JP2008117754A - 高分子電解質材料、ならびにそれを用いた高分子電解質膜、膜電極複合体および高分子電解質型燃料電池 - Google Patents
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Abstract
本発明は、高プロトン伝導度と低燃料クロスオーバーを両立し、機械強度、耐熱水性、耐熱メタノール性に優れる上に、高分子電解質型燃料電池としたときに高出力、高エネルギー密度、長期耐久性を達成することができる高分子電解質材料、およびそれからなる高分子電解質膜、膜電極複合体ならびに高分子電解質型燃料電池を提供せんとするものである。
【解決手段】
本発明の高分子電解質材料は、少なくとも酸性基を有するモノマー構造、主鎖に塩基性基を有するモノマー構造および中性モノマー構造を共重合体として含有することを特徴とするイオン性基含有高分子電解質材料である。また、本発明の高分子電解質膜、膜電極複合体および高分子電解質型燃料電池は、かかる高分子電解質材料を用いて構成されていることを特徴とするものである。
【選択図】 なし
Description
「ポリマー」(Polymer), 1987, vol. 28, 1009. 「ジャーナル オブ メンブレンサイエンス」(Journal of MembraneScience), 83 (1993) 211-220.
これらイオン性基を有するパーフルオロ系ポリマーは、ポリマー中の疎水性部分と親水性部分が明確な相構造を形成するために、含水状態ではポリマー中にクラスターと呼ばれる水のチャンネルが形成される。この水チャンネル中はメタノールなどの燃料の移動が容易であり、燃料クロスオーバー低減が望めない。嵩高い側鎖のために、示差走査熱量分析法で結晶化ピークは認められないので好ましくない。また、ポリマー分子鎖のパッキングが悪いために、引裂強度や引張破断強度が小さいので好ましくない。
かかる一般式(T1)で示される繰返し単位を有する主鎖に芳香族を含有するポリマーの中でも、一般式(T1−1)〜一般式(T1−6)で示される繰返し単位を有するポリマーは耐加水分解性、機械強度および製造コストの点でより好ましい。なかでも、機械強度や製造コストの面から、Y2がOである芳香族ポリエーテル系重合体がさらに好ましく、最も好ましくは一般式(T1−3)で示される繰返し単位を有するもの、すなわち、芳香族ポリエーテルケトン系重合体が最も好ましい。
Z1として好ましい有機基は、フェニレン基およびナフチレン基である。これらは置換されていてもよい。
一般式(Q1−s)の中でも好ましいのは、機械強度、寸法安定性の観点から、下記一般式(Q2−s)である。
使用する芳香族活性ジハライド化合物としては、2価フェノール化合物との芳香族求核置換反応により高分子量化が可能なものであれば、特に限定されるものではない。芳香族活性ジハライド化合物に酸性基を導入した化合物をモノマーとして用いることは、酸性基の量を精密制御が可能な点から好ましい。プロトン伝導度および耐加水分解性の点から酸性基としてはスルホン酸基が最も好ましく、下記一般式(Q1)で表される芳香族ジハライド化合物がさらに好ましい。これらのスルホン酸基は重合の際には、スルホン酸基が1価カチオン種との塩になっていることが好ましい。1価カチオン種としては、ナトリウム、カリウムや他の金属種や各種アミン類等でも良く、これらに制限される訳ではない。これら芳香族活性ジハライド化合物は、単独で使用することができるが、複数の芳香族活性ジハライド化合物を併用することも可能である。
本発明において、一般式(Q1)で表される芳香族ジハライド化合物中の電子吸引性基X1の好ましい具体例としては、ケトン、スルホン、ホスフィンオキシド等が挙げられる。なお、ホスフィンオキシドの置換基の好ましい例は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、ビニル基、アリル基、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基、フェニルフェニル基などである。工業的な入手の容易さの点では置換基として最も好ましいのはフェニル基である。
一般式(Q1)で表される芳香族ジハライド化合物の具体例としては、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジクロロジフェニルスルホン、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロジフェニルスルホン、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジクロロジフェニルケトン、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロジフェニルケトン、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジクロロジフェニルフェニルホスフィンオキシド、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロジフェニルフェニルホスフィンオキシド、等を挙げることができる。中でも、一般式(Q1)で表される芳香族活性ジハライド化合物としては、製造コスト、耐熱メタノール性、燃料クロスオーバー抑制効果の点から3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジクロロジフェニルケトン、3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロジフェニルケトンがより好ましく、重合活性の点から3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロジフェニルケトンが最も好ましい。
(1) 試料をミルにより粉砕し、粒径を揃えるため、目50メッシュの網ふるいにかけ、ふるいを通過したものを測定試料とする。
(2) サンプル管(蓋付き)を精密天秤で秤量する。
(3) 前記(1)の試料 約0.1gをサンプル管に入れ、40℃で16時間、真空乾燥する。
(4) 試料入りのサンプル管を秤量し、試料の乾燥重量を求める。
(5) 塩化ナトリウムを30重量%メタノール水溶液に溶かし、飽和食塩溶液を調製する。
(6) 試料に前記(5)の飽和食塩溶液を25mL加え、24時間撹拌してイオン交換する。
(7) 生じた塩酸を0.02mol/L水酸化ナトリウム水溶液で滴定する。指示薬として市販の滴定用フェノールフタレイン溶液(0.1体積%)を2滴加え、薄い赤紫色になった点を終点とする。
(8) イオン交換容量は下記の式により求める。
〔水酸化ナトリウム水溶液の濃度(mmol/ml)×滴下量(ml)〕/試料の乾燥重量(g)
本発明のイオン性基を有するポリマーには本発明の目的を阻害しない範囲において、他の成分、例えば導電性若しくはイオン伝導性を有さない不活性なポリマーや有機あるいは無機の化合物、が含有されていても構わない。
主鎖に塩基性を有するとは、その塩基性を除去するとポリマーの骨格が切れてしまうことを意味する。
本発明に使用する、特に好ましいビスフェノール化合物の具体例としては、下記一般式(r1)〜(r10)で表される化合物、並びにこれらのビスフェノール化合物由来の誘導体が挙げることができる。
高分子電解質膜を25℃の純水に24時間浸漬し、40℃で24時間真空乾燥した後、元素分析により測定した。炭素、水素、窒素の分析は全自動元素分析装置varioEL、硫黄の分析はフラスコ燃焼法・酢酸バリウム滴定、フッ素の分析はフラスコ燃焼・イオンクロマトグラフ法で実施した。ポリマーの組成比から単位グラムあたりのスルホン酸基密度(mmol/g)を算出した。
膜の試料を25℃の純水に24時間浸漬した後、25℃、相対湿度50〜80%の雰囲気中に取り出し、できるだけ素早く定電位交流インピーダンス法でプロトン伝導度を測定した。
高分子電解質材料の重量平均分子量をGPCにより測定した。紫外検出器と示差屈折計の一体型装置として東ソー製HLC−8022GPCを、またGPCカラムとして東ソー製TSK gel SuperHM−H(内径6.0mm、長さ15cm)2本を用い、N−メチル−2−ピロリドン溶媒(臭化リチウムを10mmol/L含有するN−メチル−2−ピロリドン溶媒)にて、サンプル濃度0.1wt%、流量0.2mL/min、温度40℃で測定し、標準ポリスチレン換算により重量平均分子量を求めた。
ミツトヨ製グラナイトコンパレータスタンドBSG−20にセットしたミツトヨ製ID−C112型を用いて測定した。
電解質膜の耐熱水性は95℃、熱水中での寸法変化率を測定することにより評価した。電解質膜を長さ約5cm、幅約1cmの短冊に切り取り、25℃の水中に24時間浸漬後、ノギスで長さ(L1)を測長した。該電解質膜を95℃の熱水中に8時間浸漬後、再度ノギスで長さ(L2)を測長し、その寸法変化の大きさを目視で観察した。
高分子電解質膜の耐熱メタノール性は60℃、30wt%メタノール水溶液中での寸法変化率を測定することにより評価した。高分子電解質膜を長さ約5cm、幅約1cmの短冊状に切り取り、25℃の水中に24時間浸漬後、ノギスで長さ(L1)を正確に測長した。該高分子電解質膜を60℃の30wt%メタノール水溶液中に12時間浸漬後、再度ノギスで長さ(L2)を正確に測長し、下記算式(S1)にて寸法変化率を計算した。
L1 :25℃の水中に24時間浸漬後の高分子電解質膜の長さ(cm)
L2 :60℃の30wt%メタノール水溶液中に12時間浸漬後の高分子電解質膜の長さ(cm)
(7)メタノール透過量
膜状の試料を25℃の純水に24時間浸漬した後、20℃において1モル%メタノール水溶液を用いて測定した。
(8)核磁気共鳴スペクトル(NMR)
下記の測定条件で、NMRの測定を行い、モノマー構造を確認した。
共鳴周波数 :270MHz
測定温度 :室温
溶解溶媒 :DMSO−d6
内部基準物質:TMS(0ppm)
合成例1
下記一般式(G1)で表される2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−6,6’−ビベンゾイミダゾールの合成
合成例2
下記一般式(G2)で表される2,2’−ビス(4−フルオロフェニル)−6,6’−ビベンゾイミダゾールの合成
合成例3
下記一般式(G3)で表されるジソジウム 3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロベンゾフェノンの合成
合成例4
前記式(r4)で表される2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3−ジオキソラン(K−DHBP)の合成
攪拌器、温度計及び留出管を備えた 500mlフラスコに、4,4′−ジヒドロキシベンゾフエノン49.5g、エチレングリコール134g、オルトギ酸トリメチル96.9g及びp−トルエンスルホン酸1水和物0.50gを仕込み溶解する。その後78〜82℃で2時間保温攪拌した。更に、内温を120℃まで徐々に昇温、ギ酸メチル、メタノール、オルトギ酸トリメチルの留出が完全に止まるまで加熱した。この反応液を室温まで冷却後、反応液を酢酸エチルで希釈し、有機層を5%炭酸カリウム水溶液100mlで洗浄し分液後、溶媒を留去した。残留物にジクロロメタン80mlを加え結晶を析出させ、濾過し、乾燥して2,2−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−1,3−ジオキソラン52.0gを得た。この結晶をGC分析したところ99.8%の2,2−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−1,3−ジオキソランと0.2%の4,4′−ジヒドロキシベンゾフエノンであった。
下記一般式(J1)で表される高分子電解質材料の合成および評価、ならびに高分子電解質膜の作成および評価
かき混ぜ機、窒素導入管、Dean−Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム6.9g(アルドリッチ試薬、50mmol)、4,4’−ジヒドロキシテトラフェニルメタン13.4g(38mmol)、4,4’−ジフルオロベンゾフェノン4.4g(アルドリッチ試薬、20mmol)、前記合成例1で得たビスフェノールモノマー0.84g(2.0mmol)、および前記合成例3で得たジソジウム 3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロベンゾフェノン8.9g(21mmol)を入れ、窒素置換後、N−メチルピロリドン(NMP)60mL、トルエン40mL中で180℃で脱水後、昇温してトルエン除去、230℃で12時間重合を行った。多量の水で再沈殿することで精製を行い、上記一般式(J1)で示される高分子電解質材料を得た。得られた高分子電解質材料の重量平均分子量は45万、製膜、プロトン置換(詳細は後述)後のスルホン酸基密度は1.4mmol/gであった。
下記式(J2)で表される高分子電解質材料の合成および評価、ならびに高分子電解質膜の作成および評価
かき混ぜ機、窒素導入管、Dean−Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム6.9g(アルドリッチ試薬、50mmol)、9,9’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン (38mmol)、4,4’−ジフルオロベンゾフェノン4.4g(アルドリッチ試薬、20mmol)、前記合成例1で得たビスフェノールモノマー0.84g(2.0mmol)、および前記合成例3で得たジソジウム 3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロベンゾフェノン8.9g(21mmol)を入れ、窒素置換後、N−メチルピロリドン(NMP)60mL、トルエン40mL中で180℃で脱水後、昇温してトルエン除去、230℃で12時間重合を行った。多量の水で再沈殿することで精製を行い、上記一般式(J2)で示される高分子電解質材料を得た。得られた高分子電解質材料の重量平均分子量は35万、製膜、プロトン置換(詳細は後述)後のスルホン酸基密度は1.4mmol/gであった。
実施例3
下記一般式(J3)で表される高分子電解質材料の合成および評価、ならびに高分子電解質膜の作成および評価
かき混ぜ機、窒素導入管、Dean−Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム6.9g(アルドリッチ試薬、50mmol)、4,4’−ジヒドロキシテトラフェニルメタン14.1g(40mmol)、4,4’−ジフルオロベンゾフェノン4.2g(アルドリッチ試薬、19mmol)、前記合成例2で得た芳香族ジハライドモノマー0.84g(2.0mmol)、および前記合成例3で得たジソジウム 3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロベンゾフェノン8.5g(20mmol)を入れ、窒素置換後、N−メチルピロリドン(NMP)60mL、トルエン40mL中で180℃で脱水後、昇温してトルエン除去、230℃で12時間重合を行った。多量の水で再沈殿することで精製を行い、上記一般式(J3)で示される高分子電解質材料を得た。得られた高分子電解質材料の重量平均分子量は40万、製膜、プロトン置換(詳細は後述)後のスルホン酸基密度は1.3mmol/gであった。
実施例4
下記一般式(J4)で表される高分子電解質材料の合成および評価、ならびに高分子電解質膜の作成および評価
かき混ぜ機、窒素導入管、Dean−Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム6.9g(アルドリッチ試薬、50mmol)、合成例4で得られたK−DHBP9.81g(38mmol)、4,4’−ジフルオロベンゾフェノン4.4g(アルドリッチ試薬、20mmol)、前記合成例1で得たビスフェノールモノマー0.84g(2.0mmol)、および前記合成例3で得たジソジウム 3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロベンゾフェノン8.9g(21mmol)を入れ、窒素置換後、N−メチルピロリドン(NMP)60mL、トルエン40mL中で180℃で脱水後、昇温してトルエン除去、230℃で12時間重合を行った。多量の水で再沈殿することで精製を行い、上記一般式(J4)で示される高分子電解質材料を得た。得られた高分子電解質材料の重量平均分子量は45万、製膜、プロトン置換(詳細は後述)後のスルホン酸基密度は1.4mmol/gであった。
実施例5
下記一般式(J5)で表される高分子電解質材料の合成および評価、ならびに高分子電解質膜の作成および評価
かき混ぜ機、窒素導入管、Dean−Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム6.9g(アルドリッチ試薬、50mmol)、合成例4で得られたK−DHBP10.33g(40mmol)、4,4’−ジフルオロベンゾフェノン4.2g(アルドリッチ試薬、19mmol)、前記合成例2で得た芳香族ジハライドモノマー0.84g(2.0mmol)、および前記合成例3で得たジソジウム 3,3’−ジスルホネート−4,4’−ジフルオロベンゾフェノン8.5g(20mmol)を入れ、窒素置換後、N−メチルピロリドン(NMP)60mL、トルエン40mL中で180℃で脱水後、昇温してトルエン除去、230℃で12時間重合を行った。多量の水で再沈殿することで精製を行い、上記一般式(J3)で示される高分子電解質材料を得た。得られた高分子電解質材料の重量平均分子量は40万、製膜、プロトン置換(詳細は後述)後のスルホン酸基密度は1.3mmol/gであった。
市販のナフィオン(登録商標)117膜(デュポン社製)を用い、イオン伝導度、耐熱水性、MCOおよび耐熱メタノール性を評価した。ナフィオン(登録商標)117膜は100℃の5%過酸化水素水中にて30分、続いて100℃の5%希硫酸中にて30分浸漬した後、100℃の脱イオン水でよく洗浄した。評価結果は表1にまとめた。
実施例1で得た前記式(J1)の高分子電解質材料を前記式(J4)のポリマーに変えたこと以外は実施例1に記載の方法で高分子電解質膜の作製を行った。
Claims (14)
- 酸性基を有するモノマー構造、主鎖に塩基性基を有するモノマー構造、および中性モノマー構造を共重合体構造として含有することを特徴とするイオン性基含有高分子電解質材料。
- 該共重合体が芳香族ポリエーテル系共重合体である請求項1に記載の高分子電解質材料。
- 酸性基がスルホン酸基である請求項1または2に記載の高分子電解質材料。
- 酸性基を有するモノマー構造の含有モル分率W1が、2モル%以上40モル%以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の高分子電解質材料。
- 主鎖に塩基性基を有するモノマー構造の含有モル分率W2が、0.5モル%以上15モル%以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の高分子電解質材料。
- 酸性基を有するモノマー構造と主鎖に塩基性基を有するモノマー構造の含有モル分率の比W2/W1が0.02〜0.4であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の高分子電解質材料。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の高分子電解質材料からなることを特徴とする高分子電解質膜。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の高分子電解質材料を用いて構成されたことを特徴とする膜電極複合体。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の高分子電解質材料を用いて構成されたことを特徴とする固体高分子型燃料電池。
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