JP2008111870A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶に配向異常が生じた場合であっても、液晶の配向状態を修復可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶パネルと、ヒータと、温度センサと、温度コントローラとを含んで構成されている。ヒータおよび温度センサは液晶パネルに設けられている。温度コントローラは、温度センサによる検出温度が所定温度Ｔ以上に上昇するようにヒータを制御する。所定温度Ｔは液晶が相転移を起こす温度に対応し、例えば相転移を起こして等方相になる温度に対応する。ヒータは当該ヒータが設けられた基板の支持基板よりも液晶側に配置されている。温度センサは当該温度センサが設けられた基板の支持基板よりも液晶側に配置されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に、電界を印加しない状態での液晶の配向状態が所定の設計状態からずれた場合であっても、すなわち配向異常が生じた場合であっても液晶の配向状態を修復可能な液晶表示装置に関する。

液晶パネルは、対向する一対の基板間に液晶が封入された構成を有し、当該液晶の配向状態を制御することによって表示を行う。液晶の配向状態の制御は当該液晶に電界を印加する方法が知られている。

特開２００４−１３９０１８号公報

表示のための所望の配向制御を行うためには、電界を印加しない状態で液晶が所定の設計状態に配向している必要がある。しかし、例えば液晶パネルに外部から衝撃が加わると、液晶の配向が乱れる場合、すなわち電界を印加しない状態での液晶の配向状態が所定の設計状態からずれる場合がある（配向異常）。

本発明の目的は、液晶に配向異常が生じた場合であっても、液晶の配向状態を修復可能な液晶表示装置を提供することである。

本発明に係る液晶表示装置は、支持基板をそれぞれ有する一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶と、を含んで構成された液晶パネルを備え、前記液晶を相転移温度以上に上昇させた後に前記相転移温度よりも低い温度にするように構成されていることを特徴とする。

また、前記一対の基板の少なくとも一方に形成されたヒータを備えることが好ましい。

また、前記一対の基板の少なくとも一方に形成された温度センサを備えることが好ましい。

また、前記一対の基板の少なくとも一方に形成された熱絶縁性層を備え、前記熱絶縁性層は前記熱絶縁性層が形成された基板の支持基板よりも熱絶縁性が高いことが好ましい。

また、前記相転移温度は前記液晶が等方相になる温度であることが好ましい。

また、前記ヒータは、前記ヒータが形成された基板の支持基板よりも前記液晶側に配置されていることが好ましい。

また、前記温度センサは、前記温度センサが形成された基板の支持基板よりも前記液晶側に配置されていることが好ましい。

また、前記熱絶縁性層は前記熱絶縁性層が形成された基板の支持基板よりも前記液晶側に配置され、前記熱絶縁性層に対して前記液晶側に前記ヒータが配置されていることが好ましい。

また、前記熱絶縁性層に対して前記液晶側に前記温度センサが配置されていることが好ましい。

また、前記液晶パネルに接触して配置された介在部品をさらに備え、前記介在部品は、前記介在部品が接触する支持基板よりも熱絶縁性が高い材料を含んで構成されていることが好ましい。

また、前記ヒータは透光性膜を利用して構成されていることが好ましい。

また、前記液晶パネルは画素に対応して開口した遮光性膜をさらに含んで構成され、前記ヒータは前記遮光性膜を利用して構成されていることが好ましい。

また、前記液晶は強誘電液晶で構成されていることが好ましい。

上記構成により、液晶に配向異常が生じた場合であっても、液晶の配向状態を修復することができる。

以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。

図１に実施の形態に係る液晶表示装置１の構成の概略を示し、図２に液晶表示装置１の液晶パネル１０の一例の断面図を示す。図１に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル１０と、バックライトユニット１２と、介在部品１４と、駆動装置１６と、入力装置１８と、温度コントローラ２０とを含んで構成されている。なお、バックライトユニットは、バックライトモジュールとも呼ばれ、以下、バックライトと略称する。

液晶パネル１０は、後述するが、アレイ基板１００と、アレイ基板１００に対向して配置された対向基板２００と、これら一対の基板１００，２００間に封入された液晶３００とを含んで構成されている。

ここでは、液晶パネル１０がＴＮ（Twisted Nematic）モードの場合を例示するが、液晶パネル１０に替えて、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等の各種モードの液晶パネルを適用して液晶表示装置１を構成することも可能である。また、液晶パネル１０が透過型の場合を例示するが、液晶パネル１０に替えて、反射型または半透過型の液晶パネルを適用して液晶表示装置１を構成することも可能である。

液晶パネル１０は、ヒータ２０６と、温度センサ１０８とをさらに含んで構成されている。

バックライト１２は、光源を含み例えば白色光を出射するように構成され、上記光、すなわちバックライト光がアレイ基板１００に照射されるように配置されている。すなわち、バックライト１２は、バックライト光出射面をアレイ基板１００に対向させ液晶パネル１０の隣に配置されている。

介在部品１４は、液晶パネル１０とバックライト１２との間に介在し、両者１０，１２に接触している。介在部品１４は、液晶パネル１０とバックライト１２とを熱的に絶縁するための部品であり、液晶パネル１０において介在部品１４が接触する箇所よりも、例えばアレイ基板１００の支持基板１０２よりも、熱絶縁性が高い材料（換言すれば熱伝導率の低い材料）、例えばアクリル樹脂を含んで構成されている。なお、図面では介在部品１４を簡略に図示しているが、図示の形状に限られるものではない。

駆動装置１６は、入力画像信号Ｓを受信し信号Ｓに基づいて液晶パネル１０およびバックライト１２を駆動するように構成され、信号処理回路、電源回路その他の当該駆動に必要な各種回路を含んで構成されている。

入力装置１８は、操作者が液晶表示装置１に対する指示を入力するためのマン・マシン・インタフェースであり、操作者が入力した指示を電気信号、光信号等に変換して駆動装置１６へ伝達するように構成されている。入力装置１８は、例えば、液晶表示装置１の本体に設けられた操作ボタンおよびこれに付随する回路で構成される。また、入力装置１８をリモートコントロール装置（いわゆるリモコン）、キーボード等で構成してもよい。

温度コントローラ２０は、温度センサ１０８およびヒータ２０６に接続されており、温度センサ１０８による検出温度に応じてヒータ２０６を制御可能に構成されている。温度コントローラ２０は、例えば、ヒータ２０６用の電源回路と演算装置（いわゆるマイクロプロセッサ）とを含んで構成され当該演算装置による制御プログラムの実行によって上記電源回路の出力を制御するように構成されている。制御プログラムの実行に替えて、例えば電気回路を用いて温度コントローラ２０を構成してもよい。温度コントローラ２０は、駆動装置１６との間で信号等の送受信が可能に構成され、駆動装置１６に接続されている。

次に、図２を参照しつつ、液晶パネル１０をさらに説明する。

アレイ基板１００は、支持基板１０２と、熱絶縁性層１０４と、半導体層１０６と、温度センサ１０８と、ゲート絶縁膜１１０と、ゲート電極１１２と、補助容量電極１１４と、層間絶縁膜１１６と、ソース電極１１８と、ドレイン電極１２０と、平坦化膜１２２と、画素電極１２４とを含んで構成されている。

アレイ基板１００では、半導体層１０６とゲート絶縁膜１１０とゲート電極１１２とを含んで、あるいはさらにソース電極１１８とドレイン電極１２０とを含んで画素ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１５２が構成され、半導体層１０６とゲート絶縁膜１１０と補助容量電極１１４とを含んで補助容量１５４が構成されている。

支持基板１０２は、例えば透光性のガラスで構成されている。

熱絶縁性層１０４は、支持基板１０２よりも熱絶縁性が高い材料（換言すれば熱伝導率の低い材料）であって透光性の材料、例えば透明なアクリル樹脂で構成され、支持基板１０２において対向基板２００に対向する表面上に全面に配置されている。これにより、アレイ基板１００において、支持基板１０２と、熱絶縁性層１０４よりも対向基板２００側の部分とが熱的に絶縁される。熱絶縁性層１０４の厚さは例えば１００μｍ以上である。

半導体層１０６は、例えばアモルファスシリコン、ポリシリコン等で構成され、熱絶縁性層１０４上に配置されている。半導体層１０６は、画素ＴＦＴ１５２のソースおよびドレインを構成する各領域を含んでいる。

温度センサ１０８は、例えば半導体層１０６と同じ材料の膜で構成され、熱絶縁性層１０４上すなわち半導体層１０６と同層（同じレイヤー）に配置されている。温度センサ１０８は、液晶３００に対向する位置に配置され、例えば液晶パネル１０の表示領域のすぐ外側に配置されている。温度センサ１０８はアレイ基板１００内に複数個散在させてもよい。

温度センサ１０８は詳細な図示は省略しているが温度コントローラ２０に接続されており、温度コントローラ２０は温度センサ１０８の抵抗値の温度依存性を利用して温度センサ１０８の温度を検出する。例えば、上記抵抗値の温度依存性に対応して温度センサ１０８を流れる電流の値は温度依存性を有しているので、温度コントローラ２０は当該電流値を計測することによって温度を知ることが可能である。この場合、温度センサ１０８を流れる電流の値は、温度センサ１０８による検出温度として把握することができる。なお、温度センサ１０８に替えて、例えばダイオード等の特性の温度依存性を利用して温度センサを構成することも可能である。

ゲート絶縁膜１１０は、例えば酸化シリコンで構成され、半導体層１０６および温度センサ１０８を覆って熱絶縁性層１０４上に配置されている。ゲート電極１１２は、例えば金属、アモルファスシリコン、ポリシリコン等で構成され、半導体層１０６に対向してゲート絶縁膜１１０上に配置されている。

補助容量電極１１４は、例えばゲート電極１１２と同じ材料で構成され、半導体層１０６に対向してゲート絶縁膜１１０上に配置されている。補助容量電極１１４は、半導体層１０６のドレイン側において半導体層１０６に対向し、これにより補助容量１５４が画素ＴＦＴ１５２のドレインと接続される。

層間絶縁膜１１６は、例えば酸化シリコンで構成され、ゲート電極１１２および補助容量電極１１４を覆ってゲート絶縁膜１１０上に配置され、温度センサ１０８上方にも配置されている。層間絶縁膜１１６およびゲート絶縁膜１１０を貫いてコンタクトホールが設けられており、当該コンタクトホールは半導体層１０６のうちで画素ＴＦＴ１５２のソースおよびドレインにあたる位置に設けられている。

ソース電極１１８は、例えば金属、アモルファスシリコン、ポリシリコン等で構成され、層間絶縁膜１１６上に配置されているとともに上記コンタクトホールを介して半導体層１０６のソースに接触している。ドレイン電極１２０は、例えばソース電極１１８と同じ材料で構成され、層間絶縁膜１１６上に配置されているとともに上記コンタクトホールを介して半導体層１０６のドレインに接触している。なお、ソースとドレインとを上記とは逆に呼ぶことも可能である。

平坦化膜１２２は、例えば酸化シリコンで構成され、ソース電極１１８およびドレイン電極１２０を覆って層間絶縁膜１１６上に配置され、温度センサ１０８上方にも配置されている。平坦化膜１２２を貫いてドレイン電極１２０上にコンタクトホールが設けられている。

画素電極１２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料で構成され、平坦化膜１２２上に配置されているとともに上記コンタクトホールを介してドレイン電極１２０に接触している。画素電極１２４は液晶パネル１０の画素に対応する位置に設けられている。

上記構成により、液晶パネル１０では、ソース電極１１８と画素電極１２４とが画素ＴＦＴ１５２およびドレイン電極１２０を介して電気的に（回路的に）接続されており、画素電極１２４と補助容量１５４とがドレイン電極１２０を介して電気的に（回路的に）接続されている。したがって、ソース電極１１８に印加された電位が画素ＴＦＴ１５２およびドレイン電極１２０を介して画素電極１２４および補助容量１５４に印加される。

なお、熱絶縁性層１０４と支持基板１０２との間に他の層、例えば酸化シリコン層を設けてもよいし、その反対側、すなわち熱絶縁性層１０４と半導体層１０６等との間についても同様である。

対向基板２００は、支持基板２０２と、熱絶縁性層２０４と、ヒータ２０６と、遮光性膜２０８と、カラーフィルタ２１０と、平坦化膜２１２と、共通電極２１４と、を含んで構成されている。

支持基板２０２は、例えば透光性のガラスで構成されている。

熱絶縁性層２０４は、支持基板２０２よりも熱絶縁性が高い材料であって透光性の材料、例えば透明なアクリル樹脂で構成され、支持基板２０２においてアレイ基板１００に対向する表面上に全面に配置されている。熱絶縁性層２０４の厚さは例えば１００μｍ以上である。

ヒータ２０６は、例えばＩＴＯ等の透光性材料の膜で構成され、熱絶縁性層２０４上に全面に配置されている。例えば、ヒータ２０６は、詳細な図示は省略しているが温度コントローラ２０に接続され温度コントローラ２０から電力が供給されて、電気抵抗によるジュール熱を発生する。

遮光性膜２０８は、例えばクロムと酸化クロムとの積層膜で構成され、ヒータ２０６上に配置されている。遮光性膜２０８は、画素電極１２４に対向する位置に開口部を有しており、この開口部によって画素の輪郭、形状等が規定される。遮光性膜２０８は、画素間の光漏れを防いて表示品質を向上させる等の役割がある。

カラーフィルタ２１０は、例えば染色された樹脂で構成され、遮光性膜２０８の開口部に重ねてヒータ２０６上に配置されている。これにより、カラーフィルタ２１０を介して支持基板２０２の側へ出射される光が着色される。カラーフィルタ２１０の色は、配置される開口部、すなわち画素に応じて設定されている。

平坦化膜２１２は、例えば酸化シリコンで構成され、遮光性膜２０８上およびカラーフィルタ２１０上に全面に配置されている。なお、平坦化膜２１２を省略することも可能である。

共通電極２１４は、例えばＩＴＯ等の透光性導電材料で構成され、平坦化膜２１２上に全面に配置されている。

なお、熱絶縁性層２０４と支持基板２０２との間に他の層、例えば酸化シリコン層を設けてもよいし、その反対側、すなわち熱絶縁性層２０４とカラーフィルタ２１０等との間についても同様である。

対向基板２００は、アレイ基板１００の画素電極１２４の側、換言すれば支持基板１０２とは反対側に配置され、共通電極２１４をアレイ基板１００の側に向けて、換言すれば支持基板２０２をアレイ基板１００から遠ざけて配置されている。

液晶３００は、アレイ基板１００と対向基板２００との間に封入され、ここではヒータ２０６と温度センサ１０８との間にも存在している。

アレイ基板１００および対向基板２００は各種の成膜技術およびパターニング技術を利用して製造可能であり、液晶３００の封入も各種の封入技術によって可能である。

上記構成により、ヒータ２０６は給電によって発熱し、この発熱によって液晶３００および温度センサ１０８の温度が上昇する。また、温度上昇後にヒータ２０６への給電を停止することによって、液晶３００および温度センサ１０８の温度が下降する。

図３に液晶表示装置１の動作を説明する模式図を示す。図１〜図３を参照しつつ、液晶表示装置１の動作を説明する。

操作者が入力装置１８を操作してヒータ２０６をオンする指示を出すと、その指示は駆動装置１６を介して温度コントローラ２０へ伝達される。当該指示を受信した温度コントローラ２０は、ヒータ２０６への給電を開始する（ヒータ２０６をオンにする）とともに、温度センサ１０８による検出温度を監視する（時刻ｔ１参照）。ヒータ２０６によって液晶３００が加熱され、これに伴って温度センサ１０８の検出温度も上昇する。

温度センサ１０８の検出温度が所定温度Ｔに到達したことを温度コントローラ２０が検出すると（時刻ｔ２参照）、温度コントローラ２０はその後、ヒータ２０６をオフする、すなわち給電を停止する（時刻ｔ３参照）。なお、図３の例示とは異なり、ヒータ２０６をオフした後にも温度上昇が続く場合もある。

ここで、上記温度Ｔは、液晶表示装置１では、液晶３００が相転移を起こす温度に対応した温度に設定されている。例えば、液晶３００がネマティック液晶で構成されている場合、上記温度Ｔはネマティック相から当該ネマティック層に隣接する等方相（液相とも呼ばれる）へ相転移を起こす温度に対応する。検出温度と液晶３００の温度との対応は、液晶パネル１０の構造に基づく計算からまたは実験等によってあらかじめ知ることができる。

上記の例では温度Ｔへの到達時刻ｔ２よりも後の時刻ｔ３においてヒータ２０６をオフにしているが、時刻ｔ２にヒータ２０６をオフにしてもよい。例えば温度センサ１０８の個数が少なく液晶パネル１０内に局所的に設けられている場合には、温度センサ１０８から遠い箇所では液晶３００が未だ等方相になっていない可能性がある。このため、検出温度が温度Ｔに到達した時刻ｔ２よりも遅れてヒータ２０６をオフすることにより、未相転移箇所をなくすことができる。

その後、液晶３００の温度は下降し、温度センサ１０８の検出温度も下降する。温度コントローラ２０は、温度下降中においても温度センサ１０８の検出温度を監視しており、液晶３００が等方相からネマティック相へ相転移し表示可能な所定の配向状態になる温度に到達したならば、液晶パネル１０を駆動可能であることを駆動装置１６へ報告する（時刻ｔ４参照）。当該報告を受信した駆動装置１６は、操作者からの画面表示の指示がある場合等には、液晶パネル１０を駆動する。

なお、時刻ｔ３においてヒータ２０６を完全にオフするのではなく、ヒータ２０６への供給電力を徐々に低減していき液晶パネル１０を徐々に冷却（徐冷）してもよい（図３中の一点鎖線の特性線を参照）。

上記構成により、液晶３００に配向異常が生じた場合であっても、これを修復することができる。なお、操作者からのヒータ２０６をオンする指示を駆動装置１６を介さずに温度コントローラ２０へ伝達するように、液晶表示装置１を構成してもよい。また、液晶表示装置１の電源がオンにされる度に上記加熱動作を実行するように、液晶表示装置１を構成してもよい。

上記構成では、ヒータ２０６は対向基板２００において支持基板２０２よりも液晶３００の近くに配置されている。このため、ヒータ２０６を支持基板２０２において液晶パネル１０の外面を成す表面上に配置した場合と比較して、熱伝達経路の短縮によって、ヒータ２０６への供給電力を削減することができるし、液晶３００の温度上昇を速くすることができる。なお、例えば支持基板１０２，２０２の厚さが液晶３００の層厚の１００倍程度の場合、液晶３００の温度を１０℃上昇させるのに必要な熱量（カロリー）およびそれに伴う電力（ワット）を例えば０．１％程度に低減することが可能である。

また、温度センサ１０８はアレイ基板１００において支持基板１０２よりも液晶３００の近くに配置されている。このため、温度センサ１０８を支持基板２０２において液晶パネル１０の外面を成す表面上に配置した場合と比較して、熱伝達経路の短縮によって、液晶３００の温度により近い温度を検出することができるし、液晶３００の温度変化に対する温度検出の追従性が高くなる。

また、熱絶縁性層１０４は支持基板１０２よりも液晶３００の側に配置され、熱絶縁性層２０４は支持基板２０２よりも液晶３００の側に配置されている。さらに、ヒータ２０６は、熱絶縁性層１０４に対して（基準にして）液晶３００と同じ側に配置され、熱絶縁性層２０４に対しても液晶３００と同じ側に配置されている。すなわち、ヒータ２０６および液晶３００は支持基板１０２，２０２よりも熱絶縁性が高い熱絶縁性層１０４，２０４間に配置されている。このため、ヒータ２０６の発熱が支持基板２０２，１０２を介して逃げるのを低減することができ、より多くの熱量が液晶３００の加熱に利用される。したがって、ヒータ２０６用の電力の削減および温度上昇の迅速化を向上させることができる。なお、電力削減および温度上昇迅速化の向上効果は、熱絶縁性層１０４，２０４のいずれか一方だけでも得られるが、熱絶縁性層１０４，２０４の両方を設けることによって、より大きくなる。

また、温度センサ１０８も熱絶縁性層１０４に対しても熱絶縁性層２０４に対しても液晶３００と同じ側に配置されている。このため、温度センサ１０８と液晶３００とが熱絶縁性層１０４に対して別々の側に配置されている場合に比較して、温度センサ１０８が検出する温度の変化が大きい。したがって、温度検出をより正確に行うことができ、その結果、上記温度制御をより正確に行うことができる。

また、液晶パネル１０とバックライト１２とは介在部品１４を介して隣接し、この介在部品１４は液晶パネル１０との接触箇所よりも熱絶縁性が高いので、液晶パネル１０の熱が介在部品１４を介してバックライト１２の側へ逃げるのを低減することができる。したがって、ヒータ２０６用の電力の削減および温度上昇の迅速化をいっそう図ることができる。なお、介在部品１４は、バックライト１２その他の液晶パネル１０の隣に配置された部品との間に適用することが可能であり、例えば液晶パネル１０を支持する部品との間に適用可能である。

また、ヒータ２０６を透光性材料の膜を利用して構成する場合を例示したが、この場合、当該膜を対向基板２００の全面に設けることができパターニングの必要性がない。これに対して、ヒータ２０６を例えば遮光性膜２０８と同じ平面パターンに形成することも可能であり、この場合にはヒータ２０６の材料は透光性である必要がない。ここで、遮光性膜２０８へ給電することによって遮光性膜２０８が発するジュール熱を利用して液晶３００を加熱することが可能であり、すなわち遮光性膜２０８をヒータとしても利用することが可能である。この場合、ヒータ２０６を別途設ける必要がないので、液晶パネル１０の構成が簡略化できる。同様に、透光性材料の膜で構成された共通電極２１４をヒータとしても利用することが可能であり、この場合も液晶パネル１０の構成が簡略化できる。

また、温度センサ１０８は半導体層１０６と異なる材料で構成することも可能である。これに対して、上記のように温度センサ１０８を半導体層１０６と同じ材料で構成することにより、半導体層１０６と同時に（並行して）形成することが可能となり、製造工程が少なくて済む。

また、温度センサ１０８はゲート電極１１２と同層、すなわちゲート絶縁膜１１０上に配置してもよく、この場合、温度センサ１０８をゲート電極１１２または補助容量電極１１４と同じ材料で構成することが可能である。同様に、温度センサ１０８を、ソース電極１１８等と同層に配置し、ソース電極１１８等と同じ材料で構成することも可能である。温度センサ１０８は液晶３００に近いほど液晶３００の温度をより正確に検出することができる。

また、ヒータ２０６は、アレイ基板１００に設けてもよいし、アレイ基板１００および対向基板２００の両方に設けてもよい。同様に、温度センサ１０８は、対向基板２００に設けてもよいし、アレイ基板１００および対向基板２００の両方に設けてもよい。

液晶３００は、例示したネマティック液晶に限られず、例えば強誘電液晶で構成することも可能である。一般的に、強誘電液晶は、表示時にはスメクティック相で利用され、温度上昇に伴ってスメクティック相からネマティック相へ、さらにネマティック相から液相へ相転移を起こす。このため、上記設定温度Ｔとして、スメクティック相とネマティック相との間での相転移温度に対応する温度と、ネマティック相と液相との間での相転移温度に対応する温度とのいずれも利用することができる。一般的に強誘電液晶を用いた液晶パネルは例えば外的な衝撃によって液晶の配向異常が生じやすい傾向にあるが、液晶表示装置１によれば容易に液晶配向を修復できる。

本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の構成図である。 本発明の実施の形態に係る液晶パネルの構成を説明する断面図である。 本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の動作を説明する模式図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置、１０ 液晶パネル、１４ 介在部品、１００ アレイ基板、１０２ 支持基板、１０４ 熱絶縁性層、１０８ 温度センサ、２００ 対向基板、２０２ 支持基板、２０４ 熱絶縁性層、２０６ ヒータ、２０８ 遮光性膜、２１４ 共通電極、３００ 液晶。

Claims (13)

1. 支持基板をそれぞれ有する一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶と、を含んで構成された液晶パネルを備え、
   前記液晶を相転移温度以上に上昇させた後に前記相転移温度よりも低い温度にするように構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１に記載の液晶表示装置であって、
   前記一対の基板の少なくとも一方に形成されたヒータを備えることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
   前記一対の基板の少なくとも一方に形成された温度センサを備えることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
   前記一対の基板の少なくとも一方に形成された熱絶縁性層を備え、前記熱絶縁性層は前記熱絶縁性層が形成された基板の支持基板よりも熱絶縁性が高いことを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
   前記相転移温度は前記液晶が等方相になる温度であることを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項２に記載の液晶表示装置であって、
   前記ヒータは、前記ヒータが形成された基板の支持基板よりも前記液晶側に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項３に記載の液晶表示装置であって、
   前記温度センサは、前記温度センサが形成された基板の支持基板よりも前記液晶側に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項４に記載の液晶表示装置であって、
   前記熱絶縁性層は前記熱絶縁性層が形成された前記基板の前記支持基板よりも前記液晶側に配置され、前記熱絶縁性層に対して前記液晶側に前記ヒータが配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
9. 請求項８に記載の液晶表示装置であって、
   前記熱絶縁性層に対して前記液晶側に前記温度センサが配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
10. 請求項１ないし請求項９のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
    前記液晶パネルに接触して配置された介在部品を備え、
    前記介在部品は、前記介在部品が接触する支持基板よりも熱絶縁性が高い材料を含んで構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
11. 請求項４ないし請求項１０のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
    前記ヒータは透光性膜を利用して構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
12. 請求項４ないし請求項１０のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
    前記液晶パネルは画素に対応して開口した遮光性膜をさらに含んで構成され、
    前記ヒータは前記遮光性膜を利用して構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
13. 請求項１ないし請求項１２のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
    前記液晶は強誘電液晶で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。

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