JP2008106212A - 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 - Google Patents
接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008106212A JP2008106212A JP2006352224A JP2006352224A JP2008106212A JP 2008106212 A JP2008106212 A JP 2008106212A JP 2006352224 A JP2006352224 A JP 2006352224A JP 2006352224 A JP2006352224 A JP 2006352224A JP 2008106212 A JP2008106212 A JP 2008106212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- circuit
- connection
- adhesive composition
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2733—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form
- H01L2224/27334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form using preformed layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、(a)熱可塑性樹脂と、(b)分子内に(メタ)アクリロイル基を2個以上有するラジカル重合性化合物と、(c)ラジカル重合開始剤と、(d)シクロペンタジエン、シクロペンタジエン単重合体、当該重合体の変性物、シクロペンタジエン及びこれと共重合可能なモノマーの共重合体、当該共重合体の変性物、並びに、テルペンのうちから選ばれる一種以上の流動性付与剤とを含有するものである。
【選択図】なし
Description
本発明の接着剤組成物は、(a)熱可塑性樹脂と、(b)分子内に(メタ)アクリロイル基を2個以上有するラジカル重合性化合物と、(c)ラジカル重合開始剤と、(d)シクロペンタジエン、シクロペンタジエン単重合体、当該重合体の変性物、シクロペンタジエン及びこれと共重合可能なモノマーの共重合体、当該共重合体の変性物、並びに、テルペンのうちから選ばれる1種以上の流動性付与剤とを含有するものである。
使用機器:日立L−6000 型((株)日立製作所製、商品名)
検出器:L−3300RI((株)日立製作所製、商品名)
カラム:ゲルパックGL−R420+ゲルパックGL−R430+ゲルパックGL−R440(計3本)(日立化成工業(株)製、商品名)
溶離液:テトラヒドロフラン
測定温度:40℃
流量:1.75ml/min。
(式(1)中、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のアルコキシカルボニル基、又はアリール基を示し、R4は水素原子又はメチル基を示し、n1は1〜10の整数を示す。)
次に、本発明の接続体の好適な実施形態について説明する。図1は、本発明の接続体の一実施形態を示す概略断面図である。図1に示すように、本実施形態の接続体1は、相互に対向する第1の回路部材20及び第2の回路部材30を備えており、第1の回路部材20と第2の回路部材30との間には、これらを電気的に接続する回路接続部材10が設けられている。第1の回路部材20は、第1の回路基板21と、回路基板21の主面21a上に形成される第1の回路電極22とを備えている。なお、回路基板21の主面21a上には、場合により絶縁層(図示せず)が形成されていてもよい。
次に、上述した接続体の製造方法について、その工程図である図2を参照にしつつ、説明する。
次に、本発明の半導体装置の実施形態について説明する。図3は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す概略断面図である。図3に示すように、本実施形態の半導体装置2は、半導体素子50と、半導体の支持部材となる基板60とを備えており、半導体素子50及び基板60の間には、これらを電気的に接続する半導体素子接続部材80が設けられている。また、半導体素子接続部材80は基板60の主面60a上に積層され、半導体素子50は更にその半導体素子接続部材80上に積層されている。
次に、上述した半導体装置の製造方法について説明する。
子を対向する回路パターンと半導体素子の双方に接触させることが可能となり、回路パターンと半導体素子間の接続抵抗を十分に低減することができる。
(フェノキシ樹脂溶液の調製)
フェノキシ樹脂(商品名:PKHC、ユニオンカーバイド社製、重量平均分子量45000)40質量部を、ガラス製の容器に入れたメチルエチルケトン(商品名:2−ブタノン、和光純薬工業(株)製、純度99%)60質量部に溶解して、固形分40重量%のフェノキシ樹脂溶液を調製した。
ポリブチレンアジペートジオール(商品名、Aldrich社製、重量平均分子量2000)450質量部、ポリオキシテトラメチレングリコール(商品名、Aldrich社製、重量平均分子量2000)450質量部及び1,4−ブチレングリコール(商品名、Aldrich社製)100質量部を、メチルエチルケトン(商品名:2−ブタノン、和光純薬工業(株)製、純度99%)4000質量部中に溶解した。そこにジフェニルメタンジイソシアネート(商品名、Aldrich社製)390質量部を加えて反応液を得た。次に、その反応液を70℃で60分間反応させて、ウレタン樹脂を得た。なお、このときの温度制御はオイルバス(商品名:HOB−50D、アズワン(株)製)を用いて行った。得られたウレタン樹脂の重量平均分子量をゲルパーミエイションクロマトグラフィー法(GPC)によって測定したところ、10万であった。
ラジカル重合性化合物として、イソシアヌル酸EO変性ジアクリレート(商品名:M−215、東亞合成(株)製)及びウレタンアクリレート(商品名:AT−600、共栄社化学(株)製)をそれぞれ準備した。
ラジカル重合開始剤として、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート(商品名:パーヘキシルO、日本油脂(株)製)を準備した。
流動性付与剤として、シクロペンタジエン重合体(商品名:クイントン1700、日本ゼオン(株)製、重量平均分子量380、水酸基価220mgKOH/g)、シクロペンタジエン重合体(商品名:クイントン1500、日本ゼオン(株)製、重量平均分子量480、水酸基価0mgKOH/g)、下記一般式(3)で示されるロジンエポキシ化合物(商品名:ビームセット101、荒川化学工業(株)製、単官能エポキシアクリレート誘導体)、及び、脂肪族炭化水素重合体(商品名:クイントンA100、日本ゼオン(株)製、重量平均分子量1350、水酸基価0mgKOH/g)をそれぞれ準備した。
ポリスチレン粒子の表面上に、厚さ0.2μmになるようにニッケルからなる層を設け
、更にこのニッケルからなる層の表面上に、厚さ0.02μmになるよう金からなる層を
設けた。こうして平均粒径4μm及び比重2.5の導電性粒子を作製した。
(実施例1)
熱可塑性樹脂として上記フェノキシ樹脂溶液及び上記ウレタン樹脂、ラジカル重合性化合物としてM−215及びAT−600、ラジカル重合開始剤としてパーヘキシルO、並びに、流動性付与剤としてクイントン1700を表1に示す配合割合(固形質量比)で混合した。この混合物に、上記の導電性粒子を配合分散させて接着剤組成物を得た。導電性粒子の配合割合は、接着剤組成物の全量に対して1.5体積%(熱可塑性樹脂100質量部に対して10質量部)とした。
流動性付与剤として、クイントン1700に代えてビームセット101を10質量部配合したこと以外は実施例1と同様にして、フィルム状回路接続用接着剤を得た。
流動性付与剤として、クイントン1700に代えてクイントン1500を10質量部配合したこと以外は実施例1と同様にして、フィルム状回路接続用接着剤を得た。
流動性付与剤を配合しなかったこと以外は実施例1と同様にして、フィルム状回路接続用接着剤を得た。
流動性付与剤として、クイントン1700に代えてクイントンA100を10質量部配合したこと以外は実施例1と同様にして、フィルム状回路接続用接着剤を得た。
ライン幅25μm、ピッチ50μm及び厚み18μmの銅配線を500本有するフレキシブル回路板(FPC)と、0.2μmの酸化インジウム(ITO)の薄層を全面に形成したガラス基板(厚み1.1mm、表面抵抗20Ω/□)との間に、上記で得られたフィルム状回路接続用接着剤を配置した。次に、熱圧着装置(加熱方式:コンスタントヒート型、東レエンジニアリング(株)製)を用いて、160℃、3MPaの条件下、それらの積層方向に10秒間の加熱加圧を行った。こうして、幅2mmにわたりFPC基板とITO基板とを実施例1〜3、比較例1又は2の回路接続用接着剤の硬化物により電気的に接続した接続体をそれぞれ作製した。
得られた接続体の対向する電極間の接続抵抗をマルチメータ(商品名:TR6848、アドバンテスト社製)で測定した。なお、抵抗値は、対向する電極間の抵抗150点の平均(x+3σ)で示した。
得られた接続体の部材間(フレキシブル回路板及びガラス基板間)の接着強度を、JIS−Z0237に準じて90度剥離法で測定し、評価した。ここで、接着強度の測定は、テンシロンUTM−4(商品名、東洋ボールドウィン(株)製)を使用し、剥離速度50mm/min、25℃の条件で行った。
Claims (7)
- (a)熱可塑性樹脂と、
(b)分子内に(メタ)アクリロイル基を2個以上有するラジカル重合性化合物と、
(c)ラジカル重合開始剤と、
(d)シクロペンタジエン、シクロペンタジエン単重合体、当該重合体の変性物、シクロペンタジエン及びこれと共重合可能なモノマーの共重合体、当該共重合体の変性物、並びに、テルペンのうちから選ばれる1種以上の流動性付与剤と、
を含有する、接着剤組成物。 - 前記流動性付与剤が水酸基を有する、請求項1記載の接着剤組成物。
- 前記熱可塑性樹脂100質量部に対して、前記ラジカル重合性化合物50〜250質量部、前記ラジカル重合開始剤0.05〜30質量部及び前記流動性付与剤1〜20質量部を含有する、請求項1又は2記載の接着剤組成物。
- 前記熱可塑性樹脂100質量部に対して、導電性粒子0.5〜30質量部を更に含有する、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の接着剤組成物。
- 相対向する回路電極を有する回路部材間に介在させ、前記相対向する回路電極同士が電気的に接続されるように前記回路部材同士を接着するために用いられる、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の接着剤組成物からなる回路接続用接着剤。
- 対向配置された一対の回路部材と、
前記一対の回路部材の間に設けられ、前記一対の回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように回路部材同士を接着する接続部材と、
を備え、
前記接続部材が、請求項5に記載の回路接続用接着剤の硬化物からなる、接続体。 - 半導体素子と、
前記半導体素子を搭載する基板と、
前記半導体素子及び前記基板間に設けられ、前記半導体素子及び前記基板を電気的に接続するとともに接着する接続部材と、
を備え、
前記接続部材が、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の接着剤組成物の硬化物である、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006352224A JP5034494B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-12-27 | 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006260465 | 2006-09-26 | ||
JP2006260465 | 2006-09-26 | ||
JP2006352224A JP5034494B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-12-27 | 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008106212A true JP2008106212A (ja) | 2008-05-08 |
JP5034494B2 JP5034494B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=39439838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006352224A Expired - Fee Related JP5034494B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-12-27 | 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5034494B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008214593A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂組成物及びそれを用いる被加工部材の仮固定方法と表面保護方法 |
JP2009294360A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 光学用樹脂組成物及びこの組成物を用いた光学用樹脂材料並びに画像表示用装置 |
JP2010215786A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2016092112A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 日立化成株式会社 | 先供給型アンダーフィル材、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5699216A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Highly adherent resin composition |
JPH1025456A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Toyo Chem Co Ltd | 半導体ウエハ固定用シート |
JPH1036809A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Toyo Mooton Kk | 電離放射線硬化型接着剤組成物 |
JPH10338841A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
JPH1197825A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路電極の接続構造および回路電極の接続方法 |
JP2000319611A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-21 | Nitto Denko Corp | 熱接着性組成物とその接着シ―ト類 |
JP2002203427A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法、回路板 |
JP2003020455A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
JP2006045459A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-12-27 JP JP2006352224A patent/JP5034494B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5699216A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Highly adherent resin composition |
JPH1025456A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Toyo Chem Co Ltd | 半導体ウエハ固定用シート |
JPH1036809A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Toyo Mooton Kk | 電離放射線硬化型接着剤組成物 |
JPH10338841A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
JPH1197825A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路電極の接続構造および回路電極の接続方法 |
JP2000319611A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-21 | Nitto Denko Corp | 熱接着性組成物とその接着シ―ト類 |
JP2002203427A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法、回路板 |
JP2003020455A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
JP2006045459A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008214593A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂組成物及びそれを用いる被加工部材の仮固定方法と表面保護方法 |
JP2009294360A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 光学用樹脂組成物及びこの組成物を用いた光学用樹脂材料並びに画像表示用装置 |
JP2010215786A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2016092112A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 日立化成株式会社 | 先供給型アンダーフィル材、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5034494B2 (ja) | 2012-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4466650B2 (ja) | フィルム状接着剤、フィルム状回路接続材、回路部材の接続方法及び半導体装置 | |
KR100698916B1 (ko) | 접착제 조성물, 회로접속재료, 회로부재의 접속구조체 및 반도체장치 | |
KR100730629B1 (ko) | 필름상 접착제, 회로접속용 필름상 접착제, 접속체 및 반도체장치 | |
JP4998468B2 (ja) | 接着剤組成物及び回路部材の接続構造 | |
JP5251393B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続用接着剤及びそれを用いた接続体 | |
JP5223679B2 (ja) | 接着剤及びこれを用いた接続構造体 | |
JP6173928B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続用接着剤及び接続体 | |
JP6045918B2 (ja) | 回路接続材料、回路接続部材の接続構造及び半導体装置 | |
JP5292838B2 (ja) | 接着剤、及び回路部材の接続構造体 | |
JP5560544B2 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 | |
JP5023901B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 | |
JPWO2007046190A1 (ja) | 接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置 | |
JP5070748B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置 | |
JP5298977B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 | |
JP5034494B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 | |
JP2011037953A (ja) | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 | |
JP2009256581A (ja) | 接着剤組成物、回路接続用接着剤及びそれを用いた接続体 | |
JP5236144B2 (ja) | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5034494 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |