (B). 実施例2の場合、 For Example 2,
各ゲート信号線駆動回路はそれぞれ書き込み用ゲート信号線と、消去用ゲート信号線とに入力される信号を制御している。 Each gate signal line driver circuit and the gate signal line for writing, respectively, and controls the signal input to the erasure gate signal line.

【0095】(実施例4)本実施例では、実施例1に示した発光装置の画素部を駆動する駆動回路の、実施例3 [0095] Example 4 In the present embodiment, the driving circuit for driving the pixel portion of the light emitting device shown in Example 1, Example 3
に示した場合とは別の構成について説明する。 It will be described a configuration different from the case shown in. なお、実施例1の画素部を駆動するソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路は、本実施例で示す構成に限定されない。 The source signal line driver circuit and the gate signal line driver circuit for driving the pixel portion of Embodiment 1 is not limited to the structure shown in this embodiment.

【0096】図8に本実施例のソース信号線駆動回路6 [0096] The source signal line driver circuit of the present embodiment in FIG. 8 6
11の回路図を示す。 It shows a circuit diagram of a 11. 612はシフトレジスタ、613 612 is a shift register, 613
はレベルシフタ、614はサンプリング回路を示している。 Level shifter, 614 indicates a sampling circuit.

【0097】クロック信号(CLK)、スタートパルス信号(SP)が、シフトレジスタ612に入力される。 [0097] the clock signal (CLK), the start pulse signal (SP) are input to the shift register 612.
画像情報を有するアナログの信号(アナログビデオ信号)はサンプリング回路614に入力される。 Analog signal having image information (analog video signal) is inputted to the sampling circuit 614.

【0098】シフトレジスタ612にクロック信号(C [0098] clock signal to the shift register 612 (C
LK)とスタートパルス信号(SP)が入力されると、 When LK) and the start pulse signal (SP) are input,
タイミング信号が生成されてレベルシフタ613に入力される。 The timing signal is input is generated to the level shifter 613. レベルシフタ613に入力されたタイミング信号は、その振幅が増幅されて、サンプリング回路614 Timing signal inputted to the level shifter 613, the amplitude is amplified, the sampling circuit 614
に入力される。 It is input to.

【0099】サンプリング回路614に入力されたタイミング信号によって、同じくサンプリング回路614に入力されたアナログビデオ信号がサンプリングされ、対応するソース信号線に入力される。 [0099] the input timing signal to the sampling circuit 614, likewise an analog video signal inputted to the sampling circuit 614 is sampled and input to the corresponding source signal line.

【0100】図8(B)はゲート信号線駆動回路の構成を示すブロック図である。 [0100] FIG. 8 (B) is a block diagram showing a configuration of a gate signal line driver circuit.

【0101】ゲート信号線駆動回路615は、それぞれシフトレジスタ616、バッファ617を有している。 [0102] The gate signal line driver circuit 615 includes a shift register 616 and a buffer 617.
また場合によってはレベルシフタを有していても良い。 It may also have a level shifter in some cases.

【0102】ゲート信号線駆動回路615において、シフトレジスタ616からのタイミング信号がバッファ6 [0102] In the gate signal line driver circuit 615, timing signals from the shift register 616 is a buffer 6
17に供給され、対応するゲート信号線に供給される。 Is supplied to the 17, it is supplied to a corresponding gate signal line.
ゲート信号線には、1ライン分の画素のスイッチング用TFTのゲート電極が接続されている。 A gate signal line, the gate electrode of the switching TFT of the pixels of one line are connected. そして、1ライン分の画素のスイッチング用TFTを一斉にONにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。 Since must be turned ON switching TFT of the pixels for one line all at once, a buffer which can feed a large current is used.

【0103】本発明の修理方法を用いる場合、ゲート信号線駆動回路によってゲート信号線に入力する信号を制御することで、スイッチング用TFTをオンにし、ソース信号線駆動回路からソース信号線に入力されるアナログビデオ信号によってEL駆動用TFTをオンにする。 [0103] When using the repair method of the present invention, by controlling the signal input to the gate signal line by the gate signal line driver circuit, to turn on the switching TFT, and is input from the source signal line driver circuit to the source signal line to turn on the EL driving TFT by that analog video signal.

【0104】(実施例5)本実施例では、EL層が複数の層で形成されているEL素子に、本発明の修理方法を用いる場合について説明する。 [0104] Example 5 In this example, the EL element EL layer is formed of a plurality of layers, the case of using the repair method of the present invention.

【0105】図9(A)にEL素子の構成を示す。 [0105] showing a configuration of an EL element in FIG. 9 (A). まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物(ITO)からなる陽極上に、正孔注入層として、ポリチオフェン誘導体であるPEDOTをスピンコート法により30nmの膜厚で成膜する。 First, on the anode formed of a compound which is a combination of indium oxide and tin oxide (ITO), a hole injection layer, a PEDOT is a polythiophene derivative formed in a film thickness of 30nm by spin coating. 次に、正孔輸送層としてMTDATAを20nm、α−NPDを10nm、それぞれ蒸着法により形成する。 Next, 20 nm of MTDATA as a hole transport layer, 10 nm of alpha-NPD, are respectively formed by vapor deposition. その上に発光層を形成する発光材料としてシングレット化合物であるAlq 3を蒸着法により50nmの膜厚で成膜する。 Formed in a film thickness of 50nm by vapor deposition Alq 3 is a singlet compound as a light-emitting material for forming the light emitting layer thereon. そして、陰極としてYbを400nmの膜厚に蒸着することにより、 Then, by depositing Yb as a cathode to a thickness of 400 nm,
EL素子が形成される。 EL element is formed.

【0106】上記構成を有するEL素子の発光層において、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠陥部において陰極であるYbが正孔輸送層であるα−NPD [0106] In the light-emitting layer of the EL element having the above structure, when a defective portion due to pinholes is formed, Yb is a cathode in the defect portion is a hole transport layer alpha-NPD
に接触してしまう。 Resulting in contact with.

【0107】該欠陥部を有するEL素子に一定期間毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥部が変性層に変わり、抵抗を大きくすることができる。 [0107] By supplying the reverse bias current for each predetermined period to the EL element having the defect portion, it increases the temperature of the defect portion, or burn out defective portion, or evaporated by vaporizing, oxidized or carbonized and may become an insulator Te, resulting in a defect portion is changed to modified layer, the resistance can be increased. よって、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 Therefore, deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0108】なお、このEL素子により得られる発光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギーを利用したものである。 [0108] Incidentally, light emission obtained by this EL device is obtained by utilizing singlet excitation energy from the singlet compound.

【0109】図9(B)に別のEL素子の構成を示す。 [0109] FIG. 9 (B) shows the configuration of another EL element.
まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物からなる陽極上に、正孔注入層として銅フタロシアニンを20nmの膜厚で蒸着法により形成する。 It is first formed on the anode formed of a compound which is a combination of indium oxide and tin oxide, by vapor deposition of copper phthalocyanine in a thickness of 20nm as a hole injection layer. 次に、正孔輸送層としてα−NPDを10nmの膜厚で蒸着法により形成させた。 Next, the alpha-NPD as a hole transport layer was formed by vapor deposition in a thickness of 10 nm. その上に発光層を形成する発光材料としてトリプレット化合物であるIr(ppy) 3とCBP A triplet compound as a light emitting material Ir (ppy) 3 and CBP to form a luminescent layer thereon
を蒸着法により20nmに成膜する。 The deposited to 20nm by vapor deposition. さらに発光層上に電子輸送層としてBCPを10nm、Alq 3を40n Further 10nm the BCP as an electron transporting layer on the light-emitting layer, 40n the Alq 3
m、それぞれ蒸着法により形成した後、陰極としてYb m, was formed by respectively depositing method, Yb as a cathode
を400nmの膜厚に蒸着することによりEL素子が形成される。 EL element is formed by depositing a film thickness of 400 nm.

【0110】上記構成を有するEL素子の発光層において、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠陥部において電子輸送層であるBCPが正孔輸送層であるα [0110] In the light-emitting layer of the EL element having the above structure, when a defective portion due to pinholes is formed, an electron transporting layer in the defect portion BCP Hole transporting layer α
−NPDに接触してしまう。 Resulting in contact with the -NPD.

【0111】該欠陥部を有するEL素子に一定期間毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥部が変性層に変わり抵抗を大きくすることができる。 [0111] By supplying the reverse bias current for each predetermined period to the EL element having the defect portion, it increases the temperature of the defect portion, or burn out defective portion, or evaporated by vaporizing, oxidized or carbonized and it may become an insulator Te, can be consequently defective portion is increased instead resistance modification layer. よって、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 Therefore, deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0112】なお、このEL素子により得られる発光は、トリプレット化合物による三重項励起エネルギーを利用したものである。 [0112] Incidentally, light emission obtained by this EL device is obtained by utilizing a triplet excitation energy from the triplet compounds.

【0113】図10(A)にEL素子の構成を示す。 [0113] showing a configuration of an EL device in FIG. 10 (A). まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物(ITO)からなる陽極上に、正孔注入層として、ポリチオフェン誘導体であるPEDOTをスピンコート法により30nmの膜厚で成膜する。 First, on the anode formed of a compound which is a combination of indium oxide and tin oxide (ITO), a hole injection layer, a PEDOT is a polythiophene derivative formed in a film thickness of 30nm by spin coating. その上に発光層を形成する発光材料としてシングレット化合物であるAlq 3 Alq 3 is a singlet compound as a light-emitting material for forming the light emitting layer thereon
を蒸着法により50nmの膜厚で成膜する。 The formed in a film thickness of 50nm by vapor deposition. そして、陰極としてPbを400nmの膜厚に蒸着することにより、EL素子が形成される。 Then, by depositing Pb as cathode to a thickness of 400 nm, EL elements are formed.

【0114】上記構成を有するEL素子の発光層において、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠陥部において陰極であるPbが正孔注入層であるPEDOT [0114] In the light-emitting layer of the EL element having the above structure, when a defective portion due to pinholes is formed, a cathode in the defect portion Pb is a hole injection layer PEDOT
に接触してしまう。 Resulting in contact with.

【0115】該欠陥部を有するEL素子に一定期間毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥部が変性層に変わり、抵抗を大きくすることができる。 [0115] By supplying the reverse bias current for each predetermined period to the EL element having the defect portion, it increases the temperature of the defect portion, or burn out defective portion, or evaporated by vaporizing, oxidized or carbonized and may become an insulator Te, resulting in a defect portion is changed to modified layer, the resistance can be increased. よって、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 Therefore, deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0116】なお、このEL素子により得られる発光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギーを利用したものである。 [0116] Incidentally, light emission obtained by this EL device is obtained by utilizing singlet excitation energy from the singlet compound.

【0117】図10(B)にEL素子の構成を示す。 [0117] showing a configuration of an EL device in FIG. 10 (B). まず、陰極としてPbを400nmの膜厚に蒸着する。 First, depositing a Pb as cathode to a thickness of 400 nm. その上に発光層を形成する発光材料としてシングレット化合物であるAlq 3を蒸着法により50nmの膜厚で成膜する。 Formed in a film thickness of 50nm by vapor deposition Alq 3 is a singlet compound as a light-emitting material for forming the light emitting layer thereon. 次に、正孔注入層として、ポリチオフェン誘導体であるPEDOTをスピンコート法により30nmの膜厚で成膜する。 Next, as a hole injection layer, a PEDOT is a polythiophene derivative formed in a film thickness of 30nm by spin coating. そして、Auを5nmの膜厚で成膜する。 Then, formed in a film thickness of 5nm and Au. なおAuは、後の工程においてEL層の表面が劣化するのを防ぐために設ける。 Incidentally Au is provided in order to prevent the surface of the EL layer from deteriorating in a later step. その上に酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物(ITO)からなる陽極を形成することにより、EL素子が形成される。 By forming the anode made from the compound in combination with indium tin oxide on (ITO), EL element is formed.

【0118】上記構成を有するEL素子の発光層において、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠陥部において陰極であるPbが正孔注入層であるPEDOT [0118] In the light-emitting layer of the EL element having the above structure, when a defective portion due to pinholes is formed, a cathode in the defect portion Pb is a hole injection layer PEDOT
に接触してしまう。 Resulting in contact with.

【0119】なお、このEL素子により得られる発光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギーを利用したものである。 [0119] Incidentally, light emission obtained by this EL device is obtained by utilizing singlet excitation energy from the singlet compound.

【0120】本発明は上記構成によって、EL層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、発光層を間に挟んで形成された2つの層どうしがショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗を高めることでEL [0120] According to the present invention the above-described structure, pinholes due to the influence of dust or the like during EL layer forming is formed, even if short two layers each other which are formed in between the light-emitting layer, is short-circuited EL by increasing the resistance of the defect portion
素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際にEL層に流れる電流を大きくすることができる。 It can be increased actually the current flowing through the EL layer when applying a forward bias voltage to the device. したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くすることができる。 Accordingly, the repairing method of the present invention, even if there is a defect portion, it is possible to increase the light emission luminance under the application of the same voltage.

【0121】また、欠陥部を変性層に変えて抵抗を大きくすることで、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されるのを防ぐことができる。 [0121] Further, it is possible to prevent the by increasing the resistance by changing the defect portion into the modified layer, deterioration of the EL layer existing around the modified layer is promoted.

【0122】なお、EL材料が炭化したことで形成される炭化物は、絶縁性が高く、物質としても安定している。 [0122] Incidentally, carbides EL material is formed by the carbonization is highly insulating, but also stable as a substance. そのため、欠陥部において有機EL材料が充填されている場合、例えば、EL層に接するようにEL材料を成膜した時に欠陥部が生じた場合において、本発明の修理方法は特に有効である。 Therefore, when the organic EL material is filled in the defect portion, for example, when the defect occurs when depositing the EL material in contact with the EL layer, the repairing method of the present invention is particularly effective.

【0123】なお本実施例は、実施例1〜実施例4と自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0123] Note that this embodiment can be implemented by being freely combined with Embodiments 1 to 4.

【0124】(実施例6)本発明の修理方法を用いる発光装置において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できるEL材料を用いることが可能である。 [0124] In the light emitting device using the repair method of Example 6 the present invention, it is possible to use an EL material that can use phosphorescence from a triplet exciton emission. 燐光を発光に利用できるEL材料を用いた発光装置は、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。 Emitting device using an EL material that can use phosphorescence emission can drastically improve the external light emission quantum efficiency. これにより、EL素子の低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。 As a result, the power consumption of the EL element, allowing long life, and light weight.

【0125】ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。 [0125] Here, by using the triplet exciton indicates the report of the external light emitting quantum efficiency is improved. (T.Tsutsui, C.Adac (T.Tsutsui, C.Adac
hi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized hi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized
Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub.,
Tokyo,1991) p.437.) Tokyo, 1991) p.437.)

【0126】上記の論文により報告されたEL材料(クマリン色素)の分子式を以下に示す。 [0126] The molecular formula of an EL material that has been reported by the above article (coumarin dyes) are shown below.

【0127】 [0127]

【化1】 [Formula 1]

【0128】(MABaldo, DFO'Brien, Y.You, A.Shou [0128] (MABaldo, DFO'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, METhompson,SRForrest, Nature stikov, S.Sibley, METhompson, SRForrest, Nature
395 (1998) p.151.) 395 (1998) p.151.)

【0129】上記の論文により報告されたEL材料(P [0129] EL material that has been reported by the above article (P
t錯体)の分子式を以下に示す。 The molecular formula of t complex) are shown below.

【0130】 [0130]

【化2】 ## STR2 ##

【0131】(MABaldo, S.Lamansky, PEBurrrows, [0131] (MABaldo, S.Lamansky, PEBurrrows,
METhompson, SRForrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199 METhompson, SRForrest, Appl.Phys.Lett., 75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu 9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma ra, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.) yaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)

【0132】上記の論文により報告されたEL材料(I [0132] EL material that has been reported by the above article (I
r錯体)の分子式を以下に示す。 The molecular formula of r complex) are shown below.

【0133】 [0133]

【化3】 [Formula 3]

【0134】以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光を用いる場合より3〜4倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。 It is possible to realize a three to four times higher external light emission quantum efficiency than the case of using fluorescence from a singlet exciton in principle if available [0134] above the phosphorescence emission from triplet exciton .

【0135】なお、本実施例の構成は、実施例1〜実施例5のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0135] The constitution of this embodiment can be freely implemented in combination of any structures of the Embodiments 1 to 5.

【0136】(実施例7)本実施例では、欠陥部を有するEL素子に、実際に逆バイアスの電圧を印加したときの、電圧−電流特性について説明する。 [0136] (Embodiment 7) In this embodiment, the EL element having the defect portion, when the actually applied voltage of the reverse bias voltage - current characteristic will be described.

【0137】本実施例で用いたEL素子は、まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物(ITO) [0137] EL element used in this embodiment, first, the compound in combination with indium oxide and tin oxide (ITO)
からなる陽極上に、正孔注入層として銅フタロシアニンを20nmの膜厚で蒸着法により形成されている。 On the anode made of, it is formed by vapor deposition of copper phthalocyanine in a thickness of 20nm as a hole injection layer. 次に、正孔輸送層としてMTDATAを20nm、α−N Next, 20 nm of MTDATA as a hole transport layer, alpha-N
PDを10nm、それぞれ蒸着法により形成されている。 10nm and PD, are each formed by vapor deposition. その上に発光層を形成する発光材料としてシングレット化合物であるAlq 3が蒸着法により50nmの膜厚で成膜されている。 It is formed into a film having a thickness of 50nm by Alq 3 vapor deposition method which is a singlet compound as a light-emitting material for forming the light emitting layer thereon. 次に、電子注入層としてリチウムアセチルアセトネート(Liacac)を2nm、陰極としてアルミニウム合金を50nmの厚さに成膜することにより、EL素子が形成されている。 Next, 2 nm lithium acetylacetonate (Liacac) as an electron injecting layer by depositing an aluminum alloy to a thickness of 50nm as a cathode, EL element is formed.

【0138】上記構成を有するEL素子に逆バイアスの電圧を印加したときの、電圧−電流特性を図14に示す。 [0138] at the time of applying a reverse bias voltage to the EL element having the above structure, a voltage - it shows the current characteristics in Fig. 逆バイアスの電圧が−5VであるPoint Aにおいて、逆バイアスの電流が大きくなり、その後再び小さくなっている。 In Point A reverse bias voltage is -5V, reverse bias current increases, then becomes again smaller.

【0139】逆バイアスの電圧を印加することでEL素子が破壊された場合も、逆バイアスの電流が大きくなると考えられるが、Point Aにおいては、その後電流値が小さくなっているため、欠陥部において何らかの変化が起こり、欠陥部の抵抗が高くなったと考えることができる。 [0139] Also when the EL element is destroyed by applying a reverse bias voltage, but the reverse bias current is considered to increase, in the Point A, then since the current value is small, the defective portion any change occurs, can be considered as the resistance of the defect portion is increased.

【0140】本発明の修理方法において、EL素子に印加する逆バイアスの電圧の高さ及び印加する時間については、EL素子が有する陽極、陰極及びEL層の材料や構成によって異なる。 [0140] In the repair process of the present invention, time for which the height and the application of a reverse bias voltage to be applied to the EL element, the anode of EL element has different depending on the material and structure of the cathode and the EL layer. 逆バイアスの電圧が低くすぎると本発明の効果は得られず、逆に高すぎてもEL層の劣化が促進されたり、EL素子自体が破壊されたりする。 Effect of the present invention when a reverse bias voltage is too low can not be obtained, or even too high degradation of the EL layer is promoted Conversely, the EL element itself or break.

【0141】図14に示した電圧−電流特性では、逆バイアスの電圧が−6.5V以下の領域で逆バイアスの電流が急激に大きくなっている。 [0141] Voltage shown in FIG. 14 - The current characteristics, current of the reverse bias voltage of the reverse bias in the following areas -6.5V is sharply increased. よって本実施例で用いたEL素子の場合、−6.5V以下の逆バイアスの電圧を印加すると、EL素子が破壊されかかっているか、もしくはEL層が劣化しかかっていると考えられる。 Therefore, when the EL element used in this embodiment, when a voltage is applied to the following reverse bias -6.5 V, considered the EL element is nearing destroyed, or EL layer is nearing deteriorated.

【0142】実施者は、EL素子が有する陽極、陰極及びEL層の材料や構成によって、逆バイアスの電圧の高さ及び印加する時間を適宜設定する必要がある。 [0142] practitioner anode EL element has, depending on the material and structure of the cathode and the EL layer, it is necessary to set the height and the time for applying the reverse bias voltage appropriately.

【0143】(実施例8)本実施例では、逆バイアスの電圧の値を直流でアバランシュ電圧(V av )まで大きくし、再び小さくしていった場合の、電圧−電流特性について説明する。 [0143] (Embodiment 8) In this embodiment, the value of the reverse bias voltage is increased until the avalanche voltage (V av) at a direct current, when began to decrease again, the voltage - current characteristic will be described.

【0144】図15に、逆バイアスの電圧の値を直流でアバランシュ電圧(V av )まで大きくし、再び小さくしていった場合の、電圧−電流特性のグラフを示す。 [0144] Figure 15, the value of the reverse bias voltage is increased until avalanche voltage direct current (V av), when began to decrease again, the voltage - shows a graph of current characteristics. 逆バイアスの電圧を大きくしていくと、Point B、P As you increase the voltage of the reverse bias, Point B, P
oint C、PointDにおいて一時的に逆バイアスの電流I revが大きくなり、欠陥部に何らかの変化が起こって変性層に変化している。 oint C, temporarily reverse bias current I rev is increased in PointD, is changed to the modified layer had occurred any change in the defect portion.

【0145】そして逆バイアスの電圧V revをV avまで大きくした後、再び小さくしていっても、逆バイアスの電流I revに特段の変化は見られない。 [0145] Then after increasing the voltage V rev reverse biased to V av, even began to decrease again, no particular change is not seen in the reverse bias current I rev.

【0146】本実施例は、実施例1〜7と自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0146] This embodiment can be implemented freely combining with Embodiment 1-7.

【0147】(実施例9)本実施例では、本発明の修理方法を用いた発光装置の断面図について説明する。 [0147] (Embodiment 9) This embodiment describes cross-sectional view of a light emitting device using the repairing method of the present invention.

【0148】図16において、基板700上に設けられたスイッチング用TFT721はnチャネル型TFTを用いて形成される。 [0148] In FIG. 16, switching TFT721 provided on the substrate 700 is formed by an n-channel TFT.

【0149】なお、本実施例ではスイッチング用TFT [0149] Incidentally, the switching TFT in the present embodiment
721がチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。 721 Although the channel formation region is of a double gate structure in which two forms, or a triple gate structure in which a channel formation region is three single gate structure or be one formed formed.

【0150】基板700上に設けられた駆動回路はnチャネル型TFT723とpチャネル型TFT724を有している。 [0150] The drive circuit provided on the substrate 700 has an n-channel type TFT723 and p-channel type TFT724. なお、本実施例では駆動回路が有するTFT In this embodiment a TFT having the driving circuit
をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。 A Although a single gate structure, it may be a double-gate structure, or a triple-gate structure.

【0151】また、配線701、703はCMOS回路のソース配線、702はドレイン配線として機能する。 [0151] The wiring 701 and 703 source wirings of the CMOS circuit, 702 functions as a drain wiring.
また、配線704はソース配線708とスイッチング用TFTのソース領域とを電気的に接続する配線として機能し、配線705はドレイン配線709とスイッチング用TFTのドレイン領域とを電気的に接続する配線として機能する。 The wiring 704 serves as a wiring functions as a wiring for electrically connecting the source region of the source wiring 708 and the switching TFT, wiring 705 for electrically connecting the drain region of the drain wiring 709 and the switching TFT to.

【0152】なお、EL駆動用TFT722はpチャネル型TFTを用いて形成される。 [0152] Incidentally, EL driving TFT TFT722 is formed by using a p-channel type TFT. なお、本実施例ではE In this embodiment E
L駆動用TFT722をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。 The L driving TFT722 is of a single gate structure, but may be a double-gate structure, or a triple-gate structure.

【0153】また、配線706はEL駆動用TFTのソース配線(電流供給線に相当する)であり、707はE [0153] The wiring 706 is a source wiring of the EL driving TFT (corresponds to a current supply line), 707 E
L駆動用TFTの画素電極710上に重ねることで画素電極710と電気的に接続する電極である。 L is an electrode for connecting the pixel electrode 710 and electrically by overlapping on the driving TFT of the pixel electrode 710.

【0154】なお、710は、透明導電膜からなる画素電極(EL素子の陽極)である。 [0154] Incidentally, 710 is a pixel electrode made of a transparent conductive film (anode of the EL element). 透明導電膜としては、 As the transparent conductive film,
酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。 Compound of indium oxide and tin oxide, a compound of indium oxide and zinc oxide, zinc oxide, can be used tin oxide or indium oxide. また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。 It may also be used as above added with gallium to the transparent conductive film. 画素電極710は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜7 Pixel electrodes 710 are flat prior to forming the wiring interlayer insulating film 7
11上に形成する。 It is formed on the 11. 本実施例においては、樹脂からなる平坦化膜711を用いてTFTによる段差を平坦化することは非常に重要である。 In the present embodiment, to flatten the step due to the TFT by using the planarization film 711 made of resin is very important. 後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。 Since an EL layer formed later is extremely thin, there are possibly causes poor light emission due to the presence of a step. 従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。 Therefore, it is preferable to perform leveling before forming a pixel electrode so as to form on as level a surface as possible EL layer.

【0155】配線701〜707を形成後、図16に示すようにバンク712を形成する。 [0155] After forming the wirings 701 to 707, a bank 712 is formed as shown in FIG. 16. バンク712は10 The bank 712 10
0〜400nmの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。 Insulating film or organic resin film containing silicon having 0~400nm may be formed by patterning.

【0156】なお、バンク712は絶縁膜であるため、 [0156] It should be noted that, for the bank 712 is an insulating film,
成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。 It is necessary to pay attention to element electrostatic breakdown at the time of deposition.
本実施例ではバンク712の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。 In this embodiment added is a carbon particle or metal particle to an insulating film as a material for the bank 712, thereby reducing resistivity and suppressing occurrence of static electricity. この際、抵抗率は1×10 6 〜1×1 At this time, the resistivity of 1 × 10 6 ~1 × 1
12 Ωm(好ましくは1×10 8 〜1×10 10 Ωm)となるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれば良い。 0 12 [Omega] m (preferably 1 × 10 8 ~1 × 10 10 Ωm) may be adjusted the amount of the composed as carbon particles or metal particles.

【0157】画素電極710の上にはEL層713が形成される。 [0157] On the pixel electrode 710 EL layer 713 is formed. なお、図16では一画素しか図示していないが、本実施例ではR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応したEL層を作り分けている。 Although only one pixel is shown in FIG. 16, in this embodiment separately forms the EL layers corresponding to each colors of R (red), G (green), B (blue). また、本実施例では蒸着法により低分子系有機EL材料を形成している。 Also forms a low-molecular organic EL material by evaporation in the present embodiment.
具体的には、正孔注入層713aとして20nm厚の銅フタロシアニン(CuPc)膜を設け、その上に発光層713bとして70nm厚のトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq 3 )膜を設けた積層構造としている。 Specifically, 20 nm of copper phthalocyanine (CuPc) film provided in a thickness as a hole injection layer 713a, provided the 70nm as the light emitting layer 713b on the thickness of the tris-8-quinolinolato aluminum complex (Alq 3) film It is a laminated structure. Alq 3にキナクリドン、ペリレンもしくはD Quinacridone in Alq 3, perylene or D
CM1といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。 It is possible to control the luminescent color by adding a fluorescent dye such as CM1.

【0158】但し、以上の例はEL層として用いることのできる有機EL材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。 [0158] However, the above example is one example of organic EL materials which can be used as the EL layer, it is not necessary to limit thereto. 発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてEL層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。 Emitting layer, it may be formed EL layer by freely combining a charge transport layer or a charge injection layer (a layer for carrier transfer for light emission and for). 例えば、本実施例では低分子系有機EL材料をEL For example, in this embodiment EL low molecular weight organic EL material
層として用いる例を示したが、高分子系有機EL材料を用いても良い。 Although an example of using as a layer, it may be used a high molecular organic EL material. また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。 It is also possible to use inorganic materials such as silicon carbide as a charge-transporting layer and charge injection layer. これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。 These organic EL materials and inorganic materials can be a known material.

【0159】次に、EL層713の上には導電膜からなる陰極714が設けられる。 [0159] Next, a cathode 714 of a conductive film is provided on the EL layer 713. 本実施例の場合、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。 In this embodiment, an alloy film of aluminum and lithium is used as the conductive film. 勿論、公知のMgAg膜(マグネシウムと銀との合金膜) Of course, a known MgAg film (alloy film of magnesium and silver)
を用いても良い。 It may also be used. 陰極材料としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。 As the cathode material may be used a conductive film or a conductive film added with such an element consisting of elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table.

【0160】この陰極714まで形成された時点でEL [0160] EL at a time having formed up to the cathode 714
素子719が完成する。 Element 719 is completed. なお、ここでいうEL素子71 In addition, EL element 71 referred to here
9は、画素電極(陽極)710、EL層713及び陰極714で形成されたコンデンサを指す。 9 refers to a capacitor formed by the pixel electrode (anode) 710, EL layer 713 and the cathode 714.

【0161】EL素子719を完全に覆うようにしてパッシベーション膜716を設けることは有効である。 [0161] By providing the passivation film 716 so as to an EL element 719 completely cover is effective. パッシベーション膜716としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。 The passivation film 716, carbon film, an insulating film including a silicon nitride film or a silicon oxynitride film, and used is an insulating film in a single layer or a combined lamination.

【0162】この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にD [0162] In this case, it is preferable to use a film favorable in coverage as a passivation film, carbon film, in particular D
LC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を用いることは有効である。 LC using the (diamond-like carbon) film is effective. DLC膜は室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低いEL層713の上方にも容易に成膜することができる。 DLC film can be formed at a temperature range of 100 ° C. from room temperature, it can be easily formed over the lower EL layer 713 having heat resistance. また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、EL層713 Further, DLC film has a high blocking effect to oxygen, EL layer 713
の酸化を抑制することが可能である。 It is possible to suppress oxidation of the. そのため、この後に続く封止工程を行う間にEL層713が酸化するといった問題を防止できる。 Therefore, it is possible to prevent the problem of the EL layer 713 is oxidized during a subsequent sealing step the.

【0163】さらに、パッシベーション膜716上に封止材717を設け、カバー材718を貼り合わせる。 [0163] Further, the sealing member 717 is provided on the passivation film 716 to bond a cover member 718. 封止材717としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有する物質を設けることは有効である。 Used may be an ultraviolet curable resin as the sealing material 717, it is effective to provide a material having a substance or antioxidant effect having a hygroscopic effect therein. また、本実施例においてカバー材718はガラス基板や石英基板やプラスチック基板(プラスチックフィルムも含む)の両面に炭素膜(好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜)を形成したものを用いる。 The cover member 718 in this embodiment is used a material obtained by forming a glass substrate, a quartz substrate, or a plastic substrate carbon film on both sides (including a plastic film) (preferably diamond-like carbon film).

【0164】こうして図16に示すような構造のEL表示装置が完成する。 [0164] Thus an EL display device having a structure as shown in FIG. 16 is completed. なお、バンク712を形成した後、 It should be noted that, after the formation of the bank 712,
パッシベーション膜716を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式(またはインライン方式)の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。 The steps required to form the passivation film 716 by using a deposition apparatus of a multi-chamber method (or an in-line method), continuously processed to without exposure to the atmosphere is effective. また、さらに発展させてカバー材718を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。 It is also possible to continuously process until further development is allowed by step of bonding the cover member 718, without release to the air.

【0165】また、本実施例におけるTFTの特徴は、 [0165] The characteristic of the TFT in this embodiment,
ゲート電極が2層の導電膜から形成されており、そしてチャネル形成領域とドレイン領域との間に設けられる低濃度不純物領域において、ほとんど濃度差がなく、緩やかな濃度勾配を有し、下層のゲート電極と重なる領域(GOLD領域)と、ゲート電極と重ならない領域(L Gate electrodes are formed from two conductive films, and the low concentration impurity region provided between the channel formation region and the drain region, little density difference has a gentle concentration gradient, a lower layer of the gate region where the region overlapping with the electrode (GOLD region), does not overlap with the gate electrode (L
DD領域)とを備えている点である。 It is that it includes a DD region) and. また、ゲート絶縁膜の周縁部、即ち、ゲート電極と重ならない領域及び高濃度不純物領域の上方の領域はテーパー状となっている。 Further, the peripheral portion of the gate insulating film, i.e., the upper region of not overlapping with the gate electrode region and the high concentration impurity regions has a tapered shape.

【0166】本実施例の発光装置において発光層713 [0166] The light-emitting layer 713 in the light-emitting device of the present embodiment
bにピンホールが形成されていると、該ピンホールを介して正孔注入層713aと陰極714とが接触している欠陥部が形成される。 When b pinholes are formed, the defect portion where the hole injection layer 713a and the cathode 714 through the pinholes is in contact is formed. 本発明の修理方法により、該欠陥部を変性層715に変えることで抵抗を高くすることができる。 The repair method of the present invention, it is possible to increase the resistance by changing the defect portion into the modified layer 715. よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を高くし、ピンホールの周りのEL層の劣化が促進されるのを防ぐことができる。 Therefore, to increase the brightness in the portion other than the pinhole of the pixel, deterioration of the EL layer around the pinhole can be prevented from being promoted.

【0167】また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。 [0167] Although this embodiment shows only the configuration of the drive circuit pixel unit, according to the manufacturing process in this embodiment, a signal division circuit, D / A converter, an operational amplifier, gamma correction circuits, etc. It is capable of forming a logic circuit on the same insulator, furthermore can also form a memory and a microprocessor.

【0168】なお本実施例の構成は、実施例1、2、 [0168] Note that the structure of this embodiment, Examples 1 and 2,
3、4、6または8と自由に組み合わせて実施することが可能である。 By freely combining with 3, 4, 6 or 8 it can be implemented.

【0169】(実施例10)本実施例では、本発明の修理方法を用いた発光装置の断面図について説明する。 [0169] (Embodiment 10) This embodiment describes cross-sectional view of a light emitting device using the repairing method of the present invention.

【0170】図17において、同一の基板上に、駆動回路のpチャネル型TFT200と、nチャネル型TFT [0170] In FIG. 17, on the same substrate, the p-channel type TFT200 of the driver circuit, n-channel type TFT
201と、画素部のEL駆動用TFT203と、スイッチング用TFT204と、保持容量205とが形成されている。 And 201, an EL driving TFT TFT203 of the pixel portion, a switching TFT 204, a storage capacitor 205 is formed.

【0171】駆動回路のpチャネル型TFT200には、第2のテーパー形状を有する導電層220がゲート電極としての機能を有し、また、チャネル形成領域20 [0171] The p-channel TFT TFT200 of the driver circuit, the conductive layer 220 having the second tapered shape functions as a gate electrode, also, the channel forming region 20
6、ソース領域またはドレイン領域として機能する第3 6, a third functioning as a source region or a drain region
の不純物領域207a、ゲート電極220と重ならないLDD領域を形成する第4の不純物領域(A)207 Fourth impurity region forming impurity regions 207a, an LDD region not overlapping the gate electrode 220 of the (A) 207
b、一部がゲート電極220と重なるLDD領域を形成する第4の不純物領域(B)207cを有する構造となっている。 b, a part has a structure having a fourth impurity region (B) 207c forming an LDD region overlapping the gate electrode 220.

【0172】nチャネル型TFT201には、第2のテーパー形状を有する導電層221がゲート電極としての機能を有し、また、チャネル形成領域208、ソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域209a、ゲート電極221と重ならないLDD領域を形成する第2の不純物領域(A)(A)209b、一部がゲート電極221と重なるLDD領域を形成する第2 [0172] The n-channel type TFT201, the conductive layer 221 having the second tapered shape functions as a gate electrode, also, the channel formation region 208, a first impurity region functioning as a source region or a drain region 209a, a second for forming the LDD region where the second impurity region for forming an LDD region not overlapping the gate electrode 221 (a) (a) 209b, a part overlaps with the gate electrode 221
の不純物領域(B)209cを有する構造となっている。 It has a structure having a region of impurities (B) 209c. チャネル長2〜7μmに対して、第2の不純物領域(B)209cがゲート電極221と重なる部分の長さは0.1〜0.3μmとする。 To the channel length 2-7 [mu] m, the length of the portion the second impurity region (B) 209c is overlapped with the gate electrode 221 is set to 0.1 to 0.3 [mu] m. このLovの長さはゲート電極221の厚さとテーパー部の角度から制御する。 The length of this Lov is controlled from the angle of the thickness and tapered portions of the gate electrode 221. n
チャネル型TFTにおいてこのようなLDD領域を形成することにより、ドレイン領域近傍に発生する高電界を緩和して、ホットキャリアの発生を防ぎ、TFTの劣化を防止することができる。 By forming such an LDD region in a channel TFT, and to alleviate the high electric field generated near the drain region to prevent generation of hot carriers, you are possible to prevent deterioration of the TFT.

【0173】EL駆動用TFT203は同様に、第2のテーパー形状を有する導電層223がゲート電極としての機能を有し、また、チャネル形成領域212、ソース領域またはドレイン領域として機能する第3の不純物領域213a、ゲート電極223と重ならないLDD領域を形成する第4の不純物領域(A)213b、一部がゲート電極223と重なるLDD領域を形成する第4の不純物領域(B)213cを有する構造となっている。 [0173] EL driving TFT203 likewise conductive layer 223 having the second tapered shape functions as a gate electrode, also, the channel forming region 212, third impurity serving as a source region or a drain region a structure having a fourth impurity region of (a) 213b, a fourth impurity region part of which forms an LDD region overlapping the gate electrode 223 (B) 213c forming an LDD region not overlapping the region 213a, a gate electrode 223 going on.

【0174】駆動回路はシフトレジスタ回路、バッファ回路などのロジック回路やアナログスイッチで形成されるサンプリング回路などで形成される。 [0174] The drive circuit is a shift register circuit, are formed like a sampling circuit which is formed by a logic circuit or an analog switch such as a buffer circuit. 図17ではこれらを形成するTFTを一対のソース・ドレイン間に一つのゲート電極を設けたシングルゲートの構造で示したが、複数のゲート電極を一対のソース・ドレイン間に設けたマルチゲート構造としても差し支えない。 Although shown in a single gate structure in which is provided a one gate electrode between the pair of source and drain of the TFT for forming these in Figure 17, a multi-gate structure in which a plurality of gate electrodes between a pair of source and drain no problem also.

【0175】EL駆動用TFT203のドレイン領域は配線231を介して画素電極271に接続されている。 [0175] The drain region of the EL driving TFT203 is connected to the pixel electrode 271 via the wiring 231.
画素電極271に接するように公知の有機EL材料からなるEL層272が形成されており、EL層272に接するように陰極273が形成されている。 EL layer 272 made of known organic EL material so as to be in contact with the pixel electrode 271 is formed, a cathode 273 is formed in contact with the EL layer 272.

【0176】スイッチング用TFT204には、第2のテーパー形状を有する導電層224がゲート電極としての機能を有し、また、チャネル形成領域214a、21 [0176] The switching TFT 204, the conductive layer 224 having the second tapered shape functions as a gate electrode, also, the channel formation region 214a, 21
4b、ソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域215a、217、ゲート電極224と重ならないLDD領域を形成する第2の不純物領域(A)215b、一部がゲート電極224と重なるLD 4b, LD overlapping with the first impurity regions 215a, 217, a second impurity region (A) 215b, a part of the gate electrode 224 which forms an LDD region not overlapping the gate electrode 224 functioning as a source region or a drain region
D領域を形成する第2の不純物領域(B)215cを有する構造となっている。 It has a structure having a second impurity region (B) 215c to form the D region. 第2の不純物領域(B)213 Second impurity regions (B) 213
cがゲート電極224と重なる部分の長さは0.1〜 The length of the portion c overlaps with the gate electrode 224 is 0.1
0.3μmとする。 And 0.3μm. また、第1の不純物領域217から延在し、第2の不純物領域(A)219b、第2の不純物領域(B)219c、導電型を決定する不純物元素が添加されていない領域218を有する半導体層と、第3 Also, extending from the first impurity region 217, a second impurity region (A) 219b, a semiconductor having a second impurity region (B) 219c, a region 218 to which an impurity element is not added for determining the conductivity type and the layer, the third
の形状を有するゲート絶縁膜と同層で形成される絶縁層と、第2のテーパー形状を有する導電層から形成される容量配線225から保持容量が形成されている。 An insulating layer formed by the gate insulating film in the same layer having a shape of a storage capacitor from the capacitor wiring 225 formed of a conductive layer having the second tapered shape are formed.

【0177】本実施例の発光装置においてEL層272 [0177] EL layers 272 in the light emitting device of this embodiment
にピンホールが形成されていると、該ピンホールを介して画素電極271と陰極273とが接触している欠陥部が形成される。 When the pin hole is formed, the defect portion where the pixel electrode 271 and the cathode 273 through the pinholes is in contact is formed. 本発明の修理方法により、該欠陥部を変性層274に変えることで抵抗を高くすることができる。 The repair method of the present invention, it is possible to increase the resistance by changing the defect portion into the modified layer 274. よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を高くし、ピンホールの周りのEL層の劣化が促進されるのを防ぐことができる。 Therefore, to increase the brightness in the portion other than the pinhole of the pixel, deterioration of the EL layer around the pinhole can be prevented from being promoted.

【0178】なお本実施例の構成は、実施例1、2、 [0178] Note that the structure of this embodiment, Examples 1 and 2,
3、4、6または8と自由に組み合わせて実施することが可能である。 By freely combining with 3, 4, 6 or 8 it can be implemented.

【0179】(実施例11)本実施例では、本発明の修理方法を用いた発光装置の断面図について説明する。 [0179] (Embodiment 11) This embodiment describes cross-sectional view of a light emitting device using the repairing method of the present invention.

【0180】図18において、811は基板、812は下地となる絶縁膜(以下、下地膜という)である。 [0180] In FIG. 18, 811 denotes a substrate, 812 is an insulating film which becomes a base (hereafter referred to as a base film). 基板811としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基板を用いることができる。 The substrate 811 can be used light-transmitting substrate, typically a glass substrate, a quartz substrate, a glass ceramic substrate, or a crystallized glass substrate. 但し、作製プロセス中の最高処理温度に耐えるものでなくてはならない。 However, it must be resistant to the maximum processing temperature in the manufacturing process.

【0181】また、下地膜812は特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、石英基板には設けなくても構わない。 [0181] Further, although the base film 812 is particularly effective when using a substrate having a substrate and a conductive containing mobile ions, it may be not be provided on a quartz substrate. 下地膜812 The base film 812
としては、珪素(シリコン)を含む絶縁膜を用いれば良い。 As may be used an insulating film containing silicon. なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」とは、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸化珪素膜(SiOxNy:x、yは任意の整数、で示される)など珪素に対して酸素若しくは窒素を所定の割合で含ませた絶縁膜を指す。 In the present specification, the "insulating film containing silicon" refers specifically to the silicon oxide film, a silicon nitride film or a silicon oxynitride film (SiOxNy: x, y are arbitrary integers, in illustrated is) a silicon etc. It refers to an insulating film impregnated with oxygen or nitrogen at a predetermined ratio for.

【0182】8201はスイッチング用TFT、820 [0182] 8201 denotes a switching TFT, 820
2はEL駆動用TFTであり、それぞれnチャネル型T 2 is a EL driving TFT, n-channel type respectively T
FT、pチャネル型TFTで形成されている。 FT, and it is formed of a p-channel TFT. ELの発光方向が基板の下面(TFT及びEL層が設けられていない面)の場合、上記構成であることが好ましい。 When the emission direction of the EL is of the lower surface of the substrate (surface on which TFT and the EL layer is not provided), it is preferable that the above-described configuration. しかし本発明はこの構成に限定されない。 However, the present invention is not limited to this structure. スイッチング用T Switching T
FTとEL駆動用TFTは、nチャネル型TFTでもp FT and the EL driving TFT, even n-channel type TFT p
チャネル型TFTでも、どちらでも構わない。 Even channel type TFT, does not matter either.

【0183】スイッチング用TFT8201は、ソース領域813、ドレイン領域814、LDD領域815a [0183] switching TFT8201 is, the source region 813, drain region 814, LDD region 815a
〜815d、分離領域816及びチャネル形成領域86 ~815D, isolation regions 816 and a channel forming region 86
3、864を含む活性層と、ゲート絶縁膜818と、ゲート電極819a、819bと、第1層間絶縁膜820 An active layer comprising a 3,864, a gate insulating film 818, gate electrodes 819a, and 819b, the first interlayer insulating film 820
と、ソース信号線821と、ドレイン配線822とを有している。 When, and a source signal line 821, and a drain wiring 822. なお、ゲート絶縁膜818又は第1層間絶縁膜820は基板上の全TFTに共通であっても良いし、 Note that the gate insulating film 818 or the first interlayer insulating film 820 may be common to all TFT substrate,
回路又は素子に応じて異ならせても良い。 It may be different depending on the circuits or elements. なお、817 In addition, 817
a、817bは、チャネル形成領域を形成するためのマスクである。 a, 817b is a mask for forming a channel formation region.

【0184】また、図18に示すスイッチング用TFT [0184] Further, TFT for switching illustrated in FIG. 18
8201はゲート電極819a、819bが電気的に接続されており、いわゆるダブルゲート構造となっている。 8201 gate electrodes 819a, 819b are electrically connected, a so-called double gate structure.
勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造などいわゆるマルチゲート構造(直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造) Of course, not only the double gate structure, a so-called multi-gate structure such as triple gate structure (structure including an active layer having two or more channel forming regions connected in series)
であっても良い。 It may be.

【0185】マルチゲート構造はオフ電流を低減する上で極めて有効であり、スイッチング用TFTのオフ電流を十分に低くすれば、それだけEL駆動用TFT820 [0185] multi-gate structure is extremely effective in reducing the off current, if sufficiently low off current of the switching TFT, and it only EL driving TFT820
2のゲート電極に接続されたコンデンサが必要とする最低限の容量を抑えることができる。 A capacitor connected to the second gate electrode can be suppressed minimum capacity required. 即ち、コンデンサの面積を小さくすることができるので、マルチゲート構造とすることはEL素子の有効発光面積を広げる上でも有効である。 That is, it is possible to reduce the area of ​​the capacitor, be a multi-gate structure is also effective to widen the effective light emitting area of ​​the EL element.

【0186】さらに、スイッチング用TFT8201においては、LDD領域815a〜815dは、ゲート絶縁膜818を介してゲート電極819a、819bと重ならないように設ける。 [0186] Further, in the switching TFT TFT8201, LDD regions 815a~815d, a gate electrode 819a through the gate insulating film 818 is provided so as not to overlap with 819b. このような構造はオフ電流を低減する上で非常に効果的である。 Such structure is extremely effective in reducing the off current. また、LDD領域815a In addition, LDD region 815a
〜815dの長さ(幅)は0.5〜3.5μm、代表的には2.0〜2.5μmとすれば良い。 The length of ~815D (width) 0.5~3.5Myuemu, typically may be a 2.0 to 2.5 [mu] m.

【0187】なお、チャネル形成領域とLDD領域との間にオフセット領域(チャネル形成領域と同一組成の半導体層でなり、ゲート電圧が加えられない領域)を設けることはオフ電流を下げる上でさらに好ましい。 [0187] Incidentally, (now in the semiconductor layer having the same composition as the channel forming region, a gate voltage is not applied area) offset region between the channel formation region and the LDD region that is more preferable for reducing the off current provided . また、 Also,
二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場合、チャネル形成領域の間に設けられた分離領域816 If a multi-gate structure having two or more gate electrodes, separated provided between the channel formation region region 816
(ソース領域又はドレイン領域と同一の濃度で同一の不純物元素が添加された領域)がオフ電流の低減に効果的である。 (Area same impurity element at the same concentration as the source region or the drain region is added) is effective in reducing the off current.

【0188】次に、EL駆動用TFT8202は、ソース領域826、ドレイン領域827及びチャネル形成領域805を含む活性層と、ゲート絶縁膜818と、ゲート電極830と、第1層間絶縁膜820と、ソース配線831並びにドレイン配線832を有して形成される。 [0188] Next, EL driving TFT8202 comprises an active layer containing a source region 826, drain region 827 and a channel forming region 805, a gate insulating film 818, a gate electrode 830, a first interlayer insulating film 820, source It is formed with a wiring 831 and a drain wiring 832.
本実施例においてEL駆動用TFT8202はpチャネル型TFTである。 EL driving TFT8202 in this embodiment is a p-channel TFT. なお、829は、チャネル形成領域を形成するためのマスクである。 Incidentally, 829 is a mask for forming a channel formation region.

【0189】また、スイッチング用TFT8201のドレイン領域814はEL駆動用TFT8202のゲート830に電気的に接続されている。 [0189] Further, the drain region 814 of the switching TFT TFT8201 is electrically connected to the gate 830 of the EL driving TFT TFT8202. 図示してはいないが、具体的にはEL駆動用TFT8202のゲート電極830はスイッチング用TFT8201のドレイン領域814とドレイン配線(接続配線とも言える)822を介して電気的に接続されている。 Although not shown, in particular the gate electrode 830 of the EL driving TFT8202 are electrically connected via the drain region 814 and (can also be called connection wiring) drain wiring 822 of the switching TFT TFT8201. なお、ゲート電極83 It is to be noted that the gate electrode 83
0はシングルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。 0 but has a single gate structure, it may be a multi-gate structure. また、EL駆動用TFT8202 In addition, EL driver TFT8202
のソース配線831は電源供給線(図示せず)に接続される。 The source line 831 is connected to a power supply line (not shown).

【0190】EL駆動用TFT8202はEL素子に注入される電流量を制御するための素子であり、比較的多くの電流が流れる。 [0190] EL driving TFT8202 is an element for controlling the amount of current injected to an EL element, a relatively large amount of current flows. そのため、チャネル幅(W)はスイッチング用TFTのチャネル幅よりも大きく設計することが好ましい。 Therefore, the channel width (W) is preferably designed larger than the channel width of the switching TFT. また、EL駆動用TFT8202に過剰な電流が流れないように、チャネル長(L)は長めに設計することが好ましい。 Moreover, so as not excessive current flows through the EL driving TFT8202, the channel length (L) is preferably designed longer. 望ましくは一画素あたり0.5 Desirably 0.5 per pixel
〜2μA(好ましくは1〜1.5μA)となるようにする。 ~2Myuei (preferably 1~1.5Myuei) made to be.

【0191】またさらに、EL駆動用TFT8202の活性層(特にチャネル形成領域)の膜厚を厚くする(好ましくは50〜100nm、さらに好ましくは60〜8 [0191] Furthermore, increasing the thickness of the active layer of the EL driving TFT8202 (especially the channel forming region) (preferably 50 to 100 nm, more preferably 60-8
0nm)ことによって、TFTの劣化を抑えてもよい。 0 nm) by, it may be suppressing deterioration of the TFT.
逆に、スイッチング用TFT8201の場合はオフ電流を小さくするという観点から見れば、活性層(特にチャネル形成領域)の膜厚を薄くする(好ましくは20〜5 Conversely, looking from the viewpoint of the case of switching TFT8201 to reduce the off current, reducing the thickness of the active layer (especially the channel forming region) (preferably 20 to 5
0nm、さらに好ましくは25〜40nm)ことも有効である。 0 nm, more preferably 25 to 40 nm) is also effective.

【0192】以上は画素内に設けられたTFTの構造について説明したが、このとき同時に駆動回路も形成される。 [0192] The above has been described the structure of the TFT provided in the pixel, at the same time driving circuit at this time is also formed. 図18には駆動回路を形成する基本単位となるCM It is a basic unit for forming the driver circuit in FIG 18 CM
OS回路が図示されている。 OS circuit is shown.

【0193】図18においては極力動作速度を落とさないようにしつつホットキャリア注入を低減させる構造を有するTFTをCMOS回路のnチャネル型TFT82 [0193] n-channel CMOS circuit TFT having a structure in which hot carrier injection is reduced while so do not minimize drop the operation speed in FIG. 18 TFT 82
04として用いる。 Used as a 04. なお、ここでいう駆動回路としては、ソース信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路を指す。 Note that the driver circuit referred to here indicates the source signal side driving circuit, a gate signal side driving circuit. 勿論、他の論理回路(レベルシフタ、A/Dコンバータ、信号分割回路等)を形成することも可能である。 Of course, it is also possible to form other logic circuits (level shifter, A / D converter, signal division circuit, etc.).

【0194】CMOS回路のnチャネル型TFT820 [0194] n-channel CMOS circuit TFT820
4の活性層は、ソース領域835、ドレイン領域83 4 of the active layer includes a source region 835, drain region 83
6、LDD領域837及びチャネル形成領域862を含み、LDD領域837はゲート絶縁膜818を介してゲート電極839と重なっている。 6, includes an LDD region 837 and a channel forming region 862, LDD region 837 overlaps the gate electrode 839 through the gate insulating film 818. なお、838は、チャネル形成領域を形成するためのマスクである。 Incidentally, 838 is a mask for forming a channel formation region.

【0195】ドレイン領域836側のみにLDD領域8 [0195] LDD region 8 only to the drain region 836 side
37を形成しているのは、動作速度を落とさないための配慮である。 37 of forming a is a consideration for not to drop the operation speed. また、このnチャネル型TFT8204はオフ電流値をあまり気にする必要はなく、それよりも動作速度を重視した方が良い。 In addition, the n-channel type TFT8204 does not need to worry too much about the off current value, it is better to focus on the operating speed than that. 従って、LDD領域837 Therefore, LDD region 837
は完全にゲート電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが望ましい。 Is made to completely overlap the gate electrode, it is desirable to decrease a resistance component to a minimum. 即ち、いわゆるオフセットはなくした方がよい。 In other words, the so-called offset is better to without.

【0196】また、CMOS回路のpチャネル型TFT [0196] In addition, the CMOS circuit p-channel type TFT
8205は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にLDD領域を設けなくても良い。 8205, since deterioration due to hot carrier injection is not much need to worry about, may not be particularly provided with an LDD region. 従って活性層はソース領域840、ドレイン領域841及びチャネル形成領域861を含み、その上にはゲート絶縁膜818とゲート電極843が設けられる。 Thus the active layer includes a source region 840, drain region 841 and a channel forming region 861, a gate insulating film 818 and the gate electrode 843 is provided thereon. 勿論、n Of course, n
チャネル型TFT8204と同様にLDD領域を設け、 Like the channel TFT8204 provided with an LDD region,
ホットキャリア対策を講じることも可能である。 It is also possible to take action against hot carriers. なお、 It should be noted that,
842は、チャネル形成領域を形成するためのマスクである。 842 is a mask for forming a channel formation region.

【0197】また、nチャネル型TFT8204及びp [0197] In addition, n-channel type TFT8204 and p
チャネル型TFT8205はそれぞれソース領域上に第1層間絶縁膜820を間に介して、ソース配線844、 Each channel TFT8205 via between the first interlayer insulating film 820 on the source region, the source wiring 844,
845を有している。 It has a 845. また、ドレイン配線846によってnチャネル型TFT8204とpチャネル型TFT8 Further, n-channel type by the drain wiring 846 8204 and p-channel type TFT8
205とのドレイン領域は互いに電気的に接続される。 Drain regions of the 205 are electrically connected to each other.

【0198】次に、847は第1パッシベーション膜であり、膜厚は10nm〜1μm(好ましくは200〜5 [0198] Then, 847 denotes a first passivation film, and the film thickness 10 nm to 1 m (preferably 200 to 5
00nm)とすれば良い。 00nm) and it should be. 材料としては、珪素を含む絶縁膜(特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい) As the material, an insulating film containing silicon (especially a silicon nitride oxide film or a silicon nitride film is preferable)
を用いることができる。 It can be used. このパッシベーション膜847 The passivation film 847
は形成されたTFTをアルカリ金属や水分から保護する役割金属を有する。 Plays a role metal to protect the formed TFT from alkali metals and moisture. 最終的にTFT(特にEL駆動用T T for final TFT (in particular EL drive
FT)の上方に設けられるEL層にはナトリウム等のアルカリ金属が含まれている。 The EL layer provided above the FT) contains an alkali metal such as sodium. 即ち、第1パッシベーション膜847はこれらのアルカリ金属(可動イオン)をT In other words, the first passivation film 847 of these alkaline metals (mobile ions) T
FT側に侵入させない保護層としても働く。 FT serves as a protective layer that does not penetrate the side.

【0199】また、848は第2層間絶縁膜であり、T [0199] In addition, 848 is a second interlayer insulating film, T
FTによってできる段差の平坦化を行う平坦化膜としての機能を有する。 Functions as a planarization film is flattened of a step can be by FT. 第2層間絶縁膜848としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン)等を用いると良い。 As the second interlayer insulating film 848 may organic resin film is preferable, polyimide, polyamide, acrylic and BCB (benzocyclobutene) or the like.
これらの有機樹脂膜は良好な平坦面を形成しやすく、比誘電率が低いという利点を有する。 These organic resin film is easy to form a good flat surface, has the advantage of low dielectric constant. EL層は凹凸に非常に敏感であるため、TFTによる段差は第2層間絶縁膜848で殆ど吸収してしまうことが望ましい。 Since the EL layer is very sensitive to irregularities, it is desirable step due to the TFT becomes almost absorbed by the second interlayer insulating film 848. また、ゲート信号線やデータ信号線とEL素子の陰極との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。 Further, in reducing the parasitic capacitance formed between the cathode of the gate signal lines and data signal lines and the EL element, it is desirable to thicken provided a low dielectric constant material. 従って、膜厚は0. Therefore, the thickness 0.
5〜5μm(好ましくは1.5〜2.5μm)が好ましい。 5~5Myuemu (preferably 1.5 to 2.5 [mu] m) are preferred.

【0200】また、849は透明導電膜でなる画素電極(EL素子の陽極)であり、第2層間絶縁膜848及び第1パッシベーション膜847にコンタクトホール(開孔)を開けた後、形成された開孔部においてEL駆動用TFT8202のドレイン配線832に接続されるように形成される。 [0200] Further, 849 denotes a pixel electrode made of a transparent conductive film (anode of the EL element), after a contact hole (opening) in the second interlayer insulating film 848 and the first passivation film 847, formed It is formed so as to be connected to the drain wiring 832 of the EL driving TFT8202 the opening. なお、図18のように画素電極849とドレイン領域827とが直接接続されないようにしておくと、EL層のアルカリ金属が画素電極を経由して活性層へ侵入することを防ぐことができる。 Incidentally, it is possible to prevent that the pixel electrode 849 and the drain region 827 as shown in FIG. 18 idea as not directly connected, an alkali metal of the EL layer from entering the active layer via the pixel electrode.

【0201】画素電極849の上には酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜または有機樹脂膜でなる第3層間絶縁膜85 [0201] The silicon oxide film on the pixel electrode 849, the third interlayer insulating film made of a silicon nitride oxide film or an organic resin film 85
0が0.3〜1μmの厚さに設けられる。 0 is provided to a thickness of 0.3~1Myuemu. この第3層間絶縁膜850は画素電極849の上にエッチングにより開口部が設けられ、その開口部の縁はテーパー形状となるようにエッチングする。 The third interlayer insulating film 850 is an opening portion is formed by etching on the pixel electrode 849, the edge of the opening is etched to have a tapered shape. テーパーの角度は10〜60 Angle of taper from 10 to 60
°(好ましくは30〜50°)とすると良い。 ° (preferably 30 to 50 °) may be set to be.

【0202】第3層間絶縁膜850の上にはEL層85 [0202] EL layer 85 is on the third interlayer insulating film 850
1が設けられる。 1 is provided. EL層851は単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。 Although EL layer 851 is used as a single layer or a multilayer structure, the luminous efficiency is better to use a laminated structure. 一般的には画素電極上に正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層のような構造でも良い。 Although typically formed in this order of the hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer on the pixel electrode, a hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer, or a hole injection layer / positive structure may be such as hole transporting layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer. 本発明では公知のいずれの構造を用いても良いし、EL層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。 May be used any known structure in the present invention may be doped with a fluorescent pigment or the like to the EL layer.

【0203】図18の構造はRGBに対応した三種類のEL素子を形成する方式を用いた場合の例である。 [0203] The structure of FIG. 18 is an example of using the method of forming three types of EL elements corresponding to RGB. なお、図18には一つの画素しか図示していないが、同一構造の画素が赤、緑又は青のそれぞれの色に対応して形成され、これによりカラー表示を行うことができる。 Although only one pixel is not shown in FIG. 18, pixels of the same structure is red, are formed so as to correspond to each color of green or blue, thereby color display can be performed. 本発明は発光方式に関わらず実施することが可能である。 The invention can be implemented regardless of the light emitting system.

【0204】EL層851の上にはEL素子の陰極85 [0204] cathode of the EL element is on top of the EL layer 851 85
2が設けられる。 2 is provided. 陰極852としては、仕事関数の小さいマグネシウム(Mg)、リチウム(Li)若しくはカルシウム(Ca)を含む材料を用いる。 The cathode 852, magnesium work function smaller (Mg), a material containing lithium (Li) or calcium (Ca). 好ましくはMg Preferably Mg
Ag(MgとAgをMg:Ag=10:1で混合した材料)でなる電極を用いれば良い。 Ag may be used an electrode made of (Mg and Ag Mg:: Ag = 10 1 mixed material). 他にもMgAgAl電極、LiAl電極、また、LiFAl電極が挙げられる。 Other MgAgAl electrode also, LiAl electrode, also include LiFAl electrode.

【0205】なお、画素電極(陽極)849、EL層8 [0205] Note that the pixel electrode (anode) 849, EL layer 8
51及び陰極852によってEL素子8206が形成される。 EL element 8206 is formed by 51 and the cathode 852.

【0206】EL層851は、各画素で個別に形成する必要があるが、EL層851は水分に極めて弱いため、 [0206] EL layer 851, it is necessary to separately form each pixel, since the EL layer 851 is extremely weak to moisture,
通常のフォトリソグラフィ技術を用いることができない。 It is not possible using conventional photolithography technique. 従って、メタルマスク等の物理的なマスク材を用い、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマCVD法等の気相法で選択的に形成することが好ましい。 Thus, using a physical mask material such as a metal mask, a vacuum deposition method, a sputtering method, it is preferable to selectively form by a gas phase method such as plasma CVD method.

【0207】なお、EL層を選択的に形成する方法として、インクジェット法、スクリーン印刷法又はスピンコート法等を用いることも可能であるが、これらは現状では陰極の連続形成ができないので、上述の方法の方が好ましいと言える。 [0207] As a method of selectively forming the EL layer, an ink-jet method, since it is also possible to use a screen printing method or a spin coating method or the like, they can not continuously formed in the cathode at present, the above If the method is said to be preferred.

【0208】また、853は保護電極であり、EL層8 [0208] In addition, 853 is a protective electrode, EL layer 8
51、陰極852を外部の水分等から保護すると同時に、各画素の陰極852を接続するための電極である。 51, at the same time protects the cathode 852 from external moisture or the like, and an electrode for connecting the cathodes 852 of each pixel.
保護電極853としては、アルミニウム(Al)、銅(Cu)若しくは銀(Ag)を含む低抵抗な材料を用いることが好ましい。 The protective electrode 853, it is preferable to use aluminum (Al), a low resistance material containing copper (Cu) or silver (Ag). この保護電極853にはEL層の発熱を緩和する放熱効果も期待できる。 Heat dissipation effect on the protective electrode 853 to mitigate the heat generation of the EL layer can be expected.

【0209】また、854は第2パッシベーション膜であり、膜厚は10nm〜1μm(好ましくは200〜5 [0209] Further, 854 denotes a second passivation film, the film thickness is 10 nm to 1 m (preferably 200 to 5
00nm)とすれば良い。 00nm) and it should be. 第2パッシベーション膜85 The second passivation film 85
4を設ける目的は、EL層851を水分から保護する目的が主であるが、放熱効果をもたせることも有効である。 The purpose of providing a 4 is to protect the EL layer 851 from moisture is mainly, it is also effective to have a heat radiating effect. 但し、上述のようにEL層は熱に弱いので、なるべく低温(好ましくは室温から120℃までの温度範囲) However, since the EL layer as described above sensitive to heat, as much as possible low temperature (preferably at a temperature range up to 120 ° C. from room temperature)
で成膜するのが望ましい。 In it is desirable that the film formation. 従って、プラズマCVD法、 Thus, plasma CVD method,
スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法又は溶液塗布法(スピンコーティング法)が望ましい成膜方法と言える。 Sputtering, vacuum deposition, ion plating or solution coating (spin coating method) is considered desirable film forming method.

【0210】なお、図18に図示されたTFTは全て、 [0210] In addition, all TFT is illustrated in FIG. 18,
本発明で用いるポリシリコン膜を活性層として有していても良いことは言うまでもない。 It goes without saying that may have a polysilicon film as an active layer for use in the present invention.

【0211】本実施例の発光装置においてEL層860 [0211] EL layers 860 in the light emitting device of this embodiment
にピンホールが形成されていると、該ピンホールを介して画素電極849と陰極852とが接触している欠陥部が形成される。 When the pin hole is formed, the defect portion where the pixel electrode 849 and the cathode 852 through the pinholes is in contact is formed. 本発明の修理方法により、該欠陥部を変性層860に変えることで抵抗を高くすることができる。 The repair method of the present invention, it is possible to increase the resistance by changing the defect portion into the modified layer 860. よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を高くし、ピンホールの周りのEL層の劣化が促進されるのを防ぐことができる。 Therefore, to increase the brightness in the portion other than the pinhole of the pixel, deterioration of the EL layer around the pinhole can be prevented from being promoted.

【0212】なお本実施例の構成は、実施例1、2、 [0212] Note that the structure of this embodiment, Examples 1 and 2,
3、4、6または8と自由に組み合わせて実施することが可能である。 By freely combining with 3, 4, 6 or 8 it can be implemented.

【0213】(実施例12)EL素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。 [0213] Since the light emitting device using a (Example 12) EL elements are self-luminous, compared with a liquid crystal display device excellent in visibility in bright places and wider viewing angle. 従って、様々な電子機器の表示部に用いることができる。 Accordingly, it can be used in display portions of various electronic devices.

【0214】本発明の修理方法を用いた発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigi [0214] Such electronic devices using a light emitting device using the repairing method of the present invention, a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, an audio reproducing device (car audio, an audio component, or the like), a laptop computer, a game machine, a portable information terminal (mobile computer, portable telephone, portable game machine, or an electronic book), an image reproducing device provided with a recording medium (specifically Digi
tal Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、 Reproduce a recording medium such as a tal Versatile Disc (DVD),
その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。 The image apparatus having a display device for displaying a), and the like. 特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、EL In particular, for the chance to see the screen from an oblique direction is often portable information terminals, have a wide viewing angle is important, EL
素子を有する発光装置を用いることが望ましい。 It is preferable to use a light-emitting device having an element. それら電子機器の具体例を図11に示す。 Specific examples of these electronic devices are shown in FIG. 11.

【0215】図11(A)はEL表示装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。 [0215] Figure 11 (A) is an EL display device which includes a casing 2001, a support base 2002, a display portion 2003, speaker portions 2004, a video input terminal 2005, and the like. 本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部2003に用いることができる。 Light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used in the display portion 2003. EL素子を有する発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表示部とすることができる。 The light-emitting device having an EL element requires no backlight because it is of a self-emission type, it can make a thinner display unit than liquid crystal display device. なお、EL表示装置は、パソコン用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。 In addition, EL display device for personal computers, for TV broadcasting reception, includes all display devices for displaying information such as an advertising display.

【0216】図11(B)はデジタルスチルカメラであり、本体2101、表示部2102、受像部2103、 [0216] FIG. 11 (B) shows a digital still camera which includes a main body 2101, a display portion 2102, an image receiving portion 2103,
操作キー2104、外部接続ポート2105、シャッター2106等を含む。 Operation keys 2104, an external connection port 2105, a shutter 2106, and the like. 本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部2102に用いることができる。 Light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used as the display portion 2102.

【0217】図11(C)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2 [0217] FIG. 11 (C) shows a notebook personal computer, which includes a main body 2201, a housing 2202, a display portion 2
203、キーボード2204、外部接続ポート220 203, a keyboard 2204, an external connection port 220
5、ポインティングマウス2206等を含む。 5, a pointing mouse 2206, and the like. 本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部2203に用いることができる。 Light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used as the display portion 2203.

【0218】図11(D)はモバイルコンピュータであり、本体2301、表示部2302、スイッチ230 [0218] FIG. 11 (D) shows a mobile computer including a main body 2301, a display portion 2302, a switch 230
3、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。 3, an operation key 2304, an infrared port 2305, and the like. 本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部230 Light-emitting device using the repairing method of the present invention the display unit 230
2に用いることができる。 It can be used for 2.

【0219】図11(E)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B2404、記録媒体(DVD等)読み込み部240 [0219] a diagram 11 (E) a portable image reproducing device provided with a recording medium (specifically, a DVD reproduction apparatus), which includes a main body 2401, a housing 2402, a display portion A 2403, a display portion B 2404, a recording medium ( DVD or the like) reading portion 240
5、操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。 5, an operation key 2406, a speaker portion 2407, and the like. 表示部A2403は主として画像情報を表示し、表示部B2404は主として文字情報を表示するが、本発明の修理方法を用いた発光装置はこれら表示部A、B2 Display unit A2403 mainly displays image information, display unit B2404 mainly displays character information, such display unit A, the light-emitting device using the repairing method of the present invention B2
403、2404に用いることができる。 It can be used to 403,2404. なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。 Note that the image reproducing device provided with a recording medium includes a home game machine.

【0220】図11(F)はゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)であり、本体250 [0220] FIG. 11 (F) shows a goggle type display (head mounted display) which includes a main body 250
1、表示部2502、アーム部2503を含む。 1, a display portion 2502, an arm portion 2503. 本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部2502に用いることができる。 Light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used as the display portion 2502.

【0221】図11(G)はビデオカメラであり、本体2601、表示部2602、筐体2603、外部接続ポート2604、リモコン受信部2605、受像部260 [0221] FIG. 11 (G) shows a video camera including a main body 2601, a display portion 2602, a casing 2603, an external connection port 2604, a remote control receiving portion 2605, an image receiving portion 260
6、バッテリー2607、音声入力部2608、操作キー2609等を含む。 6, including a battery 2607, an audio input portion 2608, operation keys 2609, and the like. 本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部2602に用いることができる。 Light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used in the display portion 2602.

【0222】ここで図11(H)は携帯電話であり、本体2701、筐体2702、表示部2703、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706、 [0222] Here, FIG. 11 (H) shows a mobile phone which includes a main body 2701, a casing 2702, a display portion 2703, an audio input portion 2704, an audio output portion 2705, operation keys 2706,
外部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。 An external connection port 2707, an antenna 2708, and the like.
本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部2703に用いることができる。 Light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used in the display portion 2703. なお、表示部2703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。 The display portion 2703 can suppress the power consumption of the portable telephone by displaying white characters on a black background.

【0223】なお、将来的にEL材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。 [0223] Incidentally, the higher the light emission luminance in the future EL material, it can be used for a front or rear projector light including output image information is enlarged projected by a lens or the like.

【0224】また、上記電子機器はインターネットやC [0224] In addition, the electronic device is the Internet or a C
ATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。 Would be more likely to display the information that has been distributed via electronic communication lines such as the ATV (cable TV), it has increased the opportunity to especially display the video information. EL材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。 The response speed of EL materials is extremely high, the light emitting device is suitable for animation display.

【0225】また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。 [0225] Also, the portion of the light emitting device that is emitting light consumes power, it is desirable that the light emitting portion to display information such that as small as possible. 従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。 Accordingly, a portable information terminal, in particular in the case of using a light emitting device in a display portion mainly for character information, such as a cellular phone or an audio reproducing device, display text information non-emitting portions as background and forming the light-emitting portion it is desirable to.

【0226】以上の様に、本発明の修理方法を用いた発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。 [0226] As described above, the applicable range of the light-emitting device using the repairing method of the present invention can be used in extremely wide, electronic devices in all fields. また、本実施例の電子機器は実施例1〜11に示したいずれの構成を用いても良い。 The electronic device of this embodiment may use the structure of any that shown in Examples 1 to 11.

【0227】(実施例13)本実施例では、本発明の修理方法をパッシブ型(単純マトリクス型)の発光装置に適用した場合について説明する。 [0227] (Embodiment 13) This embodiment will describe a case where the repairing method of the present invention is applied to the light emitting device of a passive type (simple matrix type).

【0228】図19(A)にパッシブ型の発光装置の構成を示す。 [0228] showing a configuration of a passive light emitting device in FIG. 19 (A). 805は画素部であり、複数の画素806を有している。 805 denotes a pixel portion, and a plurality of pixels 806. 各画素は複数のデータ線803の1つと、 Each pixel one of a plurality of data lines 803,
複数の走査線804の1つとを有している。 It has one of a plurality of scanning lines 804. データ線8 Data line 8
03と走査線804の間にEL層が形成されており、データ線803と走査線804とが電極となり、EL素子807が形成されている。 03 and EL layer between the scanning lines 804 are formed, the data line 803 and scan line 804 becomes an electrode, EL element 807 is formed.

【0229】データ線803に入力される信号はデータ線駆動回路801において制御されており、走査線80 [0229] signal input to the data line 803 is controlled by the data line drive circuit 801, the scanning line 80
4に入力される信号は走査線駆動回路802において制御されている。 Signal input to 4 are controlled in the scanning line driving circuit 802.

【0230】図19(B)に、本発明の修理方法を用いたときに、走査線804とデータ線803に入力される信号の電圧の高さを示す。 [0230] in FIG. 19 (B), when using the repair method of the present invention, showing the height of the voltage of the signal input to the scan line 804 and data line 803. 各走査線804の電圧を一定にし、データ線の電圧を一定期間毎に変化させることで、一定期間毎にEL素子807に所定の逆バイアスの電流を流す。 The voltage of the scanning lines 804 constant, by varying the voltage of the data line at regular intervals, passing the current having a predetermined reverse bias to the EL element 807 at regular intervals.

【0231】なおEL素子807の欠陥の修理は、画素部805が有する全ての画素806において一斉に行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行っても良い。 [0231] Note that the repair of the defect of the EL element 807 may be performed simultaneously in all the pixels 806 included in the pixel portion 805, each line, or may be performed for each pixel.

【0232】本発明の方法を用いることによって、EL [0232] By using the method of the present invention, EL
層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、 Pin holes are formed due to the influence of dust or the like at the time of layer deposition,
発光層を間に挟んで形成された2つの層どうしがショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗を高めることができ、EL素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際にEL層に流れる電流を大きくすることができる。 Even if short two layers each other which are formed in between the light-emitting layer, it is possible to increase the resistance of the defective portion is shorted, actually EL layer when applying a forward bias voltage to the EL element it can be a current flowing through the increase. したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くすることができる。 Accordingly, the repairing method of the present invention, even if there is a defect portion, it is possible to increase the light emission luminance under the application of the same voltage.

【0233】また、欠陥部では常に電流が流れるために、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されやすかった。 [0233] In order to always current flows in the defective portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion is likely promoted. しかし、変性層は抵抗R SCが高いので電流は流れにくく、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 However, the modified layer is a current does not easily flow because of the high resistance R SC, the deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【0234】本実施例は、実施例5〜8、12と自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0234] This embodiment can be implemented freely combining with Embodiment 5~8,12.

【0235】 [0235]

【発明の効果】本発明は上記構成によって、EL層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、発光層を間に挟んで形成された2つの層どうしがショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗を高めることができ、EL素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際にEL層に流れる電流を大きくすることができる。 The present invention is the construction according to the present invention, the pin holes are formed due to the influence of dust or the like during EL layer forming two layers each other which are formed in between the light emitting layer is also short, and short and it is able to increase the resistance of the defect portion, can actually the current flowing through the EL layer is increased when applying a forward bias voltage to the EL element. したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在しても、 Accordingly, the repairing method of the present invention, even if there is a defect portion,
同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くすることができる。 It can be increased emission luminance under the application of the same voltage.

【0236】また、欠陥部では常に電流が流れるために、欠陥部の周囲に存在するEL層の劣化が促進されやすかった。 [0236] In order to always current flows in the defective portion, deterioration of the EL layer existing around the defective portion is likely promoted. しかし、変性層は抵抗R SCが高いので電流は流れにくく、変性層の周囲に存在するEL層の劣化が促進されることを防ぐことができる。 However, the modified layer is a current does not easily flow because of the high resistance R SC, the deterioration of the EL layer existing around the modified layer can be prevented from being promoted.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 EL素子に逆バイアスの電圧を印加した時の、EL素子における電流の流れを模式的に示した図。 [1] when applying a reverse bias voltage to the EL element, drawing the current flow in EL element shown schematically.

【図2】 修理の過程におけるEL素子の電圧電流特性の変化と、修理後のEL素子に順バイアスの電圧を印加した時の、EL素子における電流の流れを模式的に示した図。 [Figure 2] and the change of the voltage-current characteristic of the EL element in the repair process, upon application of a forward bias voltage to the EL element after repairing, drawing a current flow in EL element shown schematically.

【図3】 画素の回路図。 Figure 3 is a circuit diagram of a pixel.

【図4】 画素部の回路図及び修理の際の画素部の動作を示す図。 Illustrates an operation of the pixel portion when the Figure 4 circuit of the pixel portion view and repair.

【図5】 画素の回路図。 FIG. 5 is a circuit diagram of a pixel.

【図6】 画素部の回路図及び修理の際の画素部の動作を示す図。 It illustrates an operation of the pixel portion during 6 circuit of a pixel portion view and repair.

【図7】 駆動回路の構成を示す図。 7 is a diagram showing a configuration of a drive circuit.

【図8】 駆動回路の構成を示す図。 8 shows a configuration of a drive circuit.

【図9】 EL素子の構成を示す図。 9 is a diagram showing a structure of an EL element.

【図10】 EL素子の構成を示す図。 FIG. 10 is a view showing a structure of an EL element.

【図11】 本発明の修理方法を用いた発光装置を有する電子機器。 An electronic device including a light-emitting device using the repairing method of the 11 present invention.

【図12】 欠陥部を有するEL素子の断面図と、該E FIG. 12 is a cross-sectional view of an EL element having a defect portion and, said E
L素子に順バイアスの電流を流したときの電流の流れを模式的に示した図。 Diagram schematically illustrating the flow of current when a current of forward bias current to the L element.

【図13】 EL素子の電圧−電流特性を示す図。 It shows current characteristics - 13 voltage of the EL element.

【図14】 EL素子に逆バイアスの電流を流したときの電圧−電流特性のグラフ。 Graph of current characteristics - voltage when a current of reverse bias current in Figure 14 EL element.

【図15】 EL素子の電圧−電流特性を示す図。 It shows current characteristics - Figure 15 the voltage of the EL element.

【図16】 発光装置の断面図。 Figure 16 is a cross-sectional view of a light emitting device.

【図17】 発光装置の断面図。 FIG. 17 is a cross-sectional view of a light emitting device.

【図18】 発光装置の断面図。 Figure 18 is a cross-sectional view of a light emitting device.

【図19】 パッシブ型の発光装置に本発明の修理方法を用いた場合の図。 Figure in the case of using the method for repairing 19 present invention to a passive light-emitting device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/12 H05B 33/12 Z 33/14 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB05 AB18 BA06 DA01 DB03 EB00 FA00 GA02 5C094 AA21 AA42 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 FA01 FB01 FB02 FB12 FB20 GA10 GB10 5G435 AA16 AA17 BB05 CC09 HH12 HH13 HH14 KK05 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H05B 33/12 H05B 33/12 Z 33/14 33/14 a F -term (reference) 3K007 AB05 AB18 BA06 DA01 DB03 EB00 FA00 GA02 5C094 AA21 AA42 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 FA01 FB01 FB02 FB12 FB20 GA10 GB10 5G435 AA16 AA17 BB05 CC09 HH12 HH13 HH14 KK05

Claims (18)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】第1の電圧と第2の電圧を順にEL素子に印加する発光装置の修理方法であって、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 1. A first voltage and a method of repairing a light emitting device for applying a second voltage sequentially to the EL element, the first voltage and the second voltage has a height different reverse bias to each other method of repairing a light emitting device which is a voltage.
  2. 【請求項2】EL素子に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させる発光装置の修理方法であって、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 2. A method voltage applied to the EL element, a method of repairing a light emitting device which gradually changes from a first voltage to a second voltage, the first voltage and the second voltage are each method of repairing a light emitting device which is a different reverse bias voltages of height.
  3. 【請求項3】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加し、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 3. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, a first voltage between the anode and the cathode When the second voltage is applied sequentially, the first voltage and the second voltage, a method of repairing a light emitting device which is a different reverse bias voltages of the height from each other.
  4. 【請求項4】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させ、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 4. an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the voltage applied between the anode and the cathode , from the first voltage is gradually changed to the second voltage, the first voltage and the second voltage, a method of repairing a light emitting device which is a different reverse bias voltages of the height from each other .
  5. 【請求項5】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加することにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 5. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, a first voltage between the anode and the cathode If by applying a second voltage in order to insulate or with higher resistance of the current flowing through the portion of the reverse bias between the anode and the cathode, wherein the first voltage and the second voltage is high one another method of repairing a light emitting device which is a different reverse bias voltages of the of.
  6. 【請求項6】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させることにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 6. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the voltage applied between the anode and the cathode , by gradually changing from the first voltage to the second voltage, the anode and insulated by or high resistance to current flow portion of the reverse bias between the cathode, the first voltage and the second the voltage, a method of repairing a light emitting device which is a different reverse bias voltages of the height from each other.
  7. 【請求項7】請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧が、前記EL素子のアバランシュ電圧の±15%以内に納まることを特徴とする発光装置の修理方法。 7. A any one of claims 1 to 6, wherein the first voltage and the second voltage, characterized in that falls within ± 15% of the avalanche voltage of the EL element repair method of the light-emitting device.
  8. 【請求項8】第1の電圧と第2の電圧を順にEL素子に印加する発光装置の修理方法であって、 前記第1の電圧はグランドの電圧であり、 前記第2の電圧は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 8. A first voltage and a method of repairing a light emitting device for applying a second voltage sequentially to the EL element, wherein the first voltage is a voltage of the ground, the second voltage is a reverse bias method of repairing a light emitting device which is a voltage.
  9. 【請求項9】EL素子に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させる発光装置の修理方法であって、 前記第1の電圧と前記第2の電圧は、一方はグランドの電圧であり、他方は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 9. A voltage applied to the EL element, a method of repairing a light emitting device which gradually changes from a first voltage to a second voltage, the first voltage and the second voltage, whereas repair method is the voltage of the ground and the other light-emitting device which is a reverse bias voltage.
  10. 【請求項10】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加し、 前記第1の電圧はグランドの電圧であり、 前記第2の電圧は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 10. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, a first voltage between the anode and the cathode When the second voltage is applied sequentially, the first voltage is a voltage of the ground, a method of repairing a light emitting device, wherein the second voltage is a reverse bias voltage.
  11. 【請求項11】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させ、 前記第1の電圧と前記第2の電圧は、一方はグランドの電圧であり、他方は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 11. an anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the voltage applied between the anode and the cathode , gradually changed from a first voltage to a second voltage, the first voltage and the second voltage, one is the voltage of the ground and the other being a reverse bias voltage repair method of the light-emitting device.
  12. 【請求項12】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に第1の電圧と第2の電圧を順に印加することにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、 前記第1の電圧はグランドの電圧であり、 前記第2の電圧は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 12. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, a first voltage between the anode and the cathode If by applying a second voltage in order, the anode and insulated by or high resistance portions in which a current flows in the reverse bias between the cathode, the first voltage is a voltage of the ground, the second repair method of the electroluminescent device which is a reverse bias voltage.
  13. 【請求項13】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の修理方法であって、 前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させることにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、 前記第1の電圧と前記第2の電圧は、一方はグランドの電圧であり、他方は逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の修理方法。 13. The anode, an EL layer in contact with the anode, a method of repairing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, the voltage applied between the anode and the cathode , by gradually changing from the first voltage to the second voltage, the anode and insulated by or high resistance to current flow portion of the reverse bias between the cathode, the said first voltage second the voltage, one is a voltage of the ground, a method of repairing a light emitting device, wherein the other is a reverse bias voltage.
  14. 【請求項14】請求項8乃至請求項13のいずれか1項において、 前記逆バイアスの電圧が、前記EL素子のアバランシュ電圧の±15%以内に納まることを特徴とする発光装置の修理方法。 14. The any one of claims 8 to 13, the voltage of the reverse bias, a method of repairing a light emitting device characterized by falls within ± 15% of the avalanche voltage of the EL element.
  15. 【請求項15】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の作製方法であって、 前記陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に第1 15. The anode, an EL layer in contact with the anode, a method for manufacturing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, after forming the cathode, the said anode and the cathode the second between 1
    の電圧と第2の電圧を順に印加し、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の作製方法。 And the application of a voltage and a second voltage in order, the first voltage and the second voltage, a method for manufacturing a light-emitting device which is a reverse bias voltage having different height from each other.
  16. 【請求項16】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の作製方法であって、 前記陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させ、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の作製方法。 16. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method for manufacturing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, after forming the cathode, the said anode and the cathode the voltage applied between the, gradually changed from a first voltage to a second voltage, said first voltage and said second voltage is characterized by a different reverse bias voltages of the height from each other the method for manufacturing a light emitting device according to.
  17. 【請求項17】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の作製方法であって、 前記陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に第1 17. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method for manufacturing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, after forming the cathode, the said anode and the cathode the second between 1
    の電圧と第2の電圧を順に印加することにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の作製方法。 The voltage and by applying a second voltage in order to insulate or with higher resistance of the reverse bias portion taken by the current of between the anode and the cathode, wherein the first voltage and the second voltage, the method for manufacturing a light emitting device, characterized in that mutually different heights reverse bias voltage.
  18. 【請求項18】陽極と、前記陽極に接するEL層と、前記EL層に接する陰極とを有するEL素子を含む発光装置の作製方法であって、 前記陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に印加する電圧を、第1の電圧から第2の電圧へ徐々に変化させることにより、前記陽極と前記陰極の間の逆バイアスの電流が流れる部分を絶縁化または高抵抗化し、 前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、互いに高さの異なる逆バイアスの電圧であることを特徴とする発光装置の作製方法。 18. A anode, an EL layer in contact with the anode, a method for manufacturing a light emitting device including an EL element and a cathode in contact with the EL layer, after forming the cathode, the said anode and the cathode the voltage applied between the, by gradually changing from the first voltage to the second voltage, and insulated or high resistance to reverse bias portion taken by the current of between the anode and the cathode, the first first voltage and the second voltage, a method for manufacturing a light-emitting device which is a different reverse bias voltages of the height from each other.
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