JP2008116940A - 光の結晶透過中に起こる直線偏光の解消を防止するための配置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ装置、平面パネルディスプレイ等の光学システム、特に電子部品の製造において直線偏光の解消によって生ずる問題を解決する。
【解決手段】｛１１１｝または｛１００｝結晶面及び＜１１１＞または＜１００＞結晶軸をもつ結晶中への光の透過中に直線偏光の解消を引き起こし、防止し、あるいは減ずることができるように配置を行い、結晶表面は直線偏光が４５〜７５℃の角度で衝突する｛１１１｝または｛１００｝面によって形成し、及び前記結晶を、該結晶中へ入った後の光が前記＜１００＞または＜１１１＞結晶軸に対して可能な限り平行に伝搬されるように、及び／または前記結晶中に温度勾配が形成されることを防止する系に調節装置が含まれるように配置する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光媒体、特に結晶中を光が透過する際に起こる直線偏光の解消を防止し、あるいは減ずるための配置及び方法に関する。本発明はさらに、このような配置の利用にも関する。

直線偏光は光の伝搬方向の横断面においてのみ振動する電磁横断伝搬波である。この直線偏光がさらにコヒーレントであれば、伝搬波のすべてが同時に伝搬される。従って、光ビームは同方向へ向けられた個々の伝搬波の束から成る。直線偏光は、例えばコンピュータチップ、平面パネルディスプレイ、ＴＦＴモニター等の広範囲に亘る技術分野において利用価値が見出されている。直線偏光が一定面において波動する光だけを伝搬する偏光フィルターに衝突すると、偏光ビームの波動面に対する位置によって、前記フィルターは偏光を妨げることなく透過性であるか、あるいは不透過性であるかのいずれかである（垂直設置及び水平設置）。偏光の発生は昔から知られており、例えば方解石（ＣａＣＯ_３）等の複屈折性結晶を用いて引き起こすことができる。

偏光あるいは偏光放射線を発生させる別の可能な方法にはブルースター角での表面からの反射が関与している。光あるいは放射線ビームがブルースター角で反射された後に屈折すると、その反射ビームは屈折面あるいは反射面に対して垂直方向へ完全に偏光され（ｓ−偏光）、伝搬されるビームには、反射ロスを生ずることなく、屈折面あるいは反射面に対して平行に偏光された全放射線（ｐ−偏光）とｓ−偏光された放射線の一部が含まれる。

このような効果を利用する装置としては、例えばｐ−偏光された放射線をロス無く９０°程度まで向け直すニコルスプリズムやブルースタープリズムがある。他の例として、反射ロスを生ずることなくｐ−偏光された放射線を透過させるがｓ−偏光された放射線は少量しか透過させず、またＵＳ６，５５６，６１３に記載されているように特にレーザの偏光を起こすために利用されるブルースター角に配置されるレーザ窓あるいはブルースター角に配置されるプリズムが挙げられる。このような偏光放射線を発生させる他の装置として例えばレーザがある。レーザ放射、特に脈動レーザ放射は、装置の種類や配置によるが、コヒーレントなレーザ光だけでなく偏光レーザ光あるいは未偏光レーザ光も発生させることができることを特徴とする。この脈動レーザ放射は、例えばマイクロリトグラフィー用のエキシマレーザにおいては、偏光方向を外へ繋げるために光学構成部品（例えばプリズム及び出口窓）がブルースター角に配置される場合に生ずる。

しかしながら、直線偏光レーザ光が光学媒体、例えばレンズあるいはプリズム等を通過する時にその偏光性を失うこと、すなわち偏光性が解消されることがずっと以前から知られている。この際直線偏光は楕円形の偏光となり、あるいは波動方向が変更される。このような効果についても公知である。

ＴＦＴ技術においては、背景光がまず垂直に配置された偏光フィルター中を通過し、次いで背景光は電圧の印加によって偏光方向が垂直から水平へと可変である可変偏光フィルター中を通過する。この方式によれば、水平方向に通過する背景光は完全に遮断され、他方垂直方向に通過する背景光は完全に透過される。しかしながら、この場合には、フィルター間において偏光が解消されるため、光が完全に遮断されることはなく、また光がフィルター系を通して完全に透過されることもない。すなわち明度及び暗度双方の強度にロスが生じる。

他の主要な技術的問題として偏光レーザ光の偏光解消がある。特に半導体及び他の電子部品の製造においては、このような効果によって撮像精度の低下が引き起こされる。それゆえ、Ｊ．Ｈ．ＢｕｒｎｅｔｔはＰｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ，ｖｏｌ．６４（２００１）において、例えば前述した電子部品の製造に用いられるフッ化カルシウム及びフッ化バリウム結晶中における固有の複屈折について述べている。換言すれば、完全な立方晶対称性をもつ系において複屈折が生ずること、すなわち吸収及び屈折率等の光学特性に方向依存的相違が生ずることは理論的に予測できないことが記載されている。精密ＵＶ技術においてこのような偏光解消によって引き起こされる照明上の問題を解決するために、ＷＯ ０２／０９３２０１ Ａ２）においては、異なる方位をもつレンズ系を用いること、すなわち他方のレンズに対して６０°回転可能な２個の｛１１１｝垂直方位レンズと、他方に対して４５°回転可能な２個の｛１００｝方位レンズを組み合わせて用いることが提案されている。

またＭ．Ｌｅｔｚらも、「ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ」（ｖｏｌ.４６９１．ｐｐ１７６１−１７６８（２００２）において、ＣａＦ_２等の純粋な立方晶系における意外な歪み複屈折について述べている。彼らは光学的異方性とγ励起子の相関性について述べ、この相関性についてシンクロトロン拡散を用いて実験的に立証している（Ｍ．Ｌｅｔｚら、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ，６７，２３３１０１（２００３）参照）。

上記に鑑み、本発明はレーザ装置、平面パネルディスプレイ等の光学システム、特に電子部品の製造において直線偏光の解消によって生ずる上記問題を解決することを目的とする。特に、本発明は前記固有の効果によって生ずる偏光解消のみならず、温度勾配によって引き起こされる歪みによって生ずる偏光解消をも抑制することを目的としている。

上記目的は、特許請求の範囲において限定された特徴から成る手段を講ずることによって達成される。

事実、本発明において、光学素子における偏光の解消が温度勾配の形成によって起こることが見出された。このことは、温度勾配の形成を抑えることによって直線偏光の解消を防止できることを意味するものである。好ましくは、温度勾配の形成はあらゆる空間方向において防止される。特に、本発明の一実施態様では、レーザ小室内のレーザガス温度がレーザ小室外部の温度から逸脱していると温度勾配の形成が防止される。この外部温度は通常パージガス温度によって決まる。

本発明によると、結晶表面あるいは｛１１１｝または｛１００｝結晶面によって作製された結晶光学素子表面へ光あるいは放射線が衝突する時に、結晶材料中における偏光あるいは偏光放射線の解消が抑制されることも見出された。光が結晶中を＜１００＞または＜１１１＞結晶軸に沿って伝搬されるように結晶あるいは光学素子を回転させれば、光の結晶透過中に起こる偏光解消は防止されるか、あるいは最小限に抑えられる。光ビームはいかなる所望の角度でも表面へ衝突可能である。好ましい実施態様においては、入射光は表面に対して特に好ましいブルースター角度である４５〜７５°を成している。

本発明の好ましい実施態様においては、上記２つの効果が組み合わされる。

結晶系は２つの座標系を用いて記述される。第一の座標系は、対称性のある格子をもつ主単位格子を形成するベクトルによって生成される「直接単純ブラベ格子」である。例えば、立方晶フッ化カルシウムの場合、２つの直近のＦイオンと結合する単位ベクトルａ１、ａ２、ａ３がこのようなベクトルに相当する。この座標系の場合、特別な方向、例えば［１，１，０］方向は角型括弧で表示される。一般的方向、例えば［１，１，０］（［１，１，０］、［１，−１，０］、［１，０，１］、［１，０，−１］、［０，１，１］、［０，１，−１］）に相当するすべての方向は先細型括弧＜＞、すなわち＜１，１，０＞のように表示される。

第二の座標系である所謂逆格子は、「直接単純ブラベ格子」の２つの基本ベクトルそれぞれによって生成される面に対して垂直なベクトルによって生成される。フッ化カルシウム等の立方晶系においては、これら２つの座標系は同一である。逆格子の単位ベクトルｂ１、ｂ２、ｂ３は、「直接単純ブラベ格子」の単位ベクトルａ１、ａ２、ａ３と同様に、同一方向を向いている。この場合、非立方晶格子に関する概念を単純化するため、別の表記法が用いられる。逆格子の座標中の格子面に対して垂直なベクトルは括弧（ｈ，ｋ，ｌ）＝ｈｂ１＋ｋｂ２＋ｌｂ３、例えば（１，１，１）で表記される。そしてこの面は（１，１，１）面と呼ばれる。前記（ｈ，ｋ，ｌ）はミラー指数である。（１，１，１）面［（１，１，１），（−１，１，１），（１，−１，１），（１，１，−１）］に相当するすべての面の全体はブレース、すなわち｛１，１，１｝として表記される。これは、立方晶において、ミラー指数（ｈ，ｋ，ｌ）をもつ格子面が結晶方位（ｈ，ｋ，ｌ）に対して垂直方位を向いていることを意味する。以下の記載においては、結晶面をそのミラー指数｛ｈ，ｋ，ｌ｝を用いて示す。

電磁放射線（本願においては本来的に１９３ｎｍのレーザ放射）の伝搬方向は波長ベクトルｋで示される。この伝搬方向は＜ｍｎｏ＞を用いて結晶中の方位で示される。

本発明によれば、光伝搬方向、すなわち横断光ビーム方向への温度勾配の形成は調節装置を用いて防止される。この調節装置は冷却素子あるいは加熱素子のいずれであってもよい。このような素子としては、例えば特に空気のような気体、及び／または水、好ましくはオイル等の液体、あるいは結晶及び／または放熱器あるいは熱吸収器に対して不活性な液体等の加熱流体を供給する系であるペルティエ素子がある。この素子が流体を用いて調節される場合には、好ましくは光学的に不必要であるか照射されない部分だけが前記流体によって冷却される。

別の好ましい実施態様に従って、直線偏光された横断波長のビームあるいは束が光学素子の中心、すなわち可能な限り中心を通るように導かれる。

本発明による配置あるいは方法を用いることにより、特にコーティング及び研磨されたレーザ窓においてかなりの程度まで起こる偏光解消を防止し、あるいは著しく減ずることが可能となる。

本発明のさらに別の実施態様では、直線偏光が光学結晶素子を通して導かれる。このような光学結晶素子としては、特に立方晶ガーネット、立方晶スピネル、立方晶ペロブスカイト、及び立方晶Ｍ（ＩＩ）酸化物及びＭ（ＩＶ）酸化物等の立方晶結晶系が挙げられる。適する結晶としては、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｃａ_３Ａｌ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２、Ｋ_２ＮａＡｌＦ_６、Ｋ_２ＮａＳｃＦ_６、Ｋ_２ＮａＡｌＦ_８、及び／またはＮａ_３Ａｌ_２Ｌｉ_３Ｆ_１２、（Ｍｇ，Ｚｎ）Ａｌ_２Ｏ_４、ＣａＡｌ_２Ｏ_４、ＣａＢ_２Ｏ_４、ＺｒＯ_２：Ｙ_２Ｏ_３（Ｙ＝安定化ＺｒＯ_２）、Ｙ_２Ｏ_３、及び／またはＬｉＡｌ_５Ｏ_８及びＢａＺｒＯ_３、及び／またはＣａＣｅＯ_３がある。他に特に適する立方晶結晶としては、アルカリ土類金属ハロゲン化物及びアルカリ金属ハロゲン化物、特に塩化物及びＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＮａＦ、ＫＦ、ＣａＦ等のフッ化物、及びこれらの混合結晶が挙げられる。

発明を実施するための手段

以下に記載する実施例及び添付図面を用いて本発明について詳細に説明する。

長さ１００ｍｍのＣａＦ_２結晶サンプルを５つ作製し、さらに［１１１］面方位をもち厚さが７ｍｍである市販のＣａＦ_２レーザ窓を用いた。表１に個々のサンプルについて示す。

図１に放射線の偏光度を測定するための配置を示す。この図では、まずサンプルを用いずにレーザビームの偏光解消を測定し、次いで評価対象となるサンプルを光ビーム中に配置し、結晶を回転軸となるビーム方向に対して角度β_０回転した。表示された角度αは結晶系（結晶軸ｘ‘，ｙ’）と実験軸（ｘ，ｙ，光路）との間の角度を示す。

図１に示した実験的配置を用いて、角度β_０における偏光解消を異なる結晶方位について測定した。その結果を図２に示す。図２から分かるように、サンプル２及び３、すなわち前面｛１１１｝及び｛１００｝では偏光解消が最低であったのに対し、前面｛１１０｝（サンプル１）では最も高い偏光解消が認められた。方位がランダムであるサンプル４は、レーザ放射が前面に対して垂直に衝突した時に、サンプル２及び３とサンプル１の偏光解消それぞれの中間となる偏光解消を示した。また、すべてのサンプルに関して、ビームが結晶中を＜１００＞あるいは＜１１１＞結晶軸に沿って伝搬される時に偏光解消が最低となること、さらに＜１１０＞結晶軸に沿った照射及びランダムな照射に偏光解消が最小となる角度β_０が存在することも見出された。

偏光解消が反復率Ｒ及びエネルギー密度Ｈと無関係であることも見出された。照射はＲ＝１００Ｈｚ、Ｈ＝７ｍＪ／ｃｍ^２の条件で実施した。全偏光解消は、照射波長１９３ｎｍにおける４８ｎｍまたは４．８ｎｍ／ｃｍの遅延に相当する位相変位Ｐｉ／２に匹敵した。＜１１０＞方位サンプルに関しては、レーザビームの偏光方向が結晶面｛００１｝（図２ａ）あるいは｛１−１０｝（図２ｂ）に位置するようにサンプルを照射路中へ置いた時に最小の偏光解消が得られた。

図３は偏光解消に対するビーム方向に垂直な温度勾配の影響を測定するための配置を示した図である。この図において、レーザビームは結晶サンプル中をペルティエ素子によって形成された温度勾配に対して垂直方向に導かれる。結果を図４ａ及び４ｂに示す。図４ａは、ペルティエ素子を点けたり消したりした後の加熱面及び対向面（これら２面間の間隔：２５ｍｍ）における温度変化を示した図である。絶対温度上昇は約１４℃であり、ペルティエ素子を点けたり消したりしてまもなく後に得られた温度勾配の最大値は５〜６℃／２５ｍｍであった（図４ｂ）。この最大値はしばらくして後に低下し、温度勾配は小さくなり、最終的に一定値をとった。

図４に示した配置を用いて、偏光解消をビーム方向及び温度勾配方向に対する結晶方位の関数として表した。結果を図５に示す。図５ａ〜ｃは、温度勾配が与えられた時の角度β_０が０である場合におけるサンプル２、３及び１の偏光解消をそれぞれ示した図である。図４に示された温度勾配の変化が示されている。

これらの図から、偏光解消は温度変化に続いて起こることが分かる。ペルティエ素子を点けたり消したりしてまもなく後、偏光解消は極端な数値をとる。与える温度勾配を減ずると共に偏光解消も減少する。本発明に従って、このような変化はレーザ方向に対する結晶の方位とは無関係であることが本発明者によって見出された。しかしながら、このような効果はビーム方向における＜１１０＞結晶方位において最もよく発現され、他方ビーム方向における＜１００＞結晶方位において最も発現しにくい。ここで、立方晶中の結晶軸は逆格子座標系中の結晶面に対する垂線と一致する。

本発明を用いて、偏光解消にビーム方向に対する温度勾配方向がどのように影響するかについても検討した。図６ａ〜ｃに実験配置方法を示す。図６ａ及び６ｂではビーム方向に対して垂直に温度勾配が設定され、図６ｃではビーム方向に対して平行に温度勾配が設定されている。温度勾配とビーム方向が図５に示すように互いに垂直を成す場合、ビーム方向に歪みが生ずる。その状態を図３、６ａ及び６ｂに示す。このような温度勾配によって、図５ａ〜ｃ及び７ａから分かるように、偏光解消程度に短期的変化が引き起こされる。温度勾配がビーム方向に対して平行に広がる場合（図６ｃ）には、図７ｂに示した効果が得られる。図６ａ〜ｃに示した配置において得られる温度勾配は１０℃／２５ｍｍである。図７から分かるように、温度勾配の方向によって偏光解消に対する強い影響が発揮される。温度勾配がビーム方向に対して垂直である場合には、結果的に短期的偏光解消しかない。しかしながら、温度勾配がビーム方向に対して平行に広がる場合には、特に温度が上昇し、あるいは温度勾配が与えられる全期間に亘って強い偏光解消が認められる。

本発明者は、ビーム方向に対する温度勾配の方位が偏光解消にどのような影響を与えるか、また特に温度勾配がビーム方向に対して平行な部分と垂直な部分から成る入射角度（例えば４５〜７５℃、特にブルースター角度）についても検討を行ってきた。この目的のため、図８ａ及び８ｂに示した配置が用いられた。図８に示すように、レーザビームは｛１１１｝前面へ５６．３°のブルースター角度で向けられる。ここでβ_１によって支持体中の窓方位あるいは結晶方位が与えられる。次いで異なる温度勾配が結晶照射方向に沿って異なるβ_１角度で与えられる。その結果を図９ａ〜ｄに示す。

この配置により、ペルティエ素子を用いて、結晶厚（ｄ＝７ｍｍ）全体に対して２つの異なる温度勾配、すなわち２０℃／７ｍｍ及び４５℃／７ｍｍが与えられる。図９から分かるように、偏光解消はβ_１角度の変化に伴って著しく変化する。２７０°のβ_１角度（結晶中の＜１００＞軸に沿った照射にほぼ相当する角度）での温度勾配の設定では、無視できる程度の小さな偏光解消か、あるいは実験誤差範囲内の偏向解消しかないことが理解される。

図８に示した支持体中の窓をβ_１だけ旋回させて結晶方位をビーム方向へ変えた。その結果を図１０に示す。この図では、＜１１１＞方位のレーザ窓を通して垂線に対してブルースター角度で伝搬されるレーザ放射の偏光解消は、温度勾配が（＜１１１＞結晶軸に沿った）前面に対して垂直に与えられる時の角度β_１の関数として示されている。図１１は、ブルースター角度での照射におけるレーザ窓中のレーザビーム方向の計算上の投影とβ_１角度の変化を示した図である。３０°、１５０°、及び２７０°において、＜１００＞結晶軸にほぼ沿って照射が起こっている。これは、図１０における偏光解消の最小値に対応するものである。

本発明方法及びそれに付随する配置方法は、特にＴＦＴパネルディスプレイ、及びＤＵＶリトグラフィー光学部品、さらに電子装置の製造に適する。それゆえ、本発明は、レンズ、プリズム、光伝導棒、光学窓、ＤＵＶリトグラフィー用光学デバイス、特にステッパー及びエキシマレーザ、及び集積回路製造のためのそれらデバイスの使用、コンピュータチップ、電子装置、チップ状集積回路を含む他の装置にも関する。

（ａ）結晶サンプルの光路中への配置を示した図である。 （ｂ）結晶サンプル１の偏向度を示したグラフである。 種々サンプルについて偏光解消を回転角β_０の関数として表したグラフである。 温度勾配を形成するための実験的配置を示した図である。 （ａ）加熱素子を点けたり消したりした時の加熱面及び対向面における温度勾配を示したグラフである。 （ｂ）加熱素子を点けたり消したりした時の加熱面及び対向面における温度変化を示したグラフである。 図３に示した配置を用いて測定したレーザビームの偏向解消を示したグラフである。 ビーム方向に対して垂直かつ平行に温度勾配を設定するための実験的配置を示した図である。 図６に示したビーム方向に垂直かつ平行に温度勾配を与えた時の偏向解消を示したグラフである。 レーザ窓における偏向解消に対する温度勾配の影響を測定するための実験的配置を示した図である。 図８の配置を用いて測定した偏向解消を示したグラフである。 窓を通して起こる偏向解消を角度β_１の関数として示したグラフである。 窓を通して起こる偏向解消を角度β_１の関数として示したグラフである。

Claims (15)

1. ｛１１１｝または｛１００｝結晶面及び＜１１１＞または＜１００＞結晶軸をもつ結晶中への光の透過中における直線偏光の解消を引き起こしかつ防止あるいは減ずるための配置であって、前記結晶の表面は前記直線偏光が４５〜７５℃の角度で衝突する前記｛１１１｝または｛１００｝面によって形成され、及び前記結晶が、該結晶中へ入った後の光が前記＜１００＞または＜１１１＞結晶軸に対して可能な限り平行に伝搬されるように、及びまたは前記結晶中に温度勾配が形成されることを防止する系に調節装置が含まれるように配置されることを特徴とする前記配置。
2. 前記光がブルースター角度で衝突することを特徴とする請求項１項記載の配置。
3. レーザ活性媒体を含みかつレーザ光を外で繋ぐ少なくとも１個の窓を有する光共振器空洞と前記活性媒体及びレーザ光によって照射される任意の他の光学素子中にレーザ移動領域を生成するエネルギーポンプから成る、誘導放出を用いてコヒーレントで明暗度の高い光を発生させる装置を含む配置であって、かつレーザ光によって照射される前記共振器及びまたは他の素子の出口窓が、レーザ光が衝突する面が｛１１１｝または｛１００｝面によって形成されかつレーザ光が＜１００＞または＜１１１＞結晶軸に対して可能な限り平行に結晶内を伝搬されるように配置される結晶材料から成ることを特徴とする直線偏光を生ずるための請求項１項記載の配置。
4. 前記光あるいはレーザ光が固体レーザあるいはガスレーザであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の配置。
5. レーザ活性媒体を含みかつレーザ光を外で繋ぐ少なくとも１個の窓を有する光共振器空洞と、前記活性媒体及びレーザ光によって照射される任意の他の光学素子中にレーザ移動領域を生成するエネルギーポンプを有する光共振器空洞を用いて誘導放出によってコヒーレントで明暗度の高い光を発生させる装置を含む配置であって、出口窓中、及びまたはレーザ光によって照射される光学素子中の光路方向に温度勾配が形成されることを防止する出口窓用及びまたはレーザ光によって照射される光学素子用の調節装置が含まれることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の配置。
6. 前記調節装置によってすべての空間方向において温度勾配の形成が防止されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の配置。
7. 前記調節装置が加熱システム及びまたは冷却システムから成ることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の配置。
8. 前記調節装置がペルティエ素子及びまたは調節可能なガス流、及びまたは放熱器から成ることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の配置。
9. 前記調節装置によって被照射材料中に少なくとも最も熱い温度スポットが生成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の配置。
10. 前記出口窓及びまたは他の被照射光学素子が、レーザビームによって可能な限りそれらの中心を透過されるように配置されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の配置。
11. 前記出口窓及びまたは他の被照射光学素子が立方晶材料あるいはガラスから成ることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の配置。
12. 前記結晶材料がＣａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＢａＦ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２（ＹＡＧ）、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２（ＬｕＡＧ）、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４（スピネル）及び／またはＺｒＯ_２：Ｙ_２Ｏ_３（Ｙ＝立方晶位相中で安定化されたＺｒＯ_２）またはＮａＣｌであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の配置。
13. ｛１１１｝または｛１００｝面及び＜１００＞または＜１１１＞結晶軸をもつ結晶中を光が透過する間に起こる直線偏光の解消を防止し及びまたは最小限に抑える方法であって、偏光が衝突する結晶面として前記｛１１１｝または｛１００｝面が用いられ、及び前記結晶が、直線偏光が４５〜７５℃の角度で前記｛１１１｝または｛１００｝表面へ衝突し、及び光が＜１００＞または＜１１１＞結晶軸に対して可能な限り平行に結晶中を伝搬されるように、及びまたは結晶中における温度勾配の形成が調節装置を用いて防止されるように向けられることを特徴とする前記方法。
14. 光がブルースター角度で前記｛１１１｝または｛１００｝面に対して衝突することを特徴とする請求項１３項記載の方法。
15. ＤＵＶリトグラフィー、特にステッパー及びエキシマレーザ、及び集積回路、コンピュータチップ及びコンピュータ等の電子装置及びチップ状集積回路、さらに平面パネルディスプレイ等の他の装置の製造における請求項１〜１１のいずれか１項記載の配置あるいは請求項１３項又は１４項記載の方法の利用。

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