JP2011033695A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱効率を向上させること、或いは基板間導通材部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上を可能とすることなど、対向電極用及びヒータ層用の基板間導通材に同一の導電材料を用いることによる問題点の発生を防止でき、低温でも動作可能なヒータ層による加熱機構付きの液晶表示装置を得る。
【解決手段】本発明の液晶表示装置においては、スイッチング素子、及び外部接続端子を備えたスイッチング素子基板と、対向電極、ヒータ層、及びヒータ層−対向電極間に形成された絶縁層を備えた対向基板と、ヒータ層―スイッチング素子基板間の導通をとる基板間導通材及び対向電極−スイッチング素子基板間の導通をとる基板間導通材とを備え、これら基板間導通材は互いに異なる導電材料により形成されるものである。
【選択図】図１

Description

本発明は低温でも動作可能な加熱機構付きの液晶表示装置に関するものである。

一般的に、液晶表示装置は一対の基板間に液晶を保持した液晶セルに対し、基板上に形成された画素電極及び対向電極間に電圧を印加して、この電圧により加わる電界により液晶分子の配列を変化させ、液晶セル内で光を外部へ透過或いは遮断することにより、映像等が表示するものである。この様に液晶の動作が液晶表示装置の動作に直接影響するが、液晶の使用温度範囲は−４０℃〜９０℃程度に限られている。特に温度範囲の下限については、動作特性、即ち上記説明を行った電界印加に対する液晶分子の配列変化の応答速度が温度によって変化することにより決まっている。つまり、低温環境下では、液晶の粘性が高くなるため、この液晶の応答速度が極端に遅くなる。従って、低温環境下で液晶表示装置を使用すると、表示すべき画像の動きに液晶が追随せず表示性能が低下するという問題を生ずる。

以上の様な低温環境における液晶の応答速度を改善すべく、従来から、ヒータなどの加熱機構を備えた液晶パネルが提案されている。例えば、特許文献１においては、液晶パネルのセル内に透明導電膜を形成し、この透明導電膜に電流を流しヒータとする液晶表示装置が提案されている。この透明導電膜は、液晶パネルにおいて一般的に用いられる遮光層であるブラックマトリクス（以下、ＢＭと呼ぶ。）、カラーフィルタ層（以下ＣＦ層と呼ぶ。）及び透明導電膜からなる対向電極が形成される第２の基板側に対向電極として用いられる透明導電膜とは別に設けられており、ＢＭ及びＣＦ層を介することで対向電極として用いられる透明導電膜と絶縁されて形成されている。また、通常、液晶パネルの動作のために供給される電気信号や電源電圧については、スイッチング素子及び画素電極などの形成される第１の基板側に供給され、第２の基板側の対向電極には第１の基板と第２の基板間に形成される銀ペーストなどからなる導電材料により信号が伝送されている。また、透明導電膜からなるヒータに対する電源電圧の供給についても、同じく、一旦、第１の基板側に供給されることから、同様に、第１の基板と第２の基板間に形成される導電材料により第２の基板側への伝送が行われている。

特開２００５−１２２１９０号公報

然しながら、特許文献１の方法を用いた場合、透明導電膜からなる対向電極と透明導電膜からなるヒータを絶縁して形成する必要があることから、ＢＭ及びＣＦ層を介して別層に形成している。また、第１の基板と透明導電膜からなるヒータとの導通は、これら対向電極、ＢＭ及びＣＦ層が除去され、透明導電膜からなるヒータが露出する部分において行う必要がある。従って、対向電極と第１の基板間に形成される導電材料の形成される部分と、ヒータと第１の基板間に形成される導電材料の形成される部分において、対向電極、ＢＭ及びＣＦ層の厚みの分だけ第１の基板との距離が異なることになる。特許文献１の方法においては、この様に其々の場所で異なるギャップを持つ状態であるにも関わらず、同じ導電材料が用いられていることから、導電材料の潰れ量などを最適化して導電材料を形成することが難しく、導通自体に問題が発生することや外部衝撃による導通不良の発生が懸念される。従って、この様な状況から製造歩留りや信頼性が低いという課題があった。また、基板間の導通に関し、対向電極とヒータとでは要求される導通の程度が異なっている。具体的には、対向電極としての機能のためには、第１の基板の画素電極との間に形成される容量に対して、プラス側とマイナス側の数Ｖ程度の電圧を変動させる共通電位（コモン電位）Ｖｃｏｍを印加して容量を充放電することができれば良いことから、ある程度低抵抗であり必要な応答速度がとれれば良い。つまり、大きな電流量を流す能力は不要である。一方、ヒータとしての機能のためには、ジュール熱を発生する必要があることから電流を多く流すことができることが要求される。この様に対向電極と第１の基板間に形成される導電材料と、ヒータと第１の基板間に形成される導電材料に対する要求が異なるのに対して、特許文献１の方法においては、同じ導電材料が用いられている。従って、特許文献１の導電材料は其々の要求に対して適性化されたものではなく、ヒータの熱効率が良くないなどの課題があった。

本発明は、以上説明のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、製造歩留りや信頼性が高く、熱効率の良い、低温でも動作可能な液晶表示装置を得るものである。

本発明の液晶表示装置においては、画素電極、スイッチング素子、及び外部接続端子を備えたスイッチング素子基板と、このスイッチング素子基板に対向して配置され、対向電極、該対向電極の下層に形成された導電層からなるヒータ層、及びこれらヒータ層−対向電極間に形成されヒータ層−対向電極間を絶縁する絶縁層を備えた対向基板と、スイッチング素子基板−対向基板間に配置され、スイッチング素子基板−対向基板間を貼り合わせるシール材、スイッチング素子基板と対向基板及びシール材により囲まれた領域に挟持された液晶、対向基板におけるヒータ層−スイッチング素子基板間の導通をとるヒータ層用基板間導通材、及び対向基板における対向電極−スイッチング素子基板間の導通をとる対向電極用基板間導通材とを備え、これら基板間導通材は互いに異なる導電材料により形成されるものである。

本発明は、液晶表示装置の対向電極用基板間導通材部と、ヒータ層用基板間導通材部について、其々に適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、加熱効率を向上させること、或いは基板間導通材部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上を可能とすることなど、同一の導電材料を用いることによる問題点の解決が可能となる。

本発明の実施の形態１における液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示装置の断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示装置の断面図である。 本発明の実施の形態３における液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態３における液晶表示装置の断面図である。

実施の形態１．
ここでは、本発明の第１の実施の形態である実施の形態１について説明する。図１は、本実施の形態１の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１００を概略的に示す平面図であり、図２（ａ）は、図１における断面線Ａ−Ａでの断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）における一部拡大図を示したものである。なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図面が煩雑とならない様、発明の主要部以外の省略や構成の一部簡略化などを適宜行っている。更に、図中、既出の図において説明したものと同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。以下の図においても同様とする。また、ここでは一例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をスイッチング素子として用いたＴＦＴ方式の液晶表示装置について説明するが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を用いても良い。図１及び図２において、本実施の形態１の液晶表示装置は液晶パネル１００を備えている。液晶パネル１００は、スイッチング素子を有するスイッチング素子基板（本実施の形態１ではスイッチング素子として、例えば薄膜トランジスタ、即ちＴＦＴがアレイ状に形成されたＴＦＴアレイ基板１０１を用いる。）と、このＴＦＴアレイ基板１０１に対向して配置される対向基板１０２とを有している。

ＴＦＴアレイ基板１０１には、透明絶縁基板であるガラス基板１１上に、図示は省略するが水平方向にはゲート線（走査信号線）が、垂直方向にはソース線（映像信号線）が其々表示の解像度に応じた本数形成されており、これら複数本のゲート線とソース線の其々の交差点付近にＴＦＴがアレイ状に設けられている。隣接するゲート線とソース線により囲まれる領域が画素領域であり、これら複数の画素領域がマトリクス状に配列されている領域が表示領域１０３である。また、其々の画素領域には画素電極を有しており、ＴＦＴのゲート電極がゲート線に、ソース電極がソース線に、ドレイン電極が画素電極に其々接続されている。更に、図１及び図２に示す様にＴＦＴアレイ基板１０１には、ＴＦＴなどに供給される信号や対向基板１０２に設けられるヒータ層１１１に供給される電流を外部配線と接続することにより導通する外部接続端子１１２が設けられている。また、外部接続端子１１２は表示領域１０３の外側の周辺領域に形成された周辺配線（図示省略）に接続され、この周辺配線を介してゲート線、ソース線、その他、液晶パネル１００内の各部分に必要な信号や電流が供給される。

図２（ａ）の断面図に示す様に対向基板１０２には、透明絶縁基板であるガラス基板１２上に液晶パネルを加熱するために配置されるヒータ層１１１、絶縁膜１１３、対向電極１１４が順に積層して形成されており、絶縁膜１１３は、ヒータ層１１１と対向電極１１４間に隙間無く形成されヒータ層１１１と対向電極１１４間を絶縁している。対向電極１１４は少なくとも表示領域１０３の略全域に形成され、ＴＦＴアレイ基板１０１上の全ての画素電極と対向配置されている。例えば、上面視で、ヒータ層１１１の外形に内包され、かつ絶縁膜１１３の外形に内包されるように、矩形状の外形を持つ対向電極１１４が形成されている。本実施の形態１においては、液晶表示装置の透過効率の点で有利であることからヒータ層１１１をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜によって形成したが、その他、遮光性の金属などからなる比較的抵抗値が高い導電膜を画素領域で開口する様にメッシュ状に形成したものを用いても構わない。また、絶縁膜１１３は別途設けても良いが、通常の対向基板を構成する部材、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）Ｂ（青）からなるカラーフィルタ層（以下ＣＦ層と呼ぶ。）、オーバーコート膜（以下ＯＣ膜と呼ぶ。）、樹脂からなる遮光膜である樹脂ブラックマトリクス（以下、樹脂ＢＭ（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）と呼ぶ。）などの絶縁性の部材を適宜組み合わせ、ヒータ層／対向電極間が接することなく分離する様に形成することにより、絶縁膜１１３として用いることができる。図２（ｂ）の表示領域１０３における対向基板１０２の表面近傍を示す拡大図に示す様に、本実施の形態１では、絶縁膜１１３として、ＣＦ層１１３ｃｆと樹脂ＢＭ１１３ｂｍを平面的に隙間無く敷き詰め、更に両者の表面を全てＯＣ膜１１３ｏｃにより覆った構成を用いた。この様な構成により、全ての領域で、ＣＦ層１１３ｃｆと樹脂ＢＭ１１３ｂｍのいずれかとＯＣ膜１１３ｏｃとからなる二層膜により絶縁することができることから、絶縁膜１１３の絶縁信頼性が高いものが得られる。また、遮光膜であるブラックマトリクスを樹脂ではなくＣｒ系の材料など導電性を有する材料により形成する場合には、絶縁膜１１３を構成する材料とはせずにＣＦ層、ＯＣ膜のみにより絶縁膜１１３を構成すれば良い。また、この様にブラックマトリクスを絶縁膜１１３の構成に用いない場合には、ヒータ層１１１とガラス基板１２間に設けても構わない。また、ＯＣ膜は適宜省略可能であり、その場合には、絶縁膜１１３は、ＣＦ層のみにより形成するか、樹脂ＢＭと組み合わせると良い。以上の様に絶縁膜１１３をＣＦ層１１３ｃｆ、ＯＣ膜１１３ｏｃ、樹脂ＢＭ１１３ｂｍなどの絶縁性の部材を適宜組み合わせて形成した場合には、必要部材を増加させることなく絶縁膜１１３を設けることができ、低コスト化の点で好ましい。

ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とは、シール材１２０を介して貼り合わされており、両基板はシール材１２０により接着されている。シール材１２０は、表示領域１０３を囲むよう枠状に形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２の間には液晶層が狭持される。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とシール材１２０により囲まれて形成される空間には、液晶１２１が封入されている。シール材１２０としては、熱硬化タイプの樹脂を用いても良いし、紫外線などの光により硬化する光硬化タイプの樹脂を用いても良く、液晶１２１の封入方法によって適宜使い分けることが可能である。また、これらの樹脂の中に、微細な棒状ガラスなどからなるマイクロロッドを適宜混入しておくことで基板間の距離を所定量に保持することができる。また、ＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の表面には所定の方向に配向された配向膜（図示省略）が形成されており、液晶１２１は、このＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２に設けられた配向膜によって所定の方向に配向されている。

ここで、図１の平面図に示す様に表示領域１０３の外側の周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０１の外部接続端子１１２に入力された信号（具体的には、制御回路から供給された共通電位（コモン電位）Ｖｃｏｍ）を対向基板１０２に設けられる対向電極１１４に伝達するために、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２における対向電極１１４間の基板間導通（以下、トランスファ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼ぶ。）を行うために、少なくとも１つ以上の対向電極用基板間導通部（以下、対向電極用トランスファ部と呼ぶ。）が設けられている。更に、外部接続端子１１２に接続された外部配線と対向基板１０２に設けられるヒータ層１１１間で電流を導通するために、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２におけるヒータ層１１１間の導通をとるために、少なくとも２つ以上のヒータ層用基板間導通電部（以下、ヒータ層用トランスファ部と呼ぶ。）が設けられている。

更に図２（ａ）の断面図を用い、対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ部の構成を詳細に説明する。対向電極用トランスファ部においては、ＴＦＴアレイ基板１０１上に外部接続端子１１２に配線接続された対向電極用基板間導通電極１１５ａ（以下、対向電極用トランスファ電極１１５ａと呼ぶ。）が設けられ、対向電極１１４と対向電極用トランスファ電極１１５ａ間には導電材料からなる対向電極用基板間導通材１１６ａ（以下、対向電極用トランスファ材１１６ａと呼ぶ。）が設けられている。また、ヒータ層用トランスファ部においては、ＴＦＴアレイ基板１０１上に外部接続端子１１２に配線接続されたヒータ層用基板間導通電極１１５ｂ（以下、ヒータ層用トランスファ電極１１５ｂと呼ぶ。）が設けられ、ヒータ層１１１とヒータ層用トランスファ電極１１５ｂ間には、対向電極用トランスファ材１１６ａと異なる導電材料からなるヒータ層用基板間導通材１１６ｂ（以下、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂと呼ぶ。）が設けられている。なお、ここで言う導電材料としては、基板間が接着された際に、基板間において導電機能を有すれば良いことから、材料自体の導電性を意味するもの以外に、基板面に対して横方向には殆ど導電性を有さない異方性を有する導電機能を持った材料も含むものとする。

ヒータ層用トランスファ部と対向電極用トランスファ部の位置においては、図２（ａ）の断面図からもわかる様に、少なくとも絶縁膜１１３と対向電極１１４の厚み分だけＴＦＴアレイ基板１０１との間に距離の違いが生じる。従って、其々の基板間距離に応じて適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、其々の位置で安定した導通を得ることができる。本実施の形態１における対向電極用トランスファ材１１６ａとヒータ層用トランスファ材１１６ｂに用いる導電材料の組み合わせとしては、対向電極用トランスファ材１１６ａとヒータ層用トランスファ材１１６ｂの双方ともに導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用い、更に対向電極用トランスファ材１１６ａとヒータ層用トランスファ材１１６ｂとで、其々の基板間距離に応じて適性化された互いに異なる径の導電粒子（図２（ａ）中において対向電極用トランスファ材１１６ａ中の導電粒子を導電粒子１２２ａとし、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂ中の導電粒子を導電粒子１２２ｂとする。）を使用する。導電粒子としては、アクリル粒子の表面に金などのコーティングされた導電粒子を用いることができる。この様に互いに異なる径の導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いた場合、図２（ａ）の断面図に示される様に、対向電極用トランスファ材１１６ａにおいては、対向電極用トランスファ材１１６ａに混入された導電粒子１２２ａが対向電極用トランスファ電極１１５ａと対向電極１１４の両者に接触することにより、両者間の導通をとることができ、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂにおいては、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂに混入された導電粒子１２２ｂがヒータ層用トランスファ電極１１５ｂとヒータ層１１１の両者に接触することにより、両者間の導通をとることができる。この様に互いに異なる径の導電粒子１２２ａ及び導電粒子１２２ｂが混入された樹脂を用いた場合には、銀ペーストなどを使用した場合と比較して、近傍のギャップ不良や外部衝撃によるハガレなどを起こすことなく、信頼性を向上することが可能となる。また、基板間距離に応じて適性化された径の設定としては、例えば所望の基板間距離に対応して基板間距離と同じに設定してしまうと、振動などにより基板間距離が一時的に拡がったりすると導電粒子による導通が断絶する恐れがある。従って、基板間距離の多少の変動を吸収できる様に完成時において、絶えず導電粒子が基板面に圧力を持って接触されるのが好ましい。つまり、基板間貼り合わせ時の押し圧による粒子の扁平率を考慮し、其々の位置における基板間距離に対して若干量大きめに設定すると良い。また、より簡便な導電粒子１２２ａ及び導電粒子１２２ｂの径を適性化できる設定としては、少なくとも導電粒子１２２ｂの径が導電粒子１２２ａの径よりも大きく設定する必要があり、更に導電粒子１２２ａ及び導電粒子１２２ｂ、両者の径の差が絶縁膜１１３と対向電極１１４の厚み分に概ね等しくなる様に設定するのが望ましい。

また、この様な構成に限らず、例えば、対向電極用トランスファ材１１６ａの導電材料には、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用い、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂについては、基板間の距離の違いにあまり敏感でなく容易に電気的導通が得られ、比較的大きな電流を流すことが可能な導電物質である銀ペーストを用いても良い。この様に選定した上で、完成時において、対向電極用トランスファ材１１６ａの導電粒子が若干扁平する程度に基板間距離と導電粒子の径を設定すると、対向電極用トランスファ部の導通も適性化され、ヒータ層用トランスファ部の導通についても銀ペーストにより適性化される。この様な方法を用いた場合においても、先に説明した双方ともに導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用い、其々の導電粒子の径を異なる径に適性化する方法と同様に、其々の位置で安定した導通を得ることができる。この様な構成以外にも、例えば、対向電極用トランスファ材１１６ａとヒータ層用トランスファ材１１６ｂに用いる導電材料の組み合わせとして、対向電極用トランスファ材１１６ａよりもヒータ層用トランスファ材１１６ｂの方の抵抗が低いという点で異なる導電材料を用いると、ヒータ層用トランスファ部の方が低い抵抗値であることが望ましいという要求を満たすことが可能となる。つまり、対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ部に対応して其々適性化された導電材料を選ぶことができる。

また、対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ部の大きさに関して、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２の基板間導通に使われているトランスファ材の有効面積について、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂの有効面積を対向電極用トランスファ材１１６ａに比べて大きく形成することが望ましい。これはヒータ層用トランスファ部について、ヒータ層の発熱に必要な大きな電流を導通するのに有利な様に適性化されるからである。なお、ここで言うトランスファ材の有効面積とは、対向電極用トランスファ材１１６ａの場合には、対向電極用トランスファ電極１１５ａと対向電極１１４の両者に挟まれるトランスファ材の平面的な領域の面積を意味し、同様にヒータ層用トランスファ材１１６ｂの場合には、ヒータ層用トランスファ電極１１５ｂとヒータ層１１１の両者に挟まれるトランスファ材の平面的な領域の面積を意味する。つまり、基板間導通に実質的に使われている平面的な領域の面積に該当し、均一なトランスファ材が用いられる場合には、導通される電流量はこの有効面積の大小に比例する。本実施の形態１の液晶パネル１００においては、図１の平面図に示す様に、対向電極用トランスファ部においては、対向電極用トランスファ電極１１５ａを２ヶ所に形成しており、其々に対向電極用トランスファ材１１６ａを１ヶ所形成している。また、ヒータ層用トランスファ部においては、対向電極用トランスファ電極１１５ａと比較して長尺のヒータ層用トランスファ電極１１５ｂを２ヶ所に形成しており、其々にヒータ層用トランスファ材１１６ｂを７ヶ所程度形成している。この様にヒータ層用トランスファ材１１６ｂの有効面積を対向電極用トランスファ材１１６ａに比べて大きく形成している。従って、上記説明のとおり、ヒータ層用トランスファ部について、ヒータ層の発熱に必要な大きな電流を導通するのに有利な様に適性化されている。このヒータ層用トランスファ材１１６ｂの有効面積を対向電極用トランスファ材１１６ａに比べて大きく形成する効果については、対向電極用トランスファ材１１６ａ及びヒータ層用トランスファ材１１６ｂに対して上記説明した何れの導電材料を用いた場合についても有効である。また、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂの有効面積を大きく形成する方法として本実施の形態１で用いた形成個数を変える方法を用いたのは、トランスファ材の形成方法を変えることなく比較的容易に有効面積を変えることが可能であるからである。ここで採用した形成個数の例は一例であり、有効面積を大きく形成することができれば適宜変更が可能である。また、本実施の形態１の様に、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂの形成個数を変えるのではなく、形成する長さなどを変えることにより、有効面積を大きく形成することも有効である。

また、対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ部の平面的な配置としては、図１に示す様に、液晶表示パネル１００の右上角部近傍と右下角部近傍とに対向電極用トランスファ部が設けられ、左下角部近傍と右上角部近傍とにヒータ層用トランスファ部が設けられている。特にヒータ層用トランスファ部については、ヒータ層１１１中に電流を流すために、入力と出力の少なくとも２ヶ所設ける必要がある。また、ヒータ層１１１中を電流が比較的均一に流れることが均一に加熱できる点から望ましいので、表示領域１０３の対向する二辺の全域に渡って、其々電流の入力と出力のヒータ層用トランスファ部を形成しても良いし、局所的に設ける場合には、本実施の形態１の様に電流の入力と出力のヒータ層用トランスファ部が、表示領域１０３の周囲の対角した位置に其々配置されることが望ましい。また、対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ部とは、本実施の形態１においてはシール材１２０よりも外側に配設した。この様に対向電極用トランスファ材１１６ａやヒータ層用トランスファ材１１６ｂが液晶１２１と接触しない構成を用いると、液晶１２１への汚染を懸念することなく自由に材料を選定でき望ましい。然しながら、対向電極用トランスファ材１１６ａやヒータ層用トランスファ材１１６ｂについて、液晶１２１への汚染の発生し難いものを其々選定可能であれば、双方或いは一方のみをシール材１２０より内側に配置しても構わない。

この他に本実施の形態１の液晶表示装置には、図示は省略するが、液晶パネル１００の駆動信号を発生する駆動回路やヒータ層に電力を供給するヒータ層用の外部定電流源などを有した制御基板が、外部配線であるＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）を介して外部接続端子１１２に電気的に接続されている。更に、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２との外側の面には、偏光板、及び位相差板等が設けられる。また、液晶パネル１００の反視認側には、バックライトユニット等が配設される。さらに、液晶パネル１００は、液晶１２１の温度を感知するためのセンサ、及びこのセンサが感知した温度に基づいてヒータ層１１１に電流を流すための制御回路等を備えていても良い。

続いて、本実施の形態１の液晶表示装置の動作について説明する。液晶パネル１００に接続された制御基板に設けられた駆動回路である走査信号駆動回路（ゲートドライバー）と映像信号駆動回路（ソースドライバー）が動作することにより、走査信号駆動回路は走査信号をゲート配線に供給し、映像信号駆動回路は映像信号をソース配線に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線が順次選択され、ＴＦＴがスイッチング動作されることにより、表示データに基づいてソース線に供給される映像信号が順次各画素電極に供給される。また、制御回路から供給された共通電位（コモン電位）Ｖｃｏｍが対向基板１０２に設けられる対向電極１１４に伝達される。この様にして生ずる画素電極と対向電極１１４との間の電界によって、液晶１２１が駆動される。即ち、基板間の液晶１２１の配向方向が変化する。これにより、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニットからの光は、ＴＦＴアレイ基板１０１側の偏光板によって直線偏光になる。この直線偏光が液晶層を通過することによって、偏光状態が変化する。偏光状態によって、対向基板１０２側の偏光板を通過する光量は変化する。つまり、表示電圧を変え、液晶１２１の配向方向を変化させることにより、視認側である対向基板１０２側の偏光板を通過する光量を変えることができる。即ち、バックライトユニットから出た光のうち液晶パネル１００を透過する透過光の光量を制御できる。以上の様に、画素ごとに画素電極と対向電極１１４との間の電界、即ち表示電圧を変えることによって、液晶パネル１００を透過する光の光量を制御し所望の画像を表示することができる。

また、本実施の形態１の液晶表示装置においては、低温時において、液晶パネル１００に接続される制御基板に設けられたヒータ層用の外部定電流源により外部接続端子１１２、ヒータ層用トランスファ部などを介してヒータ層１１１に電流を流すことにより発生するジュール熱を利用して、液晶１２１の温度調整を行うことができる。ヒータ層１１１の加熱動作は液晶１２１の温度をセンサにより感知して、感知した温度が所定温度以下の場合に開始する様に自動化しても良いし、外部定電流源とヒータ層１１１の間にスイッチを設け、表示状態や外部温度に応じて、スイッチによりマニュアルで加熱動作を開始させるなどの構成としても良い。

以上説明したとおり、本実施の形態１の液晶表示装置においては、対向電極用トランスファ材とヒータ層用トランスファ材とが互いに異なる導電材料により形成され、其々に適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、同一の導電材料を用いることによる問題点の解決が可能となる。より具体的には、対向電極用トランスファ材とヒータ層用トランスファ材とが、其々のギャップに併せて、導電材料の径や材質が互いに異なる導電材料により適性化されることによりトランスファ部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上が可能となる。また、ヒータ層用トランスファ材について、対向電極用トランスファ材と異なる導電材料によりその有効面積や材質について大電流を流すために適性化されることにより、加熱効率を向上させることができる。

実施の形態２．
上記説明した実施の形態１においては、対向電極用トランスファ材とヒータ層用トランスファ材について、其々のギャップに併せて適性化された互いに異なる導電材料を、其々独立した形成方法により形成する方法について説明を行った。続いて、上記二種類のトランスファ材の一方である対向電極用トランスファ材の形成方法について変更したことにより、製造工程の簡略化を実現できる方法である実施の形態２について説明を行う。なお、本実施の形態２においては、実施の形態１より対向電極用トランスファ材と、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を貼り合わせ液晶を封入するシール材について、両者の材料を共通化した点などが一部変更されている。以下、実施の形態１からの変更部を重点的に説明し、実施の形態１と同じ構成については適宜説明を省略する。

図３は、本実施の形態２の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１００ａを概略的に示す平面図であり、図４は、図３における断面線Ｂ−Ｂでの断面図を示したものである。図３及び図４において、本実施の形態２の液晶表示装置は液晶パネル１００ａを備えている。実施の形態１の液晶パネル１００と同様に本実施の形態２の液晶パネル１００ａにおいても、ＴＦＴがアレイ状に形成されたＴＦＴアレイ基板１０１と、このＴＦＴアレイ基板１０１に対向して配置される対向基板１０２とを有している。

本実施の形態２のＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の構成については、実施の形態１のＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の構成と大きな違いは無いことから、簡単に説明する。本実施の形態２のＴＦＴアレイ基板１０１には、実施の形態１のＴＦＴアレイ基板１０１と同様にガラス基板１１上に、ゲート線（走査信号線）及びソース線（映像信号線）や、アレイ状のＴＦＴ及び画素電極、更にＴＦＴなどに供給される信号や対向基板１０２に設けられるヒータ層１１１に供給される電流を導通する外部接続端子１１２などが設けられている。また、本実施の形態２の対向基板１０２には、実施の形態１の対向基板１０２と同様にガラス基板１２上にヒータ層１１１、絶縁膜１１３、対向電極１１４が順に積層して形成されており、絶縁膜１１３は、ヒータ層１１１と対向電極１１４間に隙間無く形成されヒータ層１１１と対向電極１１４間を絶縁している。

本実施の形態２の液晶パネル１００ａにおいては、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とは、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ａを介して貼り合わされており、両基板はシール材１２０ａにより接着されている。実施の形態１のシール材１２０と同様に本実施の形態２のシール材１２０ａは、表示領域１０３を囲むよう枠状に形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２の間には液晶層が狭持される。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とシール材１２０ａにより囲まれて形成される空間には、液晶１２１が封入されている。このシール材１２０ａに用いられる導電材料としては、アクリル粒子の表面に金などのコーティングされた導電粒子などが混入された樹脂からなる導電材料を用いることが望ましい。なお、ここで言う導電性についても、実施の形態１において説明したとおり、基板間が接着された際における、基板間の導電機能を意味するものであり、材料自体の導電性を意味するもの以外に、基板面に対して横方向には殆ど導電性を有さない異方性を有する導電性についても含むものとする。また、ＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の表面には所定の方向に配向された配向膜（図示省略）が形成されており、液晶１２１は、このＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２に設けられた配向膜によって所定の方向に配向されている。

ここで、図３の平面図に示す様に本実施の形態２の液晶パネル１００ａにおいても、表示領域１０３の外側の周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０１の外部接続端子１１２に入力された信号を対向基板１０２に設けられる対向電極１１４に伝達する対向電極用トランスファ部と、外部接続端子１１２に接続された外部配線と対向基板１０２に設けられるヒータ層１１１間で電流を導通するヒータ層用トランスファ部が設けられている。本実施の形態２の対向電極用トランスファ部においては、ＴＦＴアレイ基板１０１上に外部接続端子１１２に配線接続された対向電極用トランスファ電極１１５ａが設けられ、この対向電極用トランスファ電極１１５ａ上を横切る様にシール材１２０ａが形成される。図４の断面図に示される様に、このシール材１２０ａは対向電極用トランスファ電極１１５ａと対向電極１１４間に形成され、シール材１２０ａに混入された導電粒子１２２ａが対向電極用トランスファ電極１１５ａと対向電極１１４の両者に接触することにより、両者間の導通をとることができる。従って、この対向電極用トランスファ部におけるシール材１２０ａ、即ちシール材１２０ａの一部は、対向電極用トランスファ電極１１５ａと対向電極１１４間の導通をとる対向電極用トランスファ材として機能する。この様に、実施の形態１における対向電極用トランスファ材１１６ａをシール材１２０ａの一部により代用できることから、構成を単純化できると共に形成工程を簡略化することができる。一方、ヒータ層用トランスファ部においては、ＴＦＴアレイ基板１０１上に外部接続端子１１２に配線接続されたヒータ層用トランスファ電極１１５ｂが設けられ、ヒータ層１１１とヒータ層用トランスファ電極１１５ｂ間には、導電材料からなるヒータ層用トランスファ材１１６ｂが設けられている。

また、図４の断面図からもわかる様に、本実施の形態２においても、シール材１２０ａが形成される対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ材１１６ｂが形成されるヒータ層用トランスファ部の位置においては、実施の形態１と同様に少なくとも絶縁膜１１３と対向電極１１４の厚み分だけＴＦＴアレイ基板１０１との間に距離の違いが生じる。従って、其々基板間距離に応じて適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、其々の位置で安定した導通を得ることができる。本実施の形態２におけるヒータ層用トランスファ材１１６ｂについても、実施の形態１におけるヒータ層用トランスファ材１１６ｂと同様に、対向電極用トランスファ材として機能するシール材１２０ａと異なる導電材料を適宜用いることができる。例えばシール材１２０ａとヒータ層用トランスファ材１１６ｂとで、其々の基板間距離に応じて適性化された互いに異なる径の導電粒子（図４中においてシール材１２０ａ中の導電粒子を導電粒子１２２ａとし、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂ中の導電粒子を導電粒子１２２ｂとする。）を使用すると良い。また、実施の形態１と同様に、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂについては、銀ペーストを用いる変形を行っても良く、実施の形態１において説明した効果と同様の効果が得られる。

また、実施の形態１と同様に対向電極用トランスファ部において対向電極用トランスファ材として機能するシール材１２０ａとヒータ層用トランスファ材１１６ｂの基板間導通に使われているトランスファ材の有効面積については、ヒータ層用トランスファ材１１６ｂの有効面積をシール材１２０ａの有効面積に比べて大きく形成することが望ましい。本実施の形態２の液晶パネル１００ａにおいては、図３の平面図に示す様に、対向電極用トランスファ部においては、対向電極用トランスファ電極１１５ａを２ヶ所に形成しており、其々のシール材１２０ａが跨ぐ部分において対向電極用トランスファ材として機能している。この対向電極用トランスファ電極１１５ａ上をシール材１２０ａが跨ぐ部分の平面的な領域の面積がトランスファ材の有効面積に該当する。また、ヒータ層用トランスファ部においては、ヒータ層用トランスファ電極１１５ｂを２ヶ所に形成しており、其々にヒータ層用トランスファ材１１６ｂを７ヶ所程度形成している。対向電極用トランスファ材の有効面積はシール材１２０ａによって形成されたことにより実施の形態１よりは大きく形成されているが、やはりヒータ層用トランスファ材１１６ｂの有効面積が対向電極用トランスファ材として機能するシール材１２０ａの有効面積に比べて大きく形成されている。従って、ヒータ層用トランスファ部では、ヒータ層の発熱に必要な大きな電流を導通するのに有利な様に適性化されており、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

また、ヒータ層用トランスファ部の平面的な配置としては、図３に示す様に、液晶表示パネル１００ａの左下角部近傍と右上角部近傍とにヒータ層用トランスファ部が設けられている。この様に表示領域１０３の周囲の対角した位置に其々配置されることから、実施の形態１と同様に比較的均一に表示領域１０３を加熱できる。また、本実施の形態２においては導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ａが液晶１２１と接触するため、シール材１２０ａ及び混入される導電粒子１２２ｂについて液晶１２１への汚染の発生し難いものを其々選定することが望ましい。

この他に本実施の形態２の液晶表示装置には液晶パネル１００ａの外側に幾つかの部材などが配置されるが、実施の形態１と同様の構成を用いることができるため、ここでは説明を省略する。また、液晶表示装置の表示動作及びヒータ層１１１による温度調整の動作についても、実施の形態１の動作と大差が無いことから説明を省略する。

以上説明したとおり、本実施の形態２の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、対向電極用トランスファ材として機能する導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材とヒータ層用トランスファ材とが互いに異なる導電材料により形成され、其々に適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、同一の導電材料を用いることによる問題点の解決が可能となる。より具体的には、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材とヒータ層用トランスファ材とが、其々のギャップに併せて、導電材料の径や材質が互いに異なる導電材料により適性化されることによりトランスファ部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上が可能となる。また、ヒータ層用トランスファ材について、対向電極用トランスファ材と異なる導電材料によりその有効面積や材質について大電流を流すために適性化されることにより、加熱効率を向上させることができる。なお、実施の形態１において示唆した変形例などについては、逐一、本実施の形態２への適用説明を省略したが、本実施の形態２においても、実施の形態１との共通部分においては、実施の形態１において説明した変形の示唆などを適宜組み合わせることが可能であり、実施の形態１において説明した効果と同様の効果を得ることができる。

本実施の形態２の液晶表示装置においては、対向電極用トランスファ材と、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を貼り合わせ液晶を封入するシール材について、両者の材料を共通化している。更に導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材により、液晶を封入するシール材を形成するとともに、このシール材が対向電極用トランスファ電極上を横切る様に配置することにより、液晶を封入するシール材と対向電極用トランスファ材の機能を併せ持たせた。その結果、構成を単純化できると共に製造工程を簡略化することができる。また、本実施の形態２においては、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ａ自体が対向電極用トランスファ電極１１５ａ上を横切る様に配置し、シール材１２０ａの一部が対向電極用トランスファ材として機能する様にしたが、対向電極用トランスファ材と液晶を封入するシール材１２０ａのパターンとを分離して、其々同じ径の導電粒子が混入された樹脂からなる共通の導電材料により別々に形成しても良い。この様な場合にも、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料をスクリーン印刷などでパターン形成する場合には、スクリーン版のパターンを適宜設計することにより、シール材１２０ａと対向電極用トランスファ材を同時形成することができる。従って、本実施の形態２の方法と同様に製造工程の簡略化を実現できる。また、スクリーン印刷を用いずにノズルなどを走査することにより導電材料のパターンを形成する場合にも、途中で導電材料を変更することなくシール材１２０ａと対向電極用トランスファ材を連続して形成することが可能であり、やはり製造工程の簡略化を実現できる。

実施の形態３．
続いて、実施の形態２とは逆に、ヒータ層用トランスファ材とＴＦＴアレイ基板と対向基板を貼り合わせ液晶を封入するシール材について、両者の材料を共通化した実施の形態３について説明を行う。なお、実施の形態１或いは実施の形態２からの変更部を重点的に説明し、実施の形態１或いは実施の形態２と同じ構成については適宜説明を省略する。

図５は、本実施の形態３の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１００ｂを概略的に示す平面図であり、図６は、図５における断面線Ｃ−Ｃでの断面図を示したものである。図５及び図６において、本実施の形態３の液晶表示装置は液晶パネル１００ｂを備えている。実施の形態１の液晶パネル１００と同様に本実施の形態３の液晶パネル１００ａにおいても、ＴＦＴがアレイ状に形成されたＴＦＴアレイ基板１０１と、このＴＦＴアレイ基板１０１に対向して配置される対向基板１０２とを有している。

本実施の形態３のＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の構成については、実施の形態１のＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の構成と大きな違いは無いことから、簡単に説明する。本実施の形態３のＴＦＴアレイ基板１０１には、実施の形態１のＴＦＴアレイ基板１０１と同様にガラス基板１１上に、ゲート線（走査信号線）及びソース線（映像信号線）や、アレイ状のＴＦＴ及び画素電極、更にＴＦＴなどに供給される信号や対向基板１０２に設けられるヒータ層１１１に供給される電流を導通する外部接続端子１１２などが設けられている。また、本実施の形態３の対向基板１０２には、実施の形態１の対向基板１０２と同様にガラス基板１２上にヒータ層１１１、絶縁膜１１３、対向電極１１４が順に積層して形成されており、絶縁膜１１３は、ヒータ層１１１と対向電極１１４間に隙間無く形成されヒータ層１１１と対向電極１１４間を絶縁している。

本実施の形態３の液晶パネル１００ｂにおいては、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とは、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ｂを介して貼り合わされており、両基板はシール材１２０ｂにより接着されている。実施の形態１のシール材１２０と同様に本実施の形態３のシール材１２０ｂは、表示領域１０３を囲むよう枠状に形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２の間には液晶層が狭持される。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とシール材１２０ｂにより囲まれて形成される空間には、液晶１２１が封入されている。このシール材１２０ｂに用いられる導電材料としては、アクリル粒子の表面に金などのコーティングされた導電粒子などが混入された樹脂からなる導電材料を用いることが望ましい。また、ＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の表面には所定の方向に配向された配向膜（図示省略）が形成されており、液晶１２１は、このＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２に設けられた配向膜によって所定の方向に配向されている。

ここで、本実施の形態３の液晶パネル１００ｂにおいても、表示領域１０３の外側の周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０１の外部接続端子１１２に入力された信号を対向基板１０２に設けられる対向電極１１４に伝達する対向電極用トランスファ部と、外部接続端子１１２に接続された外部配線と対向基板１０２に設けられるヒータ層１１１間で電流を導通するヒータ層用トランスファ部が設けられている。本実施の形態３の対向電極用トランスファ部においては、ＴＦＴアレイ基板１０１上に外部接続端子１１２に配線接続された対向電極用トランスファ電極１１５ａが設けられ、対向電極１１４と対向電極用トランスファ電極１１５ａ間には、導電材料からなる対向電極用トランスファ材１１６ａが設けられている。一方、ヒータ層用トランスファ部においては、ＴＦＴアレイ基板１０１上に外部接続端子１１２に配線接続されたヒータ層用トランスファ電極１１５ｂが設けられ、このヒータ層用トランスファ電極１１５ｂ上を横切る様にシール材１２０ｂが形成される。図６の断面図に示される様に、このシール材１２０ｂはヒータ層用トランスファ電極１１５ｂとヒータ層１１１間に形成され、シール材１２０ｂに混入された導電粒子１２２ｂがヒータ層用トランスファ電極１１５ｂとヒータ層１１１の両者に接触することにより、両者間の導通をとることができる。従って、このヒータ層用トランスファ部におけるシール材１２０ｂ、即ちシール材１２０ｂの一部は、ヒータ層用トランスファ電極１１５ｂとヒータ層１１１間の導通をとるヒータ層用トランスファ材として機能する。この様に、実施の形態１におけるヒータ層用トランスファ材１１６ｂをシール材１２０ｂの一部により代用できることから、構成を単純化できると共に形成工程を簡略化することができる。

また、図６の断面図からもわかる様に、本実施の形態３においても、シール材１２０ｂが形成されるヒータ層用トランスファ部と対向電極用トランスファ材１１６ａが形成される対向電極用トランスファ部の位置においては、実施の形態１と同様に少なくとも絶縁膜１１３と対向電極１１４の厚み分だけＴＦＴアレイ基板１０１との間に距離の違いが生じる。従って、其々基板間距離に応じて適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、其々の位置で安定した導通を得ることができる。本実施の形態３におけるシール材１２０ｂと対向電極用トランスファ材１１６ａに用いる導電材料の組み合わせとしては、双方ともにアクリル粒子の表面に金などのコーティングされた導電粒子などが混入された樹脂からなる導電材料を用い、更にシール材１２０ｂと対向電極用トランスファ材１１６ａとで、シール材１２０ｂが形成されるヒータ層用トランスファ部と対向電極用トランスファ材１１６ａが形成される対向電極用トランスファ部の位置における其々の基板間距離に応じて適性化された互いに異なる径の導電粒子（図６中において対向電極用トランスファ材１１６ａ中の導電粒子を導電粒子１２２ａとし、シール材１２０ｂ中の導電粒子を導電粒子１２２ｂとする。）を使用すると良い。

また、実施の形態１と同様に対向電極用トランスファ部とヒータ層用トランスファ材として機能するシール材１２０ｂの基板間導通に使われているトランスファ材の有効面積については、シール材１２０ｂの有効面積を対向電極用トランスファ材１１６ａの有効面積に比べて大きく形成することが望ましい。本実施の形態３の液晶パネル１００ｂにおいては、図５の平面図に示す様に、対向電極用トランスファ部においては、対向電極用トランスファ電極１１５ａを２ヶ所に形成しており、其々に対向電極用トランスファ材１１６ａを１ヶ所形成している。また、ヒータ層用トランスファ部においては、対向電極用トランスファ電極１１５ａと比較して長尺のヒータ層用トランスファ電極１１５ｂを２ヶ所に形成しており、この長尺のヒータ層用トランスファ電極１１５ｂの長手方向に其々のシール材１２０ｂが跨ぐ部分において対向電極用トランスファ材として機能している。このヒータ層用トランスファ電極１１５ｂ上をシール材１２０ｂが跨ぐ部分の平面的な領域の面積がトランスファ材の有効面積に該当する。この様にヒータ層用トランスファ材として機能するシール材１２０ｂの有効面積を対向電極用トランスファ材１１６ａの有効面積に比べて大きく形成している。従って、ヒータ層用トランスファ部では、ヒータ層の発熱に必要な大きな電流を導通するのに有利な様に適性化されており、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、ヒータ層用トランスファ材として機能するシール材１２０ｂの有効面積をより大きくする方法としては、シール材１２０ｂが跨ぐヒータ層用トランスファ電極１１５ｂの長さを更に長くしても良いし、跨ぐ部分においてシール材１２０ｂを局所的に太く形成することも有効である。また、本実施の形態３の様にヒータ層用トランスファ材を導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ｂにより形成することで、シール材１２０ｂの全周についてヒータ層用トランスファ材として利用することが原理的には可能であり、比較的容易に、ヒータ層用トランスファ材の有効面積を大きくすることが可能となる。

また、ヒータ層用トランスファ部の平面的な配置としては、図５に示す様に、液晶表示パネル１００ｂの左下角部近傍と右上角部近傍とにヒータ層用トランスファ部が設けられている。この様に表示領域１０３の周囲の対角した位置に其々配置されることから、実施の形態１と同様に比較的均一に表示領域１０３を加熱できる。また、本実施の形態３においては導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ｂ及び対向電極用トランスファ材１１６ａが液晶１２１と接触するため、シール材１２０ａ及び対向電極用トランスファ材１１６ａ、更にこれらに混入される導電粒子１２２ａ及び導電粒子１２２ｂについて液晶１２１への汚染の発生し難いものを其々選定することが望ましい。

この他に本実施の形態３の液晶表示装置には液晶パネル１００ｂの外側に幾つかの部材などが配置されるが、実施の形態１と同様の構成を用いることができるため、ここでは説明を省略する。また、液晶表示装置の表示動作及びヒータ層１１１による温度調整の動作についても、実施の形態１の動作と大差が無いことから説明を省略する。

以上説明したとおり、本実施の形態３の液晶表示装置においては、実施の形態１或いは実施の形態２の液晶表示装置と同様に、対向電極用トランスファ材とヒータ層用トランスファ材として機能する導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材とが互いに異なる導電材料により形成され、其々に適性化された互いに異なる導電材料を用いることにより、同一の導電材料を用いることによる問題点の解決が可能となる。より具体的には、対向電極用トランスファ材と導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材とが、其々のギャップに併せて、導電材料の径や材質が互いに異なる導電材料により適性化されることによりトランスファ部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上が可能となる。また、ヒータ層用トランスファ材について、対向電極用トランスファ材と異なる導電材料によりその有効面積や材質について大電流を流すために適性化されることにより、加熱効率を向上させることができる。なお、実施の形態１或いは実施の形態２において示唆した変形例などについては、逐一、本実施の形態３への適用説明を省略したが、本実施の形態３においても、実施の形態１或いは実施の形態２との共通部分においては、実施の形態１或いは実施の形態２において説明した変形の示唆などを適宜組み合わせることが可能であり、実施の形態１或いは実施の形態２において説明した効果と同様の効果を得ることができる。

本実施の形態３の液晶表示装置においては、ヒータ層用トランスファ材と、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を貼り合わせ液晶を封入するシール材について、両者の材料を共通化している。更に導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材により、液晶を封入するシール材を形成するとともに、このシール材がヒータ層用トランスファ電極上を横切る様に配置することにより、液晶を封入するシール材とヒータ層用トランスファ材の機能を併せ持たせた。その結果、構成を単純化できると共に製造工程を簡略化することができる。また、本実施の形態３においては、導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ｂ自体がヒータ層用トランスファ電極１１５ｂ上を横切る様に配置し、シール材１２０ｂの一部がヒータ層用トランスファ材として機能する様にしたが、実施の形態２で説明したとおり、ヒータ層用トランスファ材と液晶を封入するシール材１２０ｂのパターンとを分離して、其々同じ径の導電粒子が混入された樹脂からなる共通の導電材料により別々に形成しても良く、この様な場合においても製造工程の簡略化を実現できる。また、本実施の形態３ではヒータ層用トランスファ材を導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用いたシール材１２０ｂにより形成することで、比較的容易に、ヒータ層用トランスファ材の有効面積を大きくすることが可能となり、加熱効率を向上させることができる。

１００ 液晶パネル、１０１ ＴＦＴアレイ基板、１０２ 対向基板、
１１１ ヒータ層、１１２ 外部接続端子、１１３ 絶縁層、１１４ 対向電極、
１１６ａ 対向電極用トランスファ材、１１６ｂ ヒータ層用トランスファ材、
１２０、１２０ａ、１２０ｂ シール材、１２１ 液晶、
１２２ａ、１２２ｂ 導電粒子、２００ 液晶表示装置。

Claims (6)

1. 画素電極、スイッチング素子、及び外部接続端子を備えたスイッチング素子基板と、
   前記スイッチング素子基板に対向して配置され、
   対向電極、前記対向電極の下層に形成された導電層からなるヒータ層、及び前記ヒータ層−前記対向電極間に形成され前記ヒータ層−前記対向電極間を絶縁する絶縁層を備えた対向基板と、
   前記スイッチング素子基板−前記対向基板間に配置され、
   前記スイッチング素子基板−前記対向基板間を貼り合わせるシール材、
   前記スイッチング素子基板と前記対向基板及び前記シール材により囲まれた領域に封入された液晶、
   前記対向基板における前記ヒータ層−前記スイッチング素子基板間の導通をとるヒータ層用基板間導通材、
   及び前記対向基板における前記対向電極−前記スイッチング素子基板間の導通をとる対向電極用基板間導通材とを備え、
   前記ヒータ層用基板間導通材と前記対向電極用基板間導通材は互いに異なる導電材料により形成されることを特徴とする液晶表示装置。
2. ヒータ層用基板間導通材と対向電極用基板間導通材とは、スイッチング素子基板とヒータ層間の距離とスイッチング素子基板と対向電極間の距離とに併せて、其々適性化された互いに異なる径の導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料により形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. スイッチング素子基板と対向基板間を貼り合わせるシール材として導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用い、ヒータ層用基板間導通材と対向電極用基板間導通材の何れか一方の基板間導通材として前記導電材料と共通の導電材料が用いられることを特徴とする請求項１或いは請求項２に記載の液晶表示装置。
4. ヒータ層用基板間導通材と対向電極用基板間導通材の何れか一方の基板間導通材がスイッチング素子基板と対向基板間を貼り合わせるシール材に用いられる導電材料と共通の導電材料が用いられると共に、前記シール材の一部により形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. ヒータ層用基板間導通材において、スイッチング素子基板と対向基板間の導通に使われている有効面積が対向電極用基板間導通材における前記有効面積に比べて大きく形成されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の液晶表示装置。
6. スイッチング素子基板と対向基板間を貼り合わせるシール材として導電粒子が混入された樹脂からなる導電材料を用い、ヒータ層用基板間導通材が前記シール材の一部により形成されることにより、ヒータ層用基板間導通材における有効面積が対向電極用基板間導通材における前記有効面積に比べて大きく形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。

Images