JP2008094666A - 吸着テーブルおよびこれを備えたブレイク装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】吸着に寄与しない吸引口の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、これを適切に吸着セットする。
【解決手段】整列配置された多数の吸引口42を有し、ワークWが様々なエリアに載置されるテーブル本体41と、一端が各吸引口42に接続され、他端が真空吸引手段45に連なる多数の個別吸引流路43と、各個別吸引流路43に介設され、当該個別吸引流路43を開閉する多数の流路開閉手段46と、各個別吸引流路43に介設され、当該個別吸引流路43内の吸引状態を計測する多数の計測手段47と、テーブル本体41に載置されたワークWの吸着開始時において、各計測手段47による計測結果に基づいて、対応する個別吸引流路43内の吸引状態がリーク状態であるか否かを判断し、リーク状態であると判断した場合に、当該個別吸引流路43の流路開閉手段46を制御して、当該個別吸引流路43を閉止させる制御手段51とを備えた。
【選択図】図4
【解決手段】整列配置された多数の吸引口42を有し、ワークWが様々なエリアに載置されるテーブル本体41と、一端が各吸引口42に接続され、他端が真空吸引手段45に連なる多数の個別吸引流路43と、各個別吸引流路43に介設され、当該個別吸引流路43を開閉する多数の流路開閉手段46と、各個別吸引流路43に介設され、当該個別吸引流路43内の吸引状態を計測する多数の計測手段47と、テーブル本体41に載置されたワークWの吸着開始時において、各計測手段47による計測結果に基づいて、対応する個別吸引流路43内の吸引状態がリーク状態であるか否かを判断し、リーク状態であると判断した場合に、当該個別吸引流路43の流路開閉手段46を制御して、当該個別吸引流路43を閉止させる制御手段51とを備えた。
【選択図】図4
Description
本発明は、ワーク(例えば複数のTFT液晶パネルを作り込んだマザー基板)を吸着セットする吸着テーブルおよびこれを備えたブレイク装置に関するものである。
従来、一定の載置エリアに対応して多数の吸引口が形成されたテーブル本体(ステージ)を備え、載置されたワークを吸着セットする吸着テーブルが知られている。そして、この吸着テーブルにより、一方の面にスクライブラインが形成されたワーク(ガラス基板)を吸着保持すると共に、これをスクライブラインを支点として折り曲げることにより、ワークを分割するブレイク装置(ガラス基板カット装置)が知られている(特許文献1参照)。
特開平8−283033号公報
この種の吸着テーブルでは、ワークがテーブル本体上の一定のエリアではなく、様々なエリアに載置される場合が考えられる。例えば、平面形状の異なる複数種のワークを載置する場合や、平面形状が同一であっても載置位置が異なる場合である。このような場合には、その都度、ワーク(載置エリア)から外れた吸引口の個数およびその位置が変化することになる。ワークから外れた吸引口は、ワークの吸着に寄与せず、却って、この吸引口からエアーがリークするために、ワークから外れていない吸引口における吸引力が低下してしまう。このため、テーブル本体に載置されたワークを適切に吸着することができず、問題となる。
本発明は、吸着に寄与しない吸引口の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、これを適切に吸着セットすることができる吸着テーブルおよびこれを備えたブレイク装置を提供することを目的とする。
本発明の吸着テーブルは、整列配置された多数の吸引口を有し、ワークが様々なエリアに載置されるテーブル本体と、一端が各吸引口に接続され、他端が真空吸引手段に連なる多数の個別吸引流路と、各個別吸引流路に介設され、当該個別吸引流路を開閉する多数の流路開閉手段と、各個別吸引流路に介設され、当該個別吸引流路内の吸引状態を計測する多数の計測手段と、テーブル本体に載置されたワークの吸着開始時において、各計測手段による計測結果に基づいて、対応する個別吸引流路内の吸引状態がリーク状態であるか否かを判断し、リーク状態であると判断した場合に、当該個別吸引流路の流路開閉手段を制御して、当該個別吸引流路を閉止させる制御手段と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、各個別吸引チューブがリーク状態である場合にはこれを閉止するようにしたことで、ワークが様々なエリアに載置されるがために吸着に寄与しない吸引口の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、吸着に寄与しない吸引口からのエアーのリークを確実に防止することができる。したがって、ワークが様々なエリアに載置される場合にも、これを適切に吸着セットすることができる。
この場合、制御手段は、多数の個別制御手段を有し、各個別制御手段は、対応する計測手段の計測結果に基づいて、対応する個別吸引流路内の吸引状態がリーク状態であるか否かを判断すると共に、当該個別吸引流路の流路開閉手段を制御することが好ましい。
この構成によれば、各個別制御手段により、対応する計測手段の計測結果に基づいて、対応する流路開閉手段を制御することができる。
この場合、多数の個別吸引流路の下流端には、真空吸引手段に連なる合流吸引流路が接続されており、合流吸引流路には、吸引圧力が適正な圧力値になるように調整する圧力調整手段が、設けられていることが好ましい。
この構成によれば、合流吸引流路に設けられた吸引圧力調整手段により、多数の吸引口における吸引力を一括して調整することができる。したがって、簡易な構成で、ワーク全体に作用させる吸着力をコントロールすることができる。
この場合、合流吸引流路には、圧縮エアー供給手段に連なる流路切替え手段が、設けられており、制御手段は、ワークの吸着終了時に、流路切替え手段を、圧縮エアー供給手段側に切り替えることが好ましい。
この構成によれば、ワークの吸着終了時に、多数の個別吸引流路に圧縮エアーが導入されるため、各吸引口おいてワークに対する吸着状態が確実に解除される。したがって、ワークの吸着終了後、テーブル本体からワークを容易に取り外すことができる。
本発明のブレイク装置は、スクライブラインに沿って、ワークであるマザー基板をブレイクするブレイク装置において、上記した吸着テーブルを、備えたことを特徴とする。
この構成によれば、ワークであるマザー基板が様々なエリアに載置される場合にも、これを適切に吸着セットすることができる。
この場合、マザー基板の一方のブレイク側を吸着保持する第1の吸着テーブルと、マザー基板の他方のブレイク側を吸着保持する第2の吸着テーブルと、第1の吸着テーブルに対し第2の吸着テーブルをブレイク動作させるブレイク機構と、を備えたことが好ましい。
この構成によれば、マザー基板を適切に吸着保持した状態で、ブレイク動作を行うことができる。このため、チッピングやカケ等を生じさせることなく、マザー基板を適切に分割することができる。
この場合、マザー基板が、複数のTFT液晶パネルを作り込んだマザー基板であり、ブレイクによりマザー基板からTFT液晶パネルを複数枚取りすることが好ましい。
この構成によれば、チッピングやカケ等が生じることなく、適切に分割されたTFT液晶パネルを得ることができる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。本実施形態に係るブレイク装置は、複数のTFT液晶パネルを作り込んだマザー基板を、スクライブ・ブレイク法により分割(割断)して、TFT液晶パネル(セル)を複数枚取りするブレイクシステムに組み込まれたものである。
図1に示すように、分割対象となるマザー基板Wは、ODF方式(One Drop Filling)により液晶を滴下して、複数のTFT液晶パネルPを作り込んだものである。すなわち、マザー基板Wは、TFTアレイ基板Wa(以下、単に「アレイ基板」という。)と、カラーフィルタ基板Wc(以下、単に「CF基板」という。)とを有している。アレイ基板WaおよびCF基板Wcは、脆性を有する材料(例えばガラス板)で構成され、円形の薄板状に形成されている。そして、一方の基板に対し、複数の長方形をマトリクス状に描くようにしてシール材Sを塗布し、さらに、各長方形(シール材S)の内側に液晶材を定量滴下した後、真空中で両基板を位置決めし貼り合わせたものである。このマザー基板Wを後述するブレイクシステムにより分割することで、複数のTFT液晶パネルPが得られる。なお、図中の符号L(La,Lb,Lc)は、後述するスクライブラインを示している。
図1(b)に示すように、分割して得られた各TFT液晶パネルPは、アレイ基板WaとCF基板Wcとが、両基板の外縁部をシールするシール材Sにより貼り合わされると共に、両基板の間隙において、シール材Sにより液晶材が封入された構成となる。そして、両基板は、一方の短辺部分において、アレイ基板Waに対してCF基板Wcが後退(セットバック)し、不揃いとなっている。このCF基板Wcが後退した部分のアレイ基板Wa上に、FPC等を接続するための端子エリアPaが形成されている。つまり、CF基板Wcにおけるこの部分は、分割されて取り除かれる不要チップPbとなっている。
図2に示すように、ブレイクシステムは、搬入されたマザー基板Wに対しスクライブを行うレーザスクライブ装置11と、スクライブ後にブレイクを行うブレイク装置12と、不要チップを取り除くためのチップ分割装置13とを備えている。
レーザスクライブ装置11は、レーザ光(例えばフェムト秒レーザ)を照射するレーザ照射ヘッド21と、セットされたマザー基板Wをレーザ照射ヘッド21に対して移動させるXYテーブル22とを備えている。XYテーブル22によりマザー基板Wを縦横に移動させながら、レーザ照射ヘッド21によりアレイ基板WaまたはCF基板Wcに対してレーザ光を照射すると、照射された部分が強度の低下した変質部となり、スクライブラインLが形成される。
このスクライブラインLの形成は、アレイ基板WaおよびCF基板Wcに対して個別に行われる。すなわち、まず、アレイ基板Waを上にした状態でマザー基板WがXYテーブル22にセットされ、アレイ基板Waに対して、各TFT液晶パネルPの四辺に対応する縦スクライブラインLaおよび横スクライブラインLbを形成する。次に、CF基板Wcが上となるようにマザー基板Wを反転し、CF基板Wcに対して、アレイ基板Waと同様に、各TFT液晶パネルPの四辺に対応する縦スクライブラインLaおよび横スクライブラインLbを形成する。さらに、上記の不要チップPbを分割するためのスクライブライン(チップ用スクライブラインLc)を、縦スクライブラインLaと平行に複数形成する。
ブレイク装置12は、メインテーブル31(第1の吸着テーブル)と、サブテーブル32(第2の吸着テーブル)と、メインテーブル31に対しサブテーブル32をブレイク動作させるブレイク機構33と、テーブル制御部34(図4参照)とを備えている。メインテーブル31は、4隅に設けられた4本の支柱35により水平に支持されている。サブテーブル32は、メインテーブル31の端部に設けられた回動軸36により、メインテーブル31と平行(面一)となるセット位置と、メインテーブル31に対し下方に傾斜したブレイク位置との間で回動自在に支持されている。
ブレイク機構33は、回動軸36の両端部に設けられた一対のL字部材37と、各L字部材37の先端部に連結された一対のエアーシリンダー38(図では一方のみ示す)とで構成されている。そして、エアーシリンダー38のピストンロッドを後退させるとサブテーブル32が下方(ブレイク位置)に回動し、ピストンロッドを前進させるとサブテーブル32が上方(セット位置)に回動する。このセット位置からブレイク位置への回動により、吸着セットしたマザー基板Wをブレイクする。また、テーブル制御部34は、例えばPLCで構成され、ブレイク装置12の各部を統括制御している。
このように構成されたブレイク装置12により、マザー基板Wがブレイクされ複数のTFT液晶パネルPが得られる。すなわち、まず、搬入されたマザー基板Wを、最外端の縦スクライブラインLaがメインテーブル31とサブテーブル32との境界線に合致するようにして、位置合わせする。続いて、テーブル制御部34が、メインテーブル31およびサブテーブル32の吸着を開始させ、位置合わせされたマザー基板Wを吸着セットする。つまり、最外端の縦スクライブラインLaを境にして、一方のブレイク側がメインテーブル31に吸着保持され、他方のブレイク側がサブテーブル32に吸着保持される。そして、テーブル制御部34が、ブレイク機構33にブレイク動作を行わせることで、マザー基板Wを最外端の縦スクライブラインLaの位置でブレイクする。
この手順で、順次、縦スクライブラインLaに沿ってマザー基板Wをブレイクし、短冊状に分割されたマザー基板(短冊基板)を複数得る。次に、各短冊基板を、今度は横スクライブラインLbに沿って上記と同様の手順で1つずつ分割していく。このような複数回に亘るブレイクにより、複数のTFT液晶パネルP(不要チップPb付き)が単品化される。
ここで、ブレイクシステムによる一連のスクライブ・ブレイク方法について説明する。まず、前工程において作成されたマザー基板W(図2(a)参照)をブレイク装置12に搬入し(図2(b)参照)、搬入されたマザー基板Wに対してスクライブラインLを形成する(図2(c)参照)。スクライブラインLが形成されたマザー基板Wを、ブレイク装置12にセットし、ブレイクする(図2(d)参照)。単品化されたTFT液晶パネルP(不要チップPb付き)から、チップ分割装置13により不要チップPbを取り除き(図2(e)参照)、TFT液晶パネルP(不要チップPbなし)を得る(図2(f)参照)。
図3は、上記のブレイク工程(図2(d)参照)において、マザー基板Wがメインテーブル31およびサブテーブル32にセットされた状態を示す図である。すなわち、図3(a)は、1回目のブレイク動作におけるセット状態、図3(b)は、2回目のブレイク動作におけるセット状態を示している。詳細は後述するが、メインテーブル31およびサブテーブル32は、それぞれ吸着テーブルで構成されており、マザー基板Wが載置されるテーブル本体41には、多数の吸引口42が整列配置されている。
そして、ブレイク工程の進行に従って、マザー基板Wの形状ないし載置位置が変化し、その都度、マザー基板Wから外れて吸着に寄与しない吸引口(基板外吸引口42o;図では黒丸で示す)の個数およびその位置が変化することになる。基板外吸引口42oからエアーがリークすると、マザー基板Wから外れていない吸引口(基板内吸引口42i;図では白丸で示す)における吸引力が低下してしまう。そこで、メインテーブル31およびサブテーブル32は、このように基板外吸引口42oの個数およびその位置がその都度変化する場合にも、マザー基板Wを適切に吸着セットできるようにすべく、以下のように構成されている。なお、以下では、メインテーブル31を例にして説明するが、サブテーブル32も同様の構成である。
図4は、メインテーブル31のテーブル本体41に形成された多数の吸引口42のうちの3つの吸引口42と、各吸引口42に連なる吸着機構とを説明する図である。同図に示すように、メインテーブル31は、テーブル本体41と、各吸引口42に上流端が接続された多数の個別吸引チューブ43と、多数の個別吸引チューブ43に下流端に接続され、真空ポンプ45に連なる合流吸引チューブ44とを備えている。なお、本実施形態では、1個の吸引口42に1本の個別吸引チューブ43が対応しているが、複数個の吸引口42に1本の個別吸引チューブ43を対応させてもよい。また、真空吸引手段としては、真空ポンプ45のほか、工場真空系統やエゼクタでもよい。
また、各個別吸引チューブ43には、当該チューブを開閉する流路開閉弁46(電磁弁)が介設されている。なお、流路開閉弁46は、流量調整弁であってもよい。さらに、各個別吸引チューブ43には、当該チューブ内における吸引圧力を測定する圧力計47が介設されている。なお、本実施形態では、圧力計47により吸引圧力を測定することで、個別吸引チューブ43内の吸引状態を計測しているが、流量計により個別吸引チューブ43内の吸引流量を測定することで、さらには圧力計47と流量計とを併用することで、個別吸引チューブ43内の吸引状態を計測するようにしてもよい。また、各個別吸引チューブ43には、エアフィルタを設けてもよい。
合流吸引チューブ44には、下流端(真空ポンプ45)側から順に、電動の三方弁48(流路切替え手段)と、流量調整弁49(圧力調整手段)とが介設されている。三方弁48の1のポートは、エアーコンプレッサー等で構成された圧縮エアー供給手段50に連通している。流量調整弁49は、吸引圧力が適正な圧力値になるように調整するものであり、これにより、多数の吸引口42における吸引力を一括して調整することができる。したがって、簡易な構成で、マザー基板W全体に作用させる吸着力をコントロールすることができる。
さらに、メインテーブル31は、多数の個別制御部51を備えている。各個別制御部51は、例えば制御ICで構成され、上記のテーブル制御部34の制御を受けると共に、対応する圧力計47から出力された測定結果に基づいて、対応する流路開閉弁46を開閉制御している。
図5は、メインテーブル31の動作フローを示すフローチャートである。まず、テーブル制御部34が、各個別制御部51へ基板吸着開始指令を出力する(S1)。続いて、各個別制御部51が、基板吸着開始指令に基づいて、対応する流路開閉弁46を制御(励磁)して、個別吸引チューブ43を開放させ(S2)、吸着を開始する。
所定時間経過後、各個別制御部51が、対応する個別吸引チューブ43の吸引状態がリーク状態である否かを判断する。すなわち、各個別制御部51は、対応する圧力計47により測定された測定圧力(絶対値)が、予め記憶した基準閾値よりも大きいか否か判断する(S3)。
ここで、基板外吸引口42oにおいては、そこからエアーがリークしているため、吸引圧力(絶対値)が基準閾値よりも小さくなる。そのため、個別制御部51が、測定圧力が基準閾値よりも大きくないと判断する(S3;No)。すなわち、この場合は、個別制御部51が、対応する個別吸引チューブ43の吸引状態がリーク状態であると判断したことになる。他方、基板内吸引口42iにおいては、そこからエアーがリークしていないため、吸引圧力(絶対値)が基準閾値よりも大きくなる。そのため、個別制御部51が、測定圧力が基準閾値よりも大きいと判断する(S3;Yes)。すなわち、この場合は、個別制御部51が、対応する個別吸引チューブ43の吸引状態が吸着状態であると判断したことになる。
個別制御部51が、測定圧力が基準閾値よりも大きくないと判断した場合(S3;No)、その個別制御部51は、対応する流路開閉弁46を制御して、個別吸引チューブ43を閉止させる(S4)。このように、各個別吸引チューブ43がリーク状態である場合にはこれを閉止するようにしたことで、基板外吸引口42oの個数およびその位置がその都度変化する場合にも、基板外吸引口42oからのエアーのリークを確実に防止することができる。したがって、上述したように、マザー基板Wはテーブル本体41上で様々なエリアに載置されるが、これを適切に吸着セットすることができる。
そして、テーブル制御部34が、ブレイク機構33にブレイク動作させ、メインテーブル31(およびサブテーブル32)に吸着セットされたマザー基板Wをブレイクする(S5)。ブレイク動作後、マザー基板Wの吸着を終了する。このとき、テーブル制御部34が、三方弁48を圧縮エアー供給手段50側に切替え、各個別吸引チューブ43に圧縮エアーを導入する(S6)。これにより、各基板内吸引口42iおいてマザー基板Wに対する吸着状態が確実に解除される。したがって、マザー基板Wの吸着終了後、テーブル本体41からマザー基板Wを容易に取り外すことができる。最後に、テーブル制御部34が、各個別制御部51に対し、基板吸着終了指令を出力する(S7)。各個別制御部51は、基板吸着終了指令に基づいて、対応する流路開閉弁46を制御(消磁)して、個別吸引チューブ43を閉止させ(S8)、一連の動作フローが終了する。
以上のように、本実施形態のメインテーブル31およびサブテーブル32によれば、吸着に寄与しない吸引口42の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、これを適切に吸着セットすることができる。
なお、本実施形態では、各個別吸引チューブ43における吸引状態に基づいて、当該個別吸引チューブ43を開閉制御するようにしたが、各個別吸引チューブ43にマザー基板Wの有無を検知するセンサ(例えば、フォトセンサや接触センサ)を設け、これとの組合せで個別吸引チューブ43を開閉制御するようにしてもよい。
12…ブレイク装置 31…メインテーブル 32…サブテーブル 33…ブレイク機構 41…テーブル本体 42…吸引口 43…個別吸引チューブ 44…合流吸引チューブ 46…流路開閉弁 47…圧力計 48…三方弁 49…流量調整弁 50…圧縮エアー供給手段 51…個別制御部
Claims (7)
- 整列配置された多数の吸引口を有し、ワークが様々なエリアに載置されるテーブル本体と、
一端が前記各吸引口に接続され、他端が真空吸引手段に連なる多数の個別吸引流路と、
前記各個別吸引流路に介設され、当該個別吸引流路を開閉する多数の流路開閉手段と、
前記各個別吸引流路に介設され、当該個別吸引流路内の吸引状態を計測する多数の計測手段と、
前記テーブル本体に載置された前記ワークの吸着開始時において、前記各計測手段による計測結果に基づいて、対応する前記個別吸引流路内の吸引状態がリーク状態であるか否かを判断し、リーク状態であると判断した場合に、当該個別吸引流路の流路開閉手段を制御して、当該個別吸引流路を閉止させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする吸着テーブル。 - 前記制御手段は、多数の個別制御手段を有し、
前記各個別制御手段は、対応する前記計測手段の計測結果に基づいて、対応する前記個別吸引流路内の吸引状態がリーク状態であるか否かを判断すると共に、当該個別吸引流路の流路開閉手段を制御することを特徴とする請求項1に記載の吸着テーブル。 - 前記多数の個別吸引流路の下流端には、前記真空吸引手段に連なる合流吸引流路が接続されており、
前記合流吸引流路には、吸引圧力が適正な圧力値になるように調整する圧力調整手段が、設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の吸着テーブル。 - 前記合流吸引流路には、圧縮エアー供給手段に連なる流路切替え手段が、設けられており、
前記制御手段は、前記ワークの吸着終了時に、前記流路切替え手段を、前記圧縮エアー供給手段側に切り替えることを特徴とする請求項3に記載の吸着テーブル。 - スクライブラインに沿って、前記ワークであるマザー基板をブレイクするブレイク装置において、
請求項1ないし4のいずれかに記載の吸着テーブルを、備えたことを特徴とするブレイク装置。 - 前記マザー基板の一方のブレイク側を吸着保持する第1の前記吸着テーブルと、
前記マザー基板の他方のブレイク側を吸着保持する第2の前記吸着テーブルと、
前記第1の吸着テーブルに対し前記第2の吸着テーブルをブレイク動作させるブレイク機構と、
を備えたことを特徴とする請求項5に記載のブレイク装置。 - 前記マザー基板が、複数のTFT液晶パネルを作り込んだマザー基板であり、
ブレイクにより前記マザー基板から前記TFT液晶パネルを複数枚取りすることを特徴とする請求項5または6に記載のブレイク装置。
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Cited By (2)
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KR101178342B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-09-07 | 창원대학교 산학협력단 | 자동면취기 |
JP2018020954A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ガラス基板の時間差分断方法 |
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