JP2008103681A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第２表面に隣接して配置された第１表面と、
   第１表面と第２表面とを連結する接合剤を含み、第１表面と第２表面の間の接合剤の一部は、プラズマプロセスの間、プラズマに露出して残留し、露出部はプラズマから供給されるハロゲン含有ガスと反応し、
   接合剤は、
   アクリル系化合物である接着材と、
   接着材に添加された金属充填材を含み、金属充填材は、Ｍｇ、Ｔａ及びＺｒの少なくとも１つである半導体チャンバコンポーネント。
2. プラズマから供給されたハロゲン含有ガスと反応した露出部は、その上に形成されたハロゲン系金属層を更に含む請求項１記載のチャンバコンポーネント。
3. ハロゲン系金属層の化学式がＭＦ_ｘであり、ＭがＭｇ、Ｔａ、及びＺｒから成る群から選択され、ｘが１〜５の整数である請求項２記載のチャンバコンポーネント。
4. 接着材がペースト、膠、ゲル又はパッド状である請求項１記載のチャンバコンポーネント。
5. 金属充填材は平均直径又は投影面積が約０．２μｍ〜約２．５μｍの粒子、薄片又は粉末を更に含む請求項１記載のチャンバコンポーネント。
6. 金属充填材の接着材に対する比が重量％で約１：２０〜約１：１である請求項１記載のチャンバコンポーネント。
7. 第１表面がガス分布アセンブリのベースであり、第２表面がガス分布プレートである請求項１記載のチャンバコンポーネント。
8. 第１表面が基板支持アセンブリのベースであり、第２表面が静電チャックである請求項１記載のチャンバコンポーネント。
9. 第１表面がセラミックであり、第２表面が金属である請求項１記載のチャンバコンポーネント。
10. 接合材が約５０μｍ〜約５００μｍの厚さを有する請求項１記載のチャンバコンポーネント。