JP2008099337A - Fet帯域増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い利得を得ることができるFET帯域増幅器を提供すること。
【解決手段】AM受信機に含まれるFET帯域増幅器5は、例えば5段の増幅器11〜15と、その中間に挿入されたBPF16を備えている。増幅器11〜15のそれぞれは、pチャネルFETを増幅素子として用いた差動増幅器として動作する。BPF16は、FET帯域増幅器全体の増幅帯域よりも広い帯域成分を通過させる。CMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて、半導体基板上に構成部品が一体形成されている。3段の増幅器11〜13によって増幅された信号の低域成分を除去することにより1/fノイズを低減することができ、高域成分を除去することにより熱雑音を低減することができる。これにより、BPF16の後段に接続された増幅器14、15のそれぞれが、ノイズ成分によって飽和することがない。
【選択図】図2
【解決手段】AM受信機に含まれるFET帯域増幅器5は、例えば5段の増幅器11〜15と、その中間に挿入されたBPF16を備えている。増幅器11〜15のそれぞれは、pチャネルFETを増幅素子として用いた差動増幅器として動作する。BPF16は、FET帯域増幅器全体の増幅帯域よりも広い帯域成分を通過させる。CMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて、半導体基板上に構成部品が一体形成されている。3段の増幅器11〜13によって増幅された信号の低域成分を除去することにより1/fノイズを低減することができ、高域成分を除去することにより熱雑音を低減することができる。これにより、BPF16の後段に接続された増幅器14、15のそれぞれが、ノイズ成分によって飽和することがない。
【選択図】図2
Description
本発明は、各種の受信機等に用いられるFET帯域増幅器に関する。
AM受信機やFM受信機等の各種の受信機には、所定の帯域の信号を高い利得で増幅する帯域増幅器が用いられている。代表的な帯域増幅器として、フロントエンドに含まれる高周波増幅器や、中間周波信号を増幅する中間周波増幅器などがある。高周波増幅器では、同調周波数を中心とした所定帯域の信号のみが選択的に増幅される。この場合の中心周波数は、選局の状態に応じて可変に設定される。また、中間周波増幅器では、中間周波数近傍の狭い帯域の信号のみが選択的に増幅される。この場合の中心周波数は、例えばFM受信機の場合には10.7MHz、AM受信機の場合には455kHzというように固定の値が設定される。また、一般にこのような増幅器において高い利得を設定する場合には、トランジスタを複数段接続した多段増幅器が用いられている。
特開昭63−46008号公報
特開平6−45844号公報
特開平10−270957号公報
特開平9−246475号公報
特開平7−283659号公報
特開平4−360307号公報
森永隆広監修、「移動通信−理論と設計−」、株式会社コロナ社、昭和53年2月20日6版発行、p51−65
ところで、上述した帯域増幅器は、高い利得を設定しようとすると、ノイズ成分によってこの多段増幅器が飽和してしまう場合があり、設計上の利得が得られないという問題があった。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、高い利得を得ることができるFET帯域増幅器を提供することにある。
上述した課題を解決するために、本発明のFET帯域増幅器は、FETが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の増幅器と、これら複数段の増幅器の中段に挿入されて増幅帯域よりも広い通過帯域が設定された帯域通過フィルタとを備えている。そして、この複数段の増幅器の少なくとも初段からn段目までにおいてpチャネルFETが用いられている。増幅帯域よりも広い通過帯域を有する帯域通過フィルタを用いることにより、この通過帯域よりも低域側に存在する1/fノイズと高域側に存在する熱雑音を除去することができる。また、増幅素子として移動度が小さいpチャネルFETを用いることにより、増幅器内部でのノイズの発生をさらに少なくすることができる。したがって、これらのノイズ成分によって増幅器が飽和してしまうことを防止することができるため、増幅したい本来の信号成分のみを増幅することができ、FET帯域増幅器全体として高い利得を得ることができる。また、増幅素子としてFETを用いることにより、FET帯域増幅器全体をFETの製造プロセスで半導体基板上に作ることができるようになるため、バイポーラトランジスタを増幅素子として用いた場合に比べて、集積化が容易になるとともに、コストダウンや省スペース化を図ることができる。
特に、上述した増幅器は、2個のFETを差動動作させる差動増幅器であり、ノイズ成分が累積して増幅器が飽和する段数をmとしたときに、この段数mよりも少ない数の縦続接続された増幅器の後段に帯域通過フィルタを配置することが望ましい。縦続接続の段数がm以上にならないように帯域通過フィルタが挿入されているため、m段目以降の増幅器がノイズ成分によって飽和することを防止することができ、FET帯域増幅器全体の利得を高くすることができる。
また、本発明のFET帯域増幅器は、FETが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の増幅器を含んで構成されており、増幅器の少なくともm段目までに含まれる増幅素子としてpチャネル型のFETを用いている。移動度の小さいpチャネル型のFETを用いることにより、1/fノイズの発生を抑えることが可能になり、1/fノイズによって増幅器が飽和することを防止することができる。
また、m+1段目以降の増幅器に含まれる増幅素子としてnチャネル型のFETを用いることが望ましい。増幅器の飽和防止に寄与する度合いが小さい後段の増幅器に含まれる増幅素子をnチャネル型のFETとすることにより、全てをpチャネル型のFETとする場合に比べて、構成部品の占有面積の小型化が可能になる。
また、m段目までの増幅器に含まれるFETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wを、m+1段目以降の増幅器に含まれるFETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wよりも大きな値に設定することが望ましい。増幅器の飽和防止に寄与する度合いが大きい前段の増幅器に含まれるFETのチャネル長Lとチャネル幅Wのみを大きな値にすることにより、全てのFETについてこれらの値を大きくする場合に比べて、構成部品の占有面積の小型化が可能になる。
また、増幅素子として多段接続された複数の増幅器に含まれるFETに着目したときに、前段に配置された増幅器に含まれるFETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wを、それより後段に配置された増幅器に含まれるFETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wよりも大きな値に設定することが望ましい。一般に、FETにおいて発生する1/fノイズは、チャネル長Lとチャネル幅Wのそれぞれの逆数に比例して大きくなることが知られている。したがって、チャネル長Lとチャネル幅Wを大きく設定することにより、このFETで発生する1/fノイズを低減することができる。特に、多段接続されたFETを考えたときに、前段部分に含まれるFETにおいて発生した1/fノイズは、それより後段のFETにおいて増幅されるため、前段部分に含まれるFETにおいて発生する1/fノイズを低減することは、全体の低周波ノイズを低減するために好ましい。また、後段部分に含まれるFETにおいて発生する1/fノイズは、それよりも後段のFETにおいて増幅される程度が少ないため、全体の低周波ノイズの低減に寄与する割合は少ないと考えられる。したがって、この後段部分に含まれるFETのチャネル長Lとチャネル幅Wをそれよりも前段のFETのそれらよりも小さな値にすることにより、FETによる占有面積を小さくすることができ、チップの小型化によるコスト低減を図ることができる。
また、増幅素子として多段接続された複数の増幅器に含まれるFETに着目したときに、このFETによって発生するノイズ成分が、このFETの入力信号に含まれるノイズ成分よりも小さくなるように、それぞれのFETのチャネル長Lとチャネル幅Wを設定することが望ましい。いずれかのFETにおいて発生するノイズ成分をこのFETの入力信号中のノイズ成分よりも小さくすることにより、全体の低周波ノイズの低減が可能になる。
また、CMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて、半導体基板上に構成部品が一体形成されていることが望ましい。これらのプロセスを用いることにより、バイポーラプロセス等を用いる場合に比べてプロセスの簡略化が可能であり、部品コストおよびFET帯域増幅器を含む製品コストを下げることが可能になる。
また、上述した半導体基板にはNウェルが形成されており、このNウェル上に構成部品の全部あるいは一部が形成されていることが望ましい。構成部品の全部あるいは一部をNウェル上に形成することにより、Nウェルとその下の半導体基板との間に形成されたpn接合面を介してノイズ電流が流れることを防止することが可能になり、Nウェル上の回路において発生したノイズが半導体基板を通して他の部品に回り込むことを防止することができる。
また、上述した半導体基板には、構成部品の周囲にガードリングが形成されていることが望ましい。これにより、Nウェル上に形成された回路において発生したノイズが半導体基板を通して他の部品に回り込むことをさらに有効に防止することができる。
また、上述したガードリングは、半導体基板表面からNウェルよりも深い位置まで形成されていることが望ましい。ガードリングを深い位置まで形成することにより、このガードリングを超えて回り込む低周波領域の1/fノイズを除去することができる。
以下、本発明を適用した一実施形態のFET帯域増幅器について詳細に説明する。
〔第1の実施形態〕
図1は、第1の実施形態のFET帯域増幅器が含まれるAM受信機の一般的な構成を示す図である。同図に示すAM受信機は、高周波増幅回路1、混合回路2、局部発振器3、BPF(帯域通過フィルタ)4、6、FET帯域増幅器5、AM検波回路7を含んで構成されている。アンテナ9によって受信したAM波を高周波増幅回路1によって増幅した後、局部発振器3から出力される局部発振信号を混合することにより、高周波信号から中間周波信号への周波数変換を行う。例えば、高周波増幅回路1から出力される信号の周波数をf1、局部発振器3から出力される局部発振信号の周波数をf2とすると、混合回路2からはf1−f2の周波数を有する信号が出力される。
図1は、第1の実施形態のFET帯域増幅器が含まれるAM受信機の一般的な構成を示す図である。同図に示すAM受信機は、高周波増幅回路1、混合回路2、局部発振器3、BPF(帯域通過フィルタ)4、6、FET帯域増幅器5、AM検波回路7を含んで構成されている。アンテナ9によって受信したAM波を高周波増幅回路1によって増幅した後、局部発振器3から出力される局部発振信号を混合することにより、高周波信号から中間周波信号への周波数変換を行う。例えば、高周波増幅回路1から出力される信号の周波数をf1、局部発振器3から出力される局部発振信号の周波数をf2とすると、混合回路2からはf1−f2の周波数を有する信号が出力される。
BPF4、6は、中間周波増幅回路として動作するFET帯域増幅器5の前段および後段に設けられており、入力される中間周波信号から455kHz近傍の周波数成分のみを抽出する。FET帯域増幅器5は、中間周波信号が含まれる所定の帯域成分を増幅する。AM検波回路7は、FET帯域増幅器5によって増幅された後の中間周波信号に対してAM検波処理を行う。
図2は、本実施形態のFET帯域増幅器5の構成を示す図である。図2に示すように、本実施形態のFET帯域増幅器5は、5段の増幅器11〜15と、3段目の増幅器13と4段目の増幅器14との間に挿入されたBPF16とを含んで構成されている。増幅器11〜15のそれぞれは所定の利得を有しており、FET帯域増幅器5全体では各増幅器11〜15の利得を掛け合わせた利得を有する。このFET帯域増幅器5は、その他の回路とともに半導体基板上にCMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて一体形成されている。これにより、製造工程の簡略化による部品あるいはAM受信機全体の製品コストの低減が可能になる。
図3は、増幅器11の構成を示す回路図である。なお、他の増幅器12〜15も増幅器11と同じ構成を有している。図3に示すように、増幅器11は、一対となる2つのpチャネルMOS型のFET111、112と、ドレイン抵抗となる抵抗113、114と、定電流回路115を含んで構成される。2つのFET111、112のそれぞれのソースには、定電流回路115が共通に接続されている。このため、FET111、112の各ソース・ドレイン間を流れる電流の合計がこの定電流回路115によって生成される電流と等しくなる。また、2つのFET111、112の各ゲート間には、前段の回路から出力される信号が入力される。
このように、増幅器11は、差動動作を行う2つのFET111、112を有しており、例えば利得A1 を有する。他の増幅器12〜15のそれぞれの利得をA2 、A3 、A4 、A5 とすると、FET帯域増幅器5全体としては、理論上A1A2A3A4A5の利得を実現することができる。
しかしながら、通常、このような高い利得を得ようとしても、1/fノイズと熱雑音によって後段の増幅器が飽和してしまい、それほど高い利得が得られない場合がある。特に、MOS型のFET111、112の場合には、1/fノイズによる影響が顕著に現れる。
一般に、1/fノイズは、信号の低周波領域に現れるノイズであり、周波数が低くなるほど雑音レベルが高くなる。反対に、熱雑音は、信号の高周波領域に現れるノイズであり、周波数が高くなるほど雑音レベルが高くなる。MOS型のFETが発生するノイズ電圧vn は、
vn=√((8kT(1+η)/(3gm )
+KF/(2fCoxWLK’))Δf) …(1)
と表すことができる。ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、gm は相互コンダクタンス、Coxはゲート酸化膜を挟んだゲートとチャネルの間の容量、Wはゲート幅、Lはゲート長、fは周波数、Δfは周波数fの帯域幅である。KFはノイズパラメータであり、10-20〜10-25程度の値となる。また、η、K’は所定のパラメータである。
vn=√((8kT(1+η)/(3gm )
+KF/(2fCoxWLK’))Δf) …(1)
と表すことができる。ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、gm は相互コンダクタンス、Coxはゲート酸化膜を挟んだゲートとチャネルの間の容量、Wはゲート幅、Lはゲート長、fは周波数、Δfは周波数fの帯域幅である。KFはノイズパラメータであり、10-20〜10-25程度の値となる。また、η、K’は所定のパラメータである。
この式において、右辺の第1項が熱雑音を示すものであり、温度(T)が高くなるにしたがって大きくなることがわかる。また、右辺の第2項が1/fノイズを示すものであり、fの逆数に比例することがわかる。
増幅器11〜15のそれぞれにおいて発生するノイズ(1/fノイズと熱雑音を合計したもの)をen1、en2、en3、en4、en5とすると、増幅器11〜15のそれぞれの出力信号に含まれるノイズレベルe1、e2、e3、e4、e5 は、以下のようになる。
e1 =en1
e2 =e1A2+en2
=en1A2+en2
e3 =e2A3+en3
=(en1A2+en2)A3+en3
e4 =e3A4+en4
=((en1A2+en2)A3+en3)A4+en4
e5 =e4A5+en5
=(((en1A2+en2)A3+en3)A4+en4)A5+en5 …(2)
このように、増幅器11〜15のそれぞれの間で入出力される信号には、主に低周波領域に存在する1/fノイズと高周波領域に主に存在する熱雑音とが含まれており、しかも後段の増幅器になればなるほど、これらのノイズレベルが増幅されながら累積されるため、このノイズレベルが各増幅器11〜15の飽和レベルE0 を越えると、これ以降の増幅器の出力がクリップされる。
e2 =e1A2+en2
=en1A2+en2
e3 =e2A3+en3
=(en1A2+en2)A3+en3
e4 =e3A4+en4
=((en1A2+en2)A3+en3)A4+en4
e5 =e4A5+en5
=(((en1A2+en2)A3+en3)A4+en4)A5+en5 …(2)
このように、増幅器11〜15のそれぞれの間で入出力される信号には、主に低周波領域に存在する1/fノイズと高周波領域に主に存在する熱雑音とが含まれており、しかも後段の増幅器になればなるほど、これらのノイズレベルが増幅されながら累積されるため、このノイズレベルが各増幅器11〜15の飽和レベルE0 を越えると、これ以降の増幅器の出力がクリップされる。
このような不都合を回避するために、本実施形態のFET帯域増幅器5では、BPF16が用いられている。このBPF16は、増幅帯域の成分(信号に含まれる増幅したい成分)を通過させるとともに、上述した1/fノイズと熱雑音を除去するためのものである。図1に示した本実施形態のAM受信機を考えた場合には、455kHz近傍の中間周波信号の帯域のみをFET帯域増幅器5で増幅できればよい。したがって、BPF16の特性としては、下側のカットオフ周波数(kHz)を455−α(2αが中間周波信号の帯域)以下であって1/fノイズが十分に除去できる値に設定するとともに、上側のカットオフ周波数を455+α以上であって熱雑音が十分に除去できる値に設定する必要がある。
また、各増幅器11〜15のノイズレベルe1 〜e5 が飽和レベルE0 を越えない段数をmとしたときに、この段数mよりも少ない数の縦続接続された増幅器の後段にBPF16を配置する必要がある。本実施形態では、3段目の増幅器13の出力信号に含まれるノイズレベルe3 が飽和レベルE0 以下であり、4段目の増幅器14の出力信号に含まれるノイズレベルe4 が飽和レベルE0 以上であるものとして、3段目の増幅器13と4段目の増幅器14の間にBPF16が挿入されている。
このようにすることで、BPF16の後段側に接続された増幅器14、15においてノイズ成分が増加したために飽和することを防止することができる。
このように、本実施形態のFET帯域増幅器5では、3段目の増幅器13と4段目の増幅器14の間にBPF16が挿入されており、それまでに増幅された1/fノイズや熱雑音が除去されるため、それより後段の増幅器14、15がこれらのノイズ成分によって飽和して利得が制限されるということがなく、FET帯域増幅器5全体として高い利得を確保することができる。
また、各増幅器11〜15に増幅素子として含まれているFET111、112として移動度が小さなpチャネルFETを用いることにより、各増幅器の内部でのノイズの発生をさらに少なくすることができるため、ノイズ成分の増加による各増幅器の飽和をさらに抑制することができ、FET帯域増幅器5全体として高い利得を確実に確保することができる。
特に、バイポーラトランジスタに比べてMOS型のFETは、1/fノイズが多いため、増幅器を多段接続してFET帯域増幅器5を構成しようとすると、1/fノイズが多くなって必要な利得が得られない場合がある。したがって、半導体基板上にCMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いてFET帯域増幅器5あるいはその他の回路を含む全部品を一体形成する場合に、pチャネルFETを用いることは、1/fノイズを低減して実用化を図るために有効な手段となる。
なお、本実施形態では、3段目の増幅器13と4段目の増幅器14の間にBPF16を挿入したが、それよりも前段側にBPF16を配置するようにしてもよい。また、BPF16の後段側に接続された複数段の増幅器において再びノイズレベルが増加して飽和レベルE0 に達するような場合には、2つ目以降のBPFを配置すればよい。
また、本実施形態では、全ての増幅器11〜15についてpチャネル型のFET111、112を用いたが、ノイズ低減の効果が大きな初段からn段目までの(例えば2段目まで)増幅器についてpチャネル型のFET111、112を用いるようにしてもよい。このようにすることで、累積されるノイズ成分を効率よく低減することができる。
〔参考実施例〕
上述した第1の実施形態では、3段目の増幅器13の後段に1つのBPFを挿入してノイズ成分を除去したが、各段の増幅器においてノイズ成分を除去するようにしてもよい。
上述した第1の実施形態では、3段目の増幅器13の後段に1つのBPFを挿入してノイズ成分を除去したが、各段の増幅器においてノイズ成分を除去するようにしてもよい。
図4は、参考実施例のFET帯域増幅器の構成を示す回路図である。図4に示す参考実施例のFET帯域増幅器は、5段の増幅器11A、12A、…、15Aを縦続接続することにより構成されている。これらの各増幅器の構成は基本的に同じであるため、以下では初段の増幅器11Aに着目して、詳細な構成および動作を説明する。
増幅器11Aは、2個のpチャネルMOS型のFET111、112、8個の抵抗113、114、120、121、123、124、125、126、定電流回路115、5個のコンデンサ116〜119、122を含んで構成されている。この中でFET111、112、抵抗113、114、定電流回路115については、図3に示した増幅器11の構成と共通するものであるため、同じ符号が付されている。
コンデンサ116は、一方のFET111のドレイン抵抗である抵抗113に並列に接続されており、FET111のドレインから出力される一方の出力信号に含まれる高域成分を除去する。同様に、コンデンサ117は、他方のFET112のドレイン抵抗である抵抗114に並列に接続されており、FET112のドレインから出力される他方の出力信号に含まれる高域成分を除去する。これらの抵抗113、114、コンデンサ116、117が高域成分除去手段に対応している。
コンデンサ118は、FET111のドレインから出力されて、後段の増幅器12Aに入力される一方の出力信号から直流成分を除去する。また、このコンデンサ118は、抵抗120とともにHPF(ハイパスフィルタ)を構成しており、このHPFによってFET111から出力される信号に含まれる低域成分が除去される。
同様に、コンデンサ119は、FET112のドレインから出力されて、後段の増幅器12Aに入力される他方の出力信号から直流成分を除去する。また、このコンデンサ119は、抵抗121とともにHPFを構成しており、このHPFによってFET111から出力される信号に含まれる低域成分が除去される。
抵抗125、126は、FET111、112のバイアス電圧を設定するためのものである。
また、上述した抵抗120、121のそれぞれの一方端は共通に接続されており、この接続点とアースとの間にコンデンサ122が挿入されている。これらの抵抗120、121およびコンデンサ122によってLPF(ローパスフィルタ)が構成されている。すなわち、FET111、112から別々に出力された信号は、低域成分のみがこのLPFで抽出され、同位相の信号として抵抗123、124のそれぞれを介してFET111、112のゲートに帰還される。この結果、初段の増幅器11Aに入力される信号の中の低域成分については、FET111、112が差動増幅器として動作せずに、そのままの信号レベルで次段の増幅器12Aに入力される。これらの抵抗120、121、123、124、コンデンサ122から構成される帰還回路が低域成分除去手段に対応している。
このように、初段の増幅器11Aでは、一方のFET111のドレインから出力される信号の中から、コンデンサ116を介して高域成分が除去されるため、FET111において発生する熱雑音を有効に取り除くことができる。また、この信号の中から、コンデンサ118と抵抗120によって構成されるHPFによって低域成分が除去されるため、FET111において発生する1/fノイズを有効に取り除くことができる。
同様に、他方のFET112のドレインから出力される信号の中から、コンデンサ117を介して高域成分が除去されるため、FET112において発生する熱雑音を有効に取り除くことができる。また、この信号の中から、コンデンサ119と抵抗121によって構成されるHPFによって低域成分が除去されるため、FET112において発生する1/fノイズを有効に取り除くことができる。
さらに、FET111、112のそれぞれのドレインから出力される信号に含まれる低域成分は、抵抗120、121およびコンデンサ122によって構成されるLPFによって同位相で入力側に帰還されており、この低域成分については増幅器11Aにおける増幅動作が行われないようになっているため、さらに1/fノイズを低減することができる。
ところで、上述した増幅器11Aでは、抵抗113、114のそれぞれに並列にコンデンサ116、117を接続したが、これらのコンデンサ116、117は、FET111、112のそれぞれのドレインとアース以外の固定電位との間に挿入するようにしてもよい。
また、これらのコンデンサ116、117は、次段の増幅器12Aに含まれるFETの寄生容量を利用するようにしてもよい。
図5は、FETの寄生容量を利用することによりコンデンサの数を減らしたFET帯域増幅器の構成を示す回路図である。図5に示すFET帯域増幅器は、5段の増幅器11B、12B、…、15Bを縦続接続することにより構成されている。図4に示した構成に比べて、ドレイン抵抗に並列に接続されたコンデンサ116、117が省略された点と、FET111、112がゲート長Lとゲート幅Wが大きく設定されたFET111a、112aに置き換えられた点が異なっている。
一般に、FETで発生するノイズ電流は、ゲート長Lの逆数に比例することが知られている。したがって、ゲート長Lを長く設定することにより、ノイズ電流を低減することができる。ところが、ゲート長Lを長くするとチャネル抵抗が大きくなるため、その分ゲート幅Wを広く設定してチャネル抵抗を低減することが望ましい。このように、ノイズ電流を低減するために、ゲート長Lとゲート幅Wを大きくするということは、ゲート電極の面積が大きくなるということであり、寄生容量も大きくなるため、ある程度の容量値を確保することが可能になり、コンデンサ116、117の代わりにこの寄生容量を用いることができるようになる。
このように、ゲート長Lとゲート幅Wをともに大きくして寄生容量を大きくした上でコンデンサ116、117を省略することにより、さらに信号の高域成分、すなわち熱雑音を有効に除去することができる。また、コンデンサ116、117を省略することによるコストダウンが可能になることはいうまでもない。
〔他の参考実施例〕
図6は、他の参考実施例のFET帯域増幅器の構成を示す回路図である。図6に示す他の参考実施例のFET帯域増幅器は、縦続接続された5段の増幅器11C、12C、…、15Cと、最終段の増幅器15Cから出力される信号を外部に取り出すとともに初段の増幅器11Cに帰還させる付加回路が含まれている。
図6は、他の参考実施例のFET帯域増幅器の構成を示す回路図である。図6に示す他の参考実施例のFET帯域増幅器は、縦続接続された5段の増幅器11C、12C、…、15Cと、最終段の増幅器15Cから出力される信号を外部に取り出すとともに初段の増幅器11Cに帰還させる付加回路が含まれている。
増幅器11C〜15Cのそれぞれの構成は同じであるため、以下では初段の増幅器11Cに着目して説明する。
増幅器11Cは、FET111a、112a、抵抗113、114、定電流回路115を含んで構成されている。この増幅器11Cは、基本的には図3に示した増幅器11と同じ構成を有している。但し、FET111、112の代わりに図5に示したpチャネルMOS型のFET111a、112aが用いられている。すなわち、これらのFET111a、112aは、ゲート長Lとゲート幅Wが大きく設定されており、高域成分に含まれる熱雑音を除去するために適した大きさのゲート面積が確保されている。これにより、各段の増幅器に入力される信号に含まれる熱雑音を有効に除去することができる。
また、参考実施例のFET帯域増幅器に備わった付加回路には、FET131と定電流回路133からなるソースホロワ回路150と、FET132と定電流回路134からなるソースホロワ回路151と、抵抗135、137、コンデンサ139、141からなるLPF152と、抵抗136、138、コンデンサ140、142からなるLPF153とが含まれている。
最終段の増幅器15Cから出力される一方の差動出力信号が、ソースホロワ回路150を介してFET帯域増幅器の一方の出力信号として取り出されるともに、LPF152および抵抗143を介して初段の増幅器11Cの一方の入力端に帰還される。同様に、最終段の増幅器15Cから出力される他方の差動出力信号が、ソースホロワ回路151を介してFET帯域増幅器の他方の出力信号として取り出されるともに、LPF153および抵抗144を介して初段の増幅器11Cの他方の入力端に帰還される。
ところで、参考実施例のFET帯域増幅器には5段(奇数個)の増幅器11C〜15Cが含まれているため、初段の増幅器11Cに入力される信号の位相に対して、最終段の増幅器15Cから出力される信号の位相は反転している。したがって、ソースホロワ回路150、151から出力される信号の低域成分のみをLPF152、153によって抽出して初段の増幅器11Cに帰還させるということは、低域成分に対応する利得を下げて、この成分のみを除去することに他ならない。すなわち、図6に示した帰還ループを形成することにより、低域成分に含まれる1/fノイズを有効に除去することができる。
このように、FET帯域増幅器の全体に帰還ループを形成して出力信号の低域成分のみを初段の増幅器11Cの入力側に帰還させることによっても有効に1/fノイズを除去することができる。また、各段の増幅器11C〜15Cにおいて高域成分を除去することにより、この高域成分に含まれる熱雑音を有効に除去することができる。
なお、図6に示した他の参考実施例のFET帯域増幅器では、FETの寄生容量を利用して信号の高域成分を除去するようにしていたが、上述した図4に示した参考実施例と同様に、コンデンサを用いるようにしてもよい。この場合には、図6に示したFET111a等のゲート長Lとゲート幅Wを小さくするとともに、抵抗113、114に並列にコンデンサを接続すればよい。
〔第2の実施形態〕
上述した実施形態や参考実施例では、多段接続された複数の増幅器の中間あるいは各段に、使用帯域外に含まれるノイズ成分を除去するためのBPF等を備えてFET帯域増幅器を構成したが、このBPF等を備えずに、各段の増幅器においてノイズ対策を行うようにしてもよい。
上述した実施形態や参考実施例では、多段接続された複数の増幅器の中間あるいは各段に、使用帯域外に含まれるノイズ成分を除去するためのBPF等を備えてFET帯域増幅器を構成したが、このBPF等を備えずに、各段の増幅器においてノイズ対策を行うようにしてもよい。
図7は、本実施形態のFET帯域増幅器5の構成を示す図である。図7に示すFET帯域増幅器は、縦続接続された複数の増幅器11D〜15Dを備えている。このFET帯域増幅器は、その他の回路とともに半導体基板上にCMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて一体形成されている。
上述した複数の増幅器11D〜15Dは、初段からn段目までについてノイズ対策が施されている。例えば、ノイズ対策として、pチャネルMOS型のFETを用いる手法と、MOS型のFETのゲート幅Wとゲート長Lを大きくする手法が単独であるいは組み合わせて用いられる。
pチャネルMOS型のFETを用いることにより低周波領域に現れる1/fノイズの低減が可能であり、半導体基板上にFET帯域増幅器を一体形成する際に特に有効な手法であることは上述したとおりである。
図8は、MOS型FETのゲート幅Wとゲート長Lを示す図であり、半導体基板の表面近傍に形成されたFET全体を示す平面図が示されている。
上述したように、(1)式の右辺の第2項が1/fノイズを示すものであり、この項においてゲート幅Wとゲート長Lが分母にあることから、ゲート幅Wやゲート長Lを大きな値に設定することによっても1/fノイズを低減できることがわかる。また、ゲート幅Wとゲート長Lを大きくすると、図5等に示したFETの寄生容量も大きくなって、高周波領域に現れる熱雑音を除去するためにも有効となる。
このように、初段からn段目までの各増幅器においてノイズ対策を施すことにより、ノイズ成分によって各増幅器が飽和してしまうことを防止することができる。
ところで、増幅器11D〜15Dのそれぞれにおいて発生するノイズ(1/fノイズと熱雑音を合計したもの)をen1、en2、en3、en4、en5、増幅器12D〜15Dのそれぞれの利得をA2、A3、A4、A5とすると、増幅器11D〜15Dのそれぞれの出力信号に含まれるノイズレベルe1、e2、e3、e4、e5は、上述した(2)式で示したようになる。
全ての増幅器11D〜15Dについてノイズ対策を施すことにより、最もノイズが少なくなるが、全てのFETをpチャネル型のFETとすると、nチャネル型のFETを用いる場合に比べて素子面積が大きくなる。また、ゲート幅Wとゲート長Lを大きくする場合も同様であり、このノイズ対策を施した場合に素子面積が大きくなる。特に、半導体基板上にFET帯域増幅器を一体形成する場合には、占有面積の縮小による高密度化、コストダウン等を図るとともに、ノイズ低減による増幅器の飽和を有効に防止するために、初段からn段目までの増幅器について上述したノイズ対策を施すことが望ましい。
具体的には、m段目の増幅器の出力信号に含まれるノイズレベルemが、m+1段目の増幅器についてノイズ対策を行わなかった場合に発生するノイズレベルよりも十分に大きく(例えば数倍)なるようであれば、m+1段目以降の増幅器についてノイズ対策を行ってもそれ程の効果は期待できないため、m段目までの増幅器について上述したノイズ対策を行えばよい。これにより、半導体基板上にFET帯域増幅器を一体形成した場合のチップ面積の小型化と、ノイズによる飽和防止の効果を得ることができる。
ところで、何段までの増幅器に含まれるFETのゲート幅Wとゲート長Lをそれ以降の増幅器に含まれるFETのゲート幅Wとゲート長Lよりも大きくするかについては、以下のようにしてもよい。
増幅器を多段接続した場合を考えたときに、前段の増幅器に含まれるFETにおいて発生した1/fノイズは、それより後段の増幅器に含まれるFETにおいて増幅されるため、前段の増幅器に含まれるFETにおいて発生する1/fノイズを低減することは、全体の低周波ノイズを低減するために好ましい。一方、後段の増幅器に含まれるFETにおいて発生する1/fノイズは、それよりも後段の増幅器に含まれるFETにおいて増幅される程度が少ないため、全体の低周波ノイズの低減に寄与する割合は少ないと考えられる。したがって、この後段の増幅器に含まれるFETのチャネル長Lとチャネル幅Wをそれよりも前段の増幅器に含まれるFETのそれらよりも小さな値にすることにより、FETによる占有面積を小さくすることができ、チップの小型化によるコスト低減を図ることができる。
あるいは、図7に示した任意位置の増幅器に含まれるFETに着目したときに、このFETによって発生するノイズ成分がこのFETの入力信号に含まれるノイズ成分よりも小さくなるように、それぞれの増幅器に含まれるFETのチャネル長Lとチャネル幅Wを設定するようにしてもよい。いずれかの増幅器に含まれるFETにおいて発生するノイズ成分をこのFETの入力信号中のノイズ成分よりも小さくすることにより、全体の低周波ノイズの低減が可能になる。
なお、m段目までの増幅器をpチャネルMOS型のFETを用いて構成し、m+1段目以降の増幅器をnチャネルMOS型のFETを用いて構成する手法は、上述した第1の実施形態や各参考実施例の各FET帯域増幅器について適用することもできる。この場合であっても、チップ面積の小型化とノイズ低減による飽和防止の効果を得ることができる。
〔第3の実施形態〕
上述した各実施形態や各参考実施例において、FET帯域増幅器とその他の回路を半導体基板上に一体形成する場合に、pチャネル型のFETが増幅素子として用いられている各段の増幅器をNウェル上に形成することにより、半導体基板を通って他の回路にノイズが回り込むことを防止することができる。
上述した各実施形態や各参考実施例において、FET帯域増幅器とその他の回路を半導体基板上に一体形成する場合に、pチャネル型のFETが増幅素子として用いられている各段の増幅器をNウェル上に形成することにより、半導体基板を通って他の回路にノイズが回り込むことを防止することができる。
図9は、第3の実施形態のFET帯域増幅器の概略構造を示す断面図である。また、図10は図9に示した構造の平面図である。図9に示す構造では、各段の増幅器がpチャネル型のFETを用いて構成されている場合に、このFET帯域増幅器5の全部品がNウェル52上に形成されている。なお、m段目までの各段の増幅器がpチャネル型のFETを用いて構成されている場合には、このm段目までの各増幅器の全部品がNウェル52上に形成される。
Nウェル52とP形の半導体基板50との間にはPN接合面が形成されるため、Nウェル52の電位の方が半導体基板50よりも高い場合には、Nウェル52から半導体基板50に向けて流れる電流がこのPN接合面で遮断される。このため、Nウェル52上に形成された回路において発生したノイズが半導体基板50を通って他の回路に回り込むことを防止することができる。
特に、m段目までの各増幅器をNウェル52上に形成することにより、m段目までの増幅器で発生したノイズがm+1段目以降の増幅器に半導体基板50を通って回り込むことを防止することができるため、FET帯域増幅器内のm+1段目以降の増幅器が飽和することをさらに防止することができる。
また、図10に示すように、半導体基板50の表面近傍であって、Nウェル52を囲む周辺領域に、ガードリング54が形成されている。このガードリング54は、P形の半導体基板50の一部をN形領域に形成したものである。ガードリング54と半導体基板50によってPNP層が形成されるため、Nウェル52上に形成された回路で発生したノイズが半導体基板50の表面近傍を通って他の回路に回り込むことを有効に防止することができる。
特に、このガードリング54は、半導体基板50のより深層領域に達するように、例えばNウェル52よりも深い箇所まで達するように形成することが望ましい。これにより、Nウエル52上に形成された回路で発生したノイズがガードリング54の下側(半導体基板50の内部)を通って他の回路に回り込む場合に、より低周波成分の回り込みを防止することが可能になる。したがって、m段目までの各増幅器をNウェル52上に形成することにより、m段目までの増幅器で発生した1/fノイズがm+1段目以降の増幅器にガードリング54の下側を通って回り込むことを防止することができるため、FET帯域増幅器内のm+1段目以降の増幅器が飽和することをさらに防止することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、縦続接続された5段の増幅器によってFET帯域増幅器を構成したが、この段数はFET帯域増幅器全体の利得をどの程度に設定するかに応じて適宜変更することができる。
また、上述した各実施形態に示したFET帯域増幅器5とAGC(自動利得制御)回路を組み合わせるようにしてもよい。
図11は、図2に示したFET帯域増幅器5にAGC回路17を追加した構成を示す図である。AGC回路17は、最終段の増幅器15の出力信号のレベルがほぼ一定となるように、各増幅器11〜15の利得を制御する。このため、小信号がFET帯域増幅器に入力された場合には増幅器11〜15のそれぞれの利得が大きな値に設定されるが、上述したようにBPF16によって1/fノイズと熱雑音とが除去されるため、これらのノイズ成分によって各増幅器11〜15(特に増幅器14、15)が飽和することがなく、歪みの少ない増幅信号を得ることができる。なお、第2の実施形態や各参考実施例のFET帯域増幅器とAGC回路とを組み合わせた場合にも同様の効果が得られることは明らかである。
1 高周波増幅回路
2 混合回路
3 局部発振器
4、6、16 BPF(帯域通過フィルタ)
5 FET帯域増幅器
7 AM検波回路
11〜15 増幅器
2 混合回路
3 局部発振器
4、6、16 BPF(帯域通過フィルタ)
5 FET帯域増幅器
7 AM検波回路
11〜15 増幅器
Claims (13)
- FETが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の増幅器と、
前記複数段の増幅器の中段に挿入されて増幅帯域よりも広い通過帯域が設定された帯域通過フィルタと、
を備え、前記増幅器の少なくとも初段からn段目までの前記FETとしてpチャネルFETを用い、
CMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて、半導体基板上に構成部品が一体形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項1において、
前記増幅器は、2個の前記FETを差動動作させる差動増幅器であり、
ノイズ成分が累積して前記増幅器が飽和する段数をmとしたときに、この段数mよりも少ない数の縦続接続された前記増幅器の後段に前記帯域通過フィルタを配置することを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項1において、
前記増幅器に含まれる全ての増幅素子としての前記pチャネルFETを用いることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項1において、
前記半導体基板にはNウェルが形成されており、このNウェル上に前記構成部品の全部あるいは一部が形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項4において、
前記半導体基板には、前記構成部品の周囲にガードリングが形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項5において、
前記ガードリングは、前記半導体基板表面から前記Nウェルよりも深い位置まで形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - FETが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の増幅器を含んで構成されており、
前記増幅器のm段目までに含まれる増幅素子としてpチャネル型のFETを用い、m+1段目以降の前記増幅器に含まれる増幅素子としてnチャネル型のFETを用い、
CMOSプロセスあるいはMOSプロセスを用いて、半導体基板上に構成部品が一体形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項7において、
m段目までの前記増幅器に含まれる前記FETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wを、m+1段目以降の前記増幅器に含まれる前記FETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wよりも大きな値に設定することを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項7において、
前記増幅素子として多段接続された前記複数の増幅器に含まれる前記FETに着目したときに、前段に配置された前記増幅器に含まれる前記FETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wを、それより後段に配置された前記増幅器に含まれる前記FETのチャネル長Lおよびチャネル幅Wよりも大きな値に設定することを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項7において、
前記増幅素子として多段接続された前記複数の増幅器に含まれる前記FETに着目したときに、このFETによって発生するノイズ成分が、このFETの入力信号に含まれるノイズ成分よりも小さくなるように、それぞれの前記FETのチャネル長Lとチャネル幅Wを設定することを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項7において、
前記半導体基板にはNウェルが形成されており、このNウェル上に前記構成部品の全部あるいは一部が形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項11において、
前記半導体基板には、前記構成部品の周囲にガードリングが形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。 - 請求項12において、
前記ガードリングは、前記半導体基板表面から前記Nウェルよりも深い位置まで形成されていることを特徴とするFET帯域増幅器。
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